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存储器刷新方式

发布时间: 2022-06-30 10:42:07

⑴ 设存储器的读、写周期均为0.5us,CPU在1us内至少访问一次。试问采用哪种刷新方式比较合理

1us内要求访问一次就不能使用集中刷新,异步和分散都可以,但异步比较合理。
最大间隔的话,如果是两行之间=最大间隔时间/行数,
不然的话一般就是2ms

⑵ 存储器所有单元刷新一遍需要多少次刷新操作如何理解

静态存储单元(SRAM) ●存储原理:由触发器存储数据 ●单元结构:六管NMOS或OS构成 ●优点:速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低;常用作Cache ●缺点:元件数多、集成度低、运行功耗大 ●常用的SRAM集成芯片:6116(2K×8位),6264(8K×8位),62256(32K×8位),2114(1K×4位) 动态存储单元(DRAM) ●存贮原理:利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理,需刷新(早期:三管基本单元;之后:单管基本单元) ●刷新(再生):为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失,必须定时给栅极电容补充电荷的操作 ●刷新时间:定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间(小于2ms)。 ●优点: 集成度远高于SRAM、功耗低,价格也低 ●缺点:因需刷新而使外围电路复杂;刷新也使存取速度较SRAM慢,所以在计算机中,DRAM常用于作主存储器。尽管如此,由于DRAM存储单元的结构简单,所用元件少,集成度高,功耗低,所以已成为大容量RAM的主流产品。

⑶ dram的刷新方式一般有哪两种

集中刷新和分散隐含刷新

DRAM的刷新方式 常用刷新方式: 教科书P84图3.14
① 集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行,刷新集中完成。

特点:存在一段停止读/写操作的死时间 适用于高速存储器

② 分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片,分时进行正常读/写操作和刷新操作。

特点:不存在停止读/写操作的死时间
但系统运行速度降低

③ 异步式---前两种方式的结合,每隔一段时间刷新一次,保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

⑷ 什么是刷新存储器其存储器容量与什么因素有关

将存储器原有内容擦除,写入新的内容,就叫刷新存储器。存储器容量与芯片集成技术发展程度有关。

⑸ 在实际SRAM存储器刷新操作中,最常用的刷新操作时哪几种它们如何工作,特点是

SRAM利用寄存器来存储信息,所以一旦掉电,资料就会全部丢失,只要供电,它的资料就会一直存在,不需要动态刷新。特点是速度快,价格较贵,常用于高速缓冲存储器。
SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM每隔一段时间,要刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能。
但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,功耗较DRAM大 ,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM显得更贵。

⑹ 半导体动态存储器为什么要刷新刷新的主要方式有哪三种

动态存储器依靠电容电荷存储信息,时间一长,电荷可能泄放,因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、异步刷新。

⑺ 为什么DRAM需要刷新

DRAM就是动态随机存取存储器,动态随机存取存储器需要刷新是因为DRAM存储信息的特殊性

DRAM是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的,电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充,时间一长,信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电,按需要补给栅极电容的信息电荷,此过程叫刷新。因此,DRAM需要刷新。

(7)存储器刷新方式扩展阅读:

DRAM是靠其内部电容电位来记录其逻辑值的,但是电容因各方面的技术困难无可避免的有显着的漏电现象(放电现象)而使电位下降,于是需要周期性地对高电位电容进行充电而保持其稳定,这就是刷新。动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。 有的Dram也支持每个bank刷新的命令,每次同时刷新一个bank的多个行,在一个rank刷新的时候允许bank-level 并行。

⑻ 动态MOS存储器为什么要刷新常用的刷新方式有哪几种

动态MOS存储单元存储信息的原理,是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。但由于漏电流的存在,栅极电容上存储的电荷不可能长久保持不变,因此为了及时补充漏掉的电荷,避免存储信息丢失,需要定时地给栅极电容补充电荷,通常把这种操作称作刷新或再生。 常用的刷新方式有三种,一种是集中式,另一种是分散式,第三种是异步式。 集中式刷新:在整个刷新间隔内,前一段时间重复进行读/写周期或维持周期,等到需要进行刷新操作时,便暂停读/写或维持周期,而逐行刷新整个存储器,它适用于高速存储器。 分散式刷新:把一个存储系统周期t c 分为两半,周期前半段时间t m 用来读/写操作或维持信息,周期后半段时间t r 作为刷新操作时间。这样,每经过128个系统周期时间,整个存储器便全部刷新一遍。 异步式刷新:前两种方式的结合。同学们可以自己画画它的刷新周期图。

⑼ RAM存储器需要每隔1~2ms刷新一次

RAM存储器需要每隔1~2ms刷新一次的原因是:
DRAM电容上的电荷只能维持1-2ms,即使电源不掉电,信息也会自动消失,需要动态刷新。

⑽ 简要说明动态RAM的各种刷新方式及其特点

dram的刷新方式
常用刷新方式:
教科书p84图3.14

集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行,刷新集中完成。
特点:存在一段停止读/写操作的死时间
适用于高速存储器

分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片,分时进行正常读/写操作和刷新操作。
特点:不存在停止读/写操作的死时间
但系统运行速度降低

异步式---前两种方式的结合,每隔一段时间刷新一次,保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

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