存储类型有那两种

1. 存储分类有哪些 什么SAN/NAS之类的

SAN、NAS、DAS、FC、ISCSI、FC-SAN、IP-SAN等并不是同一类别的概念。SCSI、FC、NAS、ISCSI等概念指的是存储设备类型，DAS、NAS、SAN等指的是存储系统的网络结构。存储设备类型是指通过采用SCSI、FC、TCP/IP，ISCSI等接口类型、数据传输协议、以及不同数据存储介质的存储设备。常见的存储设备类型可为SCSI存储、NAS存储、FC存储、iSCSI存储和磁带存储。

2. 数据的储存结构主要有哪两种有什么主要区别

数据的储存结构主要有：顺序存储结构和链式存储结构。

主要区别

一、存储单元的连续性不同

链式存储结在构计算机中用一组任意的存储单元存储线性表的数据元素(这组存储单元可以是连续的,也可以是不连续的)。

顺序存储结构在计算机中用一组地址连续的存储单元依次存储线性表的各个数据元素。

二、优缺点不同

空间上

顺序比链式节约空间。是因为链式结构每一个节点都有一个指针存储域。

存储操作上：

顺序支持随机存取，方便操作

插入和删除上：

链式的要比顺序的方便（因为插入的话顺序表也很方便，问题是顺序表的插入要执行更大的空间复杂度，包括一个从表头索引以及索引后的元素后移，而链表是索引后，插入就完成了）

三、适用方向不同
链式存储适用于在较频繁地插入、删除、更新元素时，而顺序存储结构适用于频繁查询时使用。

3. 存储设备主要有哪几种

硬盘：

硬盘是用来存储数据的仓库。看到“硬盘”这个名字，有的同学可能会问，硬盘外面看起明明是个盒子为什么叫个“盘”呢？这是因为传统的机械硬盘（HDD）盒子般的外表下藏着一张（或者几张）盘子的“心”。我们存在电脑上的数据都在这些盘子里，这些盘子的学名叫“磁盘”。磁盘上方有一个名叫“磁头”的部件，当电脑从磁盘上存读数据的时候，“磁头”就会与“磁盘”摩擦摩擦，魔鬼般的步伐…当然不是真的“摩擦”，它们之间是通过“心灵（电磁）感应”实现交流的。传统的机械硬盘容量已经从G时代步入了T时代，它的量价比（存储容量/价格）是最大的（嗯，给日本大姐姐们安家很合适）。

固态硬盘（SSD）是近几年渐渐被普及的新产品，相比HDD来说，固态硬盘的这个“盘”字就有点名不副实了。SSD用闪存替代了HDD的“磁盘”来作为存储介质，直接通过电流来写入、读取数据，摒弃了HDD中的机械操作过程，并且SSD的读和写可以将一个完整数据拆成多份，在主控的控制下并行操作，这样就大大提高了读写的吞吐量。一般来说固态硬盘的随机存取速度（读取大量小文件）比HDD快几十倍甚至上百倍，持续存取速度（一次读取一个大文件）也比HDD快一倍以上。不过相对HDD来说，SSD还是硬盘界的高富帅，相同容量的SSD的售价可以买十几块同容量的HDD。

U盘、SD卡、MiniSD卡和各种卡：

这几类产品都是用闪存作为存储介质的常用存储设备，不过相比SSD而言，存储容量较小（人家身材好嘛），也没有复杂的主控电路实现数据的并行写入，所以存取速度上比SSD慢不少。 U盘的英文名是“USB flash disk”，名字中有个“USB”，顾名思义，这种“盘”经常与电脑上的USB接口插来插去，一般用来做数据中转站。

4. 在C语言中,存储类别包括

四种变量存储类型。说明符如下:
auto static extern register
一、auto
auto称为自动变量。

局部变量是指在函数内部说明的变量(有时也称为自动变量)。用关键字auto进
行说明, 当auto省略时, 所有的非全程变量都被认为是局部变量, 所以auto实际上
从来不用。

二、static
static称为静态变量。根据变量的类型可以分为静态局部变量和静态全程变量。
1. 静态局部变量
它与局部变量的区别在于: 在函数退出时, 这个变量始终存在, 但不能被其它
函数使用, 当再次进入该函数时, 将保存上次的结果。其它与局部变量一样。
2. 静态全程变量
Turbo C将大型程序分成若干独立模块文件分别编译, 然后将所有模块
的目标文件连接在一起, 从而提高编译速度, 同时也便于软件的管理和维护。静态
全程变量就是指只在定义它的源文件中可见而在其它源文件中不可见的变量。它与
全程变量的区别是: 全程变量可以再说明为外部变量(extern), 被其它源文件使用,
而静态全程变量却不能再被说明为外部的, 即只能被所在的源文件使用。
三、extern
extern称为外部变量。为了使变量除了在定义它的源文件中可以使用外, 还要
被其它文件使用。因此, 必须将全程变量通知每一个程序模块文件, 此时可用
extern来说明。
四、register
register称为寄存器变量。
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5. 常见存储器一般分为哪两个类型

两个都对。要看根据什么分类了，一个按照结构分，一个按照存储特点分。

你的机子里面一定装有内存,就是主存.而硬盘,可移动磁盘,光盘等就属于外存

6. 存储器可分为哪三类

存储器不仅可以分为三类。因为按照不同的划分方法，存储器可分为不同种类。常见的分类方法如下。

一、按存储介质划分

1. 半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。

2. 磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。

二、按存储方式划分

1. 随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。

2. 顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。

三、按读写功能划分

1. 只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。

2. 随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的存储器。

二、选用各种存储器，一般遵循的选择如下：

1、内部存储器与外部存储器

一般而言，内部存储器的性价比最高但灵活性最低，因此用户必须确定对存储的需求将来是否会增长，以及是否有某种途径可以升级到代码空间更大的微控制器。基于成本考虑，用户通常选择能满足应用要求的存储器容量最小的微控制器。

2、引导存储器

在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，用户可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储器。

3、配置存储器

对于现场可编程门阵列(FPGA）或片上系统(SoC)，可以使用存储器来存储配置信息。这种存储器必须是非易失性EPROM、EEPROM或闪存。大多数情况下，FPGA采用SPI接口，但一些较老的器件仍采用FPGA串行接口。

4、程序存储器

所有带处理器的系统都采用程序存储器，但是用户必须决定这个存储器是位于处理器内部还是外部。在做出了这个决策之后，用户才能进一步确定存储器的容量和类型。

5、数据存储器

与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部EEPROM，在这种情况下，当需要存储大量数据时，用户可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。

6、易失性和非易失性存储器

存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器，前者在断电后将丢失数据，而后者在断电后仍可保持数据。用户有时将易失性存储器与后备电池一起使用，使其表现犹如非易失性器件，但这可能比简单地使用非易失性存储器更加昂贵。

7、串行存储器和并行存储器

对于较大的应用系统，微控制器通常没有足够大的内部存储器。这时必须使用外部存储器，因为外部寻址总线通常是并行的，外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。

8、EEPROM与闪存

存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器（比如EEPROM和闪存）组合了两者的特性。这些器件像RAM一样进行读写，并像ROM一样在断电时保持数据，它们都可电擦除且可编程，但各自有它们优缺点。

参考资料来源：网络——存储器

7. 存储的分类有哪几种并简单进行描述

四种变量存储类型。说明符如下:
auto static extern register
一、auto
auto称为自动变量。
局部变量是指在函数内部说明的变量(有时也称为自动变量)。用关键字auto进
行说明, 当auto省略时, 所有的非全程变量都被认为是局部变量, 所以auto实际上
从来不用。

二、static
static称为静态变量。根据变量的类型可以分为静态局部变量和静态全程变量。
1. 静态局部变量
它与局部变量的区别在于: 在函数退出时, 这个变量始终存在, 但不能被其它
函数使用, 当再次进入该函数时, 将保存上次的结果。其它与局部变量一样。
2. 静态全程变量
Turbo C将大型程序分成若干独立模块文件分别编译, 然后将所有模块
的目标文件连接在一起, 从而提高编译速度, 同时也便于软件的管理和维护。静态
全程变量就是指只在定义它的源文件中可见而在其它源文件中不可见的变量。它与
全程变量的区别是: 全程变量可以再说明为外部变量(extern), 被其它源文件使用,
而静态全程变量却不能再被说明为外部的, 即只能被所在的源文件使用。
三、extern
extern称为外部变量。为了使变量除了在定义它的源文件中可以使用外, 还要
被其它文件使用。因此, 必须将全程变量通知每一个程序模块文件, 此时可用
extern来说明。
四、register
register称为寄存器变量。

8. C语言中变量的存储类型有哪几种，存储方式哪几种谢喽

在C语言中，对变量的存储类型说明有以下四种：

1、auto 自动变量

2、register 寄存器变量

3、extern 外部变量

4、static 静态变量

所谓存储类型是指变量占用内存空间的方式，也称为存储方式。

变量的存储方式可分为“静态存储”和“动态存储”两种。

1、静态存储变量通常是在变量定义时就在存储单元并一直保持不变，直至整个程序结束。

2、动态存储变量是在程序执行过程中，使用它时才分配存储单元，使用完毕立即释放。典型的例子是函数的形式参数，在函数定义时并不给形参分配存储单元，只是在函数被调用时，才予以分配，调用函数完毕立即释放。

如果一个函数被多次调用，则反复地分配、释放形参变量的存储单元。从以上分析可知，静态存储变量是一直存在的，而动态存储变量则时而存在时而消失。

(8)存储类型有那两种扩展阅读：

变量根据定义的位置的不同的生命周期，具有不同的作用域，作用域可分为6种：全局作用域，局部作用域，语句作用域，类作用域，命名空间作用域和文件作用域。

一、从作用域看：

1、全局变量具有全局作用域。全局变量只需在一个源文件中定义，就可以作用于所有的源文件。当然，其他不包含全局变量的定义的源文件需要用extern关键字再次声明这个全局变量。

2、静态局部变量具有局部作用域，它只被初始化一次，自从第一次被初始化直到程序运行结束一直存在，它和全局变量的区别在于全局变量对所有函数都是可见的，而静态局部变量只对定义自己的函数体始终可见。

3、局部变量也只有局部作用域，它是自动对象(auto)，它在程序运行期间不是一直存在，而是只在函数执行期间存在，函数的一次调用执行结束后，变量被撤销，其所占用的内存也被收回。

4、静态全局变量也具有全局作用域，它与全局变量的区别在于如果程序包含多个文件的话，它作用于定义它文件里，不能作用到其他文件里，即被static关键字修饰过的变量具有文件作用域。这样即使两个不同的源文件都定义了相同名字的静态全局变量，它们也是不同的变量。

二、从分配空间看：

全局变量，静态局部变量，静态全局变量都在静态存储区分配空间，而局部变量在栈里分配空间。

全局变量本身就是静态存储方式，静态全局变量当然也是静态存储方式。这两者在存储方式上并无不同。这两者的区别虽在于非静态全局变量的作用域是整个源程序，当一个源程序由多个源文件组成时，非静态的全局变量在各个源文件中都是有效的。

而静态全局变量则限制了其作用域，即只在定义该变量的源文件内有效，在同一个源程序的其他源文件中不能使用它。由于静态全局变量的作用域局限于一个源文件内，只能为该源文件内的函数公用，因此可以避免在其他源文件中引起错误。

1、静态变量会放在程序的静态数据存储区（全局可见）中，这样可以在下一次调用的时候还可以保持原来的赋值。这一点是它与堆栈变量和堆变量的区别。

2、变量用static告知编译器，自己仅仅在变量的作用范围内可见。这一点是它与全局变量的区别。

参考资料来源：网络-变量-存储类型

9. 存储器可分为哪两种

存储器可分为即内存储器和外存储器，简称内存和外存。

内存是直接受CPU控制与管理的并只能暂存数据信息的存储器，外存可以永久性保存信息的存储器。存于外存中的程序必须调入内存才能运行，内存是计算机工作的舞台。内存与外存的区别是：内存只能暂存数据信息，外存可以永久性保存数据信息；

外存不受CPU控制，但外存必须借助内存才能与CPU交换数据信息；内存的访问速度快，外存的访问速度慢。内存可分为：RAM与ROM。RAM的特点是：可读可写，但断电信息丢失。ROM用于存储BIOS。外存有：磁盘（软盘和硬盘）、光盘、U盘（电子盘）。

(9)存储类型有那两种扩展阅读：

构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。

一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。

假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示220，即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1KB。

10. 存储器的类型

根据存储材料的性能及使用方法的不同，存储器有几种不同的分类方法。1、按存储介质分类：半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。
下面我们就来了解一下存储器的相关知识。
存储器大体分为两大类，一类是掉电后存储信息就会丢失，另一类是掉电后存储信息依然保留，前者专业术语称之为“易失性存储器”，后者称之为“非易失性存储器”。

1 RAM

易失性存储器的代表就是RAM（随机存储器），RAM又分SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）。

SRAM
SRAM保存数据是靠晶体管锁存的，SRAM的工艺复杂，生产成本高，但SRAM速度较快，所以一般被用作Cashe，作为CPU和内存之间通信的桥梁，例如处理器中的一级缓存L1 Cashe, 二级缓存L2 Cashe，由于工艺特点，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以缓存一般也都比较小。

DRAM
DRAM（动态随机存储器）保存数据靠电容充电来维持，DRAM的应用比SRAM更普遍，电脑里面用的内存条就是DRAM，随着技术的发展DRAM又发展为SDRAM（同步动态随机存储器）DDR SDRAM（双倍速率同步动态随机存储器），SDRAM只在时钟的上升沿表示一个数据，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一个数据。
DDR又发展为DDR2,DDR3,DDR4，在此基础上为了适应移动设备低功耗的要求，又发展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，对应DDR技术的发展分别又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。

目前手机中运行内存应用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置为3G或4G容量，如果达到6G或以上，就属于高端产品。

2 ROM

ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只读存储器，这种存储器只能读取它里面的数据无法向里面写数据。所以这种存储器就是厂家造好了写入数据，后面不能再次修改，常见的应用就是电脑里的BIOS。
后来，随着技术的发展，ROM也可以写数据，但是名字保留了下来。
ROM中比较常见的是EPROM和EEPROM。

EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射IC上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到紫外线照射。

EPROM (Easerable Programable ROM)

EPROM存储器就可以多次擦除然后多次写入了。但是要在特定环境紫外线下擦除，所以这种存储器也不方便写入。

EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，电可擦除ROM，现在使用的比较多，因为只要有电就可擦除数据，再重新写入数据，在使用的时候可频繁地反复编程。

FLASH
FLASH ROM也是一种可以反复写入和读取的存储器，也叫闪存，FLASH是EEPROM的变种，与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而FLASH的大部分芯片需要块擦除。和EEPROM相比，FLASH的存储容量更大。
FLASH目前应用非常广泛，U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都属于FLASH，SSD固态硬盘也属于FLASH。

NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分为Nor Flash和Nand Flash。
Intel于1988年首先开发出Nor Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面；随后，1989年，东芝公司发表了Nand Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。
Nor Flash与Nand Flash不同，Nor Flash更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而Nand Flash更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一样，而且Nand Flash与Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。

如果闪存只是用来存储少量的代码，这时Nor Flash更适合一些。而Nand Flash则是大量数据存储的理想解决方案。
因此，Nor Flash型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，Nand Flash型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如U盘、存储卡都是用Nand Flash型闪存。
在Nor Flash上运行代码不需要任何的软件支持，在Nand Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序。

目前手机中的机身内存容量都比较大，主流配置已经有32G~128G存储空间，用的通常就是Nand Flash，另外手机的外置扩展存储卡也是Nand Flash。