存储器封测
1. 长江存储的芯片由谁封装
商华天科技。长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉，是一家专注于3DNAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案其芯片的存储及其封测装测供应商华天科技。
2. 什么是封装测试有用什么设备
1、BGA(ball grid array)
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用 以 代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。 封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚 BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不 用担心QFP 那样的引脚变形问题。 该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有
可 能在个人计算机中普及。最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。现在 也有 一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。 BGA 的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为 ， 由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。 美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为
GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有 玻璃窗口的Cerdip 用于紫外线擦除型EPROM 以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm，引脚数从8 到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP 等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad 用于封装EPROM 电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1. 5～ 2W 的功率。但封装成本比塑料QFP 高3～5 倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多种规格。引脚数从32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM 以及带有EPROM 的微机电路等。此封装也称为 QFJ、QFJ－G(见QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用 树脂覆 盖以确保可靠性。虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和 倒片 焊技术。
9、DFP(al flat package)
双侧引脚扁平封装。是SOP 的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。
10、DIC(al in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
11、DIL(al in-line)
DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
12、DIP(al in-line package)
双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种 。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加 区分， 只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为cerdip(见cerdip)。
13、DSO(al small out-lint)
双侧引脚小外形封装。SOP 的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
14、DICP(al tape carrier package)
双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于 利 用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为 定制品。 另外，0.5mm 厚的存储器LSI 簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机 械工 业)会标准规定，将DICP 命名为DTP。
15、DIP(al tape carrier package)
同上。日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP 或SOP(见QFP 和SOP)的别称。部分半导体厂家采 用此名称。
17、flip-chip
倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI 芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸 点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI 芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠 性。因此必须用树脂来加固LSI 芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采 用此名称。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美国Motorola 公司对BGA 的别称(见BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP 之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变 形。 在把LSI 组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L 形状)。 这种封装 在美国Motorola 公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面贴装型PGA。通常PGA 为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA 在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm 到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而 也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型多(250～528)，是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有 多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。
24、LCC(Leadless chip carrier)
无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是 高 速和高频IC 用封装，也称为陶瓷QFN 或QFN－C(见QFN)。
25、LGA(land grid array)
触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现 已 实用的有227 触点(1.27mm 中心距)和447 触点(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，应用于高速 逻辑 LSI 电路。 LGA 与QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻 抗 小，对于高速LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用 。预计 今后对其需求会有所增加。
26、LOC(lead on chip)
芯片上引线封装。LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片 的 中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm 的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP 外形规格所用的名称。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑LSI 开发的一种 封装， 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208 引脚(0.5mm 中心距)和160 引脚 (0.65mm 中心距)的LSI 逻辑用封装，并于1993 年10 月开始投入批量生产。
29、MCM(multi-chip mole)
多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可 分 为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。 MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低 。 MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使 用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组 件。 布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封装。塑料SOP 或SSOP 的别称(见SOP 和SSOP)。部分半导体厂家采用的名称。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照JEDEC(美国联合电子设备委员会)标准对QFP 进行的一种分类。指引脚中心距为 0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm 的标准QFP(见QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美国Olin 公司开发的一种QFP 封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空 冷 条件下可容许2.5W～2.8W 的功率。日本新光电气工业公司于1993 年获得特许开始生产 。
33、MSP(mini square package)
QFI 的别称(见QFI)，在开发初期多称为MSP。QFI 是日本电子机械工业会规定的名称。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模压树脂密封凸点陈列载体。美国Motorola 公司对模压树脂密封BGA 采用的名称(见 BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封装的记号。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸点陈列载体，BGA 的别称(见BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN(塑料LCC)采用的名称(见QFN)。引
脚中心距有0.55mm 和0.4mm 两种规格。目前正处于开发阶段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封装。塑料QFP 的别称(见QFP)。部分LSI 厂家采用的名称。
39、PGA(pin grid array)
陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都 采 用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模 逻辑 LSI 电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64 到447 左右。 了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256 引脚的塑料PG A。 另外，还有一种引脚中心距为1.27mm 的短引脚表面贴装型PGA(碰焊PGA)。(见表面贴装 型PGA)。
40、piggy back
驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN 相似。在开发带有微机的设 备时用于评价程序确认操作。例如，将EPROM 插入插座进行调试。这种封装基本上都是 定制 品，市场上不怎么流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形 ， 是塑料制品。美国德克萨斯仪器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中采用，现在已经 普 及用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 到84。 J 形引脚不易变形，比QFP 容易操作，但焊接后的外观检查较为困难。 PLCC 与LCC(也称QFN)相似。以前，两者的区别仅在于前者用塑料，后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶瓷制作的J 形引脚封装和用塑料制作的无引脚封装(标记为塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已经无法分辨。为此，日本电子机械工业会于1988 年决定，把从四侧引出 J 形引 脚的封装称为QFJ，把在四侧带有电极凸点的封装称为QFN(见QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有时候是塑料QFJ 的别称，有时候是QFN(塑料LCC)的别称(见QFJ 和QFN)。部分
LSI 厂家用PLCC 表示带引线封装，用P－LCC 表示无引线封装，以示区别。
43、QFH(quad flat high package)
四侧引脚厚体扁平封装。塑料QFP 的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得 较厚(见QFP)。部分半导体厂家采用的名称。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四侧I 形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈I 字 。 也称为MSP(见MSP)。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突出部分，贴装占有面 积小 于QFP。 日立制作所为视频模拟IC 开发并使用了这种封装。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也采用了此种封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从18 于68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四侧J 形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装四个侧面引出，向下呈J 字形 。 是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷两种。塑料QFJ 多数情况称为PLCC(见PLCC)，用于微机、门陈列、 DRAM、ASSP、OTP 等电路。引脚数从18 至84。
陶瓷QFJ 也称为CLCC、JLCC(见CLCC)。带窗口的封装用于紫外线擦除型EPROM 以及 带有EPROM 的微机芯片电路。引脚数从32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)
四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN 是日本电子机械工业 会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接触处就不能得到缓解。因此电 极触点 难于作到QFP 的引脚那样多，一般从14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC 标记时基本上都是陶瓷QFN。电极触点中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距除1.27mm 外， 还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)
四侧引脚扁平封装。表面贴装型封装之一，引脚从四个侧面引出呈海鸥翼(L)型。基材有 陶 瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时， 多数情 况为塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引脚LSI 封装。不仅用于微处理器，门陈列等数字 逻辑LSI 电路，而且也用于VTR 信号处理、音响信号处理等模拟LSI 电路。引脚中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多种规格。0.65mm 中心距规格中最多引脚数为304。
日本将引脚中心距小于0.65mm 的QFP 称为QFP(FP)。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三种。
另外，有的LSI 厂家把引脚中心距为0.5mm 的QFP 专门称为收缩型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的厂家把引脚中心距为0.65mm 及0.4mm 的QFP 也称为SQFP，至使名称稍有一些混乱 。 QFP 的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm 时，引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已 出现了几种改进的QFP 品种。如封装的四个角带有树指缓冲垫的BQFP(见BQFP)；带树脂 保护 环覆盖引脚前端的GQFP(见GQFP)；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹 具里就可进行测试的TPQFP(见TPQFP)。 在逻辑LSI 方面，不少开发品和高可靠品都封装在多层陶瓷QFP 里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348 的产品也已问世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(见Gerqa d)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中心距为0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小于0.65mm 的QFP(见QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的别称。部分半导体厂家采用的名称(见QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)
四侧引脚带载封装。TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。是利 用 TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)
四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993 年4 月对QTCP 所制定的外形规格所用 的 名称(见TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的别称(见QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)
四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。引脚 中 心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于标准印刷线路板 。是 比标准DIP 更小的一种封装。日本电气公司在台式计算机和家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数64。
55、SDIP (shrink al in-line package)
收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP 相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54 mm)，
因而得此称呼。引脚数从14 到90。也有称为SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料两种。
56、SH－DIP(shrink al in-line package)
同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。
57、SIL(single in-line)
SIP 的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL 这个名称。
58、SIMM(single in-line memory mole)
单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组件。通常指插入插 座 的组件。标准SIMM 有中心距为2.54mm 的30 电极和中心距为1.27mm 的72 电极两种规格 。 在印刷基板的单面或双面装有用SOJ 封装的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已经在个人 计算机、工作站等设备中获得广泛应用。至少有30～40％的DRAM 都装配在SIMM 里。
59、SIP(single in-line package)
单列直插式封装。引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。当装配到印刷基板上时 封 装呈侧立状。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2 至23，多数为定制产品。封装的形 状各 异。也有的把形状与ZIP 相同的封装称为SIP。
60、SK－DIP(skinny al in-line package)
DIP 的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP(见 DIP)。
61、SL－DIP(slim al in-line package)
DIP 的一种。指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm 的窄体DIP。通常统称为DIP。
62、SMD(surface mount devices)
表面贴装器件。偶而，有的半导体厂家把SOP 归为SMD(见SOP)。
63、SO(small out-line)
SOP 的别称。世界上很多半导体厂家都采用此别称。(见SOP)。
64、SOI(small out-line I-leaded package)
I 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装双侧引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。贴装占有面积小于SOP。日立公司在模拟IC(电机驱动用IC)中采用了此封装。引 脚数 26。
65、SOIC(small out-line integrated circuit)
SOP 的别称(见SOP)。国外有许多半导体厂家采用此名称。
66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
J 形引脚小外型封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装两侧引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常为塑料制品，多数用于DRAM 和SRAM 等存储器LSI 电路，但绝大部分是DRAM。用SO J 封装的DRAM 器件很多都装配在SIMM 上。引脚中心距1.27mm，引脚数从20 至40(见SIMM )。
67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
按照JEDEC(美国联合电子设备工程委员会)标准对SOP 所采用的名称(见SOP)。
68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)
无散热片的SOP。与通常的SOP 相同。为了在功率IC 封装中表示无散热片的区别，有意 增添了NF(non-fin)标记。部分半导体厂家采用的名称(见SOP)。
69、SOF(small Out-Line package)
小外形封装。表面贴装型封装之一，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷两种。另外也叫SOL 和DFP。
SOP 除了用于存储器LSI 外，也广泛用于规模不太大的ASSP 等电路。在输入输出端子不 超过10～40 的领域，SOP 是普及最广的表面贴装封装。引脚中心距1.27mm，引脚数从8 ～44。
另外，引脚中心距小于1.27mm 的SOP 也称为SSOP；装配高度不到1.27mm 的SOP 也称为 TSOP(见SSOP、TSOP)。还有一种带有散热片的SOP。
70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
宽体SOP。部分半导体厂家采用的名称。
3. 武汉弘芯项目烂尾背后：武汉合肥半导体产业优势对比与风口的思考
自中兴、华为事件发生后集成电路的地位不断提升， 社会 与资本对集成电路产业的认识也不断加深。发展集成电路产业的初衷确实是为了实现国产替代、自主可控，虽然这种思路没错但格局着实有点狭隘。当然如果将中国集成电路产业放到实现国家战略安全的地位，对产业的认识也会更深刻一些。
顶层设计的确瞄向了国家战略安全这一方向，但落脚到这个产业中，产业和资本的高度还是无法达成统一，因为各自的诉求不同。以中微公司创始人尹志尧为代表的产业从业者固然可以做到十年磨一剑，将刻蚀设备做到全球一线水平，但狂热资本的不断涌入，更多的是看到科创板、注册制等的实施带来的短期套利空间，毕竟相比以往如今上市的门槛和难度大幅降低。
集成电路是一个技术密集型、知识密集型和资本密集型的产业，如果放到国产替代和国家安全的角度还是一个政策密集型的产业，如果将这四种重要的要素实现深度整合，当然是最理想的状态，但如果这四种要素中任何一个对集成电路产业的理解与认知出现偏差甚至误区，则会出现很大的问题，20年前的"汉芯一号"造假事件如此，武汉弘芯项目烂尾也是如此。
武汉弘芯一开始就对这个行业的理解有所误区，比如一开始就定下的不切实际的目标。武汉弘芯项目原计划投资1280亿元，主要投资目标是建成一条月产能3万片的14nm逻辑工艺生产线、月产能3万片的7nm及以下逻辑工艺生产线以及相应的晶圆级先进封装生产线，但在2017年国内最好的晶圆代工厂中芯国际刚搞定28nm HKMG工艺不久，直到2019年才在梁孟松的带领下搞定了14nm FinFET工艺。
2017年全球晶圆厂中有能力量产14nm及以下FinFET工艺的也就台积电、英特尔、三星和格芯，其中台积电和三星将技术节点推进到10nm，格芯是12nm，英特尔是14nm++ FinFET工艺，与格芯的12nm相当：
行业龙头也刚推进到14-10nm，武汉弘芯一开始就要上马14nm，就当是国内集成电路的产业基础，可能吗？
2017年国内技术达不到，资本目的不纯，政府对集成电路产业认知较浅，武汉弘芯项目如何推进？
可惜了蒋尚义的一腔热血。
武汉的集成电路产业基础还是相当薄弱，更没法与江苏和上海这两个产业集聚地相比，将之比喻为荒漠中的绿洲也不为过。
按申万行业分类，目前在A股上市的湖北半导体企业有盈方微和台基股份两家，其中台基股份主要从事大功率半导体器件的生产与销售，是一家功率半导体企业。但盈方微在湖北荆州，台基股份在湖北襄阳，均不在武汉。
在新三板上挂牌的湖北半导体企业是思存 科技 （839113.OC），公司主要研发与销售多种类别的Wi-Fi模块及相关解决方案。公司在技术上得到高通的支持， 2019年营收与净利润分别达到2.50亿元和0.08亿元，业务规模与盈利能力较弱。
东芯通信（430670）是位于合肥市的一家从事LTE基带芯片研发、销售及提供解决方案的供应商，但目前由于4G网络已经成为过去，公司业绩也一落千丈，2019年营收仅有0.15亿元，净利润亏损0.12亿元，已经连续四年亏损。
过去的终究要过去。
在光模块及光芯片领域武汉具有一定优势，光迅 科技 、华工 科技 具有较强的技术实力，其中光迅 科技 是国内少有的业务涉及光芯片、光器件和光模块产业链的企业，而且公司依靠大股东烽火集团旗下的烽火 科技 ，产品可以很好的切入终端。但是在目前火热的高通量光模块领域公司相比中际旭创和新易盛有所滞后，相比已经研发出1000G光模块的华为以及Finisar等国外巨头差距更是明显：
合肥与武汉在存储器领域的竞争优势相当明显。武汉长江存储在3D NAND领域已经形成一定规模，技术上4月份推出的X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量的存储器件。技术上与海力士、三星、铠侠等差距也就1-2代，如果公司能及时推出196层甚至256层3D NAND，技术上的差距已经相当小了。另外武汉新芯（XMC）除了Nor Flash等存储器件，自有晶圆厂也可以为客户提供55nm制程的低功耗逻辑和射频等工艺。
在DRAM领域合肥长鑫实现了重大突破，公司现有产品主要有DDR4内存芯片、LPDDR4X和DDR4模组，而且在中低端消费电子领域实现商业化。不过目前三星、海力士等已经将技术延伸到DDR5，在技术上还有一代的差距。
在半导体设备领域领域，武汉精测电子和合肥芯碁微是具有代表性的企业。精测电子是从事TFT-LCD/OLED等平面显示信号测试技术研发、开发、生产与销售的企业，在平面显示信号测试领域位于国内领先水平。不过公司目前将业务向半导体检测延伸，未来公司有望形成平面显示+集成电路检测双主业格局。
合肥芯碁微主要从事以微纳直写光刻技术为核心的直接成像设备及直写光刻设备研发、制造及销售，但目前公司的直写光刻机主要用于PCB，在平面显示领域有一定布局。由于技术自身局限，合肥芯碁微的直接成像技术还不能很好的应用于硅基半导体器件深亚微米节点的制造。
综上所述，从目前集成电路产业布局来看，除了长江存储和合肥长鑫的存储器件，武汉和合肥的集成电路产业发展水平总体逊于江苏和上海，但以光迅 科技 为代表的光模块企业、以精测电子、合肥芯碁微为代表的设备制造企业在个别领域具有一定规模。
除了合肥长鑫，合肥的集成电路产业亮点不多，但如果从产业链布局来看，合肥的产业基础要略好于武汉。
集成电路产业链主要分为设计、制造和封测，目前武汉和合肥在设计领域存在明显短板。武汉昊昱微电子是从事功率半导体及模拟半导体设计的企业，公司基于CMOS、BiCMOS、BCDMOS等工艺开发了HYM533低功耗8位四路DAC、音频功放IC等器件；合肥比较具有代表性的设计企业有合肥芯谷微电子、合肥恒烁半导体等设计企业，而且这些企业由"最牛风投机构"合肥市政府投资，部分设计企业颇具特色，但相比圣邦股份、兆易创新等企业，差距太明显。
在封测领域合肥的基础要好得多，而武汉则一片空白。封测领域合肥目前拥有合肥合晶和合肥速芯两家封测企业，其中成立于2000年的合肥合晶覆盖TO、SOT和DIP封装技术；成立于2018年12月的合肥速芯是集成电路行业咨询公司摩尔精英旗下封测企业，拥有QFN、BGA、SiP等封装技术：
当然合肥速芯的竞争力还来自于摩尔精英在集成电路行业中的资源整合能力，这一点可能是合肥合晶所不拥有的。
在制造领域武汉和合肥均有晶圆厂，其中合肥长鑫和长江存储各有一座300mm晶圆厂，主要是这两家企业均采用了IDM模式，这也是三星和海力士等存储器龙头的典型模式。除此以外PowerChip和XMC（武汉新芯）分别在合肥和武汉拥有一座300mm晶圆厂，产能较小，而且主要以成熟节点为主。
合肥集成电路产业的优势是打通了设计、制造和封测，武汉虽然有武汉新芯这样的晶圆代工厂，但封测还有短板。
当然在光模块等领域武汉有独特的竞争优势。
有人曾将中国半导体投资者归纳为无知者无畏型、无耻者无畏型和既无知又无耻型三类，其中无知者无畏型主要是地方政府，出于各种目的往往会出现"义和团"式的"造芯运动"，典型代表就是武汉弘芯这个烂尾项目。无耻者无畏型主要是产业内企业"杠杆"式的"堵芯"，怀着撞大运的心理借着主业的成功赌博式发展集成电路这个副业。既无知又无耻型就是那些暴躁狂热的资本，他们对产业规律视而不见，搞跨界投机式的"骗芯"。
一级市场如此，二级市场同样炒作投机之风盛行，最典型的就是中芯国际上市前后的炒作以及半导体板块的暴涨暴跌，让一众投资者吃了闷瘪。
集成电路行业是一个大投资、重积累、长周期、慢回报和高风险的行业，科创板和注册制的推出只是解决了一个资本顺利退出的通道，但产业本身特征是无法在资本加持下能改变的，如果只是抱着投机甚至赌或骗的心态闷头扎入集成电路行业，可能自己怎么没的都不知道。
65nm制程的SoC芯片设计及流片成本2850万美元，16nm的设计及流片费用高达1.06亿美元，足可以让很多中小型设计企业倒闭好多次了。
4. 史上最全的半导体产业链全景！
导 读 ( 文/ ittbank 授权发布 )
集成电路作为半导体产业的核心，市场份额达83%，由于其技术复杂性，产业结构高度专业化。随着产业规模的迅速扩张，产业竞争加剧，分工模式进一步细化。
目前市场产业链为IC设计、IC制造和IC封装测试。
○ 在核心环节中，IC设计处于产业链上游，IC制造为中游环节，IC封装为下游环节。
○ 全球集成电路产业的产业转移，由封装测试环节转移到制造环节，产业链里的每个环节由此而分工明确。
○ 由原来的IDM为主逐渐转变为Fabless+Foundry+OSAT。
▲全球半导体产业链收入构成占比图
① 设计：
细分领域具备亮点，核心关键领域设计能力不足。从应用类别(如：手机到 汽车 )到芯片项目(如：处理器到FPGA)，国内在高端关键芯片自给率几近为0，仍高度仰赖美国企业；
② 设备：
自给率低，需求缺口较大，当前在中端设备实现突破，初步产业链成套布局，但高端制程/产品仍需攻克。中国本土半导体设备厂商只占全球份额的1-2%，在关键领域如：沉积、刻蚀、离子注入、检测等，仍高度仰赖美国企业；
③ 材料：
在靶材等领域已经比肩国际水平，但在光刻胶等高端领域仍需较长时间实现国产替代。全球半导体材料市场规模443 亿美金，晶圆制造材料供应中国占比10%以下，部分封装材料供应占比在30%以上。在部分细分领域上比肩国际领先，高端领域仍未实现突破；
④ 制造：
全球市场集中，台积电占据60%的份额，受贸易战影响相对较低。大陆跻身第二集团，全球产能扩充集中在大陆地区。代工业呈现非常明显的头部效应，在全球前十大代工厂商中，台积电一家占据了60%的市场份额。此行业较不受贸易战影响；
⑤ 封测：
最先能实现自主可控的领域。封测行业国内企业整体实力不俗，在世界拥有较强竞争力，长电+华天+通富三家17 年全球整体市占率达19%，美国主要的竞争对手仅为Amkor。此行业较不受贸易战影响。
一、设计
按地域来看，当前全球IC 设计仍以美国为主导，中国大陆是重要参与者。2017 年美国IC设计公司占据了全球约53%的最大份额，IC Insight 预计，新博通将总部全部搬到美国后这一份额将攀升至69%左右。台湾地区IC 设计公司在2017 年的总销售额中占16%，与2010年持平。联发科、联咏和瑞昱去年的IC 销售额都超过了10 亿美元，而且都跻身全球前二十大IC 设计公司之列。欧洲IC 设计企业只占了全球市场份额的2%，日韩地区Fabless 模式并不流行。
与非美国海外地区相比，中国公司表现突出。世界前50 fabless IC 设计公司中，中国公司数量明显上涨，从2009 年1 家增加至2017 年10 家，呈现迅速追赶之势。2017 年全球前十大Fabless IC 厂商中，美国占据7 席，包括高通、英伟达、苹果、AMD、Marvell、博通、赛灵思；中国台湾地区联发科上榜，大陆地区海思和紫光上榜，分别排名第7 和第10。
2017 年全球前十大Fables s IC 设计厂商
（百万美元）
然而，尽管大陆地区海思和紫光上榜，但可以看到的是，高通、博通和美满电子在中国区营收占比达50%以上，国内高端 IC 设计能力严重不足。可以看出，国内对于美国公司在核心芯片设计领域的依赖程度较高。
自中美贸易战打响后，通过“中兴事件”和“华为事件”我们可以清晰的看到，核心的高端通用型芯片领域，国内的设计公司可提供的产品几乎为0。
大陆高端通用芯片与国外先进水平差距主要体现在四个方面：
1）移动处理器的国内外差距相对较小。
紫光展锐、华为海思等在移动处理器方面已进入全球前列。
2）中央处理器(CPU) 是追赶难度最大的高端芯片。
英特尔几乎垄断了全球市场，国内相关企业约有 3-5 家，但都没有实现商业量产，多仍然依靠申请科研项目经费和政府补贴维持运转。龙芯等国内 CPU 设计企业虽然能够做出 CPU 产品，而且在单一或部分指标上可能超越国外 CPU，但由于缺乏产业生态支撑，还无法与占主导地位的产品竞争。
3）存储器国内外差距同样较大。
目前全球存储芯片主要有三类产品，根据销售额大小依次为：DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在内存和闪存领域中，IDM 厂韩国三星和海力士拥有绝对的优势，截止到2017年，在两大领域合计市场份额分别为75.7%和49.1%，中国厂商竞争空间极为有限，武汉长江存储试图发展 3D Nand Flash(闪存)的技术，但目前仅处于 32 层闪存样品阶段，而三星、英特尔等全球龙头企业已开始陆续量产 64 层闪存产品；在Nor flash 这个约为三四十亿美元的小市场中，兆易创新是世界主要参与厂家之一，其他主流供货厂家为台湾旺宏，美国Cypress，美国美光，台湾华邦。
4）FPGA、AD/DA 等高端通用型芯片，国内外技术悬殊。
这些领域由于都是属于通用型芯片，具有研发投入大，生命周期长，较难在短期聚集起经济效益，因此在国内公司层面发展较为缓慢，甚至有些领域是停滞的。
总的来看，芯片设计的上市公司，都是在细分领域的国内最强。比如2017 年汇顶 科技 在指纹识别芯片领域超越FPC 成为全球安卓阵营最大指纹IC 提供商，成为国产设计芯片在消费电子细分领域少有的全球第一。士兰微从集成电路芯片设计业务开始，逐步搭建了芯片制造平台，并已将技术和制造平台延伸至功率器件、功率模块和MEMS 传感器的封装领域。但与国际半导体大厂相比，不管是高端芯片设计能力，还是规模、盈利水平等方面仍有非常大的追赶空间。
二、设备
目前，我国半导体设备的现况是低端制程实现国产替代，高端制程有待突破，设备自给率低、需求缺口较大。
关键设备技术壁垒高，美日技术领先，CR10 份额接近80%，呈现寡头垄断局面。半导体设备处于产业链上游，贯穿半导体生产的各个环节。按照工艺流程可以分为四大板块——晶圆制造设备、测试设备、封装设备、前端相关设备。其中晶圆制造设备占据了中国市场70%的份额。再具体来说，晶圆制造设备根据制程可以主要分为8 大类，其中光刻机、刻蚀机和 薄膜沉积设备这三大类设备占据大部分的半导体设备市场。同时设备市场高度集中，光刻机、CVD 设备、刻蚀机、PVD 设备的产出均集中于少数欧美日本巨头企业手上。
中国半导体设备国产化率低，本土半导体设备厂商市占率仅占全球份额的1-2%。
关键设备在先进制程上仍未实现突破。目前世界集成电路设备研发水平处于12 英寸7nm，生产水平则已经达到12 英寸14nm；而中国设备研发水平还处于12 英寸14nm，生产水平为12 英寸65-28nm，总的来看国产设备在先进制程上与国内先进水平有2-6 年时间差；具体来看65/55/40/28nm 光刻机、40/28nm 的化学机械抛光机国产化率依然为0，28nm化学气相沉积设备、快速退火设备、国产化率很低。
三、材料
半导体材料发展历程
▲各代代表性材料主要应用
▲第二、三代半导体材料技术成熟度
细分领域已经实现弯道超车，核心领域仍未实现突破，半导体材料主要分为晶圆制造材料和封装材料两大块。晶圆制造材料中，硅片机硅基材料最高占比31%，其次依次为光掩模版14%、光刻胶5%及其光刻胶配套试剂7%。封装材料中，封装基板占比最高，为40%，其次依次为引线框架16%，陶瓷基板11%，键合线15%。
日美德在全球半导体材料供应上占主导地位。各细分领域主要玩家有：硅片——Shin-Etsu、Sumco，光刻胶——TOK、Shipley，电子气体——Air Liquid、Praxair，CMP——DOW、3M，引线架构——住友金属，键合线——田中贵金属、封装基板——松下电工，塑封料——住友电木。
（1）靶材、封装基板、CMP 等，我国技术已经比肩国际先进水平的、实现大批量供货、可以立刻实现国产化。已经实现国产化的半导体材料典例——靶材。
（2）硅片、电子气体、掩模板等，技术比肩国际、但仍未大批量供货的产品。
（3）光刻胶，技术仍未实现突破，仍需要较长时间实现国产替代。
四、制造
晶圆制造环节作为半导体产业链中至关重要的工序，制造工艺高低直接影响半导体产业先进程度。过去二十年内国内晶圆制造环节发展较为滞后，未来在国家政策和大基金的支持之下有望进行快速追赶，将有效提振整个半导体行业链的技术密度。
半导体制造在半导体产业链里具有卡口地位。制造是产业链里的核心环节，地位的重要性不言而喻。统计行业里各个环节的价值量，制造环节的价值量最大，同时毛利率也处于行业较高水平，因为Fabless+Foundry+OSAT 的模式成为趋势，Foundry 在整个产业链中的重要程度也逐步提升，可以这么认为，Foundry 是一个卡口，产能的输出都由制造企业所掌控。
代工业呈现非常明显的头部效应 根据IC Insights 的数据显示，在全球前十大代工厂商中，台积电一家占据了超过一半的市场份额，2017 年前八家市场份额接近90%，同时代工主要集中在东亚地区，美国很少有此类型的公司，这也和产业转移和产业分工有关。我们认为，中国大陆通过资本投资和人才集聚，是有可能在未来十年实现代工超越的。
“中国制造”要从下游往上游延伸，在技术转移路线上，半导体制造是“中国制造”尚未攻克的技术堡垒。中国是个“制造大国”，但“中国制造”主要都是整机产品，在最上游的“芯片制造”领域，中国还和国际领先水平有很大差距。
在从下游的制造向“芯片制造”转移过程中，一定要涌现出一批技术领先的晶圆代工企业。在芯片贸易战打响之时，美国对我国制造业技术封锁和打压首当其冲，我们在努力传承“两弹一星”精神，自力更生艰苦创业的同时，如何处理与台湾地区先进企业台积电、联电之间的关系也会对后续发展产生较大的蝴蝶效应。
五、封测
当前大陆地区半导体产业在封测行业影响力为最强，市场占有率十分优秀，龙头企业长电 科技 /通富微电/华天 科技 /晶方 科技 市场规模不断提升，对比台湾地区公司，大陆封测行业整体增长潜力已不落下风，台湾地区知名IC 设计公司联发科、联咏、瑞昱等企业已经将本地封测订单逐步转向大陆同业公司。封测行业呈现出台湾地区、美国、大陆地区三足鼎立之态，其中长电 科技 /通富微电/华天 科技 已通过资本并购运作，市场占有率跻身全球前十（长电 科技 市场规模位列全球第三），先进封装技术水平和海外龙头企业基本同步，BGA、WLP、SiP 等先进封装技术均能顺利量产。
封测行业我国大陆企业整体实力不俗，在世界拥有较强竞争力，美国主要的竞争对手为Amkor 公司，在华业务营收占比约为18%，封测行业美国市场份额一般，前十大封测厂商中，仅有Amkor 公司一家，应该说贸易战对封测整体行业影响较小，从短中长期而言，Amkor 公司业务取代的可能性较高。
封测行业位于半导体产业链末端，其附加价值较低，劳动密集度高，进入技术壁垒较低，封测龙头日月光每年的研发费用占收入比例约为4%左右，远低于半导体IC 设计、设备和制造的世界龙头公司。随着晶圆代工厂台积电向下游封测行业扩张，也会对传统封测企业会构成较大的威胁。
2017-2018 年以后，大陆地区封测（OSAT）业者将维持快速成长，目前长电 科技 /通富微电已经能够提供高阶、高毛利产品，未来的3-5 年内，大陆地区的封测企CAGR增长率将持续超越全球同业。
5. 紫光国微行业分析,002049行业分析
近来，科技板块表现突出，相关个股的上涨很多，市场上的投资者也将目光投向了科技板块。今天我们就来具体讲讲科技板块中细分行业，特种集成电路行业的领头羊--紫光国微。
在开始分析紫光国微前，给大家分享我排好名次的特种集成电路行业龙头股名单，点击即可获得： 宝藏资料：特种集成电路行业龙头股一览表
一、从公司角度来看
公司介绍：紫光国微是国内特种集成电路老大，主营集成电路芯片设计与销售，压电石英晶体元器件的开发、生产与销售，LED蓝宝石衬底材料生产和销售。此公司生产的产品主要有SIM卡芯片、银行IC卡芯片、存储器、总线器件等。
大家浏览完了紫光国微的基本情况，下面了解一下紫光国微公司有什么优势，适不适合投资呢？
亮点一：拥有创新技术以及众多的知识产权
公司在创新技术方面有很突出的表现，建立了单片及组件总线产品的设计、验证和测试平台，现场可编程技术与系统集成芯片被结合，现已成功研发了具备现场可编程功能的高性能系统集成产品；通过多年的努力开发实践之下，公司在集成电路的设计和产业化方面积累了很多的经验，在智能安全芯片、特种集成电路等核心产品领域，人才和知识产权优势超越业内，拥有多项发明专利，让产品核心竞争力的提升确立了坚固的基础。
亮点二：突出的市场渠道与品牌优势
公司积累的客户资源也是十分雄厚的，与全球各大行业客户形成紧密合作，产品在全球各地的市场上都有卖。并且与智慧连接、智慧金融等方面厂商开展长远的战略配合，芯片生态系统越来越发展强大，品牌知名度和影响力一直在提高。 将来，公司将不断注重市场需求，抓住物联网、工业互联网、汽车电子以及数字货币等方面快速进展的机会，发扬技术、人才方面的优势，把不一样的产品与服务提供，与此同时在产业链上下游市场上进行了积极开拓，在获得资本市场力量帮助的情况下，达成了公司战略发展的目标，不断地在行业内学习与探索，使自己变得更强大。
篇幅有规定，更多关于紫光国微的深度报告和风险提示，学姐已经整合到这篇研报里了，直接戳这里就可以了： 【深度研报】紫光国微点评，建议收藏！
一、从行业角度来看
科技板块成长性很强，处在一条景气度十足的赛道上。作为科技板块的细分行业，特种集成电路广泛地应用在现代军事武器中，美国的科技封锁、我国的政策支持以及国防信息化的需求牵引为我国特种集成电路产业提供更好的发展环境。因为资质、技术、市场等都属于该行业的多重壁垒，竞争格局基本稳定；下游智能芯片的需求空间非常大，这也给国产提供了充分的替代空间，行业内还有非常充足的发展余地。紫光国微子借助其多年技术的积累、充足的产品线、涉及面广的市场布局，有希望在国产化的大背景下，使市场优势地位更加稳固，从而在行业的发展当中优先获得红利。
综合而言，本人认为紫光国微现在已经属于特种集成电路行业里的龙头老大，能够在这个行业转变的关头，趁着时代较好，迎来高速发展。不过文章还是存在滞后性的，比较好奇紫光国微未来行情的话，戳一下这个链接就可以了，会有专业的投顾为你提供诊股的帮助，能够知道紫光国微现在行情是不是在一个买入或卖出的好时机：【免费】测一测紫光国微还有机会吗？
应答时间：2021-09-09，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看
6. 我在一家IC封测公司工作,我一直搞不明白生产出来的芯片可以在测试机上多次跑,但是烧芯片的话却只能一两次
芯片测试是验证芯片实现规定功能能力的过程，它不破坏芯片内部结构。
烧写芯片是把微代码装入芯片的存储器中，它必须通过“破坏”存储阵列的位结构来达到目的。存储器一旦烧写后，就永久定型，不可再次重复，所以，烧写芯片只能一次。
7. 半导体封测龙头股票有哪些
半导体封测的龙头企业有：长电科技、华天科技、通富微电、晶方科技、环旭电子等。.
1、长电科技(600584)： 全球领先封测厂商，公司作为全球领先的封测厂商，无论在技术还是规模上均与海外龙头处于同一梯队，是半导体国产化的重要力量。未来随着长电绍兴项目的稳步推进，有望与华为、中芯国际进行更为广泛的合作，虚拟IDM模式逐渐成型，成为大陆半导体产业链的基石。华创证券指出，2019年公司顺利实现扭亏，财务费用显着下降，2020年一季报逆势高增长，产能利用率显着提升，产品结构持续改善，毛利率同比提升3.4%，降本增效措施持续推进。
2、华天科技(002185)：产能布局加快公司一季度净利润同比大增276.1%。公司2020年目标为实现营收是90亿元。在技术层面逐步完善TSV、Fan-Out等产品开发和量产，产能布局上加快华天南京、华天宝鸡等项目建设和投产，发挥Unisem全球化优势。
3、通富微电(002156)：多领域积极布局，公司是我国封测行业龙头，高端客户占比较高，在处理器封测、存储器封测、功率器件封测和化合物半导体封测等多个领域积极布局。为了把握国产替代机会公司积极扩张。
4、晶方科技(603005)：公司专注于传感器领域的晶圆级封装，同时具备8英寸、12英寸晶圆级芯片尺寸封装规模量产能力，是国内该领域的龙头企业。公司收购Anteryon后可形成产业互补，有利于公司的产业链延伸与布局，快速有效进入智慧物联网相关的新兴应用领域，取得新的业务机会与利润增长点。
拓展资料
具体在半导体材料这个环节中，相关受益个股有：晶瑞股份、强力新材、南大光电、江化微、巨化股份、昊华科技、兴发集团、华特气体、上海新阳等。
下面介绍几支细分行业的龙头个股：
1、中微公司(688012) 2、长川科技(300604
3、晶瑞股份(300655) 4、上海新阳(300236)
8. 华为正式发布问界M7；长鑫存储15项发明专利曝光
消费电子IC封装需求将疲软至2023Q1
据业内消息人士透露，由于消费电子设备销售低迷，消费MCU、MOSFET、低端逻辑 IC和电源管理 IC (PMIC)等消费电子IC的封装需求已显着下降，并可能持续至2023 年第一季度末。
消息人士称，俄乌战争引发的高通货膨胀削弱了消费者的购买力和意愿，消费电子芯片供应商和下游系统制造商继续消化过多的库存。
“封测厂商下半年3C及IT应用芯片封装需求较上半年下降幅度超预期，而那些在 汽车 和工业应用领域表现较弱的厂商将经历更艰难的下半年。”消息人士说道。
据了解，从目前的市况来看，消费电子封测需求疲软，车用封测订单大增，以封测龙头日月光为例，该公司CFO董宏思表示，车用电子相关业务将同步押注封测（ATM）、电子代工服务（EMS），预期今年车用芯片封测业务将占集团比重逾7%。业内人士预期日月光今年车用芯片封测营收贡献有望达10亿美元新高。
网曝余承东现场考察友商理想L9
AITO 汽车 此前已经宣布，旗下第二款车型问界M7将于7月4日正式发布。定位于中大型SUV，采用了三排六座布局，竞争对手锁定了当下大火的理想ONE。在问界M7发布的前一天，有 汽车 博主爆料称，余承东前往理想 汽车 深圳前海卓悦店体验理想第二款车型——理想L9了，据说在现场研究了四十多分钟，每个位置、每个特点都看得很仔细，最后笑嘻嘻的走了。
对此，有网友调侃：“李想说理想L9是500万以内没对手，那问界M7怎么的也得是800万内没对手了吧？”据此前爆料，问界M7搭载由1.5T四缸涡轮增压增程器与华为双电机所组成的增程式混动系统。1.5T增程器最大功率92kW，前后驱动电机最大功率为130kW/200kW，综合最大功率330kW。此外，新车配备40.06kWh电池组，纯电模式下WLTC续航里程150km。
美光 科技 三季度营收86.4亿美元
7月1日，美光 科技 公司公布了其截至2022年6月2日的第三季度业绩报告。
根据报告，美光 科技 的营业收入为86.4亿美元，上一季度为77.9亿美元，去年同期为74.2亿美元，该公司毛利率为46.7%。GAAP净收入为26.3亿美元，或摊薄后每股2.34美元。非GAAP净收入为29.4亿美元，或每股摊薄收益2.59美元。营业现金流为38.4亿美元，上一季度为36.3亿美元，去年同期为35.6亿美元。
苹果供应链台湾厂商：未接获砍单通知
据报道，市场传出苹果考量通膨导致消费紧缩，下修iPhone 14新机初期备货量，由原定9000万支减少10%。台湾供应链厂商表示，并未收到苹果砍单通知，iPhone 14首批9000万的出货目标保持不变。鸿海iPhone最大组装基地预计8月下旬开始大规模生产iPhone 14。
消息称华为在俄罗斯大举招聘员工
7月3日消息，据俄罗斯《生意人报》援引求职服务平台hh.ru的消息报道，华为公司在俄罗斯积极招聘新员工。今年上半年，华为公司空缺职位数量814个，较去年同期增长49%，去年为545个。
华为公司在销售领域的职位空缺数量是此前的4倍多，如果2021年该公司招聘27名员工，今年已经是117名。此外，华为俄罗斯分公司积极招聘以下领域专业水平高的专家，包括信息技术和通信领域（职位空缺数增加了33%）、设备维护和安装专家（增加了186%），以及大学生和实习生（增加了132%）。该公司还将电子产品生产和维护专家的空缺职位数量增加了233%。
据悉自从俄乌战争以来，已经有许多大型 科技 公司宣布停止向俄罗斯供货，其中，苹果宣布在俄罗斯停售产品；微软宣布暂停在俄罗斯销售所有新的产品和服务；英特尔和AMD也已暂停向俄罗斯和白俄罗斯供货。
长鑫存储15项发明专利曝光
7月4日消息，据天眼查资料显示，近日，国产内存芯片厂商——长鑫存储技术有限公司公开了名为“磁性存储器及其读写方法”、“存储节点接触结构的形成方法及半导体结构”、“半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器”等15项发明专利。
芯片短缺致使国外 汽车 销量暴跌
7月3日消息，据彭博社报道，在过去几个月里，特斯拉、福特、通用 汽车 、Rivian 和 Lucid 纷纷提高了其电动车的定价，部分原因是为了抵消电池原材料的成本飙升。
除此之外，芯片短缺以及供应链中断也是拖累 汽车 供应的一个主要因素。外媒调查发现，今年上半年美国 汽车 平均涨价幅度达 13%，而不断上涨的标价往往会使消费者望而生畏，进一步导致美国 汽车 销量下滑。
据介绍，今年芯片短缺主要影响了包括通用 汽车 在内的大多数 汽车 制造商，但丰田 汽车 和日产 汽车 等亚洲品牌受到的影响最大。一些车企对全球芯片短缺持乐观态度，他们认为此次缺芯危机将很快消退，而另一些车企则对下半年的供应能力表示怀疑。
特斯拉欧洲工厂关闭两周改革生产流程
据报道，特斯拉将从7月初开始关闭欧洲超级工厂两周。由于生产缓慢，这家位于柏林附近的工厂预计将在开业三个月后关闭。为期两周的停工将用于实施生产流程改革，该工厂的目标是将电动 汽车 年产量从5.2万辆提高到约50万辆。目前在整个生产过程中采用的是两班倒的方式，预计将改为三班倒。
华为正式发布问界M7
7月4日，华为正式发布AITO品牌第二款车问界M7，去年12月，华为发布AITO问界M5，今年3月问界M5开始批量交付，华为透露，M5上市第87天累计销量破万。
寒武纪拟定增募资近 26.5 亿元
近日，寒武纪发布公告称，公司拟向特定对象发行 A 股股票募集资金总额不超过 265,000.00 万元，扣除发行费用后，实际募集资金将用于先进工艺平台芯片项目、稳定工艺平台芯片项目、面向新兴应用场景的通用智能处理器技术研发项目和补充流动资金。
其中，先进工艺平台芯片项目拟使用 80,965.22 万元募集资金投资，本项目内容包括建设先进工艺平台，基于先进工艺研发一款高算力、高访存带宽的智能芯片，并研发芯片配套的软件支撑系统。