存储器的制作

① 存储器名词解释

电子计算机中用来存储信息的装置。有内存储器和外存储器之分。根据存储媒体性质的不同，又可分半导体存储器、磁存储器和光存储器等。

存储器是许多存储单元的集合，按单元号顺序排列。每个单元由若干三进制位构成，以表示存储单元中存放的数值，这种结构和数组的结构非常相似，故在VHDL语言中，通常由数组描述存储器。

(1)存储器的制作扩展阅读：

构成存储器的存储介质主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。

存储器结构在MCS - 51系列单片机中，程序存储器和数据存储器互相独立，物理结构也不相同。程序存储器为只读存储器，数据存储器为随机存取存储器。

从物理地址空间看，共有4个存储地址空间，即片内程序存储器、片外程序存储器、片内数据存储器和片外数据存储器，I/O接口与外部数据存储器统一编址。

② 手机屏坏了怎么把里面存储设备取出来制作成移动存储设备

手机里面有内存卡的话，就把内存卡里的东西利用电脑或是另一部手机导出来，然后再存到U盘或是移动硬盘上。如果自己不会操作的话，直接拿手机去营业厅的售后维修部，让专业的人员帮助你。

③ 怎样制作简易24CXX存储器读写工具

1、先买一个电脑打印机的打印线(两端有插头)；

④ 硬盘如何制作成网络存储器

现在不少人在玩nss，需要买一个这样的设备就可以，但是要会装系统。淘宝上有人卖200多一个迈拓的二手货

⑤ 如何制作一个简易电能存储器

大容量，高品质电容可以的。其它的除了电池还真没有见过。

⑥ 我的世界红石存储器怎么做 红石存储器制作教程

RS存锁器（不知道是不是这个名字）？
那个你
可以去看看
鱼干
的红石教程。有一集有讲到的。还有
籽岷
鬼鬼
领域服里
那个僵尸
笼也用到了RS存锁器

⑦ 存储器的结构

1cpu的内部
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存储器结构


存储器结构

第一层：通用寄存器堆
第二层：指令与数据缓冲栈
第三层：高速缓冲存储器
第四层：主储存器（DRAM）
第五层：联机外部储存器（硬磁盘机）
第六层：脱机外部储存器（磁带、光盘存储器等）
这就是存储器的层次结构~~~ 主要体现在访问速度~~~

2工作特点
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存储器结构

存储器结构① 设置多个存储器并且使他们并行工作。本质：增添瓶颈部件数目，使它们并行工作，从而减缓固定瓶颈。
② 采用多级存储系统，特别是Cache技术，这是一种减轻存储器带宽对系统性能影响的最佳结构方案。本质：把瓶颈部件分为多个流水线部件，加大操作时间的重叠、提高速度，从而减缓固定瓶颈。

③ 在微处理机内部设置各种缓冲存储器，以减轻对存储器存取的压力。增加CPU中寄存器的数量，也可大大缓解对存储器的压力。本质：缓冲技术，用于减缓暂时性瓶颈。
一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)
RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。

3具体结构分类
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根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：

01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）
这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储


存储器结构

存储器结构单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）
静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。

03.VRAM（Video RAM，视频内存）

它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）
改良版的DRAM，大多数为72PIN或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。。


存储器结构

存储器结构06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）
这是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持BEDODRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器）
MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。

08.WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器）
韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。

09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器）
Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。

10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器）
这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3.3V。 所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。

11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器）
SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）
一般的SRAM是异步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）
CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器）
作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器）
这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，


存储器结构

存储器结构投入实用的难度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器）
这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。

17.DDRII(Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。

18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。

二、ROM(READ Only Memory，只读存储器)

ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)等。它的读取速度比RAM慢很多。

4组成元件分类
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ROM内存又分为以下五种：


存储器结构

存储器结构1.MASK ROM（掩模型只读存储器）
制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。
2.PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器）
这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)， 以实现对其“编程”的目的。

3.EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器）
这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上


存储器结构

存储器结构的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。
4.EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器）
功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。

5.Flash Memory（快闪存储器）
这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。

⑧ 当前计算机内存储器使用的是什么材料

晶圆

由于是晶体材料，其形状为圆形，所以称为晶圆。衬底材料有硅、锗、GaAs、InP、GaN等。由于硅最为常用，如果没有特别指明晶体材料，通常指硅晶圆。

在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。

(8)存储器的制作扩展阅读

经常会看到有些以尺寸表示的晶圆厂，如12英寸晶圆厂，8英寸晶圆厂。12英寸指的是晶圆的直径，差不多相当于300mm，晶圆尺寸越大，制造难度越高，切割的出来的芯片也会更多。随着芯片尺寸越来越小，一块晶圆上可以切割出数千个芯片。

12英寸目前是市场的主流，将近七成的晶圆产能为12英寸，8英寸的产能逐渐减少。接下来就是包括光刻，制作晶体管，晶圆切割，测试，封装等一系列复杂工序，最后得到芯片成品。

⑨ 什么存储器是采用闪存芯片制作的

闪存盘。

闪存芯片是快闪存储器(闪存)的主要部件，主要分为NOR型和NAND型两大类。 在一般的U盘和手机之类的产品中都可以见到它，而mp3、MP4中的闪存芯片则为SLC与MLC的居多，芯片内部的存储单元阵列为(256M +8. 192M) bit ×8bit , 数据寄存器和缓冲存储器均为(2k + 64) bit ×8bit 。

闪存盘和U盘的区别：

1、共同点：闪存盘和U盘都没有机械读写装置，避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏;防潮防磁，耐高低温(-40°C ~ +70°C)等特性。

2、区别：闪存需要外部设备(读卡器)才能与电脑交换数据;而U盘可直接和电脑交换数据，闪存盘使用寿命比U盘长。

⑩ 怎样制作简易24CXX存储器读写工具

大家好！仅有这个读写器是不行的，还需要烧录软件的。先我共享给大家。 本人在网上搜索了一款24C、93C系列存储器(E2PROM、EEPROM、EPROM）读写器,它可以打开以BIN为后缀的二进制24C、93C系列存储器数据文件。使用25针打印口LPT1（端口地址为378H）端口工作。经我改进后设计如下线路图。主要是在各个数据输入端加了保护电阻，增加开关，使其使用的时候不必要拔插头关机。但是由于在开着计算机，所以开关电源的时候产生的脉冲干扰对主机的影响是很大，必须考虑，所以本人在电源输入部分加了电容、电感、电阻来保护主机的安全。当工作的时候本电路电源供电为3.3V左右，但是读写的数据是没有问题。本站提供DOS和WINDOWS两个版本的操作程序。 DOS程序，本程序不逊色于某些大型软件，接口也很简单，稍加熟悉便会使用。注意本程序在其它系统下使用可能会有错误。 1 接口的左上角是软件的名称及版本号：24C×× PROGRAMER VER1.0； 2 接口的右上角是被写芯片的名称和类型：Mfr:ATMEL Type:AT24C01A（缺省值）。 3 中间大范围的部分是代码编辑缓冲区，可以将芯片中的内容先读入到该编辑区，重新编辑后再写回到芯片中去。也可以将缓冲区中的内容以二进制文件的形式存放到硬盘上，或将硬盘上的二进制文件调入缓冲区，再写入到芯片中去。 4 中间靠右侧是弹出式菜单条，可用上下箭头选取菜单，再按回车键执行。也可以按加亮的大写字母所代表的键进行相应的操作。 5 左下部是代码保存的二进制文件名输入区FileName。 6 中下部是芯片的起始地址StartAddr和结束地址EndAddr。 7 右下部是缓冲区代码的校验和Check Sum。 菜单功能介绍： 1 芯片类型选择—Type，按T键弹出一个菜单，按数字键1～9可分别选择下列芯片：AT24C01A、AT24C02、AT24C04、AT24C08、AT24C16、AT24C32、AT24C64、AT24C128、AT24C256。 2 Read—读片，按R键可将芯片数据读入到缓冲区。 3 Auto—自动编程，按A键可自动完成写片、校验等一连串操作。 4 Blank check—空片检查，按B键可检查芯片是否为空片（FF）。 5 Erase—芯片擦除，按E键可擦除整个芯片，即将芯片写入全1（FF）。 6 Program—芯片编程，按P键可将缓冲区内容写入到芯片中去。 7 Verify—芯片校验，按V键可比对缓冲区数据和芯片内数据是否一致，若不相等则给出不相等数据的首地址。 8 lock bit—位锁定，暂不能用。 9 Load—装入档，按L键并输入文件名，可将2进制文件装入到数据缓冲区。 10 Save—保存缓冲区内容，按S键可将缓冲区内容保存为二进制文件。 11 eDit—编辑缓冲区数据，按D键可编辑、修改缓冲区内容。 12 clear Memory—清缓冲区，按M键可全部清除缓冲区内容，以FF填满。 13 unlock—解锁，暂不能用。 14 abOut—查看软件信息，按O键可查看到关于该软件的一些信息，如软件名称、版本数、作者等。 15 Quit—退出键，按Q键可退出该程序。 16 PgUp——上翻页。 17 PgDn—下翻页。 windows中文版本仅支持24C系列的存储器。支持98、ME、2000、XP等系统。由于全是中文，本站就不对其具体解释程序中的文字意思，只对其使用方法介绍一下： 制作好读写器连接电脑的打印口后，装上待读写的存储器（24C系列）打开软件，点“设置”选择相对应的存储器型号（24C01-24C256）然后点确定。 如果要读存储器数据，就直接点“读芯片”读好后点“保存”选择要保存的目录保存就可以了。 如果要写芯片。首先点“打开”选择文件，注意存储器的容量确保和选择的文件大小一致。选择好后，点“写芯片”就可以把选择好的数据写进去存储器IC内部了。 常用的串行存储器分为24系列与93系列两种，分别有自己独特的通讯协议。24系列目前市面常见的有24C01A/02/04/08/16/32/64/256。93系列常见有93C46/56/66/76/86。做为手机或CALL的码片广泛存在于这些通讯设备中。因此这些器件的读写成为维修的最基本问题。 注意：美国AT、ST、BR公司生产的24C××系列存储器其⑦脚需接地才能写入数据；而韩国KOA、KOR、KS公司生产的24C××系列存储器其⑦脚则需接高电平才能写入数据。 PCF（PCA）85系列的脚位排列以及工作方式基本和24C系列一样。可以相互代换 三个系列的存储器存储空间与型号说明字节\型号\厂商ATMEL24C系列PCF(PCA)85系列M93CXX系列1K(128x8bit)24C01APCF858193C462K(256x8bit)24C02PCF8582/85102C-2/85103C-293C564K(512x8bit)24C04PCF8592/8594C-293C668K(1024x8bit)24C08PCF8598C-293C7616K(2048x8bit)24C16PCF85116C-393C8632K(4096x8bit)24C32 64K(8182x8bit)24C64 128K(16364x8bit)24C128 256K(32728x8bit)24C256