slc存储卡

⑴ SLC，MLC和TLC芯片三者的区别

SLC、MLC和TLC
X3（3-bit-per-cell）架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC（Single-Level Cell），原理是在1个存储器储存单元（cell）中存放1位元（bit）的资料，直到MLC（Multi-Level Cell）技术接棒后，架构演进为1个存储器储存单元存放2位元。
2009年TLC架构正式问世，代表1个存储器储存单元可存放3位元，成本进一步大幅降低。
如同上一波SLC技术转MLC技术趋势般，这次也是由NAND Flash大厂东芝（Toshiba）引发战火，之后三星电子（Samsung Electronics）也赶紧加入战局，使得整个TLC技术大量被量产且应用在终端产品上。
TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆卡microSD或随身碟等。

⑵ SLC，MLC和TLC三者的区别

一、存储技术不同

1、SLC：单层单元存储技术。

2、MLC：多层单元存储技术。

3、TLC：三层单元存储技术。

二、特点不同

1、SLC：在每个单元中存储一个Bit，这种设计提高了耐久性、准确性和性能。

2、MLC：架构可以为每个单元存储2个Bit。

3、TLC：用于性能和耐久性要求相对较低的消费级电子产品。

三、用处不同

1、SLC：对于企业的关键应用程序和存储服务，SLC是首选的闪存技术。它的价格最高。

2、MLC：存储多个Bit似乎能够很好地利用空间，在相同空间内获得更大容量，但它的代价是使用寿命降低，可靠性降低。

3、TLC：适合于包含大量读取操作的应用程序，基于TLC的存储组件很少在业务环境中使用。

⑶ NAND SLC SSD是什么

NAND是目前闪存颗粒用的技术，SSD里面的存储颗粒就是一颗颗NAND Flash（闪存）

SLC表示一种闪存颗粒的类型，区别是最小存储单元可以存储的数据位数量。
如果最小存储单元只区分2个电位（高低电位），等于只能存储0或1，即1位（1bit）数据。这种类型的NAND闪存就叫做SLC。
以此类推，还有MLC：最小存储单元区分4个电位，即00，01，10，11。TLC：区分8个电位。
同样一个最小的存储单元，区分的电位越多，存储密度越大。假设一颗SLC NAND是1GB的话，做成MLC就是2GB，TLC就是3GB。所以SLC会比后面的贵得多，容量也不容易做大。
但SLC好处是：区分的电位越多，每个电位间区别越小，读写速度越慢（难以识别和写入），寿命也越短（损耗一点点就错位了）。所以SLC比MLC、TLC速度快，可擦写次数更多。

目前的情况是，SLC一般用于企业级SSD，以及Intel智能响应技术的加速盘。
MLC一般用于桌面级SSD。
TLC的SSD因为技术和可靠性的原因几乎还没有。但TLC则已经几乎统治了U盘和存储卡市场（因为价格战太厉害，利润太低，没人愿意上好的NAND）。
所以除非是高速的存储卡，U盘和存储卡存数据是很不可靠的哦。

⑷ 求市面上SLC型闪存的1GB容量MicroSD卡

目前业内最具争议的话题莫过于NAND闪存的两大架构MLC和SLC了，这两种架构最大的区别是存取技术不同，由此也带来了制造成本、工艺要求、辅助电路、存取次数上的迥异。从短期发展来看，SLC架构在使用上优势较为明显，也因此成为了部分厂商炫耀产品的资本。然而MLC架构具有成本低廉、单片容量较SLC成倍增大等优势，长远来看势必会成为NAND闪存的下一代主流架构。现在购买随身数码影音产品也许我们还在为闪存芯片采用了哪种架构而顾虑，但在不久的将来这种顾虑会完全消失，为什么呢？且听笔者慢慢分析。

NAND闪存可分为三大架构，分别是单层式储存（Single Level Cell），即SLC；多层式储存（Multi Level Cell），即MLC；多位式存储（Multi Bit Cell），即MBC。MLC是英特尔（INTEL）在1997年9月最先研发成功的，其原理是将两个位的信息存入一个浮动栅（Floating Gate，闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位的电荷，透过内存储存格的电压控制精准读写。讲白话点就是一个Cell存放多个bit，现在常见的MLC架构闪存每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架构芯片的2倍，目前三星、东芝、海力士（Hynix）、IMFT(英特尔与美光合资公司)、瑞萨（Renesas）都是此技术的使用者，而且这个队伍还在不断壮大，其发展速度远快于曾经的SLC架构。

SLC技术与EEPROM原理类似，只是在浮置闸极（Floating gate）与源极（Source gate）之中的氧化薄膜更薄，其数据的写入是透过对浮置闸极的电荷加电压，然后可以透过源极，即可将所储存的电荷消除，采用这样的方式便可储存每1个信息位，这种技术的单一位方式能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于低硅效率的问题，必须由较先进的流程强化技术才能向上提升SLC制程技术，单片容量目前已经很难再有大的突破，似乎已经发展到了尽头。

MBC是英飞凌（Infineon）与赛芬半导体（Saifun Semiconctors）合资利用NROM技术共同开发的NAND架构，技术上的问题目前还没有得到广泛应用。网上相关资料也非常有限，加之主题和篇幅关系，就不做深入探讨了。

对MLC和SLC两大架构现在网上存在一个普遍的认识误区，那就是大家都认为MLC架构的NAND闪存是劣品，只有SLC架构的NAND闪存才能在质量上有保障。殊不知采用MLC架构的NAND闪存产品在2003年就已经投入市场使用，至今也没有见哪位用户说自己曾经购买的大容量CF、SD卡有质量问题。可能你会说这是暂时的，日后肯定出问题，那么我们就先来回忆一下MLC的发展历程以及SLC目前的发展状况再来给这个假设做定论吧。

MLC技术开始升温应该说是从2003年2月东芝推出了第一款MLC架构NAND Flash开始，当时作为NAND Flash的主导企业三星电子对此架构很是不屑，依旧我行我素大力推行SLC架构。第二年也就是2004年4月东芝接续推出了采用MLC技术的4Gbit和8Gbit NAND Flash，显然这对于本来就以容量见长的NAND闪存更是如虎添翼。三星电子长期以来一直倡导SLC架构，声称SLC优于MLC，但该公司于2004和2005年发表的关于MLC技术的ISSCC论文却初步显示它的看法发生了转变。三星在其网站上仍未提供关于MLC闪存的任何营销材料，但此时却已经开发出了一款4Gbit的MLC NAND闪存。该产品的裸片面积是156mm2，比东芝的90nm工艺MLC NAND闪存大了18mm2。两家主流NAND闪存厂商在MLC架构上的竞争就从这时开始正式打响了。除了这三星和东芝这两家外，现在拥有了英特尔MLC技术的IM科技公司更是在工艺和MLC上都希望超越竞争对手，大有后来者居上的冲劲。MLC技术的竞争就这样如火如荼地进行着。

另一方面我们再来看看SLC技术，存取原理上SLC架构是0和1两个充电值，即每Cell只能存取1bit数据，有点儿类似于开关电路，虽然简单但却非常稳定。如同电脑的CPU部件一样，要想在一定体积里容纳更多的晶体管数，就必须提高生产工艺水平，减小单晶体管体积。目前SLC技术受限于低硅效率问题，要想大幅度提高制程技术就必须采用更先进的流程强化技术，这就意味着厂商必须更换现有的生产设备，投入大不说而且还是个无底洞。而MLC架构可以一次储存4个以上的充电值，因此拥有比较好的存储密度，再加上可利用现有的生产设备来提高产品容量，厂商即享有生产成本上的优势同时产品良率又得到了保证，自然比SLC架构更受欢迎。

既然MLC架构技术上更加先进，同时又具备成本和良率等优势，那为什么迟迟得不到用户的认同呢。除了认识上的误区外，MLC架构NAND Flash确实存在着让使用者难以容忍的缺点，但这都只是暂时的。为了让大家能更直观清楚地认识这两种架构的优缺点，我们来做一下技术参数上的对比。

首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。这其中也存在一个误区，网上很多媒体都有写MLC和SLC知识普及的文章，笔者一一拜读过，可以说内容不够严谨，多数都是你抄我我抄你，相互抄来抄去，连错误之处也都完全相同，对网友很不负责。就拿存取次数来说吧，这个1万次指的是数据写入次数，而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响，但绝非像写入那样严重，这个寿命值正随着MLC技术的不断发展和完善而改变着。MLC技术并非一家厂商垄断，像东芝（Toshiba）已生产了好几代MLC架构NAND闪存，包括前不久宣布和美国SanDisk公司共同开发的采用最先进56nm工艺的16Gb（2gigabyte）和8Gb（1gigabyte）MLC NAND闪存，16Gb是单芯片的业内最大容量。

东芝在MLC闪存设计方面拥有经验与技术，去年东芝利用90nm工艺与三星的73nm产品竞争。东芝90nm MLC闪存的位密度达29 Mbits/ mm2，超过了三星的73nm闪存（位密度为25.8 Mbits/mm2）。对于给定的存储密度，东芝闪存的裸片面积也比三星的要小。例如东芝的4-Gbit 90nm NAND裸片面积是138 mm2，而三星的4-Gbit 73nm NAND裸片面积是156 mm2，这使东芝在成本方面更具竞争力。三星方面现在正奋起直追，与东芝之间的竞争异常激烈。再加上IMFT、海力士等厂商的参与，MLC技术发展势头迅猛，今天MLC NAND Flash写寿命还只有1万次，明天也许就会是2万次、3万次甚至达到与SLC同等级别的10万次，这是完全有可能的。
拿MLC NAND Flash的写寿命我们一起来算笔帐，假如近期笔者购买了一款2GB容量MP3播放器，闪存是东芝产的MLC架构NAND Flash，理论上只能承受约1万次数据写入。笔者是个疯狂的音乐爱好者，每天都要更新一遍闪存里的歌曲文件，这样下来一年要执行365次数据写入，1万次可够折腾至少27年的，去除7年零头作为数据读取对闪存寿命的损耗，这款MP3播放器如果其它部件不出问题笔者就可以正常使用至少20年。20年对于一款电子产品有着怎样的意义？就算笔者恋旧，也不可能20年就用一款MP3播放器吧。况且就算是SLC架构，闪存里的数据保存期限最多也只有10年，1万次的数据写入寿命其实一点儿也不少。

其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区，所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的，闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据的读取、擦除或是重新写入的速度。可能你会拿现成的例子来辩驳，为什么在同样的控制芯片、同样的外围电路下SLC速度比MLC快。首先就MLC架构目前与之搭配的控制技术来讲这点笔者并不否认，但如果认清其中的原因你就不会再说SLC在速度方面存在优势了。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术，与之相匹配的控制芯片技术上已经非常成熟，笔者评测过的SLC产品数据写入速度最快能达到9664KB/s（ KISS KS900），读取速度最快能达到13138KB/s（ mobiBLU DAH-1700），而同样在高速USB2.0接口协议下写入速度最慢的还不足1500KB/s，读取速度最慢的也没有超过2000KB/s。都是SLC闪存芯片，都是高速USB2.0接口协议，为什么差别会如此大。笔者请教了一位业内资深设计师，得到的答案是闪存控制芯片效能低，且与闪存之间的兼容性不好，这类产品不仅速度慢而且在数据操作时出错的概率也大。这个问题在MLC闪存刚投入市场时同样也困扰着MLC技术的发展，好在去年12月我们终于看到了曙光。这就是擎泰科技（Skymedi Corporation）为我们带来的新一代高速USB2.0控制芯片SK6281及SD 2.0/MMC 4.2的combo快闪记忆卡控制芯片SK6621，在MLC NAND闪存的支持与速度效能上皆有良好表现。其所支持的MLC芯片已经达到了Class4的传输速度。

MLC NAND Flash自身技术的原因，只有控制芯片效能够强时才能支持和弥补其速度上的缺点，支持MLC制程的控制芯片需要较严格的标准，以充分发挥NAND闪存芯片的性能。擎泰科技所推出的系列控制芯片经过长时间可靠性测试及针对不同装置兼容性进行的比对较正，已能支持目前市场主流的MLC闪存，如英特尔JS29F16G08CAMB1、JS29F08G08AAMB1，三星K9G4G08U0A、K9G8G08U0M、K9LAG08U0M、K9HBG08U1M，东芝TC58NVG2D4CTG00、TC58NVG3D4CTG00、TH58NVG4D4CTG00，美光（Micron）、海力士（Hynix）等等。此外，借由良好的韧体设计，可大幅提升性能，达到最高的存取速度，例如：SK6621支持MLC可到Class4水准，其所支持SLC皆可支持到Class6的传输速度。SK6281还达到了Vista ReadyBoost速度的需求（Enhanced for Windows ReadyBoost），且支持单颗MLC时可达22MB/s的读取速度及6MB/s的写入速度，综合下来并不比SLC慢多少。你手上的MP3播放器USB传输速度慢并不全是因为闪存芯片采用了MLC架构，它与控制芯片的关系要更加密切一些。

第三是功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。最近传来好消息，英特尔新推出的65纳米MLC写入速度较以前产品提升了二倍，而工作电压仅为1.8V，并且凭借低功耗和深层关机模式，其电池使用时间也得到了延长。

第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态，这种技术能提供快速的程序编程与读取，简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样，只有开和关两种状态，非常稳定，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例），这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压，读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路，而是要控制四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。目前一些MP3主控制芯片已经采用了硬件4bit ECC校验，这样就可以使MLC的出错率和对机器性能的影响减小到最低。

第五是制造成本。为什么硬盘容量在成倍增大的同时生产成本却能保持不变，简单点说就是在同样面积的盘片上存储更多的数据，也就是所谓的存储密度增大了。MLC技术与之非常类似，原来每Cell仅存放1bit数据，而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据，这些都是在存储体体积不增大的前提下实现的，所以相同容量大小的MLC NAND Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。

综上所述，MLC技术是今后NAND Flash的发展趋势，就像CPU单核心、双核心、四核心一样，MLC技术通过每Cell存储更多的bit来实现容量上的成倍跨越，直至更先进的架构问世。而SLC短期内仍然会是市场的佼佼者，但随着MLC技术的不断发展和完善，SLC必将退出历史的舞台。

⑸ slc与mmc存储卡哪个好

slc是存储芯片的技术，mmc是成品存储卡的规格，问这两个哪个好，就像比较猪里脊肉和水煮肉片那个好一样。

⑹ 怎么分辨存储卡是slc还是mlc

鉴于同样容量的高速低速卡价格差异不大，笔者建议朋友尽量选择高速卡。并不是因为低速卡不够用，而是因为你在开启相机连拍功能时高速卡能在一定程度上提供更长时间的连拍。 其实所谓的高速卡和低速卡的区别在于它们所采用NAND闪存的不同而划分的。所谓的低速卡使用的是MLC型（Multi level cell）NAND闪存，这主要是由Toshiba和Sandisk生产；而高速卡所采用的是SLC型（Single level cell） NAND闪存，主要是由三星生产。MLC的存储密度比SLC高，所以价格更有竞争力。但是它的读写速度慢，能耗高，寿命短。MLC的架构相较于SLC在相同使用条件下多了15%的电流消耗，而数码相机和其它诸如PDA等的数字行动装置所需求的应是省电、高写入速度的储存媒体，以SLC NAND颗粒制成的产品才是消费者最理想的选择。MLC架构虽较为落后，但其弹性大，可利用比较老旧的生产来提高产品的密度，无需额外投资生产设备，具有成本的优势。所以现在市场上可见的大多数品牌还是采用的是MLC的架构，毕竟这样可以拉低成本嘛！！ 从外表看没什么区别，当然标示的速度可能不一样，低速卡一般是2MB/s传输率，高速卡一般在60X以上，少数卡能达到150X（1X=150KB/s)某些卡在卡表面的标签上有注明，比如威刚的。还有些卡用颜色区分高速和低速，比如东芝和金士顿，蓝色代表低速，白色代表高速。

⑺ 固态硬盘SSD的SLC与MLC和TLC三者的区别

1、具体含义不同：

SLC即Single Level Cell，速度快寿命长，价格较贵，约10万次擦写寿命。

MLC即Multi Level Cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000~10000次擦写寿命。

TLC即Trinary Level Cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命。

2、硬件情况不同：

大多数U盘都是采用TCL芯片颗粒，其优点是价格便宜，不过速度一般，寿命相对较短。而SSD固态硬盘中，MLC颗粒固态硬盘是主流，其价格适中，速度与寿命相对较好，而低价SSD固态硬盘普遍采用的是TLC芯片颗粒。

(7)slc存储卡扩展阅读：

固态硬盘特点

1、固态硬盘和机械硬盘相比读写速度远远胜出，这也是其最主要的功能，还具有低功耗、无噪音、抗震动、低热量的特点，这些特点可以延长靠电池供电的计算机设备运转时间。

2、固态硬盘防震抗摔性传统硬盘都是磁盘型的，数据储存在磁盘扇区里。而固态硬盘是使用闪存颗粒（即mp3、U盘等存储介质）制作而成，所以SSD固态硬盘内部不存在任何机械部件。

⑻ U盘、MP3这些产品用的内存芯片分MLC和SLC的，它们都有什么区别啊

MLC（Multi-Level-Cell）技术，由英特尔于1997年率先推出，能够让单个存储单元保存两倍的数据量。MLC内存颗粒是个相当良好的低价解决方案，可大幅节省制造商端的成本，但是MLC NAND颗粒制成的CompactFlash卡相较于SLC（Single-Lecel_Cell） 内存颗粒的产品有着写入速度慢、耗电多、寿命短的缺点，MLC颗粒制成的产品只有10X（1.5Mbyte/sec）的写入速度，SLC 颗粒制成的产品可以达到 22X（3.2Mbyte/sec）的写入速度。Intel 在1997年9月最先开发成功，能够让单个存储单元保存两倍的数据量；
SLC 与 MLC 的参数对比：
Item SLC MLC
电压 3.3V/1.8V 3.3V
生产工艺 / 芯片尺寸 0.12um 0.16um
页容量 / 块容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB
访问时间（最大） 25us 70us
页编程时间（典 型） 250us 1.2ms
可否局部编程 Yes No
擦写次数 100K 10K
数据写入速率 8MB/S+ 1.5MB/S

⑼ SLC，MLC和TLC三者的区别

SLC、MLC和TLC三者是闪存的不同类型，三者区别如下：

1、SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格贵（约MLC的3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。

2、MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000—10000次擦写寿命。

3、TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。

(9)slc存储卡扩展阅读

闪存与硬盘相比所具备的优点：

1、闪存的体积小。闪存的集成度比硬盘高，硬盘做的这么大一块主要原因，就是硬盘不能做的小过闪存，相比较闪存来说，硬盘的集成度不高。

2、相对于硬盘来说闪存结构不怕震，更抗摔。硬盘最怕的就是强烈震动，虽然我们使用的时候可以很小心，但老虎也有打盹的时候，不怕一万就怕万一。

3、闪存可以提供更快的数据读取速度，硬盘则受到转速的限制。

4、闪存存储数据更加安全，硬盘的写入是靠磁性来写入，闪存则采用电压，数据不会因为时间而消除。

⑽ 手机内存卡真假识别方法

手机内存卡真假识别方法

有网友在某网店看到了金士顿TF内存卡的促销信息，16GB的35元，32GB的100元，与市场均价相比确实便宜很多，而后他就各买了一张。不过，对于如此便宜的内存卡他也产生了疑问，所以购买后第一时间就通过金士顿官网查询了内存卡包装上的防伪码，经验证确实是正品。但在使用了一段时间后就发现自己的内存卡读写速度比别人的要慢很多，而且在复制比较大的文件时会提示错误，随后他从网上下载了一个内存卡检测工具，最终测试结果表明这两张内存卡的实际容量都只有2GB。

或许大家会感到疑惑，2GB的内存卡怎么能变成16GB和32GB呢?其实，他买的这种内存卡被称为“扩容卡”，在行业内部早已不是什么秘密，这也是山寨厂家和奸商最常用的牟利手段。一般来说，用一张十几二十元的2GB内存卡扩容成16GB或32GB，然后以低价吸引消费者购买，其中的利润翻了好几倍。针对这个情况，现在就为各位普及一下内存卡的基础知识，同时再教大家几个简单的鉴别方法，以避免购买时上当受骗。

内存卡的前世今生

回想当年，大家都还在用着非智能机，由于功能单一，需要存储的数据也就是通讯录和短信。虽然那时也有手机游戏，但大多都是几十KB，并不需要太大的存储空间。但随着手机功能的多样化，尤其是音乐、拍照、视频元素的加入，原本充裕的内存也变得紧张起来，有一部分手机选择了扩大机身内存，但大多数手机厂商还是选择内存卡扩展空间的方式。

虽然大家每天都在使用，但早期的手机内存卡并不是现在这样“娇小”的造型，而且容量也没有那么大。其中MMC内存卡算是比较早的一种，它是在1997年由西门子及SanDisk共同开发而成，基于东芝的NAND快闪记忆技术，比采用IntelNOR快闪记忆技术的CF卡更细小。当初MMC卡应用较为广泛，数码相机、PDA、手机都可以使用，其中诺基亚采用MMC内存卡的机型相对较多。

之后，SD内存卡开始兴起，它是由日本松下、东芝及美国SanDisk公司于1999年8月共同开发研制。SD内存卡是一种基于半导体快闪记忆器的新一代存储设备，它被广泛地用于便携式装置上，并且拥有高记忆容量、快速数据传输率、极大的移动灵活性以及很好的安全性。虽说SD内存卡很快的取代了MMC内存卡的位置，并且一直沿用至今，但实际上它也是基于MMC格式发展而来，两者在一些设备上还具有一定的兼容性。

上图就是现在最为常见的TF内存卡，它是由SanDisk公司研制，主要用于手机设备，相比早期的MMC内存卡它的体积更小，容量更大，而且兼容性强。通过卡托就可以转换为SD卡，扩展性极强，在2004年它被SD协会正式更名为Micro SD。

2GB变32GB 扩容卡内幕大曝光

现在市场销售的不少TF内存卡的实际存储空间与标称并不相符，像2GB变32GB、4GB变32GB的情况比比皆是。而所谓扩容卡就是扩展电子设备容量的存储介质，例如手机、MP3、MP4、数码相机、U盘、CF内存卡、SD内存卡、TF内存卡等等，这些都可以被扩容。尤其是现在最常用的TF内存卡，扩容现象最为严重，主要集中在金士顿、SanDisk这两个品牌。

其实，对于购买扩容卡的消费者来说，损失点钱倒是小事，毕竟内存卡顶多也就200多元，而它最大的危害则是在数据安全方面。一般来说，扩容卡在复制一些文件的时候会出现错误提示，因为扩展出来的空间并不算真正意义上的内存。当然，出现报错也需要一定条件，这也是很多朋友在购买到扩容卡后长时间没有发现问题的原因。

例如，一张2GB内存卡扩容到了32GB，当我们将它连接到电脑上，通过属性是不会发现有问题的。如果我们复制总容量为3GB的1000首歌曲，这时内存卡一般不会有什么异样，报错的几率比较小，因为每首歌曲的大小仅为几MB。但是，当我们复制一部容量为3GB的高清电影时，这张扩容卡就会出现报错提示，因为这时单个文件的大小已经超过了内存卡的实际容量，这种情况是无法传输数据的。

虽说复制1000首歌曲很少出现报错，但由于扩容的部分并不稳定，很容易出现数据丢失的问题。同时，扩容会导致内存卡使用寿命减少，甚至直接烧坏，最后连格式化都无法进行，容量只显示为8MB或者16MB，而且还无法打开。还有一种情况就是，将文件复制进去，当时打开一般没问题，但只要更换电脑或者重启的`话就会出现数据丢失或者报错，这是因为系统会优先读取本地磁盘的缓存文件。由此可以看出扩容卡的危害之严重，如果卡内文件十分重要的话，一旦丢失将很难找回。

SanDisk官方也生产扩容卡?

看到题目大家肯定会疑惑，SanDisk官方怎么可能生产扩容卡?其实此“扩容卡”非彼扩容卡，这其中又涉及到一个存储单元芯片的问题。一般来说，Nand闪存主要分为MLC多层存储单元、SLC单层存储单元和TLC三种类别，这三种类别也分别适用于不同的使用环境，最常见的就是MLC和SLC，SanDisk使用的就是MLC。

MLC是Multi-Level Cell多层存储单元的缩写，它的最大特点就是容量大成本低，但是速度却很慢。MLC的每个单元为2bit，相对SLC来说整整多了一倍。也就是说，同样100个单元，MLC就要比SLC的容量大很多，通常制造128MB的内存卡需要用1024个单位的晶圆颗粒，而SanDisk来制造同样的内存卡只需要用512个单位的晶圆颗粒，这其实就相当于变相的“扩容”。虽然这样可以降低成本，但却牺牲了速度，由于每个MLC存储单元中存放的数据过多，结构相对复杂，出错的几率也相对增加，必须进行错误修正，同时MLC的擦写寿命仅为5000-10000次。而很多消费者却不知道这一点，SanDisk超高的知名度掩盖了其产品上的“瑕疵”。

SLC是Single Layer Cell单层存储单元的缩写，它的最大特点就是稳定、速度快、功耗低，但相比MLC容量要小一半，成本也相对较高。SLC的每个单元为1bit，其存储单元中存放的数据较少，结构相对简单，出错的几率也大大降低。而且，SLC闪存的复写次数高达100000次，是MLC的10-20倍，它经常被用在企业级SSD上，但同样SLC的成本也较MLC高出三倍有余。

在了解了MLC和SLC的区别及优缺点之后，相信有不少朋友会问，现在有哪个品牌的内存卡在使用SLC呢?其实这个品牌的国际知名度丝毫不亚于SanDisk，它就是PNY(必恩威)。它是美国第二大内存卡厂商，也是美国通路市场第一大品牌，而且它在欧洲的市场占有率极高，国内也有销售，只不过很多消费者不了解罢了。其内存卡产品采用SLC制成，也是市场上为数不多的高速卡。

从外观初识真假

一般来说，购买内存卡之后，我们首先要做的就是辨别这张内存卡的真假，也就是说先要确定它是不是你买的那个厂商生产的。虽说扩容卡在将容量扩展后会更改内存卡上相应的容量标识，但至少要保证这张卡是原厂生产，因为如果遇到了无法退换的情况，我们至少还可以将内存卡还原为实际容量，这样的话大品牌内存卡总要比杂牌或者山寨的要好。

网上也有不少关于内存卡的鉴别文章，但大多都是通过包装、防伪码来进行分辨。其实，这种方法现在看来已经不是很靠谱，因为市场中有不少商家在回收包装。除此之外，现在的高仿包装已经可以做到以假乱真的地步，就连背后的防伪码都可以制作，这些假编码同样可以在官网查询到，足见奸商们的手段之高。所以相对保险的方法就是对内存卡本身进行鉴别，下面我们就拿时下热销的金士顿TF卡来做一下鉴别。先来看一下正面，主要关注两个点，一是中间的激光码，二是底部的凹槽。一般假卡的激光码刻字会出现模糊、字号不统一、编码间隔不均匀的问题，而真卡则不会出现这种情况。另外，真的金士顿TF卡正面左下方会有一个圆形凹槽，假卡一般则没有。

看储存卡的背面，这也是较容易的方法。原装金士顿TF卡背面每个铜片下方都会有一个明显的铜点，而高仿金士顿TF卡则没有这个铜点。出现这种差别的原因就是山寨厂商的技术和工艺还无法达到如此高的水平。

扩容卡及坏块检测

当然，通过内存卡的外观我们只能简单的判断它是否为正品，但却不能鉴定它是不是扩容卡。要想知道你买的内存卡是否被扩容，那么就需要用特定的测试工具MyDiskTest(点此下载)。它是一款集5大功能于一身的移动存储产品扩容识别工具，通过它可以方便的检测出存储设备是否经过扩充容量。同时也能查出存储设备是否有坏块，是否采用黑片，它不会破坏磁盘原有数据，并可以测试读取和写入速度。

当用户将内存卡连接到电脑上之后，通过最顶部的下拉菜单就可以选择要检测的设备。确定设备后，下面就可以选择测试方法，默认是坏块检测和快速扩容测试，这相当于是一个组合选项，不能单独测试其中某一项，两项检测是同时进行的。一般来说，想检测自己的内存卡是否被扩容就可以直接采用默认设置，然后点击立即开始测试此驱动器，下面我们就用一张16GB容量的SanDisk内存卡来做一下演示。

既然名为快速扩容测试，那整个检测过程用时就不会太久，也就5分钟左右。坏块检测与快速扩容测试主要会测试三个方面：标准读写、覆写、快速诊断。检测完成过后就会有一个结果，可以看出，这张内存卡已经通过了默认测试，基本可以断定它不是扩容卡。当然，如果不放心的话可以按照提示进行数据完整性校验，只需点击快速扩容测试下的选项，然后按开始就可以了。

从上图来看，经过数据完整性校验，最终这张内存卡通过了测试，也就是说它是真正的16GB容量，并非扩容卡。

如果没有通过测试的话，就证明这张内存卡为扩容卡。一张标称为32GB的内存卡，经过快速扩容测试后发现它是一张扩容卡。从数据来看，这张内存卡的实际容量仅为4GB，也就是说它扩展了28GB，扩容量达到7倍之多，其成本也不过十几元，而奸商一般都会卖200元，可想而知里面的利润有多高。

读写速度检测

进行完上面的检测后，我们就可以断定自己买的内存卡是否被扩容，如果是扩容卡的话就需要将其恢复到实际容量，以免在使用时丢失数据。如果不是的话，那么我们还需要回到第一个问题，即内存卡是否为正品。虽说过了外观和扩容检测这两关，但还不足以证明内存卡的真假，最后，我们还要对卡速进行一下测试，使用的依旧是MyDiskTest检测工具。

相比扩容检测，内存卡的读写速度测试就更为容易，只需在软件主界面点击速度测试，然后按开始就可以了。这时会跳转到上图中的界面，点击右上角的开始测试就会进行检测，时间也是5分钟左右。其中最上面两大块分别为测试项目和平均读写速度。而下方的纵轴表示读写速度，横轴表示容量大小。中间的数个绿色数轴为读取速度，红色为写入速度，待上图界面完全出现后就可以点击关闭了。

关闭后就会跳转到MyDiskTest的主界面，最终测试结果包括物理操作速度、创建文件速度、删除文件速度、随机读写速度、文件复制速度。得到这些数值后，就可以去该内存卡的官网查找资料，一般品牌内存卡官网都会提供产品的读写速度，当然大多都是平均值和最低值，两相对比后，只要差距不是太大就可以确定为原装无扩容内存卡。

文至于此，相信大家对于手机内存卡的一些基础知识和鉴别方法已经有了一个大致的了解。扩容卡的危害还是比较严重的，如果将重要数据放在这种内存卡中就很容易出现丢失的情况，那时候损失的就不仅仅是一两百块钱了，文件很有可能因此无法找回。其实想避免类似情况发生也并不困难：首先，不能贪图小便宜，本来一张内存卡就没有多少钱，所以尽量从正规商家或者网站购买;其次，购买时要先对外观进行辨别，仅仅知道方法还不够，最重要的依旧是细心和耐心;第三，购买之后一定要先用软件对内存卡进行测试，确认无误后再行使用。