电荷存储效应

Ⅰ mos管是什么原理起什么作用

• 工作原理：

  MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。其主要原理如图：

  

• 作用：

  由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。其中在CPU与AGP插槽附近各安排一组MOS管，而内存插槽则共用了一组MOS管，MOS管一般是以两个组成一组的形式出现主板上的。

Ⅱ 基于MOS管栅极电容的电荷存储效应 请问这个效应如何进行具体表述，查了很多资料，讲的都不是很确切

MOS是场控器件，意味着只要栅极电压达到阈值，其DS之间的沟道即会打开。但由于其栅源之间有等效电容，故无论是开通或关断或放大的时候，其响应均会受电容影响，有所延迟。因为电容电压不会突变，这就是存储效应。

Ⅲ 二极管的反向恢复时间是什么意思

二极管在接反向电压的时候，在两边的空穴和电子是不接触的，没有电流流过，但是同时形成了一个等效电容，如果这个时候改变两边的电压方向，自然有一个充电的过程，这个时间就是二极管反向恢复时间。用示波器可以看到结电容的充电时间的。实际上是由电荷存储效应引起的, 反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。
实际的意义在于：该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间 短, 则二极管在正、反向都可导通, 起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取二级管和合理设计电路非常重要。（ts 称为储存时间, tf 称为下降时间。tr= ts+ tf 称为反向恢复时间,）

Ⅳ 什么叫二极管的反向恢复时间，希望说下原理

反向恢复时间（trr)，它的定义是：电流通过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

原理：反向恢复过程是由电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。假设为Trr，若有一周期为T1的连续PWM波通过二极管，当Trr>T1时，二极管反方向时就不能阻断此PWM波，起不到开关作用。二极管的反向恢复时间由Datasheet提供。

(4)电荷存储效应扩展阅读

快恢复二极管的特点：快恢复二极管的最主要特点是它的反向恢复时间（trr)在几百纳秒（ns)以下，超快恢复二极管甚至能达到几十纳秒。反向恢复时间快使二极管在导通和截止之间迅速转换，可获得较高的开关速度，提高了器件的使用频率并改善了波形。

开关从导通状态向截止状态转变时，二极管或整流器在二极管阻断反向电流之前需要首先释放存储的电荷，这个放电时间被称为反向恢复时间,在此期间电流反向流过二极管。即从正向导通电流为0时到进入完全截止状态的时间。

Ⅳ 电力二极管的动态特性中,为什么会出现电压过冲呢

二极管和一般开关的不同在于“开”与“关”由所加电压的极性决定, 而且“开”态有微小的压降UF,“关”态有微小的电流i0。当电压由正向变为反向时, 电流并不立刻成为(- i0) , 而是在一段时间td反向电流始终很大，二极管并不关断。

经过td后反向电流才逐渐变小再经过tf 时间二极管的电流才成为 (- i0) , td 称为储存时间, tf 称为下降时间。trr= td+ tf 称为反向恢复时间。

正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点： 优点：电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少。 缺点：反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低。

肖特基二极管

以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode--SBD），简称为肖特基二极管。肖特基二极管的优点在于：反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管。因此，其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高。

Ⅵ mos管是什么原理，起什么作用的

MOS管的原理：

它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。

作用：

1、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2、很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、可以用作可变电阻。

4、可以方便地用作恒流源。

5、可以用作电子开关。

简介：

mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

结构特点：

MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

p沟道mos管

其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

Ⅶ 电力二极管的动态特性及其为什么

1、正向PN结的电荷存储效应给电力二极管带来的主要优缺点： 优点：电导调制效应使通态压降较低，在正向电流增大时通态压降增加很少。 缺点：反向关断过程中会引起反向恢复电流和反向恢复时间，使开关频率降低。 2、正向通态压降的大致范围0.7-1.2V； 3、主要参数：通态平均电流IF(AV)、反向耐压URRM和反向恢复时间TRR； 普通二极管：反向恢复时间TRR在5uS以上。 快恢复二极管：0.8-1.1V的正向导通压降，反向恢复时间数百纳秒，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小，使其trr可低至几十纳秒。
肖特基二极管：其反向恢复时间极短10-40纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安，而且反向漏电流较大，优点低功耗，大电流，开关频率高，缺点耐压低，一般低于200V。
这两种管子通常用于开关电源。快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件. 追问： 什么是电导调制效应，它是如何影响电力二极管的动态特性的 回答： 电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。这三种重要的效应是BJT的一种基本特性，
二极管在有正向电压，并且正向电压大于1V左右（每个管子不一样，但大约这个范围左右）的时候就会导通。但是施加了正向电压不会立刻就导通，会有一点延迟，毕竟二极管是半导体，不是导体。大约是几毫秒左右或者几微秒的时间，每个管子也不一样，具体看说明书。这就是延迟时间。反向恢复：二极管正向导通，电压反向了会截止。但是二极管自己有电容结，所以会反应比较慢。电压一反向，它并不会立刻就截止了，会继续流一会儿电流，即使这个电流是反向的（电压现在反向了，电流当然基本上也是反向的了），但是反向的电流会把二极管的结电容里的电放完，然后就可以截止了，这个过程所花的时间，就是反向恢复时间。正向恢复时间？我没听说过。。。你杜撰出来的吧-_-b是开通的速度的意思吗？是不是说由反向电压转到正向电压后，会化多少时间开通二极管？下降时间是说电压从正向变成反向的时候，电流下降到零，再反向成负值，再上升到零的这个过程所花的时间，比反向恢复时间长一点点，大概长个二分之一吧。

Ⅷ 电荷存储、 分辨率和阀值、 接触电势 分别的名词解释

电荷存储是一种特殊的pn结开关二极管，即在pn结两边的扩散区中存储有大量少数载流子的二极管，以致在关断时存储时间很长，但是关断时的下降时间tf几乎为0（为ps数量级）。这种二极管具有很好的正向导电性，所以在正向电压时能够注入大量的少数载流子电荷到pn结两边的扩散区中去，从而可实现大量电荷的存储。实际上电荷存储二极管基本上与阶跃恢复二极管是一致的。

Ⅸ “多数载流子”和“少数载流子”的意义分别是什么

多数载流子，少数载流子，它们都承担着传递电流的作用，载流子（电荷）的定向运动，产生了电流。具体来说，不同的半导体器件，有的是多数载流子其主要作用，有的又是少数载流子起重要作用。所以半导体器件，又分为多子器件和少子器件。你比如说，双极型器件，如BJT，PiN二极管，这些都是少数载流子器件。特点是电流能力大，但是开关速度相对较低，因为有少子电荷存储效应。
于此对应的，多数载流子器件，如MOSFET，肖特基二极管，这些是单极器件，起作用的是多数载流子。由于没有了少子存储效应，所以特点是开关速度很快，可以工作在高的频率下，但是电流能力不如双极型器件。
所以，你问多数载流子少数载流子的意义，其实它们都是电流的承担者和贡献者，就看具体器件应用中，谁占主要作用了。
希望对你有帮助