pcm相变存储器
❶ LPCM与PCM的区别
LPCM与PCM的唯一区别在于采样频率和量化精度不同。
一、LPCM（线性脉冲编码调制）是一种非压缩音频数字化技术，是一种未压缩的原音重现，是非压缩的数字化技术，码率较大。
二、而PCM（脉冲编码调制）是一种将模拟语音信号变换为数字信号的编码方式。PCM主要经过3个过程：抽样、量化和编码。抽样过程将连续时间模拟信号变为离散时间、连续幅度的抽样信号，量化过程将抽样信号变为离散时间、离散幅度的数字信号，编码过程将量化后的信号编码成为一个二进制码组输出。
(1)pcm相变存储器扩展阅读:
PCM技术基础：
1、一位可变
如同RAM或EEPROM，PCM可变的最小单元是一位。闪存技术在改变储存的信息时要求有一步单独的擦除步骤。而在一位可变的存储器中存储的信息在改变时无需单独的擦除步骤，可直接由1变为0或由0变为1。
2、非易失性
相变存储器如NOR闪存与NAND闪存一样是非易失性的存储器。RAM需要稳定的供电来维持信号，如电池支持。DRAM也有称为软错误的缺点，由微粒或外界辐射导致的随机位损坏。早期Intel进行的兆比特PCM存储阵列能够保存大量数据，该实验结果表明PCM具有良好的非易失性。
3、读取速度
如同RAM和NOR闪存，PCM技术具有随机存储速度快的特点。这使得存储器中的代码可以直接执行，无需中间拷贝到RAM。PCM读取反应时间与最小单元一比特的NOR闪存相当，而它的的带宽可以媲美DRAM。相对的，NAND闪存因随机存储时间长达几十微秒，无法完成代码的直接执行。
4、写入/擦除速度
PCM能够达到如同NAND的写入速度，但是PCM的反应时间更短，且无需单独的擦除步骤。NOR闪存具有稳定的写入速度，但是擦除时间较长。PCM同RAM一样无需单独擦除步骤，但是写入速度（带宽和反应时间）不及RAM。随着PCM技术的不断发展，存储单元缩减，PCM将不断被完善。
5、缩放比例
缩放比例是PCM的第五个不同点。NOR和NAND存储器的结构导致存储器很难缩小体型。这是因为门电路的厚度是一定的，它需要多于10V的供电，CMOS逻辑门需要1V或更少。
这种缩小通常被成为摩尔定律，存储器每缩小一代其密集程度提高一倍。随着存储单元的缩小，GST材料的体积也在缩小，这使得PCM具有缩放性。
参考资料：网络-PCM
网络-LPCM
❷ 别克君威2003款PCM是什么意思
别克君威2003款PCM，就是汽车电脑控制单元，有的汽车上是ECU或TCM，其实其作用都是汽车电脑控制单元。
❸ pcm是什么意思，代表什么
PCM是Phase Change Memory的简称，中文名称为相变存储器，它利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。
PCM是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。
原理：
一个电阻连接在GST层的下方。加热/熔化过程只影响该电阻顶端周围的一小片区域。擦除/RESET脉冲施加高电阻即逻辑0，在器件上形成一片非晶层区域。SET脉冲用于置逻辑1，使非晶层再结晶回到结晶态。晶态是一种低能态;因此，当对非晶态下的材料加热，温度接近结晶温度时，它就会自然地转变为晶态。
在非晶态下，GST材料具有短距离的原子能级和较低的自由电子密度，使得其具有较高的电阻率。由于这种状态通常出现在RESET操作之后，我们一般称其为RESET状态，在RESET操作中DUT的温度上升到略高于熔点温度，然后突然对GST淬火将其冷却。
在晶态下，GST材料具有长距离的原子能级和较高的自由电子密度，从而具有较低的电阻率。一般称其为SET状态，在SET操作中，材料的温度上升高于再结晶温度但是低于熔点温度，然后缓慢冷却使得晶粒形成整层。晶态的电阻范围通常从1千欧到10千欧。
以上内容参考：网络-PCM
❹ 科学家已经研制出了最小尺寸的相变存储单元，这对计算系统有怎样的意义呢
科学家已经研制出了最小尺寸的相变存储单元，这对计算系统有怎样的意义呢，如今数据产量呈爆炸式增长，传统的冯诺依曼计算架构成为未来继续提升计算系统性能的主要技术障碍。能够集存储和计算功能于一身的相变随机存储器是突破冯诺依曼计算架构瓶颈的理想路径选择。它具有非易失性、编程速度快、循环寿命长等优点。然而，在PCRAM中相变材料和加热电极之间的接触面积很大，这导致相变存储器的高功耗。如何进一步降低功耗已经成为相变存储器未来发展的最大挑战之一。
非易失性存储技术在许多方面取得了重大进展，为提高计算机系统的存储能效带来了新的机遇。利用新型非易失性存储技术取代传统存储技术，可以满足计算机技术发展对高存储能效的需求。以相变存储器(PCM)为代表的许多新型存储技术，以其高集成度、低功耗的特点，引起了国内外研究者的关注。以上就是对科学家已经研制出了最小尺寸的相变存储单元，这对计算系统有怎样的意义呢这个问题的解答。
❺ 汽车中PCM是什么意思啊
发动机控制模块。
ECU 车身电脑（车载电脑）汽车上所有其他模块都要与ECU进行通讯的 PCM 发动机控制模块。
PCM会接受传感器信号，通过复杂的计算来控制燃油的供应量，空气的配给（电子节气门），喷油及点火的时机，进气压力的调整，还要根据温度、负荷、爆震、燃烧状况等来决定发动机的补偿控制系数。
❻ PCM设备的接入、功能、输出
就是脉冲编码调制啊，笨
❼ 相变存储器的工作原理
相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。
在非晶态下，GST材料具有短距离的原子能级和较低的自由电子密度，使得其具有较高的电阻率。由于这种状态通常出现在RESET操作之后，一般称其为RESET状态，在RESET操作中DUT的温度上升到略高于熔点温度，然后突然对GST淬火将其冷却。冷却的速度对于非晶层的形成至关重要。非晶层的电阻通常可超过1兆欧。
在晶态下，GST材料具有长距离的原子能级和较高的自由电子密度，从而具有较低的电阻率。由于这种状态通常出现在SET操作之后，我们一般称其为SET状态，在SET操作中，材料的温度上升高于再结晶温度但是低于熔点温度，然后缓慢冷却使得晶粒形成整层。晶态的电阻范围通常从1千欧到10千欧。晶态是一种低能态；因此，当对非晶态下的材料加热，温度接近结晶温度时，它就会自然地转变为晶态。
典型的GST PCM器件结构顶部电极、晶态GST、α/晶态GST、热绝缘体、电阻（加热器）、底部电极组成。一个电阻连接在GST层的下方。加热/熔化过程只影响该电阻顶端周围的一小片区域。擦除/RESET脉冲施加高电阻即逻辑0，在器件上形成一片非晶层区域。擦除/RESET脉冲比写/SET脉冲要高、窄和陡峭。SET脉冲用于置逻辑1，使非晶层再结晶回到结晶态。
❽ 什么是相变存储器
相变存储器简称PCM，是基于奥弗辛斯基在20世纪60年代末提出的奥弗辛斯基电子效应的存储器。
奥弗辛斯基电子效应是指材料由非晶体状态变成晶体，再变回非晶体的过程中，其非晶体和晶体状态呈现不同的反光特性和电阻特性，因此可以利用非晶态和晶态分别代表“0”和“1”来存储数据。
相变存储器比起当今主流产品具有多种优势，有望同时替代公众熟知的两大类存储技术，如应用于U盘的可断电存储的闪存技术，又如应用于电脑内存的不断电存储的DRAM技术。
在存储密度方面，目前主流存储器在20多纳米的技术节点上出现极限，无法进一步紧凑集成；而相变存储器可达5纳米量级。在存储速度方面，相变存储器的存储单元比闪存快100倍，使用寿命也达百倍以上。
❾ pcm1606e芯片解码怎么样
很快
pcm:相变存储器(phase-changememory,pcm)是由ibm公司的研究机构所开发的一种新型存储芯片
❿ 汽车pcm是什么意思
对于拥有机动车的人都对于自己的爱车有所了解，但是大多数了解都是表面上的，而对于汽车的更深层次的理解还有所欠缺，那么今天我们就来了解一下汽车的pcm，汽车的pcm是什么意思？我们就先来了解一下pcm的基本知识，pcm的英文全程叫做Phase-change memory，译为相变储存器，是由IBM公司的研发机构所研发的一种新型的存储芯片，而这种芯片现在也多用于汽车的发动机控制模块。
pcm芯片可以接受传感器的信号，通过精确的计算来控制燃油的供应量，空气的配给，喷油以及点火的时机，进气压力的调整，还要根据温度、负荷、爆震、燃烧状况等来决定发动机的补偿控制系数。它是发动机控制的核心部件，根据各个传感器的输入信息，控制发动机的燃油喷射和点火时刻，并为其他输出装置提供较佳的控制指令。