动态存储需要周期性刷新

㈠ 动态ram的刷新方式有三种

定时刷新的原因：由于存储单元的访问是随机的。
有可能某些存储单元长期得不到访问，不进行存储器的读/写操作，其存储单元内的原信息将会慢慢消失，为此，必须采用定时刷新的方法，它规定在一定的时间内，对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新，一般取2ms，即刷新周期（再生周期）。
刷新与行地址有关。
刷新时一行行进行的，必须在刷新周期内，由专用的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新，才能保证DRAM内的信息不丢失。通常有三种方式刷新：集中刷新、分散刷新和异步刷新。

㈡ 动态MOS存储器为什么要刷新常用的刷新方式有哪几种

动态MOS存储单元存储信息的原理，是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。但由于漏电流的存在，栅极电容上存储的电荷不可能长久保持不变，因此为了及时补充漏掉的电荷，避免存储信息丢失，需要定时地给栅极电容补充电荷，通常把这种操作称作刷新或再生。 常用的刷新方式有三种，一种是集中式，另一种是分散式，第三种是异步式。 集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行刷新整个存储器，它适用于高速存储器。 分散式刷新：把一个存储系统周期t c 分为两半，周期前半段时间t m 用来读/写操作或维持信息，周期后半段时间t r 作为刷新操作时间。这样，每经过128个系统周期时间，整个存储器便全部刷新一遍。 异步式刷新：前两种方式的结合。同学们可以自己画画它的刷新周期图。

㈢ 半导体动态存储器为什么要刷新刷新的主要方式有哪三种

动态存储器依靠电容电荷存储信息，时间一长，电荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、异步刷新。

㈣ 半导体 动态存储器为什么要进行刷新

动态半导体存储器利用电容存储电荷记录。电容会放电,因此必须在电荷流失前对电容充电–刷新

㈤ 比较动态存储器dram和静态存储器sram的异同点

SRAM中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM（DRAM）不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将SRAM与只读存储器（ROM）和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。

SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。

SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。

从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。

DRAM：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。

SRAM：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。

SDRAM：同步的DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个DRAM存储单元大约需要一个晶体管和一个电容（不包括行读出放大器等），而一个SRAM存储单元大约需要六个晶体管。DRAM和SDRAM由于实现工艺问题，容量较SRAM大，但是读写速度不如SRAM。一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。 内存（即随机存贮器RAM）可分为静态随机存储器SRAM，和动态随机存储器DRAM两种。我们经常说的“ 内存”是指DRAM。而SRAM大家却接触的很少。

SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛。SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保 持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此，才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM

㈥ 动态存储器刷新以什么为单位

行。动态存储器是在指定功能或应用软件之间共享的存储器，如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。动态存储器刷新以行为单位，动态存储器刷新刷新周期：从上次对整个存储器刷新结束到下次对整个存储器全部刷新一遍为止的时间间隔，为电容数据有效保存期的上限(64ms)。

㈦ 书上说：DRAM为了保持数据，必须隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。

首先，DRAM SRAM ROM三者都是内存，所以内存每隔一段时间得刷新一下是不正确的。
DRAM是动态随机存储内存，需要定期刷新；
SRAM是静态随机存取内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据；
ROM是只读内存，对用户来说是只读而不能写的。只能有计算机生产厂商用特殊方式写入
一些重要的软件和数据，如引导程序、监控程序等，断电后，其内容不会丢失。

㈧ 为什么DRAM需要刷新

DRAM就是动态随机存取存储器，动态随机存取存储器需要刷新是因为DRAM存储信息的特殊性。

DRAM是通过栅极电容存储电荷来暂存信息。由于存储的信息电荷终究是有泄漏的，电荷数又不能像SRAM存储元那样由电源经负载管来补充，时间一长，信息就会丢失。为此必须设法由外界按一定规律给栅极充电，按需要补给栅极电容的信息电荷，此过程叫刷新。因此，DRAM需要刷新。

(8)动态存储需要周期性刷新扩展阅读：

DRAM是靠其内部电容电位来记录其逻辑值的，但是电容因各方面的技术困难无可避免的有显着的漏电现象（放电现象）而使电位下降，于是需要周期性地对高电位电容进行充电而保持其稳定，这就是刷新。动态MOS存储器采用“读出”方式进行刷新。 有的Dram也支持每个bank刷新的命令，每次同时刷新一个bank的多个行，在一个rank刷新的时候允许bank-level 并行。

㈨ 动态RAM为什么要刷新这里的刷新是什么概念

RAM中，半导体晶体管中的电荷每1.2微秒会消失，数据也会消失。所以为了保存数据，每1微秒会重新通一次电即刷新一次。
在动态RAM芯片内部，每个内存单元保存一位信息。单元由下面两部分组成：一个晶体管和一个电容器。当然这些部件都非常地小，因此一个内存芯片内可以包含数百万个。电容器保存信息位--0或1（有关位的信息，请参见位和字节）。晶体管起到了开关的作用，能让内存芯片上的控制线路读取电容上的数据，或改变其状态。 
电容器就像一个储存电子的小桶。在存储单元中写入1，小桶内就充满电子；写入0，小桶就被清空。这只"桶"的问题在于：它会泄漏。只需大约几毫秒的时间，一个充满电子的小桶就会漏得一干二净。因此，为了确保动态存储器能正常工作，必须由CPU或是由内存控制器对所有电容不断地进行充电，使它们在电子流失殆尽之前保持"1"值。为此，内存控制器会先行读取存储器中的数据，再把数据写回去。这种刷新操作每秒钟会自动进行数千次。 

㈩ 动态RAM的三种刷新方式是什么

DRAM的刷新方式 常用刷新方式： 教科书P84图3.14
① 集中式---正常读/写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成。

特点：存在一段停止读/写操作的死时间 适用于高速存储器

② 分散式---将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读/写操作和刷新操作。

特点：不存在停止读/写操作的死时间
但系统运行速度降低

③ 异步式---前两种方式的结合，每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。