存储芯片30

❶ 内存芯片的种类有哪些

爱学习的小伙伴们，你们知道内存芯片有哪些种类吗?不知道的话跟着我一起来学习了解内存芯片有哪些种类吧。

内存芯片有哪些种类

存储器分类

简称：Cache

标准：Cache Memory

中文：高速缓存

高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种，其存取速度要比一般RAM来得快。当中央处理器

(CPU)处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就不

需从内存中读取数据。由于CPU的运行速度通常比主存储器快，CPU若要连续存取内存的话，

必须等待数个机器周期造成浪费。所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。如

Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称为

L1高速缓存(Memory)。L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。

简称：DDR

标准：Double Date Rate

中文：双倍数据传输率

DDR系统时脉为100或133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即200或266MHz，系统

使用3.3或3.5V的电压。因为DDR SDRAM的速度增加，因此它的传输效能比同步动态随机存取

内存(SDRAM)好。

DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM

memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM

technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to

perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput

of SDRAM

简称：DIMM

标准：Dual in Line Memory Mole

中文：双直列内存条

DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块，它实际上是一

种封装技术。在PCB板的一边缘上，每面有64叫指状铜接触条，两面共有168条。DIMM可以分

为3.3V和5V两种电压，这其中又有含缓冲器以及不含缓冲器两种，目前比较常见的是3.3V含

缓冲器类型，而DIMM还需要一个抹除式只读存储器(EPROM)供基本输出入系统(BIOS)储存各

种参数，让芯片组(Chipset)达到最佳状态。

简称：DRAM

标准：Dynamic Random Access Memory

中文：动态随机存储器

一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异

在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据

则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。

简称：ECC

标准：Error Checking and Correction)

在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差，也可以作双位或多位的误差核对与改

正。

简称：EDO DRAM

标准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

中文：EDO动态随机存储器

EDO DRAM也称为Hyper Page Mode DRAM，这是一种可以增加动态随机存取内存(DRAM)读取

效能的存储器，为了提高EDO DRAM的读取效率，EDO DRAM可以保持资料输出直到下一周期

CAS#之下降边缘，而EDO DRAM的频宽由100个兆字节(MB)增加到了200MB。

简称：EEPROM

标准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：电子抹除式只读存储器

非挥发性存储器。电源撤除后，储存的信息(Data)依然存在，在特殊管脚上施加电压，同

时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的参

数。

这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个数

据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。

简称：EPROM

标准：Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：紫外擦除只读存器

非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容，非常适合用作硬件当中的基本输出入系统

(BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。

这种存储器不支持再线修改数据。

简称：Flash

标准：Memory

中文：闪烁存储器

非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再

线修改数据，写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。

Flash应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。

简称：FeRAM

标准：Ferroelectric random access memory

中文：铁电存储器

ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile

memory that combines high-performance and low-power operation with the ability

to retain data without power.

FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and

eliminates the need for a battery

简称：MRAM

标准：Magnetoresistive Random Access Memory

中文：磁性随机存储器

磁性随机存储器是正在开发阶段的，基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel

junction-MTJ)技术的固态存储介质，属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon

(英飞凌)、Cypress和Motorola(摩托罗拉)。其擦写次数高于现有的Flash存储器，可达

1015，读写时间可达70nS，

简称：RAM

标准：Random Access Memory

中文：随机存储器

随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指

令和资料暂时存在这里。RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键盘

(Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅

助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打

印机、显示器。 RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的

速度越快。

简称：RDRAM

标准：Rambus DRAM

中文：Rambus动态随机存储器

这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的传送速率，作业时不会

间断，比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，当然价格比要DRAM贵。虽然

RDRA无法完全取代现有内存，不过因为总线 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM与静态随机

存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) ，制造商展示的RDRAM则可达

600MHz，内存也只有8或9位 (bit ) 长，若将RDRAM并排使用，可以大幅增加频宽

(Bandwidth) ，将内存增为32或64位。

简称：ROM

标准：Read Only Memory

中文：只读存储器

只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读

取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。 ROM被储存在一

个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多

用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提

供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确

认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer

circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。

简称：SDRAM

标准：Synchronous Dynamic RAM

中文：同步动态随机存储器

SDRAM的运作时脉和微处理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 动态记忆模块

(EDO DRAM ) 的速度还快，采用3.3V电压(EDO DRAM为5V)，168个接脚，还可以配合中央处

理器 (CPU ) 的外频 (External Clock) ，而有66与100MHz不同的规格，100MHz的规格就是

大家所熟知的PC100内存 (Memory ) 。

简称：SIMM

标准：Single In-Line Memory Mole

中文：单直列内存模块

内存(Memory )模块的概念一直到80386时候才被应用在主机板(Mother Board)上，当时的

接脚主要为30个，可以提供8条资料 (Data) 存取线 (Access Line)，一次资料存取

(Access)为32个字节，所以分为四条一组，因此80386以四条为一个单位。而今一条SIMM为

72Pins，不过只能提供32字节的工作量，但是外部的数据总线(Data Bus)为64字节(bite)，

因此一个主机板上必须有两条SIMM才足以执行庞大的资料(Data)处理工作。

简称：SRAM

标准：Static Random Access Memory

中文：静态随机存储器

SRAM制造方法与动态随机存取内存(DRAM )不同，每个位使用6个晶体管(transistor)组

成，不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失，其存取时间较短控制电路简单，但制造

成本较高，单片难以做到DRAM那样容量。

简称：VCM SDRAM

标准：Virtual Channel Memory SDRAM

中文：虚拟信道存储器

1999年由于SDRAM在市场上大为缺货，而由日本NEC恩益禧搭配一些主机板厂商及芯片组

(Chipset)业者，大力推广所谓的VCM模块技术，而为消费者广为接受，日本NEC更希望一举

将VCM的规格推向工业级标准。VCM内存规格是以SDRAM为基础观念所开发出的新产品，并加

强原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM须等待中央处理器(CPU)处理完资料或VGA卡处理完资料

后，才能完整地送至SDRAM做进一步的处理，然而VCM的内部区分为16条虚拟信道Virtual

Channel)，每一个信道都负责一个单独的memory master，因此可以减少内存(Memory)接口

的负担，进而增加计算机使用者使用效率。 目前为全球第四大内存模块厂商的宇瞻科技与

日本NEC技术合作，在台湾推出以PC133 (PC133) VCM内存模块为设计的笔记型计算机，由于

VCM技术可以减少内存接口的负担，以及本身低耗电的特性，相当适合笔记型计算机的运

❷ 说内存是30nm级是什么意思

30纳米级意味着一个加工技术节点在30至39纳米之间。数字越小说明技术越好，效率越高。
启用30nm制程后，DDR3内存芯片的产出率将比40nm制程提升60%左右，相比50、60nm制程的成本利用率提升两倍左右。三星金条30nm工艺级DDR3 DRAM内存芯片的容量为2Gb，支持1.5V标准电压和1.35V低电压，相比50nm工艺级可节省最多30％的功耗。因此又称为绿色内存（Green DRAM）。去年下半年，此项工艺技术已经得到三星电子加速量产，许多消费者从中受益。具备低功耗、低发热、绿色化表现，成为消费者选择内存重要指标。
三星金条30nm制程工艺内存，芯片颗粒体积更小，颗粒间距加大，加强内存芯片间的散热效果，另外低电压、低功耗表现更加让人满意。高品质的内存颗粒完全适合游戏玩家、发烧友、OEM商的要求。30nm工艺制程内存运用到笔记本中，有效解决笔记本电脑散热和稳定运行，充分体现30nm工艺内存的强大。

❸ 谁知道死亡搁浅，第三十个存储芯片在哪里啊

不用整那些有的没的，第八章过了后睡个觉就有了。

❹ 存储芯片是什么怎么没有听说存储芯片被卡脖子

存储芯片主要包括DRAM芯片和NAND芯片，这个行业确实是拼制造，但并不意味着我们不会被卡脖子。我国投资370亿元之巨的福建晋华，主要制造DRAM芯片，在2018年10月30日被美国商务部列入“实体清单”，至今前途未卜。今天我到晋华的官网去逛了逛，发现“大事记”的时间线停在了2018年10月20日，也就是试产运行之日，至今1年半过去，就没有量产的消息传出。

半导体设备基本被日美垄断，成为套在国产存储芯片企业头上的紧箍咒。下图是网上流传的晋华存储器生产设备采购清单，可以看出，清一色的日本、美国企业。实际上，全球前10大半导体设备公司，美国占了5个，日本有4个，欧洲1个。这就意味着，人家一断供，没有生产设备，钱再多，你也生产不了先进存储芯片。总之，看起来没有CPU等逻辑芯片复杂的存储芯片，对目前的我国来说，仍然是一块硬骨头，还需要多多努力。

❺ 某存储芯片有数据线32根，地址线30根，则其存储容量有多少GB

30条地址编码线可以编码2^30个存储单元
32条数据线,说明每个存储单元的存储字长为32位
则存储容量=2^30*32=2^35bit(位)=2^32B=2^22KB=2^12MB=2^2GB=4GB

❻ 2022年上市，国产内存芯片实现量产，领先业界平均制程11~21纳米

相较于PC端、智能手机芯片制程的更新换代速率， 汽车 、家用电器等传统芯片制程过渡到尖端芯片制程的时间相对较长。步入2021年后，内存市场迎来了一波升级， 眼下PC端领域已经步入到DDR5时代 。低端的 DDR3内存逐渐被三星、SK海力士淘汰。 但对于国产厂商来说，这是 切入DDR3内存市场的最佳时机 。

2021年11月18日消息 ， 合肥长鑫重拾DDR3业务 ，为 兆易创新代工DDR3内存芯片 。据了解，合肥长鑫为兆易创新代工的DDR3内存芯片采用的是 19纳米制程 。这比业界普遍使用的 30~40纳米 制程的 DDR3芯片 ， 领先了11~21纳米 。

目前合肥长鑫的19纳米DDR3内存芯片还处在工厂测试阶段， 出货时间暂定在2022年第一季度，预计2022年下半年，合肥长鑫将增加DDR3内存芯片产能。 可能有些朋友会说，DDR3早已被淘汰了，眼下已经是DDR5时代，兆易创新委托合肥长鑫代工的DDR3内存芯片，用往何处呢？

正如前面所说的，比起PC端、智能手机行业，家电、灯具等利基市场产品所用芯片的更新换代速率较慢。 合肥长鑫为兆易创新代工的DDR3芯片用于家电、灯具当中 ，这些设备对内存芯片的性能、容量要求并不高。更何况合肥长鑫负责代工的DDR3内存芯片采用的是19纳米制程，因此能够满足大多数智能家居设备的内存需求。

大数字智能时代的到来，各行各业都在朝着信息智能时代过渡，台灯、厨房油烟机、扫地机器人等家用设备对芯片的需求量不断提高。虽说比起PC端、智能手机等高精尖设备，家电家居的利润并不高，但“蚂蚁再小也是肉”。显然，相较于手机、PC端，灯具、家电设备的市场规模更大。

为了在短期内实现效益的最大化，三星、SK海力士、美光等内存芯片巨头，将目光放在了DDR5身上。但DDR5对于大多数家居家电来说，有些性能过剩，容易造成制程浪费。兆易创新瞅准市场空档期，趁此机会加大对DDR3的市场布局，一定程度上能够提高兆易创新的营收以及市场竞争力。

当然，对于合肥长鑫来说，重拾DDR3制程，只是为了扩宽公司的业务营收，推动产业产品链多元化发展。作为国产存储芯片巨头，合肥长鑫采用自主研发技术于2019年实现了DDR4芯片的量产。关于制程更精密，设计难度更高的DDR5、LPDDR5等内存芯片，合肥长鑫不断加大资金投入力度，争取破冰技术壁垒。

值得一提的是，另一家国产存储芯片巨头，长江储存于2021年7月29日率先攻坚128层闪存芯片技术壁垒，成功推出128层堆栈的闪存芯片。这拉动了我国内存芯片产业的发展。

相较于三星、SK海力士等内存芯片巨头，虽说我们还与之存在一定的距离，但千里之行，始于足下。相信在长江储存、合肥长鑫等国产内存芯片厂商的努力下，总有一天我们会实现对三星、SK海力士等内存芯片巨头的持平、赶超。

对于合肥长鑫重拾DDR3内存芯片业务这件事情，大伙有什么想说的呢？眼下长江储存、合肥长鑫等国产内存芯片商不断破冰技术壁垒，在内存芯片领域中取得了许多不错的成绩。你认为我们能否在内存芯片领域中与国外内存芯片技术实现持平呢？

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❼ 苹果手机存储芯片被取出会怎么样

那苹果手机就无法正常使用了。
把芯片取下来重新焊接是可以的，只不过这个工程是比较麻烦。一般的维修商都不敢接这样的话，除非去特别专业的维修商店才可以。
iPhone是苹果公司（Apple Inc. ）于2007年1月9日开始发售的搭载iOS操作系统的系列手机产品 。截至2022年3月，苹果公司（Apple Inc. ）已发布33款手机产品，最新版本：iPhone 13 mini，iPhone 13，iPhone 13 Pro， iPhone 13 Pro Max，iPhone SE（第三代）；iPhone系列产品静音键在设备正面的左侧；iPhone 5之前机型使用30Pin（即30针）接口，iPhone 34（包含）之后产品使用Lightning接口。iPhone X之前机型配置Home键；iPhone X（包含）之后（除iPhone SE 第二、三代）机型取消了实体Home键。

❽ 存储芯片大厂集体“越冬”，如何度过这个寒冬

为了应对当前储存芯片周期所造成的价格下跌以及开发成本问题，建议相关公司一方面要缩减对于科研资金的投入，对于库存问题进行降价问题以促进销售。另一方面对于制造产线和人员编排要进行改变，从而促进公司现有的现金流收入。

由于外部环境以及产品周期的变化，许多储存器厂商的主要项目以及芯片产能很难得到有效的处理和解决，目前所产生的库存堆积没有办法获得及时的资金支持。这已经产生了一定的资金困难和企业经营的问题。在当下局势，必须要寻求变革，才能赢得生机。

相关公司要首先对库存产品进行降价，促进销售。

在面对当下经济形势不良好以及其他设备周期销售疲软的问题，储存芯片的公司，首先就要对当下已经库存的其他相关设备原零件进行大规模的降价和优惠措施，从而促进去库存的销售和贩卖，确保企业当前的现金流和制作成本能够顺利回收。

❾ 芯片技术异常复杂，韩国人是怎么学会的

三星芯片技术的成功，可以用一个成语总结：知耻而后勇。相比于我们的个别巨头只盯着卖菜，当时的三星创始人李秉喆，则要高瞻远瞩得多。

在这期间，台积电再度崛起，并赢得苹果公司的信任，随后智能手机的热销，助推了台积电站上芯片半导体制造的顶级地位。此时的三星，正在苦苦等待着另外一个着名的人物，他就是梁孟松，梁孟松从台积电离职，由于签有竞业条款，直到2011年才正式加盟三星。可是，在此期间，梁频繁来往于台湾和韩国之间，三星的技术也一年一个台阶：45nm、32nm、28nm，到2011年梁孟松正式加盟时，三星已经几乎和台积电平起平坐。

总的来说，芯片技术的研发，钱和人才是两个关键因素。韩国芯片能够发展，这是有这两个因素的支撑。

❿ 一片EPROM芯片地址范围30800H——30FFFH无地址重叠。求该芯片存储容量麻烦说明下计算过程。

存储容量 ＝单元个数 × 位数
= (末地址 － 首地址 ＋ 1 ) × 位数
你代入数据、计算，即可求出存储容量。
位数不明？
你再找找看。