存储矩阵的行数和地址线

❶ 固态硬盘每个矩阵储存多少

对于一般线性结构的矩阵，我们采用顺序存储结构，以二维数组来存储。
以二维数组存储分为两种主要形式：以行为序存储以列为序存储。
这样对于一个矩阵，一旦确定了行数和列数，便可以为其分配存储空间，反之，如果给定了矩阵中的第一个元素的存放地址（basic address），我们就可以将矩阵中元素的存储地址表示为其下标的线性函数，这样就可以随机读取或查找矩阵中的任意一个元素。比如：Loc(a ij) = Loc(a 11) + [(i-1)*n+(j-1)]*d 我们假设每个元素占用d个单元，aij就是前面所有元素占用的单元数加上基地址。

❷ 用存储器见组成内存时，为什么总是采用矩阵形式

存储器分类 存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。
构成存储器的存储介质，目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二进制代码。由。

❸ 地址总线片选信号译码器的输入地址线怎么判断

计组——搞懂主存储器芯片之地址线数据线及片选线和读写控制线

一块存储芯片完整的构造图如下（内部进行了封装）：

存储矩阵是由一个一个的存储元构成；

译码驱动电路分为译码器和驱动器，译码器会输出某一条线路的高电平信号，驱动器是为了保证译码器输出的高电平稳定可靠的，可以理解为将电信号放大的部件。

读写电路是连通存储元的电路

地址线：用来读取和写入数据，接收地址信息，通常是CPU通过地址总线传来的

数据线：实现数据的传输，其位数与芯片可读出或写入的数据位数有关

片选线：传输芯片选择信号或者芯片使能信号，用来选择存储芯片

读写控制线：可以一条，可能有两条
两条：W E ‾ \overline{WE}
WE
表示允许写； O E ‾ \overline{OE}
OE
表示允许读
一条：W E ‾ \overline{WE}
WE
表示低电平写，高电平读

每个存储芯片都对外有金属引脚，用来接收地址信号，数据信号，片选信号，读写信号，每条地址线、数据线、片选线以及读写控制线都会对应一个金属的引脚

存储芯片有n位地址，代表地址线有n条，对应2 n 2^{n}2
n
个存储单元，那么，
该芯片的总存量=存储单元个数*存储字长
比如8*8位的存储芯片，第一个8代表有8个存储单元；第2个8反映存储字长，表示每个存储单元包含8位的信息，常见的描述：
8K * 8位，即 213 * 8bit，表示有 213 个存储单元，每个存储单元的存储字长有 8 位，包含8个存储元件

为了满足字符处理的需要，常用8位二进制数表示一个字节，因此存储字长都取8的倍数。通常计算机系统可按字寻址，也可按字节寻址。

如，总容量为1KB（说明地址线有10根，地址空间从10个全0到10个全1），字长为4B，存储矩阵为：

0 1 2 3
4 5 6 7
8 9 10 11
12 13 14 15
… … … …
1020 1021 1022 1023
按字节寻址：1K个单元，每个单元1B；（按每个存储单元）
按字寻址：256个单元，每个单元4B；（按行）
按半字寻址：512个单元，每个单元2B；（按半行）
按双字寻址：128个单元，每个单元8B；（按两行）

按字节寻址时，和数据线没有任何关系；只有当按字寻址时，才考虑数据线，通过数据线来判断字长。

【例】cpu有20根地址线和32根数据线，按字节和字寻址，寻址范围分别是多少？
按字节寻址，寻址范围：220=1MB；
按字寻址，32根数据线可以看做存储字长有32位，那么一个存储字就有4个字节，这4个字节的区分，需要从20根地址线拿出两根作为字内寻址，这样剩下18根数据线来寻址，寻址范围：218=256KB


【例】地址线20根，数据线16根，按字节寻址：220=1MB；按字寻址：219=512KB；

a × \times× b的芯片，a是字线，连接的是地址线，b是位线，连接的是数据线。
2K × \times× 4位芯片：11根地址线，4根数据线

❹ 某DRAM芯片，其存储容量为512×8位，问该芯片的地址线和数据线的数目分别是多少

存储容量为512×8，则有8条数据线；因为2^19=512k，则有19条地zd址线。512表示可以存储512×1024=2^19位数据，同时读写8位数据。

因为其存储容量是512K*8位，则它的数据线为8，地址线数为219=512K。SDRAM的容量=（SDRAM的总单元数）*（位宽）=(2^24) * 32 =2^29 bit。

注：我这里算的是TQ2440开发板的整个SDRAM的总的容量，而不是只单独每一片的SDRAM的总的容量。若是单独每一片的SDRAM的容量 = 整个的SDRAM的容量 / 2。

注：这里计算的单位是bit，若我们把它转化成字节数则是 2^29 bit / 8 = 2^26 Byte = 2^6 MB = 64 MB。

(4)存储矩阵的行数和地址线扩展阅读

DDR地址线

DDR3为减少地址线，把地址线分为行地址线和列地址线，在硬件上是同一组地址线；地址线和列地址线是分时复用的，即地址要分两次送出，先送出行地址，再送出列地址。

一般来说列地址线是10位，及A0...A9；行地址线数量根据内存大小，BANK数目，数据线位宽等决定(感觉也应该是行地址决定其他) 。

bank是存储库的意思，也就是说，一块内存内部划分出了多个存储库，访问的时候指定存储库编号，就可以访问指定的存储库，内存中划分了多少个bank，要看地址线中有几位BA地址，如果有两位，说明有4个bank，如果有3位，说明有8个bank

❺ 某DRAM芯片，其存储容量为512K×8位，该芯片的地址线和数据线的数目是

芯片有10条地址线和8条数据线。

由于DRAM芯片的存储容量为512K×8位，其数据存储的最小单位为8位，即1字节。因此，数据线总共需要8位，即8条数据线，通常为D（0）～D（7）。

同时，可以知道内存的512K位，从2＾19＝524，288＝512K，所以我们可以用19个地址的顺序来表示DRAM的地址。

然而，DRAM的内部存储单元大多采用行和行结构，即在时分复用中，地址线传输行和行信号，因此地址线的数量应该减少到10个地址线。地址值是冗余的。

DRAN的内部存储单元结构如下图所示：

(5)存储矩阵的行数和地址线扩展阅读：

DRAM（动态随机存取存储器），即动态随机存取存储器。数据只能保存很短的时间。为了保存数据，DRAM使用电容存储，因此必须定期刷新数据，如果存储单元没有刷新，那么存储的信息就会丢失。（关机时会丢失数据）

DRAM的存储结构采用二维矩阵结构，将DRAM的地址数据读入两部分：行地址数据和列地址数据。

DRAM的结构和列地址行分时工作大大提高了DRAM地址行的利用率和DRAM的集成度，大大减少了DRAM引脚的数量。

❻ 关于计算机寻址范围的疑惑

① 以上概念没有问题。
② 理解完全正确。
③ 这些资料均遵从一个原则：在没有特别声明的前提下，并行存储接口的数据位宽视为8bit。如果是构造特殊的存储器则会单独出题目进行考核，例如用你提到的4位宽SRAM组成x*2矩阵与计算机接口，或者用2位宽SRAM组成x*4矩阵与计算机接口，等等。

❼ 256 8位存储器的字线和位线各有多少条

2^8=256，有8根地址线，256根字线，8根地址线和位线。
存储矩阵是存放信息的主体，它由许多存储单元排列组成。每个存储单元存放一位二值代码(0
或 1)，若干个存储单元组成一个“字”(也称一个信息单元)。
地址译码器有n条地址输入线A0~An-1，2n条译码输出线W0~W2n-1，每一条译码输出线Wi称为“字线”，它与存储矩阵中的一个“字”相对应。因此，
每当给定一组输入地址时，译码器只有一条输出字线Wi被选中，该字线可以在存储矩阵中找到一个相应的“字”，并将字中的m位信息Dm-1~D0送至输出缓冲器。读出Dm-1~D0的每条数据输出线Di也称为“位线”，每个字中信息的位数称为“字长”。

❽ 存储器的行地址和列地址是什么意思

行地址：用于选择指定行

列地址：用于选择指定行中的指定字

【补充】

存储器的行结构：

❾ 8k×4位的静态ram他的数据线为多少条

13条
8k×4位的静态ram他的数据线为13条哦。
RAM中负责存储数据的部分就是存储矩阵，光看“矩阵”两个字大家应该也能够想到，其是由大量存储单元列阵构成。
地址线：是单向输入的，用于确定数据的存储地址
片选线：用于确定哪个存储芯片被选中
数据线：是双向的，用于输入或输出数据
0x02.存储单元、存储容量
最小的存储单元当然就是1bit了 （也就是存储 0 或 1）
如果用16K个1bit的单元组成一个更大的存储单元，其容量也就是16Kbit(也即2KB)，一般把这样的存储单元写成16K x 1。这个存储单元中，其寻址范围是0~16K（2^14），所以需要14根地址线，每个地址上对应能存储的数据是1bit，因此数据线1根
所以也就有计算存储容量的公式，容量=2^地址线数量x数据线数量 (bit)