动态存储器为什么刷新

‘壹’ 动态MOS存储器为什么要刷新常用的刷新方式有哪几种

动态MOS存储单元存储信息的原理，是利用MOS管栅极电容具有暂时存储信息的作用。但由于漏电流的存在，栅极电容上存储的电荷不可能长久保持不变，因此为了及时补充漏掉的电荷，避免存储信息丢失，需要定时地给栅极电容补充电荷，通常把这种操作称作刷新或再生。 常用的刷新方式有三种，一种是集中式，另一种是分散式，第三种是异步式。 集中式刷新：在整个刷新间隔内，前一段时间重复进行读/写周期或维持周期，等到需要进行刷新操作时，便暂停读/写或维持周期，而逐行刷新整个存储器，它适用于高速存储器。 分散式刷新：把一个存储系统周期t c 分为两半，周期前半段时间t m 用来读/写操作或维持信息，周期后半段时间t r 作为刷新操作时间。这样，每经过128个系统周期时间，整个存储器便全部刷新一遍。 异步式刷新：前两种方式的结合。同学们可以自己画画它的刷新周期图。

‘贰’ 动态存储器刷新以什么为单位

行。动态存储器是在指定功能或应用软件之间共享的存储器，如果一个或两个应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储器空间。动态存储器刷新以行为单位，动态存储器刷新刷新周期：从上次对整个存储器刷新结束到下次对整个存储器全部刷新一遍为止的时间间隔，为电容数据有效保存期的上限(64ms)。

‘叁’ 半导体 动态存储器为什么要进行刷新

动态半导体存储器利用电容存储电荷记录。电容会放电,因此必须在电荷流失前对电容充电–刷新

‘肆’ 磁盘上的信息必须定时刷新

DRAM存储器必须定时刷新，才能维持其中的信息不变存储元。
要定期刷新机械硬盘上的数据，只需将其剪切到另一个地方，并将其重新写回硬盘。
由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。

‘伍’ 动态RAM为什么要刷新这里的刷新是什么概念

RAM中，半导体晶体管中的电荷每1.2微秒会消失，数据也会消失。所以为了保存数据，每1微秒会重新通一次电即刷新一次。
在动态RAM芯片内部，每个内存单元保存一位信息。单元由下面两部分组成：一个晶体管和一个电容器。当然这些部件都非常地小，因此一个内存芯片内可以包含数百万个。电容器保存信息位--0或1（有关位的信息，请参见位和字节）。晶体管起到了开关的作用，能让内存芯片上的控制线路读取电容上的数据，或改变其状态。 
电容器就像一个储存电子的小桶。在存储单元中写入1，小桶内就充满电子；写入0，小桶就被清空。这只"桶"的问题在于：它会泄漏。只需大约几毫秒的时间，一个充满电子的小桶就会漏得一干二净。因此，为了确保动态存储器能正常工作，必须由CPU或是由内存控制器对所有电容不断地进行充电，使它们在电子流失殆尽之前保持"1"值。为此，内存控制器会先行读取存储器中的数据，再把数据写回去。这种刷新操作每秒钟会自动进行数千次。 

‘陆’ 动态随机存储器为什么要进行刷新

dram的存储单元是用的电容的充放电来表示01的，如果电容有点表示为1，没有电表示为0.但是因由于电容会通过电阻放电，随着时间推移会造成1变成0，因此刷新的工作是将数据读出来再写进去，相当于重复给电容重复充电，保证数据不丢失。

‘柒’ 什么是动态存储器的定时刷新

动态刷新是指定期存放“1”的电容重新充电以补充泄路通路放掉的电荷。
也有表达刷新是指周期性的对电容执行读出再写入的操作。

‘捌’ 动态 RAM的刷新

为什么需要刷新，动态RAM以电容存储电荷的方式存储信息，电容经过一段时间里面的电荷会因放电而丢失。
每次刷新RAM时以行为单位，所以只和行地址有关
三种方式
这里假设每2ms 需要对动态RAM刷新
1.集中刷新

每个存取周期为0.5us前3872个周期都是在读写数据，后面128个周期全部分配用来刷新地址。因此会造成128个周期的死区（不能存取数据）

2.分散刷新

分散刷新每个存取周期为1us，因为每个存取周期被分为读写和刷新两部分，在一个存取周期内，一半用来存取数据，一半用来刷新存储器。缺点在于刷新次数过多。连续占用时间短，总计时间长

3.异步刷新

异步刷新则是在2 ms内每一行只刷新一次，将2ms分为128份，每份时间内刷新一行