铁定存储

Ⅰ 铁电存储器,谁用过,有没有介绍的是什么

一、什么是铁电存储器？
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=19

相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。

非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。 正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。

铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。

二、铁电存储器技术原理
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20

当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置存储器。移去电场后，中心原子保持不动，存储器的状态也得以保存。铁电存储器不需要定时更新，掉电后数据能够继续保存，速度快而且不容易写坏。
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）

铁电存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置于CMOS基层之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）

size=2>Ramtron的铁电存储器技术到现在已经相当的成熟。最初的铁电存储器采用两晶体管/两电容器（2T/2C)的结构，导致元件体积相对过大。最近随着铁电材料和制造工艺的发展，在铁电存储器的每一单元内都不再需要配置标准电容器。Ramtron新的单晶体管/单电容器结构可以像DRAM一样，使用单电容器为存储器阵列的每一列提供参考。与现有的2T/2C结构相比，它有效的把内存单元所需要的面积减少一半。新的设计极大的提高了铁电存储器的效率，降低了铁电存储器产品的生产成本。

Ramtron同样也通过转向更小的技术节点来提高铁电存储器各单元的成本效率。最近采用的0.35微米的制造工艺相对于前一代0.5微米的制造工艺，极大的降低了芯片的功耗，提高了单个芯片的利用率。
（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=20）

所有这些令人振奋发展使铁电存储器在人们日常生活的各个领域广为应用。从办公室复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设施，铁电存储器不断改进性能在世界范围内得到广泛的应用。

三、铁电存储器产品应用
摘自：http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=21

（图片请参看原址，http://bbs.huazhoucn.com/Topic.aspx?id=21）
仪表：电表、水表、汽表、流量表、邮资表。
汽车：安全气袋、车身控制系统、车载收音机、匀速控制、车载 DVD 、引擎、娱乐设备、仪器簇、 传动系、保险装置、遥感勘测/导航系统、自动收费系统
通讯：移动通讯发射站、 数据记录仪 、电话、收音机、电信、可携式GPS
消费性电子产品：家电、机顶盒、等离子液晶屏电视
计算机：办公设备、雷达系统、 网络附属存储 、电子式电脑切换器。
工业、科技、医疗：i工业自动控制、电梯、酒店门锁、掌上操作仪器、医疗仪器、发动机控制。
其他：自动提款机、照相机、游戏机、POS功能机（可以用来以电子 方式购买商品和服务）、 自动售货机。
-------------------------------------------------------------------------------- 铁电存储器在应用中所起的作用
数据收集存储
铁电存储器能够允许系统设计师更快、更频繁的写入数据，断电不易丢失。对于使用EEPROM的用户而言，这些是不能享受到的优良性能。
数据收集包括数据获取和存储数据，而这些数据必须在掉电的情况下仍能保留（不是暂时性的或中间结果暂存）。这些就是具有基本收集数据功能的系统或者子系统，并会随着时间而不断的发展出新的功能。在绝大多数的情况下，这个改变的过程纪录是很重要的。
配置信息存储
铁电存储器能够灵活实时的，并非在断电的瞬间，存储配置信息，从而帮助系统设计师克服由于突然掉电而造成的数据丢失。
配置信息的存储能够随着时间来追踪系统变化。其目标是在接通电源后恢复信息在以前的状态和位置，识别错误发生的起因。总的来说，数据收集通常是一个系统或者子系统的功能，然而配置信息存储则是一个低级别的工程功能，与系统的类别无关。
非易失性缓冲器
铁电存储器能够在数据发送或存储到其它非易失性媒介前，很快地存储正在运行中的数据。
在这种情况下，数据信息由一个子系统传输到另一个子系统。这个信息是十分重要的并且不允许在断电的情况下丢失。在有些情况下, 目标系统是一个更大的存储器。 而铁电存储器的快速、无限次的读写特点使得数据在被发送到另一个系统前就能及时保存。
SRAM的替代和扩展存储器
铁电存储器的快速写入和非易失性的特点可以通过系统设计师把SRAM和EEPROM的特点合而为一或者能单纯的扩展SRAM的功能而实现。
在很多情况下，一个系统会用到各种不同类型的存储器。铁电存储器同时具有ROM、 RAM以及 EEPROM的功能,并能节约系统内存和功耗。最常见的例子就是一个外部串行EEPROM的嵌入式的微控制器。铁电存储器能够取代EEPROM,同样也能提供SRAM的微功能。

Ⅱ 仓储储存镀锌铁制品对温湿度有什么要求

1.目的:
确保原料、半成品、成品在贮存过程中具有卫生的、良好的环境，以防止损坏或变 质。
2.使用范围
原材料库、半成品库、成品库、包装物料库
3.责任
责任仓库负责人及相关人员
4.内容
4.1仓库温湿度的测定，通常使用干湿球温度表测定空气温湿度。
4.2在库外设置干湿表，企业每日必须定时对库内，外的温湿度进行观测、记录，一般在上午8～10时，下午2～4时各观测一次。记录资料要妥善保存，定期分析，摸出规律，以便掌握物品保管的主动权。 4.3仓库温湿度要求
（1）仓库温度应尽量保持在25±3度左右。
（2）当仓库温度高过允许的上限（38度）或者等于/低于允许的下限（0度），仓管员应在一 个小时内通知仓库主管，要求条取措施，调整仓库温度。 （3）当仓库湿度过允许的上限（85%），仓管员应在一个小时内通知仓库主管，要求知取适当的措施，保持仓库正常湿度。 4.4仓库温湿度的控制和调节
为了保护仓储物品的质量，创造适宜于物品储存的环境，当库内温湿度适宜物品储存时，就要设法防止库外气候对库内产生的不利影响；当库内温湿度不适宜物品储存时，就要及时采取有效措施调节库内的温湿度。实践证明，采用密封、通风与吸潮相结合的办法，是控制和调节库内温湿度行之有效的办法。
(1)密封。就是把物品尽可能严密地封闭起来，减少外界不良气候条件的影响，以达到安全保管的目的。
密封保管应注意以下几点事项。
①密封前要检查物品质量、温度和含水量是否正常，如发现发霉、生虫、发热、水淞等现象就不能进行密封．发现物品含水量超过安全范围或包装材料过潮，也不宜密封。
②密封的时间要根据物品的性能和气候情况来决定。怕潮、怕溶化、怕霉的物品，应选择在相对湿度较低的时节进行密封。

③密封材料，常用的有塑料薄膜、防潮纸、油毡纸、芦席等。密封材料必须干燥清洁，无异味。
④密封常用的方法有整库密封，小室密封、按垛密封以及按货架、搐件密封等。 (2) 通风。空气是从压力大的地方向压力小的地方流动。气压差越大，空气流动速度就越快。
通风就是利用库内外空气温度不同而形成的气压差，使库内外空气形成对流，来达到调节库内温湿度的目的。当库内外温度差距越大时，空气流动就越快；若库外有风，借风的压力更能加速库内外空气的对流。但风力不能过大(风力超过5级则灰尘较多)。正确通风，不仅可以调节与改善库内的温湿度，还能及时地散发物品及包装物的多余水分，按通风门的的不同，可分为利用通风降温(或增沮)和利用通风散潮两种。
(3) 吸潮。在梅雨季节或阴雨天，当库内湿度过高，不适宜物品保管，而库外湿度过大，也不宜进行通风散潮时，可以在密封库内用吸潮的办法降低库内湿度。
仓库中通常使用的吸潮剂有氯化钙、硅胶等。仓库普遍使用机械吸潮的方法。吸湿机是把库内的湿空气通过抽风机，吸入吸湿机冷却器内，使它凝结为水而排出。

Ⅲ 雨季怎么存储铁屑,不生锈

常用的防止铁生锈的方法有：

（1）组成合金，以改变铁内部的组织结构．例如把铬、镍等金属加入普通钢里制成不锈钢，就大大地增加了钢铁制品的抗生锈能力．

（2）在铁制品表面覆盖保护层是防止铁制品生锈普遍而重要的方法．根据保护层的成分不同，可分为如下几种：

a．在铁制品表面涂矿物性油、油漆或烧制搪瓷、喷塑等．例如：车厢、水桶等常涂油漆；机器常涂矿物性油等．

b．在钢铁表面用电镀、热镀等方法镀上一层不易生锈的金属，如锌、锡、铬、镍等．这些金属表面都能形成一层致密的氧化物薄膜，从而防止铁制品和水、空气等物质接触而生锈．

c．用化学方法使铁制品表面生成一层致密而稳定的氧化膜以防止铁制品生锈．

（3）保持铁制品表面的洁净和干燥也是防止铁制品生锈的一种很好方法．

Ⅳ 什么是铁电存储器

铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

非易失性记忆体掉电后数据不丢失。可是所有的非易失性记忆体均源自ROM技术。你能想象到,只读记忆体的数据是不可能修改的。所有以它为基础发展起来的非易失性记忆体都很难写入，而且写入速度慢，它们包括EPROM（现在基本已经淘汰）,EEPROM和Flash，它们存在写入数据时需要的时间长，擦写次数低,写数据功耗大等缺点。

FRAM 提供一种与RAM一致的性能,但又有与ROM 一样的非易失性。 FRAM 克服以上二种记忆体的缺陷并合并它们的优点，它是全新创造的产品，一个非易失性随机存取储存器。

FRAM技术

Ramtron的FRAM技术核心是铁电。这就使得FRAM产品既可以进行非易失性数据存储又可以像RAM一样操作。

当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方向在晶体里移动，当原子移动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。 内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。移去电场后中心原子保持不动，记忆体的状态也得以保存。FRAM 记忆体不需要定时刷新，掉电后数据立即保存，它速度很快，且不容易写坏。

FRAM存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放于CMOS base layers之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程。

Ramtron 的FRAM 记忆体技术从开始到现在已经相当成熟。 最初FRAM 记忆体采用二晶体管/ 二电容器的( 2T/2C) 结构，导致元件体积相对较大。 最近发展的铁电材料和制造工艺不再需要在铁电存储器每一单元内配置标准电容器。 Ramtron 新的单晶体管/ 单电容器结构记忆体可以像DRAM一样进行操作，它使用单电容器为存储器阵列的每一列提供参考。与现有的2T/2C结构相比，它有效地把内存单元所需要面积减少一半。新的设计极大的改进了die leverage并且降低了FRAM存储器产品的生产成本。

Ramtron公司现采用0.35微米制造工艺，相对于现有的0.5微米的制造工艺而言，这极大地降低芯片功耗，提高了成本效率。

这些令人振奋的发展使FRAM在人们日常生活的各个领域找到了应用的途径。从办公复印机、高档服务器到汽车安全气囊和娱乐设备， FRAM 使一系列产品的性能得到改进并在全世界范围内得到广泛的应用。

铁电应用

数据采集与记录

存储器（FRAM）可以让设计者更快、更频繁地将数据写入非易失性存储器，而且价格比EEPROM低。数据采集通常包括采集和存储两部分，系统所采集的数据（(除临时或中间结果数据外)需要在掉电后能够保存，这些功能是数据采集系统或子系统所具有的基本功能。在大多数情况下，一些历史记录是很重要的。

典型应用：仪表 (电表、气表、水表、流量表)、RF/ID、仪器,、和汽车黑匣子、安全气袋、GPS定位系统、电力电网监控系统。

参数设置与存储

FRAM通过实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问题。参数存储用于跟踪系统在过去时间内的改变，它的目的包括在上电状态时恢复系统状态或者确认一个系统错误。总的来说，数据采集是系统或子系统的功能，不论何种系统类型，设置参数存储都是一种底层的系统功能。

典型应用： 影印机,打印机, 工业控制, 机顶盒 (Set-Top-Box), 网络设备（网络调制解调器）和大型家用电器。

非易失性缓冲

铁电存贮器（FRAM）可以在数据传递储存在其它存储器之前快速存储数据。在此情况下，信息从一个子系统非实时地传送到另一个子系统去.。由于资料的重要性, 缓冲区内的数据在掉电时不能丢失.，在某些情况下，目标系统是一个较大容量的存储装置。FRAM以其擦写速度快、擦写次数多使数据在传送之前得到存储。

典型应用：工业系统、银行自动提款机 (ATM), 税控机, 商业结算系统 (POS), 传真机，未来将应用于硬盘非易失性高速缓冲存储器。

SRAM的取代和扩展

铁电存贮器（FRAM） 快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。

在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗, 成本, 空间，同时增加了整个系统的可靠性。最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。

典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。

深圳华胄科技有限公司----RAMTRON铁电存储器代理商
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Ⅳ 铁电存储器的原理

FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图1所示。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件诸如磁场因素的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。
FRAM的特点是速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如E2PROM的最大写入次数的问题。但受铁电晶体特性制约，FRAM仍有最大访问（读）次数的限制。

Ⅵ 最稳定的存储介质是那种，基本不考虑成本的。

你还想着云计算？你又要求防水防震防损耗时间长，这和云计算有关吗？你知道什么叫云计算吗？不相干的事情别扯到一起，不论如何存储，无非都是存储在某种介质当中，有介质存在，就会有损耗，你还想存个几亿年？有介质存在，铁定会产生费用，又有谁会免费让你存储这么多数据？我凭什么用我的空间来存储你的东西？你要用，就得付钱！什么年代了，还想着又免费又好的，有这种玩意？你以为电子邮箱啊？

别人回答了你的问题，没有功劳也有苦劳，没想要你那点分，权当发挥网络知道的精神，有谁不礼貌待人了吗？你看到有脏话了吗？你看到有人骂你低能吗？？？！！！！！

别拿根鸡毛当令箭使，至少我混得比你久，往后再也不会回答你这类愚蠢问题

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一张光盘，你保存好点的能放到10年以上，你怕啥？
硬盘，你保存好点的，能放到50年以上，你担心啥？
U盘，没见过摔2次就不见数据的，不知道你怎么摔的，10米跳台？

如果你怕光盘划伤，硬盘震伤，U盘摔伤

建议你用数据磁带，不怕摔，不怕划伤【有外壳】，不怕震，就是怕磁场，当然，前提是你得有这方面的数据转录设备

你自己看着办

Ⅶ 铁在人体内是否被储存

当然会被储存啊，因为在检查缺铁性贫血时有个很重要的指标，那就是血清铁含量，由此看来铁在人体吸收后会被储存起来，用于机体生理需要，尤其是作为造血的合成原料。

Ⅷ 铁电储存器大批量生产了吗

是。RAMTRON公司研制的铁电存储器成功打批量生产解决了电池问题。铁电存储器（FRAM，ferroelectricRAM）是一种随机存取存储器，它将动态随机存取存储器（DRAM）的快速读取和写入访问——它是个人电脑存储中最常用的类型——与在电源关掉后保留数据能力（就像其他稳定的存储设备一样，如只读存储器和闪存）结合起来。

Ⅸ 铁电存储器的读写操作

FRAM保存数据不是通过电容上的电荷，而是由存储单元电容中铁电晶体的中心原子位置进行记录。直接对中心原子的位置进行检测是不能实现的，实际的读操作过程是：在存储单元电容上施加一已知电场（即对电容充电），如果原来晶体的中心原子的位置与所施加的电场方向使中心原子要达到的位置相同，则中心原子不会移动；若相反，则中心原子将越过晶体中间层的高能阶到达另一位置，则在充电波形上就会出现一个尖峰，即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个尖峰，把这个充电波形同参考位（确定且已知）的充电波形进行比较，便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。
无论是2T2C还是1T1C的FRAM，对存储单元进行读操作时，数据位状态可能改变而参考位则不会改变（这是因为读操作施加的电场方向与原参考位中原子的位置相同）。由于读操作可能导致存储单元状态的改变，需要电路自动恢复其内容，所以每个读操作后面还伴随一个"预充"（precharge）过程来对数据位恢复，而参考位则不用恢复。晶体原子状态的切换时间小于1ns，读操作的时间小于70ns，加上"预充"时间60ns，一个完整的读操作时间约为130ns。
写操作和读操作十分类似，只要施加所要方向的电场改变铁电晶体的状态就可以了，而无需进行恢复。但是写操作仍要保留一个"预充"时间，所以总的时间与读操作相同。FRAM的写操作与其它非易失性存储器的写操作相比，速度要快得多，而且功耗小。

Ⅹ 铁电存储器的技术比较

Ramtron公司的FRAM主要包括两大类：串行FRAM和并行FRAM。其中串行FRAM又分I2C两线方式的FM24 系列和SPI三线方式的FM25 系列。串行FRAM与传统的24 、25 型的E2PROM引脚及时序兼容，可以直接替换，如Microchip、Xicor公司的同型号产品，但各项性能要好得多，性能比较如表1所示。并行FRAM价格较高但速度快，由于存在预充问题，在时序上有所不同不能和传统的SRAM直接替换。
FRAM产品具有RAM和ROM优点，读写速度快并可以像非易失性存储器一样使用。因铁电晶体的固有缺点，访问次数是有限的，超出了限度，FRAM就不再具有非易失性。Ramtron给出的最大访问次数是100万次，比flash寿命长10倍，但是并不是说在超过这个次数之后，FRAM就会报废，而是它仅仅没有了非易失性，但它仍可像普通RAM一样使用。
1.FRAM与E2PROM
FRAM可以作为E2PROM的第二种选择，它除了E2PROM的性能外，访问速度要快得多。但是决定使用FRAM之前，必须确定系统中一旦超出对FRAM的100万次访问之后绝对不会有危险。
2.FRAM与SRAM
从速度、价格及使用方便来看SRAM优于FRAM，但是从整个设计来看，FRAM还有一定的优势。
假设设计中需要大约3K字节的SRAM，还要几百个字节用来保存启动代码的E2PROM配置。
非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如果应用中所有存储器的最大访问速度是70ns，那么可以使用一片FRAM完成这个系统，使系统结构更加简单。
3．FRAM与DRAM
DRAM适用于那些密度和价格比速度更重要的场合。例如DRAM是图形显示存储器的最佳选择，有大量的像素需要存储，而恢复时间并不是很重要。如果不需要下次开机时保存上次内容，使用易失性的DRAM存储器就可以。DRAM的作用与成本是FRAM无法比拟的，事实证明，DRAM不是FRAM所能取代的。
4．FRAM与Flash
现在最常用的程序存储器是Flash，它使用十分方便而且越来越便宜。程序存储器必须是非易失性的并且要相对低廉，且比较容易改写，而使用FRAM会受访问次数的限制，多次读取之后会失去其非易失性。
下面介绍并行FRAM --FM1808与8051/52的实际应用。