非易失性存储颗粒

A. 金邦跟金士顿内存条，哪个好

萝卜青菜各人所爱,细来讲金士顿的条子要好很多,从性能兼容性来说肯定是首选,我用的就是金士顿的,是在专卖店里买的,价格稍贵点点,但肯定是真品。如果你装机的话用金士顿比较好,为什么有假货?就因为用户多,质量好,才有造假者。真假肯定能判别出来的,专卖店是真货,买的放心。

B. 2015年的苹果固态是什么颗粒

2015年的苹果固态是3dnanotlc颗粒。固态硬盘的颗粒”指SSD电路板上的闪存芯片啦。这“颗粒”有SLC、MLC、TLC、3DTLC类型，其读写速率和寿命与闪存类型密切相关。辨别，目前还只能靠查看产品的技术参数得知。根据NAND闪存中电子单元密度的差异，可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）。

2015年的苹果固态颗粒的作用

闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。

因其，体积小，耐抗性强，存储稳定等优势，目前开始大规模运用在电子产品中。其中，固态硬盘产品的由来，就得益于闪存颗粒的大发展而诞生。与此同时，近年来手机、平板等电子产品存储容量的不断攀升，也是得益于闪存颗粒在工艺上和存储容量上的大幅度升级。

C. 主存储器和辅助存储器的区别是什么

1、易失性与非易失性

随机存取内存（RAM），是具有易失性的。这意味着当系统断电时，数据就会丢失。与之相反，外部存储是非易失性的，因此即使没有电源，它也能保存数据。

2、性能和容量

在大多数情况下，外存比内存的速度慢得多。而与外存不同的是，RAM直接通过更宽更快的总线连接到CPU。

3、存储时长区别

内存断电后不保留，外存能长期保留

4、访问权限区别

CPU只能直接访问内存，外存的东西要先到内存CPU才能处理。

(3)非易失性存储颗粒扩展阅读：

1、记忆功能：

内存是连接CPU的桥梁。计算机中的所有程序都在内存中运行，因此内存性能对计算机有很大的影响。

CPU计算数据和与外部存储器（如硬盘）交换的数据的临时存储器。只要计算机在运行，CPU就把需要计算的数据传输到内存中进行计算。当操作完成时，CPU发送结果。存储器的运行也决定了计算机的稳定运行。

2、选择内存方法

在选择内存时，最重要的是稳定性和性能，内存的工作水平直接影响性能、稳定性和超频。

记忆粒子的质量直接影响着记忆的性能，可以说是记忆最重要的核心组成部分。所以在购买的时候，尽量选择大厂家生产的内存颗粒。常见的内存粒子包括三星、现代、美光、南亚、穆斯等。它们都经过了完整的生产过程，所以质量更有保证。

D. 服务器内存UDIMM, RDIMM, LRDIMM, NVDIMM, DCPMM区别

近来需要在新采购的DELL R740XD服务器上增加内存。在官方技术规格描述中，R740XD一共支持4种不同类型的内存：分别是RDIMM，RDIMM， NVDIMM， DCPMM（英特尔®傲腾™ DC 持久内存）。故在采购内存之前，中岳需要就不同种类的内存进行调研。除了上述四种内存外，在服务器领域还有一种常用的内存：UDIMM。在这里，我们对这四种内存进行学习。

UDIMM：全称Unbuffered DIMM，即无缓冲双列直插内存模块，指地址和控制信号不经缓冲器，无需做任何时序调整，直接到达DIMM上的DRAM芯片。UDIMM由于在CPU和内存之间没有任何缓存，因此同频率下延迟较小。
数据从CPU传到每个内存颗粒时，UDIMM需保证CPU到每个内存颗粒之间的传输距离相等，这样并行传输才有效，而这需要较高的制造工艺，因此UDIMM在容量和频率上都较低。

RDIMM：全称Registered DIMM，带寄存器的双列直插内存模块。RDIMM在内存条上加了一个寄存器进行传输，其位于CPU和内存颗粒之间，既减少了并行传输的距离，又保证并行传输的有效性。由于寄存器效率很高，因此相比UDIMM，RDIMM的容量和频率更容易提高。

LRDIMM：全称Load Reced DIMM，低负载双列直插内存模块。相比RDIMM，LRDIMM并未使用复杂寄存器，只是简单缓冲，缓冲降低了下层主板上的电力负载，但对内存性能几乎无影响。
此外，LRDIMM内存将RDIMM内存上的Register芯片改为iMB(isolation Memory Buffer)内存隔离缓冲芯片，直接好处就是降低了内存总线负载，进一步提升内存支持容量。

NVDIMM：全程非易失性双列直插式内存模块（英语：non-volatile al in-line memory mole，缩写NVDIMM）是一种用于计算机的随机存取存储器。非易失性存储器是即使断电也能保留其内容的内存，这包括意外断电、系统崩溃或正常关机。双列直插式表示该内存使用DIMM封装。NVDIMM在某些情况下可以改善应用程序的性能、数据安全性和系统崩溃恢复时间。这增强了固态硬盘（SSD）的耐用性和可靠性。
指在一个模块上同时放入传统 DRAM 和 flash 闪存。 计算机可以直接访问传统 DRAM。 支持按字节寻址, 也支持块寻址。通过使用一个小的后备电源,为在掉电时, 数据从DRAM 拷贝到闪存中提供足够的电能。当电力恢复时, 再重新加载到DRAM 中。
目前, 根据 JEDEC 标准化组织的定义, 有三种NVDIMM 的实现。分别是：

NVDIMM-N指在一个模块上同时放入传统 DRAM 和 flash 闪存。 计算机可以直接访问传统 DRAM。 支持按字节寻址, 也支持块寻址。通过使用一个小的后备电源,为在掉电时, 数据从DRAM 拷贝到闪存中提供足够的电能。当电力恢复时, 再重新加载到DRAM 中。

NVDIMM-N 的主要工作方式其实和传统 DRAM是一样的。因此它的延迟也在10的1次方纳秒级。 而且它的容量, 受限于体积, 相比传统的 DRAM 也不会有什么提升。
同时它的工作方式决定了它的 flash 部分是不可寻址的。而且同时使用两种介质的作法使成本急剧增加。 但是, NVDIMM-N 为业界提供了持久性内存的新概念。目前市面上已经有很多基于NVIMM-N的产品。

NVDIMM-F指使用了 DRAM 的DDR3或者 DDR4 总线的flash闪存。我们知道由 NAND flash 作为介质的 SSD, 一般使用SATA, SAS 或者PCIe 总线。使用 DDR 总线可以提高最大带宽, 一定程度上减少协议带来的延迟和开销。 不过只支持块寻址。
NVDIMM-F 的主要工作方式本质上和SSD是一样的。因此它的延迟在 10的1次方微秒级。它的容量也可以轻松达到 TB 以上。

NVDIMM-P这是一个目前还没有发布的标准 (Under Development)。预计将与DDR5 标准一同发布。按照计划，DDR5将比DDR4提供双倍的带宽，并提高信道效率。这些改进，以及服务器和客户端平台的用户友好界面，将在各种应用程序中支持高性能和改进的电源管理。
NVDIMM-P 实际上是真正 DRAM 和 flash 的混合。它既支持块寻址, 也支持类似传统 DRAM 的按字节寻址。 它既可以在容量上达到类似 NAND flash 的TB以上, 又能把延迟保持在10的2次方纳秒级。
通过将数据介质直接连接至内存总线, CPU 可以直接访问数据, 无需任何驱动程序或 PCIe 开销。而且由于内存访问是通过64 字节的 cache line, CPU 只需要访问它需要的数据, 而不是像普通块设备那样每次要按块访问。
Intel 公司在2018年5月发布了基于3D XPoint™ 技术的Intel® Optane™ DC Persistent Memory。可以认为是NVDIMM-P 的一种实现。

硬件支持

应用程序可以直接访问NVDIMM-P, 就像对于传统 DRAM那样。这也消除了在传统块设备和内存之间页交换的需要。但是, 向持久性内存里写数据是和向普通DRAM里写数据共享计算机资源的。包括处理器缓冲区, L1/L2缓存等。

需要注意的是, 要使数据持久, 一定要保证数据写入了持久性内存设备, 或者写入了带有掉电保护的buffer。软件如果要充分利用持久性内存的特性, 指令集架构上至少需要以下支持:

写的原子性
表示对于持久性内存里任意大小的写都要保证是原子性的, 以防系统崩溃或者突然掉电。IA-32 和 IA-64 处理器保证了对缓存数据最大64位的数据访问 (对齐或者非对齐) 的写原子性。 因此, 软件可以安全地在持久性内存上更新数据。这样也带来了性能上的提升, 因为消除了-on-write 或者 write-ahead-logging 这种保证写原子性的开销。
高效的缓存刷新(flushing)
出于性能的考虑, 持久性内存的数据也要先放入处理器的缓存(cache)才能被访问。经过优化的缓存刷新指令减少了由于刷新 (CLFLUSH) 造成的性能影响。

提交至持久性内存(Committing to Persistence)
在现代计算机架构下, 缓存刷新的完成表明修改的数据已经被回写至内存子系统的写缓冲区。 但是此时数据并不具有持久性。为了确保数据写入持久性内存, 软件需要刷新易失性的写缓冲区或者在内存子系统的其他缓存。 新的用于持久性写的提交指令 PCOMMIT 可以把内存子系统写队列中的数据提交至持久性内存。

非暂时store操作的优化(Non-temporal Store Optimization)
当软件需要拷贝大量数据从普通内存到持久性内存中时(或在持久性内存之间拷贝), 可以使用弱顺序, 非暂时的store操作 (比如使用MOVNTI 指令)。 因为Non-temporal store指令可以隐式地使要回写的那条cache line 失效, 软件就不需要明确地flush cache line了(see Section 10.4.6.2. of Intel® 64 and IA-32 Architectures Software Developer’s Manual, Volume 1)。

DCPMM英特尔®傲腾™ 技术是指以3D XPoint™内存介质与英特尔先进系统内存控制器、接口硬件及软件IP的独特组合。这项创新技术提供多种外形规格，以帮助不同系列的产品提升系统性能。它能快速访问用户计算机中的常用文档、图片、视频和应用程序，并在关闭电源后记住它们，使用户能够以更少的等待时间创建内容、畅玩游戏和完成创作。
英特尔®傲腾™ 技术既不基于NAND也非动态随机存取存储器（DRAM）：这项创新技术兼具二者之所长，在内存/存储层中建立新的数据层，可以有效填补数据中心的内存和性能缺口。

区别与应用

UDIMM由于并未使用寄存器，无需缓冲，同等频率下延迟较小。此外，UDIMM的另一优点在于价格低廉。其缺点在于容量和频率较低，容量最大支持4GB，频率最大支持2133 MT/s。此外，由于UDIMM只能在Unbuffered 模式工作，不支持服务器内存满配(最大容量)，无法最大程度发挥服务器性能。在应用场景上，UDIMM不仅可用于服务器领域，同样广泛运用于桌面市场。

而RDIMM支持Buffered模式和高性能的Registered模式，较UDIMM更为稳定，同时支持服务器内存容量最高容量。此外，RDIMM支持更高的容量和频率，容量支持32GB，频率支持 3200 MT/s 。缺点在于由于寄存器的使用，其延迟较高，同时加大了能耗，此外，价格也比UDIMM昂贵。因此，RDIMM主要用于服务器市场。

LRDIMM可以说是RDIMM的替代品，其一方面降低了内存总线的负载和功耗，另一方面又提供了内存的最大支持容量，虽然其最高频率和RDIMM一样，均为3200 MT/s，但在容量上提高到64GB。并且，相比RDIMM，Dual-Rank LRDIMM内存功耗只有其50%。LRDIMM也同样运于服务器领域，但其价格，较RDIMM也更贵些。

E. 为什么固态硬盘上只有一个闪存颗粒

闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。

闪存颗粒在当代对于存储产品的重要性，根据其内部电子结构不同，全球闪存产品主要有三种，SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。

对于固态硬盘与传统的机械硬盘不一样，固态硬盘是用NAND闪存颗粒来储存数据的，由两个主要部件组成：一是负责指挥的控制单元（主控）；二是负责存储数据的存储单元（闪存颗粒）；部分固态硬盘还有缓存。优点是比机械硬盘更轻薄，运行时更安静，读写速度快，不怕震动，信息更安全。


SLC（单层式存储），单层电子结构，写入数据时电压变化区间小，寿命最长，但是造价昂贵，多用于企业级高端产品。

MLC（多层式存储），使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，寿命相对较长长，造价可接受，多用民用高端产品。

TLC（三层式存储），是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell。存储密度最高，容量是MLC的1.5倍。造价成本最低，使命寿命相对较低，性价比高，是当下主流厂商首选闪存颗粒。

对于SSD闪存颗粒，固态硬盘的寿命受到擦写次数的限制，闪存完全擦写一次叫做1次P/E，因此，P/E就是闪存的寿命单位。不同的存储单元（闪存颗粒）类型擦写次数也不同：SLC：大约1万-10万次的擦除寿命；MLC：大约5千-1万次的擦除寿命；TLC：大约3000次的擦写寿命；QLC：大约500-1000次的擦写寿命。


那么尽量选择TLC的固态硬盘，若选QLC，则尽可能选择大容量的，因为固态硬盘的容量大了，不仅能存储更多的数据，寿命也会更长。

F. FLASH存储器DDR存储器RAM存储器SRAM存储器DRAM存储器有啥区别各有什么作用用在那

Flash存储器又称为闪存，是一种非易失性的ROM存储器，在EEPROM的基础上发展而来，但不同于EEPROM只能全盘擦写，闪存可以对某个特定的区块进行擦写，这源于它和内存一样拥有独立地址线。闪存的读写速度快，但远不及RAM存储器；但它断电后不会像内存一样丢失数据，因此适合做外存储设备。用途：U盘、固态硬盘、BIOS芯片等。

DDR是一种技术，中文为双倍速率，并不属于一种存储器。DDR通常指DDR SDRAM存储器，全称为Double Date Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双倍速率同步动态随机存储器。顾名思义，它有三个重要特性：Double Date Rate、Synchronous和Dynamic。首先是Dynamic（动态），表明存储元为电容，通过电容的电荷性判断数据0和1。而由于电容有漏电流，必须随时对电容进行充电，以防数据丢失，这个过程就叫动态刷新；其次是Synchronous（同步），表明读写过程由时钟信号控制，只能发生在时钟信号的上沿或下沿，是同步进行的，而不可以在随意时刻进行；最后是Double Date Rate（DDR），这是DDR内存最重要的特性，即相比SDRAM内存，DDR内存在时钟的上沿和下沿均可以完成一次数据发射，因此一个周期内可以传输两次数据，所以称为双倍速率。因此等效频率是SDRAM的两倍。用途：内存条和显存颗粒，如DDR、DDR2、DDR3、GDDR5。

RAM是Random Access Memory的缩写，中文为随机存储器。这个定义非常广，凡是可以进行随机读写的存储器，都可以称为RAM，和ROM（只读存储器）相对。用途：内存、显存、单片机、高速缓存等等

SRAM是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM。相比动态RAM，优点：1.不需要刷新操作，省去刷新电路，布线简单；2.速度远高于DRAM。缺点：1.容量远小于DRAM；2.由于晶体管规模远大于DRAM，成本远高于DRAM。用途：寄存器、高速缓存、早期内存

DRAM是Dynamic Random Access Memory的缩写，动态存储器。和上面的定义一样，由电容存储数据，需要实时刷新，因此叫动态RAM。和SDRAM的区别在于DRAM可以不需要时钟信号控制发射，但通常我们不严格区分它们，把SDRAM和DRAM都叫做DRAM。DDR SDRAM也属于一种DRAM。用途：内存、显存

G. 为什么SSD测试的时候只有4K读取速度特别慢呢

估计是接到SATA2.0接口上，也有可能你的电脑主板只支持SATA2.0，虽然硬盘是SATA3.0，但只能运行SATA2.0的速度上。

去掉RAPID加速，这个玩意是直接读写主机内存，和SSD无关，然后再跑测试就正常了。这个是三星专门为ASSSD测试软件进行的优化，无任何实际用途。

而且4K单线程读取是随机获取，既然必须是从磁盘中随机且读的是小文件，所以就任何加速方法都无效，4K单线程写入也是RAPID加速将内容写入主机内存中了。

(7)非易失性存储颗粒扩展阅读

和其他所有的DIY硬件一样，固态硬盘行业在发展的这几年里，也逐渐从鱼龙混杂的混沌局面慢慢开始呈现品牌化的趋势，出现了诸多声名在外的大型固态硬盘存储厂商。

在我们挑选固态硬盘的时候，不妨先看看这些在固态硬盘行业内部已经确立地位的大品牌的最新产品。目前，固态硬盘行业的品牌化十分明显，特别是消费级存储市场，有着许多大厂可供选择。

主要的一线大厂有闪迪、东芝、三星、Intel等有着自己的晶圆厂和研发中心的国际化存储品牌，它们在存储行业数十年的研发经验，以及自身在固态硬盘主要原料闪存颗粒上的生产优势，让这些大厂在固态硬盘行业发展初期就奠定了品牌优势。

接下来，还有一些长期和东芝、Intel、三星等手握原厂晶圆的厂商进行深入合作的存储厂商，由于能够拿到一线原厂的闪存颗粒，以及多年在消费级存储市场的开拓，让这些厂商能够保证相当的产品品质，和产品性能。这一类的主要品牌有台系的浦科特，影驰，威刚等主流厂商。

以上举例的这些厂商，无论是在闪存颗粒的生产上，还是产品研发和品牌营造上，可以说是当下固态硬盘行业的佼佼者，购买它们旗下的固态硬盘产品，至少在品质上可以放心。

固态硬盘作为新近流行的DIY硬件，它的内部结构非常简单，主要是由主控芯片、闪存颗粒以及缓存芯片所组成，并利用一块PCB板作为载体，通过光电转换的方式进行数据的读取和写入。

其中，最为核心、生产成本最高的内部控件便是起到关键性存储功能的闪存颗粒了。

所谓闪存，本质上是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。

正是闪存颗粒的非易失性，让闪存颗粒成为了存储行业新的介质，由此开创了一个以闪存颗粒为核心的新的存储时代。

除了非易失性之外，闪存颗粒因其利用的是电子的写入和读取进行存储，在性能上和稳定性上远远超过传统机械硬盘利用机械手段进行存储的老旧模式，成为了当下和未来最具价值的存储产品。

在固态硬盘领域中，根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别.

SLC(单层式存储）单层电子结构，写入数据时电压变化区间小，寿命长，读写次数在10万次以上，造价高，多用于企业级高端产品。

MLC（多层式存储），使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，寿命长，造价可接受，多用民用高端产品，读写次数在5000左右。

TLC（三层式存储），是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell。存储密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造价成本最低， 使命寿命低，读写次数在1000~2000左右，是当下主流厂商首选闪存颗粒。

当前，主流的所谓原厂闪存颗粒厂商有toshiba东芝、samsung三星、Intel英特尔、micron美光、skhynix海力士、sandisk闪迪等六家晶圆厂，它们及其下属的子公司生产的闪存颗粒几乎占据了全球市场的近九成份额。

H. 内存条用的闪存颗粒与固态硬盘用的闪存颗粒一样吗

内存上用的内存颗粒是DDR内存，属于易失性存储器，也就是断电后其中数据就消失的存储器。
固态硬盘中使用的闪存颗粒是浮栅管存储器，属于非易失性存储器，断电后其数据还会保存其中。
这二者的差异是根本上的，不是一个东西。

I. 固态硬盘M.2接口是什么接口

M.2接口是一种新的主机接口方案，可以兼容多种通信协议，如sata、PCIe、USB、HSIC、UART、SMBus等。
M.2接口是为超极本（Ultrabook）量身定做的新一代接口标准，以取代原来的mSATA接口。无论是更小巧的规格尺寸，还是更高的传输性能，M.2都远胜于mSATA。

J. 内存颗粒、闪存颗粒的区别

闪存是利用了闪存技术的非易失性存储颗粒，一般用于sd卡，tf卡，u盘等小型存储设备。内存是系统运行时暂时保存文件的随机存储驱动器，是易失性的，也就是只有通电状况下才能保存，完全是两种技术。