电存储芯片

A. 为什么不用铁电存储器

因为需要擦除块，瞬间断电的情况，能会造成数据丢失。出现这种情况，可以使用铁电存储芯片，这个芯片的擦写速度极快。

B. 芯片掉电多久保存

芯片掉电多久保存

at24c02是ateml公司的2kb的电可擦除存储芯片，采用两线串行的总线和单片机通讯，电压最低可以到2.5v，额定电流为1ma，静态电流10ua(5.5v)，芯片内的资料可以在断电的情况下保存40年以上，而且采用8脚的dip封装，使用方便。简而言之，at24c02是一个在突然掉电的情况下存储数据的芯片，即掉电存储芯片。

C. 什么叫存储芯片

◆存储芯片（IC）的分类：

内存储器按存储信息的功能可分为随机存储器RAM(RandomAccess Memory)和只读存储器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用来存放固定的程序，如微机的管理、监控程序，汇编程序，以及存放各种表格等。

还有一种叫做可改写的只读存储器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同点在于它可以用特殊装置摈除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。

RAM就是我们常说的内存，它主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外存交换信息和作堆栈用。它的存储单元的内容按需要既可以读出，也可以写入或改写。

由于RAM由电子器件组成，只能暂时存放正在运行的数据和程序，一旦关闭电源或掉电，其中的数据就会消失。RAM现在多为Mos型半导体电路，它分为静态和动态两种。

静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠Mos电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上电荷会泄漏，需要定时给予补充，所以动态RAM要设置刷新电路，但它比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器(Cache)则使用静态RAM。

●存储IC的特点，具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。

D. 内存芯片的种类有哪些

爱学习的小伙伴们，你们知道内存芯片有哪些种类吗?不知道的话跟着我一起来学习了解内存芯片有哪些种类吧。

内存芯片有哪些种类

存储器分类

简称：Cache

标准：Cache Memory

中文：高速缓存

高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种，其存取速度要比一般RAM来得快。当中央处理器

(CPU)处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就不

需从内存中读取数据。由于CPU的运行速度通常比主存储器快，CPU若要连续存取内存的话，

必须等待数个机器周期造成浪费。所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。如

Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称为

L1高速缓存(Memory)。L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。

简称：DDR

标准：Double Date Rate

中文：双倍数据传输率

DDR系统时脉为100或133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即200或266MHz，系统

使用3.3或3.5V的电压。因为DDR SDRAM的速度增加，因此它的传输效能比同步动态随机存取

内存(SDRAM)好。

DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM

memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM

technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to

perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput

of SDRAM

简称：DIMM

标准：Dual in Line Memory Mole

中文：双直列内存条

DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块，它实际上是一

种封装技术。在PCB板的一边缘上，每面有64叫指状铜接触条，两面共有168条。DIMM可以分

为3.3V和5V两种电压，这其中又有含缓冲器以及不含缓冲器两种，目前比较常见的是3.3V含

缓冲器类型，而DIMM还需要一个抹除式只读存储器(EPROM)供基本输出入系统(BIOS)储存各

种参数，让芯片组(Chipset)达到最佳状态。

简称：DRAM

标准：Dynamic Random Access Memory

中文：动态随机存储器

一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异

在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据

则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。

简称：ECC

标准：Error Checking and Correction)

在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差，也可以作双位或多位的误差核对与改

正。

简称：EDO DRAM

标准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

中文：EDO动态随机存储器

EDO DRAM也称为Hyper Page Mode DRAM，这是一种可以增加动态随机存取内存(DRAM)读取

效能的存储器，为了提高EDO DRAM的读取效率，EDO DRAM可以保持资料输出直到下一周期

CAS#之下降边缘，而EDO DRAM的频宽由100个兆字节(MB)增加到了200MB。

简称：EEPROM

标准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：电子抹除式只读存储器

非挥发性存储器。电源撤除后，储存的信息(Data)依然存在，在特殊管脚上施加电压，同

时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的参

数。

这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个数

据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。

简称：EPROM

标准：Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：紫外擦除只读存器

非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容，非常适合用作硬件当中的基本输出入系统

(BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。

这种存储器不支持再线修改数据。

简称：Flash

标准：Memory

中文：闪烁存储器

非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再

线修改数据，写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。

Flash应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。

简称：FeRAM

标准：Ferroelectric random access memory

中文：铁电存储器

ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile

memory that combines high-performance and low-power operation with the ability

to retain data without power.

FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and

eliminates the need for a battery

简称：MRAM

标准：Magnetoresistive Random Access Memory

中文：磁性随机存储器

磁性随机存储器是正在开发阶段的，基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel

junction-MTJ)技术的固态存储介质，属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon

(英飞凌)、Cypress和Motorola(摩托罗拉)。其擦写次数高于现有的Flash存储器，可达

1015，读写时间可达70nS，

简称：RAM

标准：Random Access Memory

中文：随机存储器

随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指

令和资料暂时存在这里。RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键盘

(Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅

助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打

印机、显示器。 RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的

速度越快。

简称：RDRAM

标准：Rambus DRAM

中文：Rambus动态随机存储器

这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的传送速率，作业时不会

间断，比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，当然价格比要DRAM贵。虽然

RDRA无法完全取代现有内存，不过因为总线 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM与静态随机

存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) ，制造商展示的RDRAM则可达

600MHz，内存也只有8或9位 (bit ) 长，若将RDRAM并排使用，可以大幅增加频宽

(Bandwidth) ，将内存增为32或64位。

简称：ROM

标准：Read Only Memory

中文：只读存储器

只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读

取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。 ROM被储存在一

个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多

用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提

供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确

认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer

circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。

简称：SDRAM

标准：Synchronous Dynamic RAM

中文：同步动态随机存储器

SDRAM的运作时脉和微处理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 动态记忆模块

(EDO DRAM ) 的速度还快，采用3.3V电压(EDO DRAM为5V)，168个接脚，还可以配合中央处

理器 (CPU ) 的外频 (External Clock) ，而有66与100MHz不同的规格，100MHz的规格就是

大家所熟知的PC100内存 (Memory ) 。

简称：SIMM

标准：Single In-Line Memory Mole

中文：单直列内存模块

内存(Memory )模块的概念一直到80386时候才被应用在主机板(Mother Board)上，当时的

接脚主要为30个，可以提供8条资料 (Data) 存取线 (Access Line)，一次资料存取

(Access)为32个字节，所以分为四条一组，因此80386以四条为一个单位。而今一条SIMM为

72Pins，不过只能提供32字节的工作量，但是外部的数据总线(Data Bus)为64字节(bite)，

因此一个主机板上必须有两条SIMM才足以执行庞大的资料(Data)处理工作。

简称：SRAM

标准：Static Random Access Memory

中文：静态随机存储器

SRAM制造方法与动态随机存取内存(DRAM )不同，每个位使用6个晶体管(transistor)组

成，不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失，其存取时间较短控制电路简单，但制造

成本较高，单片难以做到DRAM那样容量。

简称：VCM SDRAM

标准：Virtual Channel Memory SDRAM

中文：虚拟信道存储器

1999年由于SDRAM在市场上大为缺货，而由日本NEC恩益禧搭配一些主机板厂商及芯片组

(Chipset)业者，大力推广所谓的VCM模块技术，而为消费者广为接受，日本NEC更希望一举

将VCM的规格推向工业级标准。VCM内存规格是以SDRAM为基础观念所开发出的新产品，并加

强原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM须等待中央处理器(CPU)处理完资料或VGA卡处理完资料

后，才能完整地送至SDRAM做进一步的处理，然而VCM的内部区分为16条虚拟信道Virtual

Channel)，每一个信道都负责一个单独的memory master，因此可以减少内存(Memory)接口

的负担，进而增加计算机使用者使用效率。 目前为全球第四大内存模块厂商的宇瞻科技与

日本NEC技术合作，在台湾推出以PC133 (PC133) VCM内存模块为设计的笔记型计算机，由于

VCM技术可以减少内存接口的负担，以及本身低耗电的特性，相当适合笔记型计算机的运

E. 存储芯片与晶圆的前途

存储芯片和晶圆的前途都是非常大的，这些都是现代电子产品必不可少的零部件，头部企业比如英特尔这些都是大型公司，在未来晶圆等等都是发展的重中之重。

F. at24c02是什么

AT24C02是Ateml公司的2KB的电可擦除存储芯片，采用两线串行的总线和单片机通讯，电压最低可以到2.5V，额定电流为1mA，静态电流10uA(5.5V)，芯片内的资料可以在断电的情况下保存40年以上，而且采用8 脚的DIP 封装，使用方便。简而言之，AT24C02是一个在突然掉电的情况下存储数据的芯片，即掉电存储芯片。

G. 416rp储存芯片原理

存储芯片就是用来存放数据的地方。存储芯片原理是利用电平的高低来存放数据的，存储器就象一个个的小抽屉，一个小抽屉里有八个小格子，每个小格子就是用来存放“电荷”的，电荷通过与它相连的电线传进来或释放掉。

H. eeprom是什么意思

带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。

可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。

基本原理

由于EPROM操作的不便，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。

EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。

EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。

I. 主要的四种类型内部存储器芯片是什么

按照功能划分，可以分为四种类型，主要是内存芯片、微处理器、标准芯片和复杂的片上系统（SoCs）。按照集成电路的类型来划分，则可以分为三类，分别是数字芯片、模拟芯片和混合芯片。

从功能上看，半导体存储芯片将数据和程序存储在计算机和数据存储设备上。随机存取存储器（RAM）芯片提供临时的工作空间，而闪存芯片则可以永久保存信息，除非主动删除这些信息。只读存储器（ROM）和可编程只读存储器（PROM）芯片不能修改。而可擦可编程只读存储器（EPROM）和电可擦只读存储器（EEPROM）芯片可以是可以修改的。

微处理器包括一个或多个中央处理器（CPU）。计算机服务器、个人电脑（PC）、平板电脑和智能手机可能都有多个CPU。PC和服务器中的32位和64位微处理器基于x86、POWER和SPARC芯片架构。而移动设备通常使用ARM芯片架构。功能较弱的8位、16位和24位微处理器则主要用在玩具和汽车等产品中。

标准芯片，也称为商用集成电路，是用于执行重复处理程序的简单芯片。这些芯片会被批量生产，通常用于条形码扫描仪等用途简单的设备。商用IC市场的特点是利润率较低，主要由亚洲大型半导体制造商主导。

SoC是最受厂商欢迎的一种新型芯片。在SoC中，整个系统所需的所有电子元件都被构建到一个单芯片中。SoC的功能比微控制器芯片更广泛，后者通常将CPU与RAM、ROM和输入/输出（I/O）设备相结合。在智能手机中，SoC还可以集成图形、相机、音频和视频处理功能。通过添加一个管理芯片和一个无线电芯片还可以实现一个三芯片的解决方案。

芯片的另一种分类方式，是按照使用的集成电路进行划分，目前大多数计算机处理器都使用数字电路。这些电路通常结合晶体管和逻辑门。有时，会添加微控制器。数字电路通常使用基于二进制方案的数字离散信号。使用两种不同的电压，每个电压代表一个不同的逻辑值。

但是这并不代表模拟芯片已经完全被数字芯片取代。电源芯片使用的通常就是模拟芯片。宽带信号也仍然需要模拟芯片，它们仍然被用作传感器。在模拟芯片中，电压和电流在电路中指定的点上不断变化。模拟芯片通常包括晶体管和无源元件，如电感、电容和电阻。模拟芯片更容易产生噪声或电压的微小变化，这可能会产生一些误差。

混合电路半导体是一种典型的数字芯片，同时具有处理模拟电路和数字电路的技术。微控制器可能包括用于连接模拟芯片的模数转换器（ADC），例如温度传感器。而数字-模拟转换器（DAC）可以使微控制器产生模拟电压，从而通过模拟设备发出声音。

J. 存储芯片的组成

存储体由哪些组成
存储体由许多的存储单元组成，每个存储单元里面又包含若干个存储元件，每个存储元件可以存储一位二进制数0/1。

存储单元：
存储单元表示存储二进制代码的容器，一个存储单元可以存储一连串的二进制代码，这串二进制代码被称为一个存储字，代码的位数为存储字长。

在存储体中，存储单元是有编号的，这些编号称为存储单元的地址号。而存储单元地址的分配有两种方式，分别是大端、大尾方式、小端、小尾方式。

存储单元是按地址寻访的，这些地址同样都是二进制的形式。
MAR
MAR叫做存储地址寄存器，保存的是存储单元的地址，其位数反映了存储单元的个数。

用个例子来说明下：

比如有32个存储单元，而存储单元的地址是用二进制来表示的，那么5位二进制数就可以32个存储单元。那么，MAR的位数就是5位。

在实际运用中，我们 知道了MAR的位数，存储单元的个数也可以知道了。

MDR

MDR表示存储数据寄存器，其位数反映存储字长。

MDR存放的是从存储元件读出，或者要写入某存储元件的数据（二进制数）。

如果MDR=16,，每个存储单元进行访问的时候，数据是16位，那么存储字长就是16位。

主存储器和CPU的工作原理
在现代计算中，要想完成一个完整的读取操作，CPU中的控制器要给主存发送一系列的控制信号（读写命令、地址译码或者发送驱动信号等等）。

说明：

1.主存由半导体元件和电容器件组成。

2.驱动器、译码器、读写电路均位于主存储芯片中。

3.MAR、MDR位于CPU的内部芯片中

4.存储芯片和CPU芯片通过系统总线（数据总线、系统总线）连接。