存储器flash的写入

㈠ 如何将数据写到指定的flash存储空间

第一步：在当前项目的cmd中增加一个内存区域，例如： Add : origin = 0x3D8000, length = 0x000002， 此区域名字为Add， 起始位置0X3D80000 长度为1 word

第二部：在相应的段位置增加新的section，并将其映射在Flash需要指定的位置 例如：Para :> Add PAGE = 1, Para为新设置的存储区section，将其定义在Add中，PAGE = 1表示为 数据变量区域而非代码

第三步：在.c文件中 使用#pargam DATA_SECTION(变量名, "Para");指令，将变量定义在Para段中，编译后就可以在map中的固定位置找到此变量

㈡ 单片机 用串口 向C8051F的128K FLASH写入 大量数据，怎么弄

在内存
外存
（用dptr来访问，内存不够大）中定义一512字节的数组，pc机给你发数据一次发51个，都存入这个数组，收到pc机512个字节的数据后向pc机请求暂停发送，然后把这512个自己写入flash的
扇区
中，写入完成后，把在内存的数组和已经写入flash的数据做一次比较，如果有不一样的，重新把数组的数据写入flash，在写入的过程中要关闭中断。每写入一字节的数据后让单片机做几次空操作，保证可靠性。
去新华龙网站技术交流区看看。
我做过c8051向flash写入数值，比较少，就几个，但是思路是一样的。
pc机和单片机之间的协议可以双方互相约定。比如，在内存外存（用dptr来访问，内存不够大）中定义一512字节的数组，pc机给你发数据一次发512个，都存入这个数组，收到pc机512个字节的数据后向pc机请求暂停发送，然后把这512个自己写入flash的扇区中，写入完成后，向pc机请求下一个512字节的数据，依次循环，直至完成所有的数据写入。
想flash写入数据，要先规划数据区，然后在keil中把自己的程序定位在数据区之外，c8051的flash是512字节一个扇区，写数据时要先擦除一个扇区，然后再写入，一个扇区至多写512字节的数据，这个扇区写完了后
要擦除下一个扇区，再进行同样的工作，总的完了后要把相应的寄存器关闭，这时芯片中内存的指向就不是flash而是ram了。
大体就是这样，你可以看看c8051的引用笔记，以前这些资料都是公开的，现在新华龙只向买它们产品的人提供，多在网上找找，结合c8051的引用笔记加
例程
，不难。
去新华龙网站
技术交流区有
“C8051F020中
Flash存储器
的在线擦写方法
”
注册一个用户，
可以下载，如果需要f020芯片的中文资料，可以在网上找，也可以找我。
f020可以在线擦除可执行的程序，因为它还有一段
引导区
，这一个我不是很清楚，你可以参看020的应用笔记。
c8051资料丰富，
集成度
高，上手快，开发调试先进，是不错的单片机。
写了这么多，希望可以帮到你。

㈢ flash 存储器 擦除 写入 读出最快时间是多少

这要看存储器型号，一般擦除>100毫秒，写入几个到几十毫秒，读取是微秒级

㈣ flash存储器的擦写的两种模式是什么

监控模式或写入器模式。
用户模式或在线编程模式，两种模式各有优缺点：监控模式需要外部硬件支持，但不需要单片机内部程序的存在，所以适合对新出厂芯片进行编程写入，用户模式可以在单片机正常工作时进入，所以常用在程序运行过程中对部分Flash存储器的一些单元内容进行修改，特别适合于目标系统的动态程序更新和运行数据的存储。一般来说，两种模式对Flash存储器的编程操作的程序是一致的，差别在于调用这些程序的方式和环境。

㈤ flash存储器可以存储什么信号

8 个 I/O 端口.
但是只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。
flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。

㈥ flash存储器如何写入随机数组

flash存储器写入随机数组是采用，flash对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

㈦ Flash存储芯片能够快速在线快速写入和读出吗

最好单向传输数据，也就是说避免错误，要么写入要么读出 ，好比加大优盘类存储器使用寿命最好不能直接在优盘里运行程序一样