非挥发性存储包括

A. 半导体存储器分哪两类，区别是什么

半导体存储器可区分为挥发性和非挥发性存储器两大类。挥发性的如DRAM和SRAM，若其供应电源关闭，将会丧失所储存的信息。相比之下，非挥发性存储器却能在电源供应关闭时保留所储存的信息。

B. 存储芯片包括

存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。按照不同的技术，存储器芯片可以细分为EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASK ROM和FRAM等。
存储器技术是一种不断进步的技术，随着各种专门应用不断提出新的要求，新的存储器技术也层出不穷，每一种新技术的出现都会使某种现存的技术走进历史，因为开发新技术的初衷就是为了消除或减弱某种特定存储器产品的不足之处。
例如，闪存技术脱胎于EEPROM，它的一个主要用途就是为了取代用于PC机BIOS的EEPROM芯片，以便方便地对这种计算机中最基本的代码进行更新。 尽管目前非挥发性存储器中最先进的就是闪存，但技术却并未就此停步。
生产商们正在开发多种新技术，以便使闪存也拥有像DRAM和SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。总之，存储器技术将会继续发展，以满足不同的应用需求。就PC市场来说，更高密度、更大带宽、更低功耗、更短延迟时间、更低成本的主流DRAM技术将是不二之选。
而在其它非挥发性存储器领域，供应商们正在研究闪存之外的各种技术，以便满足不同应用的需求，未来必将有更多更新的存储器芯片技术不断涌现。

C. 内存芯片的种类有哪些

爱学习的小伙伴们，你们知道内存芯片有哪些种类吗?不知道的话跟着我一起来学习了解内存芯片有哪些种类吧。

内存芯片有哪些种类

存储器分类

简称：Cache

标准：Cache Memory

中文：高速缓存

高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种，其存取速度要比一般RAM来得快。当中央处理器

(CPU)处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就不

需从内存中读取数据。由于CPU的运行速度通常比主存储器快，CPU若要连续存取内存的话，

必须等待数个机器周期造成浪费。所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。如

Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称为

L1高速缓存(Memory)。L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。

简称：DDR

标准：Double Date Rate

中文：双倍数据传输率

DDR系统时脉为100或133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即200或266MHz，系统

使用3.3或3.5V的电压。因为DDR SDRAM的速度增加，因此它的传输效能比同步动态随机存取

内存(SDRAM)好。

DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM

memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM

technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to

perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput

of SDRAM

简称：DIMM

标准：Dual in Line Memory Mole

中文：双直列内存条

DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块，它实际上是一

种封装技术。在PCB板的一边缘上，每面有64叫指状铜接触条，两面共有168条。DIMM可以分

为3.3V和5V两种电压，这其中又有含缓冲器以及不含缓冲器两种，目前比较常见的是3.3V含

缓冲器类型，而DIMM还需要一个抹除式只读存储器(EPROM)供基本输出入系统(BIOS)储存各

种参数，让芯片组(Chipset)达到最佳状态。

简称：DRAM

标准：Dynamic Random Access Memory

中文：动态随机存储器

一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异

在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据

则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。

简称：ECC

标准：Error Checking and Correction)

在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差，也可以作双位或多位的误差核对与改

正。

简称：EDO DRAM

标准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

中文：EDO动态随机存储器

EDO DRAM也称为Hyper Page Mode DRAM，这是一种可以增加动态随机存取内存(DRAM)读取

效能的存储器，为了提高EDO DRAM的读取效率，EDO DRAM可以保持资料输出直到下一周期

CAS#之下降边缘，而EDO DRAM的频宽由100个兆字节(MB)增加到了200MB。

简称：EEPROM

标准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：电子抹除式只读存储器

非挥发性存储器。电源撤除后，储存的信息(Data)依然存在，在特殊管脚上施加电压，同

时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的参

数。

这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个数

据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。

简称：EPROM

标准：Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：紫外擦除只读存器

非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容，非常适合用作硬件当中的基本输出入系统

(BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。

这种存储器不支持再线修改数据。

简称：Flash

标准：Memory

中文：闪烁存储器

非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再

线修改数据，写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。

Flash应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。

简称：FeRAM

标准：Ferroelectric random access memory

中文：铁电存储器

ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile

memory that combines high-performance and low-power operation with the ability

to retain data without power.

FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and

eliminates the need for a battery

简称：MRAM

标准：Magnetoresistive Random Access Memory

中文：磁性随机存储器

磁性随机存储器是正在开发阶段的，基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel

junction-MTJ)技术的固态存储介质，属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon

(英飞凌)、Cypress和Motorola(摩托罗拉)。其擦写次数高于现有的Flash存储器，可达

1015，读写时间可达70nS，

简称：RAM

标准：Random Access Memory

中文：随机存储器

随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指

令和资料暂时存在这里。RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键盘

(Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅

助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打

印机、显示器。 RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的

速度越快。

简称：RDRAM

标准：Rambus DRAM

中文：Rambus动态随机存储器

这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的传送速率，作业时不会

间断，比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，当然价格比要DRAM贵。虽然

RDRA无法完全取代现有内存，不过因为总线 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM与静态随机

存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) ，制造商展示的RDRAM则可达

600MHz，内存也只有8或9位 (bit ) 长，若将RDRAM并排使用，可以大幅增加频宽

(Bandwidth) ，将内存增为32或64位。

简称：ROM

标准：Read Only Memory

中文：只读存储器

只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读

取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。 ROM被储存在一

个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多

用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提

供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确

认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer

circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。

简称：SDRAM

标准：Synchronous Dynamic RAM

中文：同步动态随机存储器

SDRAM的运作时脉和微处理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 动态记忆模块

(EDO DRAM ) 的速度还快，采用3.3V电压(EDO DRAM为5V)，168个接脚，还可以配合中央处

理器 (CPU ) 的外频 (External Clock) ，而有66与100MHz不同的规格，100MHz的规格就是

大家所熟知的PC100内存 (Memory ) 。

简称：SIMM

标准：Single In-Line Memory Mole

中文：单直列内存模块

内存(Memory )模块的概念一直到80386时候才被应用在主机板(Mother Board)上，当时的

接脚主要为30个，可以提供8条资料 (Data) 存取线 (Access Line)，一次资料存取

(Access)为32个字节，所以分为四条一组，因此80386以四条为一个单位。而今一条SIMM为

72Pins，不过只能提供32字节的工作量，但是外部的数据总线(Data Bus)为64字节(bite)，

因此一个主机板上必须有两条SIMM才足以执行庞大的资料(Data)处理工作。

简称：SRAM

标准：Static Random Access Memory

中文：静态随机存储器

SRAM制造方法与动态随机存取内存(DRAM )不同，每个位使用6个晶体管(transistor)组

成，不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失，其存取时间较短控制电路简单，但制造

成本较高，单片难以做到DRAM那样容量。

简称：VCM SDRAM

标准：Virtual Channel Memory SDRAM

中文：虚拟信道存储器

1999年由于SDRAM在市场上大为缺货，而由日本NEC恩益禧搭配一些主机板厂商及芯片组

(Chipset)业者，大力推广所谓的VCM模块技术，而为消费者广为接受，日本NEC更希望一举

将VCM的规格推向工业级标准。VCM内存规格是以SDRAM为基础观念所开发出的新产品，并加

强原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM须等待中央处理器(CPU)处理完资料或VGA卡处理完资料

后，才能完整地送至SDRAM做进一步的处理，然而VCM的内部区分为16条虚拟信道Virtual

Channel)，每一个信道都负责一个单独的memory master，因此可以减少内存(Memory)接口

的负担，进而增加计算机使用者使用效率。 目前为全球第四大内存模块厂商的宇瞻科技与

日本NEC技术合作，在台湾推出以PC133 (PC133) VCM内存模块为设计的笔记型计算机，由于

VCM技术可以减少内存接口的负担，以及本身低耗电的特性，相当适合笔记型计算机的运

D. 计算机中S1,S3,S4,S5各自的状态是什么

1、S1 =>Standby。即指说系统处于低电源供应状态，在 windows or BIOS 中可设定萤幕讯号输出关闭、 硬盘停止运转进入待命状态、电源灯号处于闪烁状态。此时动一动鼠标、按键盘任一键均可叫醒电脑。

2、S2 =>Power Standby，和 S1 几乎是一样，这时只剩下电源灯号一闪一闪的，其它和关机没什么两样。

3、S3 =>Suspend to RAM。即是把 windows 现在存在记忆体中的所有资料保存不动，然后进入“假关机”。此时除了记忆体需要电源来保持资料以外，其它的设备、装置全部停止供电。也就是说，理论上可以把 CPU, PCI, AGP device 拿掉又插回去，电脑也可能正常完成开机及运作，只要不动到记忆体和电源的部份。

4、S4 =>Suspend to Disk。即是把 windows 记忆体中的资料完整的存在硬盘中。等开机时就直接从存这些资料的地方直接完整的读到记忆体，不需要跑一堆应用程式。使用这种模式的话，硬盘一定要腾出一个完整的连续空间。Windows 98/SE 必需要用软体去制作一个大档案或是一个磁区来提供 win98/SE 执行 S4 这功能，WinME/2000/XP 本身就有制作一个大档案来给 S4 功能用（在电源管理中有一个启动休眠，就是这个啦） 。在启动后，在 C: 下会看到一个和你电脑现有记忆体大小一样的大档案。

5、S5 =>Shutdown，电源供应器的风扇也停止运转喔）重新开新后，电脑只是把记忆体的资料完整性确认后，即立刻会回到你进 S3 前的画面。记得有人试过，在烧录中启动 S3 ，CDRW 还会自动启动 Just-Link ，等你回复后它又自动继续烧。

E. 硬盘属于内存储器还是外存储器

硬盘属于外存储器。

硬盘（英语：Hard Disk Drive，简称HDD）是电脑上使用坚硬的旋转盘片为基础的非挥发性存储设备，它在平整的磁性表面存储和检索数字数据，信息通过离磁性表面很近的磁头，由电磁流来改变极性方式被电磁流写到磁盘上，信息可以通过相反的方式读取，例如读头经过纪录数据的上方时磁场导致线圈中电气信号的改变。硬盘的读写是采用随机存取的方式，因此可以以任意顺序读取硬盘中的数据[2]。硬盘包括一至数片高速转动的磁盘以及放在执行器悬臂上的磁头。

早期的硬盘存储介质是可替换的，不过今日典型的硬盘采用的是固定的存储介质，盘片与磁头被封装在机身里（除了一个有过滤的气孔，用来平衡工作时产生的热量导致的气压差）。

硬盘是由IBM在1956年开始使用[3]，在1960年代初成为通用式电脑中主要的辅助存放设备，随着技术的进步，硬盘也成为服务器及个人电脑的主要组件。

硬盘按数据接口不同，大致分为ATA（IDE）和SATA以及SCSI和SAS。接口速度不是实际硬盘数据传输的速度，目前非基于闪存技术的硬盘数据实际传输速度一般不会超过300MB/s。

F. hdd硬盘 sata硬盘的区别

一、主体不同

1、hdd硬盘：是电脑上使用坚硬的旋转盘片为基础的非挥发性存储设备。

2、sata硬盘：是一种以存储器作为永久性存储器的电脑存储设备。

二、特点不同

1、hdd硬盘：在平整的磁性表面存储和检索数字数据，信息通过离磁性表面很近的磁头，由电磁流来改变极性方式被电磁流写到磁盘上。

2、sata硬盘：数据的存取主要由NAND Flash及其主控芯片来实现，没有活动的机械部件，为纯芯片结构。

二、工作噪音不同

1、hdd硬盘：有工作噪音。

2、sata硬盘：没有工作噪音。

G. 什么是挥发性存储器非挥发性存储器呢

1，挥发性存储器（内存）RAM-RandomAccessMemory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。

随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存(内存)。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器（英文：Static RAM，SRAM)和动态随机存储器（英文Dynamic RAM，DRAM)。

2，非挥发性内存（英语：Non-volatile memory，缩写为NVRAM）是指当电流关掉后，所储存的资料不会消失者的电脑内存。非挥发性内存中，依内存内的资料是否能在使用电脑时随时改写为标准，可分为二大类产品，即ROM和Flash memory。

• 类型：

ROM

Read-only memory，只读存储器

PROM

Programmable read-only memory，可编程式只读存储器

EAROM

Electrically alterable read only memory，电可改写只读存储器

EPROM

Erasable programmable read only memory，可擦可编程式只读存储器

EEPROM

Electrically erasable programmable read only memory，可电擦可编程式只读存储器

Flash memory

H. 存储芯卡是挥发存储器

挥发性存储器和非挥发存储器。
存储芯片可分为挥发性存储器和非挥发存储器，其中非挥发存储器包括EEPROM、FlashMemory等。
存储芯片是半导体元器件中不可或缺的组成部分，几乎存在于所有的电子设备中。

I. 计算机中S1,S3,S4,S5各自的状态是什么

S1--也称为POS（Power on Suspend），这时除了通过CPU时钟控制器将CPU关闭之外，其他的部件仍然正常工作，这时的功耗一般在30W以下；（其实有些CPU降温软件就是利用这种工作原理）

S2--这时CPU处于停止运作状态，总线时钟也被关闭，但其余的设备仍然运转；

S3--这就是我们熟悉的STR（Suspend to RAM），这时的功耗不超过10W；

S4--也称为STD（Suspend to Disk），这时系统主电源关闭，硬盘存储S4前数据信息，所以S4是比S3更省电状态.

S5--这种状态是最干脆的，就是连电源在内的所有设备全部关闭，即关机（shutdown），功耗为0。

(9)非挥发性存储包括扩展阅读：

节电方式

1、(suspend即挂起)显示屏自动断电；只是主机通电。这时敲任意键即可恢复原来状态。

2、（save to ram 或suspend to ram 即挂起到内存）系统把当前信息储存在内存中，只有内存等几个关键部件通电，这时计算机处在高度节电状态，按任意键后，计算机从内存中读取信息很快恢复到原来状态。

3、（save to disk或suspend to disk即挂起到硬盘）计算机自动关机，关机前将当前数据存储在硬盘上，用户下次按开关键开机时计算机将无须启动系统，直接从硬盘读取数据，恢复原来状态。