静态存储机理
myisam_recover=64K#允许的GROUP_CONCAT()函数结果的最大长度transaction_isolation=REPEATABLE-READinnodb_file_per_table
⑵ ram原理图
我们很多的Chip中都有ram作为存储器，存储器是能存储数据，并当给出地址码时能读出数据的装置。根据存储方式的不同，存储器可以分为随机存储器（ram）和只读存储器（rom）两大类。
ram的原意是不管对于哪一个存储单元，都可以以任意的顺序存取数据，而且存取所花的时间都相等。即使不能完全达到以任意的顺序存取，凡是能以相同的动作顺序和相同的动作时间进行存入和读出的半导体存储器都包括在ram中。
按照存放信息原理的不同，随机存储器又可分为静态和动态两种。静态ram是以双稳态元件作为基本的存储单元来保存信息的，因此，其保存的信息在不断电的情况下，是不会被破坏的；而动态ram是靠电容的充、放电原理来存放信息的，由于保存在电容上的电荷，会随着时间而泄露，因而会使得这种器件中存放的信息丢失，必须定时进行刷新。
一般一个存储器系统由以下几部分组成。
1．基本存储单元
一个基本存储单元可以存放一位二进制信息，其内部具有两个稳定的且相互对立的状态，并能够在外部对其状态进行识别和改变。不同类型的基本存储单元，决定了由其所组成的存储器件的类型不同。静态ram的基本存储单元是由两个增强型的nm0s反相器交叉耦合而成的触发器，每个基本的存储单元由六个mos管构成，所以，静态存储电路又称为六管静态存储电路。
图为六管静态存储单元的原理示意图。其中t1、t2为控制管，t3、t4为负载管。这个电路具有两个相对的稳态状态，若tl管截止则a＝“l”(高电平)，它使t2管开启，于是b＝“0”(低电平)，而b＝“0”又进一步保证了t1管的截止。所以，这种状态在没有外触发的条件下是稳定不变的。同样，t1管导通即a＝“0”(低电平)，t2管截止即b＝“1”(高电平)的状态也是稳定的。因此，可以用这个电路的两个相对稳定的状态来分别表示逻辑“1”和逻辑“0”。
当把触发器作为存储电路时，就要使其能够接收外界来的触发控制信号，用以读出或改变该存储单元的状态，这样就形成了如下右图所示的六管基本存储电路。其中t5、t6为门控管。
(a) 六管静态存储单元的原理示意图 (b) 六管基本存储电路
图 六管静态存储单元（我们常看到的还有把t3&t1的gate连到一起，把t2&t4的gate连到一起）
当x译码输出线为高电平时，t5、t6管导通，a、b端就分别与位线d0及 相连；若相应的y译码输出也是高电平，则t7、t8管(它们是一列公用的，不属于某一个存储单元)也是导通的，于是d0及 (这是存储单元内部的位线)就与输入/输出电路的i/o线及 线相通。
写入操作：写入信号自i/o线及 线输入，如要写入“1”，则i/o线为高电平而 线为低电平，它们通过t7、t8管和t5、t6管分别与a端和b端相连，使a=“1”，b=“0”，即强迫t2管导通，tl管截止，相当于把输入电荷存储于tl和t2管的栅级。当输入信号及地址选择信号消失之后，t5、t6、t7、t8都截止。由于存储单元有电源及负载管，可以不断地向栅极补充电荷，依靠两个反相器的交叉控制，只要不掉电，就能保持写入的信息“1”，而不用再生(刷新)。若要写入“0”，则 线为低电乎而i/o线为高电平，使tl管导通，t 2管截止即a=“0”，b=“1”。
读操作：只要某一单元被选中，相应的t5、t6、t7、t8均导通，a点与b点分别通过t5、t6管与d0及 相通，d0及 又进一步通过t7、t8管与i/o及 线相通，即将单元的状态传送到i/o及 线上。
由此可见，这种存储电路的读出过程是非破坏性的，即信息在读出之后，原存储电路的状态不变。
⑶ 存储器的电路原理是什么
存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节（按字节编址）。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，则可表示2的20次方，即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1MB。
⑷ 简述SRAM,DRAM型存储器的工作原理
您可能经常听别人说，某台电脑的内存不够了，硬盘太小了之类的话。这里的"不够"、"太小"都指的是它们的容量，而不是他们的数量或几何形状的大小。内存和硬盘都是计算机用来存储数据的，它们的单位就是我们刚刚谈过的"Bytes"。 那么，为什么一个叫内存，一个叫硬盘呢？我们知道，计算机处理的数据量是极为庞大的，就好比一个人在堆满了谷物的仓库里打谷子，那怎么施展得开，工作效率又怎会高呢？于是，人们把谷子堆在仓库中，自己拿了一部分谷子到场院中去打，打完了再送回去。这下子，可没什么碍事的东西了，打谷子的速度快多了，内效率提高了。计算机也是这样解决了同类的问题。它把大量有待处理和暂时不用的数据都存放在硬盘中，只是把需要立即处理的数据调到内存中，处理完毕立即送回硬盘，再调出下一部分数据。硬盘就是计算机的大仓库，内存就是它干活的场院。 内存简称RAM，是英文Random Accessmemory的缩写。在个人计算机中，内存分为静态内存（SRAM）和动态内存（DRAM）两种，静态内存的读写速度比动态内存要快。目前市面上的内存条以"MB"为单位，比如32MB的和64MB的内存条。硬盘容量要比内存大得多，现在以"GB"为单位已属常见。当然了，内存和硬盘容量都是越大越好。可是容量越大，价钱就越高。重要的是，我们要选购够用而又不造成浪费的内存条和硬盘。
⑸ 什么叫做静态存储器它依靠什么存储信息
静态存储器是在计算机的运行过程中不需要刷新的半导体存储器，一旦通电，就长期保存信息。它是依靠触发器的两个稳定状态来存储信息的。
http://www.sgrtvu.net.cn/jx_data/lg_data/czs/hbyy/xt1.htm
这里有基本答案````
把XT1改成XTX就可以看到相关的答案
⑹ sram的存储原理
静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
⑺ 存储器的原理\
动态读写存贮器（DRAM），以其速度快、集成度高、功耗小、价格低在微型计算机中得到极其广泛地使用。但动态存储器同静态存储器有不同的工作原理。它是靠内部寄生电容充放电来记忆信息，电容充有电荷为逻辑1，不充电为逻辑0。欲深入了解动态RAM的基本原理请点击。 动态存储器有多种系列，如61系列、37系列、41系列、21系列等。图示为2164芯片的引脚图。将鼠标指向相应引脚可看到其对引脚功能。它是一个64K 1bit的DRAM芯片，将8片并接起来，可以构成64KB的动态存储器。
每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。
当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU 首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS 锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。
当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。
由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制 器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。
只读存贮器（ROM）有多种类型。由于EPROM和EEPROM存贮容量大，可多次擦除后重新对它进行编程而写入新的内容，使用十分方便。尤其是厂家为用户提供了单独地擦除器、编程器或插在各种微型机上的编程卡，大大方便了用户。因此，这种类型的只读存贮器得到了极其广泛的应用。7. RAM的工作时序
为保证存储器准确无误地工作，加到存储器上的地址、数据和控制信号必须遵守几个时间边界条件。
图7.1—3示出了RAM读出过程的定时关系。读出操作过程如下：
欲读出单元的地址加到存储器的地址输入端；
加入有效的选片信号CS；
在 线上加高电平，经过一段延时后，所选择单元的内容出现在I/O端；
让选片信号CS无效，I/O端呈高阻态，本次读出过程结束。
由于地址缓冲器、译码器及输入/输出电路存在延时，在地址信号加到存储器上之后，必须等待一段时间tAA，数据才能稳定地传输到数据输出端，这段时间称为地址存取时间。如果在RAM的地址输入端已经有稳定地址的条件下，加入选片信号，从选片信号有效到数据稳定输出，这段时间间隔记为tACS。显然在进行存储器读操作时，只有在地址和选片信号加入，且分别等待tAA和tACS以后，被读单元的内容才能稳定地出现在数据输出端，这两个条件必须同时满足。图中tRC为读周期，他表示该芯片连续进行两次读操作必须的时间间隔。
写操作的定时波形如图7.1—4所示。写操作过程如下：
将欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端；
在选片信号CS端加上有效电平，使RAM选通；
将待写入的数据加到数据输入端；
在 线上加入低电平，进入写工作状态；
使选片信号无效，数据输入线回到高阻状态。
由于地址改变时，新地址的稳定需要经过一段时间，如果在这段时间内加入写控制信号（即 变低），就可能将数据错误地写入其他单元。为防止这种情况出现，在写控制信号有效前，地址必须稳定一段时间tAS，这段时间称为地址建立时间。同时在写信号失效后，地址信号至少还要维持一段写恢复时间tWR。为了保证速度最慢的存储器芯片的写入，写信号有效的时间不得小于写脉冲宽度tWP。此外，对于写入的数据，应在写信号tDW时间内保持稳定，且在写信号失效后继续保持tDH时间。在时序图中还给出了写周期tWC，它反应了连续进行两次写操作所需要的最小时间间隔。对大多数静态半导体存储器来说，读周期和写周期是相等的，一般为十几到几十ns。
ddr一个时钟周期内穿2次数据
ddr2一个时钟周期传4次
所以相同频率下ddr2的带宽是ddr的2倍
⑻ 半导体静态存储器SRAM的存储原理是 选择题 谢谢
半导体静态存储器(SRAM)是靠双稳态存储信息，半导体动态存储器(DRAM)是靠电容存储信息。