磁性随机存储器
㈠ 内存储器分哪几三类
1、按存储介质分类
半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。
磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。
2、按存储方式分类
随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。
顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间与存储单元的物理位置有关。
3、按存储器的读写功能分类
只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。
随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的半导体存储器。
4、按信息的可保存性分类
非永久记忆的存储器：断电后信息即消失的存储器。
永久记忆性存储器：断电后仍能保存信息的存储器。
5、按在计算机系统中的作用分类
主存储器（内存）：用于存放活动的程序和数据，其速度高、容量较小、每位价位高。
辅助存储器（外存储器）：主要用于存放当前不活跃的程序和数据，其速度慢、容量大、每位价位低。
缓冲存储器：主要在两个不同工作速度的部件起缓冲作用。
㈡ 存储器可分为哪三类
存储器不仅可以分为三类。因为按照不同的划分方法，存储器可分为不同种类。常见的分类方法如下。
一、按存储介质划分
1. 半导体存储器：用半导体器件组成的存储器。
2. 磁表面存储器：用磁性材料做成的存储器。
二、按存储方式划分
1. 随机存储器：任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。
2. 顺序存储器：只能按某种顺序来存取，存取时间和存储单元的物理位置有关。
三、按读写功能划分
1. 只读存储器(ROM)：存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。
2. 随机读写存储器(RAM)：既能读出又能写入的存储器。
二、选用各种存储器，一般遵循的选择如下：
1、内部存储器与外部存储器
一般而言，内部存储器的性价比最高但灵活性最低，因此用户必须确定对存储的需求将来是否会增长，以及是否有某种途径可以升级到代码空间更大的微控制器。基于成本考虑，用户通常选择能满足应用要求的存储器容量最小的微控制器。
2、引导存储器
在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，用户可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储器。
3、配置存储器
对于现场可编程门阵列(FPGA）或片上系统(SoC)，可以使用存储器来存储配置信息。这种存储器必须是非易失性EPROM、EEPROM或闪存。大多数情况下，FPGA采用SPI接口，但一些较老的器件仍采用FPGA串行接口。
4、程序存储器
所有带处理器的系统都采用程序存储器，但是用户必须决定这个存储器是位于处理器内部还是外部。在做出了这个决策之后，用户才能进一步确定存储器的容量和类型。
5、数据存储器
与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部EEPROM，在这种情况下，当需要存储大量数据时，用户可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。
6、易失性和非易失性存储器
存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器，前者在断电后将丢失数据，而后者在断电后仍可保持数据。用户有时将易失性存储器与后备电池一起使用，使其表现犹如非易失性器件，但这可能比简单地使用非易失性存储器更加昂贵。
7、串行存储器和并行存储器
对于较大的应用系统，微控制器通常没有足够大的内部存储器。这时必须使用外部存储器，因为外部寻址总线通常是并行的，外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。
8、EEPROM与闪存
存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器（比如EEPROM和闪存）组合了两者的特性。这些器件像RAM一样进行读写，并像ROM一样在断电时保持数据，它们都可电擦除且可编程，但各自有它们优缺点。
参考资料来源：网络——存储器
㈢ MRAM是否可以按字节读写
MRAM可以按字节读写
mram也是内存的一种！这种内存的质量很好！比一般的RAM好！下面是MRAM的一些介绍：
MRAM
MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非挥发性的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写入。
MRAM用TMR磁性体单元存储数据
趋势要点:随着材料学的不断进步, 一种新的磁阻内存(MRAM)正在吸引人们的目光。尽管还只是在实验室存在,但是这种高速内存技术已经被视为DRAM内存的接班人，将会把“等待”这个词彻底从电脑用户的词典中去掉。
DRAM的局限性
你是否很久以来都认为开机之后看着Windows进度条一次次滚过，尔后登录、打开桌面这样的过程是理所当然？
之所以每次开机时操作系统都需要重新做一遍内存初始化的操作，是因为现在普遍使用的内存都采用的是动态随机存取技术(DRAM)的内存，像SDRAM、DDR和DDR II都属于这种内存。使用了DRAM技术的内存的一个重要特点就是它们属于挥发性内存(volatile memory)，也就是说一旦断电，它里面的数据就会消失。换句话说，DRAM内存里面的数据之所以能够存在，实际上是依靠不断供电来刷新才得以保持的。
所以，操作系统在每次开机的时刻，总需要把一系列系统本身要使用的数据再次写入内存，这就是开机等待时间里操作系统完成的工作。对于DRAM内存来说，如果要免除这个过程，供内存刷新的电力是不能断的。所谓的休眠(sleep)，实际上计算机还在继续耗电，只不过是比正常运行时少一些罢了。
㈣ 飞思卡尔mc9s12x中的RAM，FLASH,EEPROM的作用分别是什么
flash用于存放程序代码，eeprom的功能差不多，就是存储机制不一样而已，速度稍快，易擦写，多用于存放掉电不丢失的数据，ram数据掉电丢失，但是速度很快，用于存放程序运行时候的变量等，希望可以帮到你哦
㈤ 内存芯片的种类有哪些
爱学习的小伙伴们，你们知道内存芯片有哪些种类吗?不知道的话跟着我一起来学习了解内存芯片有哪些种类吧。
内存芯片有哪些种类
存储器分类
简称：Cache
标准：Cache Memory
中文：高速缓存
高速缓存是随机存取内存(RAM)的一种，其存取速度要比一般RAM来得快。当中央处理器
(CPU)处理数据时，它会先到高速缓存中寻找，如果数据因先前已经读取而暂存其中，就不
需从内存中读取数据。由于CPU的运行速度通常比主存储器快，CPU若要连续存取内存的话，
必须等待数个机器周期造成浪费。所以提供“高速缓存”的目的是适应CPU的读取速度。如
Intel的Pentium处理器分别在片上集成了容量不同的指令高速缓存和数据高速缓存，通称为
L1高速缓存(Memory)。L2高速缓存则通常是一颗独立的静态随机存取内存(SRAM)芯片。
简称：DDR
标准：Double Date Rate
中文：双倍数据传输率
DDR系统时脉为100或133MHz，但是数据传输速率为系统时脉的两倍，即200或266MHz，系统
使用3.3或3.5V的电压。因为DDR SDRAM的速度增加，因此它的传输效能比同步动态随机存取
内存(SDRAM)好。
DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM
memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM
technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to
perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput
of SDRAM
简称：DIMM
标准：Dual in Line Memory Mole
中文：双直列内存条
DIMM是一个采用多块随机存储器(RAM)芯片(Chip)焊接在一片PCB板上模块，它实际上是一
种封装技术。在PCB板的一边缘上，每面有64叫指状铜接触条，两面共有168条。DIMM可以分
为3.3V和5V两种电压，这其中又有含缓冲器以及不含缓冲器两种，目前比较常见的是3.3V含
缓冲器类型，而DIMM还需要一个抹除式只读存储器(EPROM)供基本输出入系统(BIOS)储存各
种参数，让芯片组(Chipset)达到最佳状态。
简称：DRAM
标准：Dynamic Random Access Memory
中文：动态随机存储器
一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异
在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据
则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。
简称：ECC
标准：Error Checking and Correction)
在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差，也可以作双位或多位的误差核对与改
正。
简称：EDO DRAM
标准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory
中文：EDO动态随机存储器
EDO DRAM也称为Hyper Page Mode DRAM，这是一种可以增加动态随机存取内存(DRAM)读取
效能的存储器，为了提高EDO DRAM的读取效率，EDO DRAM可以保持资料输出直到下一周期
CAS#之下降边缘，而EDO DRAM的频宽由100个兆字节(MB)增加到了200MB。
简称：EEPROM
标准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：电子抹除式只读存储器
非挥发性存储器。电源撤除后，储存的信息(Data)依然存在，在特殊管脚上施加电压，同
时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的参
数。
这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个数
据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。
简称：EPROM
标准：Erasable Programmable Read-Only Memory
中文：紫外擦除只读存器
非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容，非常适合用作硬件当中的基本输出入系统
(BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。
这种存储器不支持再线修改数据。
简称：Flash
标准：Memory
中文：闪烁存储器
非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再
线修改数据，写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。
Flash应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。
简称：FeRAM
标准：Ferroelectric random access memory
中文：铁电存储器
ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile
memory that combines high-performance and low-power operation with the ability
to retain data without power.
FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and
eliminates the need for a battery
简称：MRAM
标准：Magnetoresistive Random Access Memory
中文：磁性随机存储器
磁性随机存储器是正在开发阶段的，基于半导体(1T)和磁通道(magnetic tunnel
junction-MTJ)技术的固态存储介质，属于非挥发性芯片。主要开发厂商有IBM、Infineon
(英飞凌)、Cypress和Motorola(摩托罗拉)。其擦写次数高于现有的Flash存储器，可达
1015，读写时间可达70nS，
简称：RAM
标准：Random Access Memory
中文：随机存储器
随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指
令和资料暂时存在这里。RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键盘
(Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅
助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打
印机、显示器。 RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的
速度越快。
简称：RDRAM
标准：Rambus DRAM
中文：Rambus动态随机存储器
这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的传送速率，作业时不会
间断，比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，当然价格比要DRAM贵。虽然
RDRA无法完全取代现有内存，不过因为总线 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM与静态随机
存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) ，制造商展示的RDRAM则可达
600MHz，内存也只有8或9位 (bit ) 长，若将RDRAM并排使用，可以大幅增加频宽
(Bandwidth) ，将内存增为32或64位。
简称：ROM
标准：Read Only Memory
中文：只读存储器
只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读
取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。 ROM被储存在一
个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多
用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提
供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确
认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer
circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。
简称：SDRAM
标准：Synchronous Dynamic RAM
中文：同步动态随机存储器
SDRAM的运作时脉和微处理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 动态记忆模块
(EDO DRAM ) 的速度还快，采用3.3V电压(EDO DRAM为5V)，168个接脚，还可以配合中央处
理器 (CPU ) 的外频 (External Clock) ，而有66与100MHz不同的规格，100MHz的规格就是
大家所熟知的PC100内存 (Memory ) 。
简称：SIMM
标准：Single In-Line Memory Mole
中文：单直列内存模块
内存(Memory )模块的概念一直到80386时候才被应用在主机板(Mother Board)上，当时的
接脚主要为30个，可以提供8条资料 (Data) 存取线 (Access Line)，一次资料存取
(Access)为32个字节，所以分为四条一组，因此80386以四条为一个单位。而今一条SIMM为
72Pins，不过只能提供32字节的工作量，但是外部的数据总线(Data Bus)为64字节(bite)，
因此一个主机板上必须有两条SIMM才足以执行庞大的资料(Data)处理工作。
简称：SRAM
标准：Static Random Access Memory
中文：静态随机存储器
SRAM制造方法与动态随机存取内存(DRAM )不同，每个位使用6个晶体管(transistor)组
成，不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失，其存取时间较短控制电路简单，但制造
成本较高，单片难以做到DRAM那样容量。
简称：VCM SDRAM
标准：Virtual Channel Memory SDRAM
中文：虚拟信道存储器
1999年由于SDRAM在市场上大为缺货，而由日本NEC恩益禧搭配一些主机板厂商及芯片组
(Chipset)业者，大力推广所谓的VCM模块技术，而为消费者广为接受，日本NEC更希望一举
将VCM的规格推向工业级标准。VCM内存规格是以SDRAM为基础观念所开发出的新产品，并加
强原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM须等待中央处理器(CPU)处理完资料或VGA卡处理完资料
后，才能完整地送至SDRAM做进一步的处理，然而VCM的内部区分为16条虚拟信道Virtual
Channel)，每一个信道都负责一个单独的memory master，因此可以减少内存(Memory)接口
的负担，进而增加计算机使用者使用效率。 目前为全球第四大内存模块厂商的宇瞻科技与
日本NEC技术合作，在台湾推出以PC133 (PC133) VCM内存模块为设计的笔记型计算机，由于
VCM技术可以减少内存接口的负担，以及本身低耗电的特性，相当适合笔记型计算机的运
㈥ 硬盘联通驱动器是一种什么存储器
硬盘联通驱动器是一种存储容量存储器。
数据传输是这样的 硬盘-》硬盘缓存-》内存-》cpu缓存-》cpucpu-》cpu缓存-》内存-》硬盘缓存-》硬盘cache 是高速缓存而目前高速缓存 CPU（1级2级缓存）硬盘（12M缓存）自身都有缓存。
内存储器访问速度快，但是价格较责，存储容量比外存储器小。外存储器单位存储容量的价格便宜，存储容量大，但是存取速度较慢。硬盘连同驱动器是磁性随机存储器，由于它的价格便宜，存储容量大，存取速度较慢，所以通常作为外存储器使用。
容量：
作为计算机系统的数据存储器，容量是硬盘最主要的参数。
硬盘的容量以兆字节（MB）或千兆字节（GB）为单位，1GB=1024MB，1TB=1024GB。但硬盘厂商在标称硬盘容量时通常取1G=1000MB，因此我们在BIOS中或在格式化硬盘时看到的容量会比厂家的标称值要小。
硬盘的容量指标还包括硬盘的单碟容量。所谓单碟容量是指硬盘单片盘片的容量，单碟容量越大，单位成本越低，平均访问时间也越短。对于用户而言，硬盘的容量就像内存一样，永远只会嫌少不会嫌多。
Windows操作系统带给我们的除了更为简便的操作外，还带来了文件大小与数量的日益膨胀，一些应用程序动辄就要吃掉上百兆的硬盘空间，而且还有不断增大的趋势。
㈦ 随机存储器是什么
RAM（随机存取存储器）RAM -random access memory 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
㈧ 常见的非易失性存储器有哪几种
常见的非易失性存储器有以下几种：
一、可编程只读内存：PROM（Programmable read-only memory）
其内部有行列式的镕丝，可依用户（厂商）的需要，利用电流将其烧断，以写入所需的数据及程序，镕丝一经烧断便无法再恢复，亦即数据无法再更改。
二、电可擦可编程只读内存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）
电子抹除式可复写只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。
三、可擦可编程只读内存：EPROM（Erasable programmable read only memory）
可利用高电压将数据编程写入，但抹除时需将线路曝光于紫外线下一段时间，数据始可被清空，再供重复使用。因此，在封装外壳上会预留一个石英玻璃所制的透明窗以便进行紫外线曝光。
四、电可改写只读内存：EAROM（Electrically alterable read only memory）
内部所用的芯片与写入原理同EPROM，但是为了节省成本，封装上不设置透明窗，因此编程写入之后就不能再抹除改写。
五、闪存：Flash memory
是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EEPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。