内存式存储

Ⅰ DV摄像机的存储介质是什么意思什么是内存式和闪存式

存储介质，就是用来存放拍摄或者录制的图片或者视频，音频文件的存放硬件。内存是指机器里面自带的部分。闪存的，是可以安装取出的SD卡，或者索尼的记忆棒。其它的有用内置硬盘的，或者用刻录光盘的。最后的一种不建议选择。对于摄像的，存储介质的读写速度，越快越好，太慢了的。会导致丢帧现象。影响拍摄的效果。

Ⅱ 按存储内容内存分为哪几种

经常见到的内存按出现的先后为：EDO,SD,DDR,DDR2,DDR3。

而实际上内存种类很多。

根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：

01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）：

这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。

02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）

静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。

03.VRAM（Video RAM，视频内存）

它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。

04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）

改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM DRAM被大量使用。

05.EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）

这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRAM开始执行。。

06.BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）

这是改良型的EDO DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO DRAM快。但支持BEDO DRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIA APOLLO VP2），因此很快就被DRAM取代了。

07.MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器）

MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库 (BANK)，也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。

08.WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器）

韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式,因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。

09.RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器）

Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。

10.SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器）

这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3.3V。 所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。

11.SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器）

SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。

12.SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）

一般的SRAM是异步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB SRAM产生的原因。

13.PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）

CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。

14.DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器）

作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。

15.SLDRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器）

这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，投入实用的难度不小。
16.CDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器）

这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。

17.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)

DDRII 是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。

18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)

是下一代的主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。

Ⅲ 请问MP3的存储介质闪存式和内存式有什么区别，哪个好呀

MP3只分硬盘式和闪存的
个人推荐大容量的闪存型，硬盘型工作寿命在哪里摆着，硬盘型工作原理是转动后将数据读取到它的缓存里(大概5M左右)要是你光听一首歌，硬盘不会转，要是你一首首换着听，硬盘会转动，从而损耗盘面，要是在颠簸的路上，有可能出问题。。
个人推荐闪存型
不过硬盘型也没社么脆弱，不过是相对于闪存型而言的

Ⅳ 什么是内存的存储方式

我在回答你的上一个问题中有提到，内存的类型主要有3种
SDRAM
DDR（包括DDR2）
和RDRAM，这三中类型本身就代表着他的存储方式不同，具体不同请参照我回答你的上一个问题中对每一中存储类型的解释。

Ⅳ 什么是内存的存储方式

我在回答你的上一个问题中有提到，内存的类型主要有3种 SDRAM DDR（包括DDR2） 和RDRAM，这三中类型本身就代表着他的存储方式不同，具体不同请参照我回答你的上一个问题中对每一中存储类型的解释。

Ⅵ 内存卡储存的原理

1、FLASH 芯片 是应用非常广泛的存储材料，与之容易混淆的是 RAM芯片 ，我们经常在有关IT的文章里面谈到这两种芯片。由于它们的工作条件与方式不一样，决定它们性能和用途也有差异。 这里简单介绍一下它们的工作原理。首先介绍一下计算机的信息是怎样储存的。计算机用的是二进制，也就是0与1。在二进制中，0与1可以组成任何数。而电脑的器件都有两种状态，可以表示0与1。比如三极管的断电与通电，磁性物质的已被磁化与未被磁化，物质平面的凹与凸，都可以表示0与1。 硬盘( FLASH芯片）—— 硬盘就是采用磁性物质记录信息的，磁盘上的磁性物质被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因为磁性在断电后不会丧失，所以磁盘断电后依然能保存数据。而内存的储存形式则不同，内存不是用磁性物质，而是用RAM芯片。现在请你在一张纸上画一个“田”，就是画一个正方形再平均分成四份，这个“田”字就是一个内存，这样，“田”里面的四个空格就是内存的储存空间了，这个储存空间极小极小，只能储存电子 内存（RAM芯片） ——内存通电后，如果我要把“1010”这个信息保存在内存（现在画的“田”字）中，那么电子就会进入内存的储存空间里。“田”字的第一个空格你画一点东西表示电子，第二个空格不用画东西，第三个空格又画东西表示电子，第四个格不画东西。这样，“田”的第一格有电子，表示1，第二格没有，表示0，第三格有电子，表示1，第四格没有，表示0，内存就是这样把“1010”这个数据保存好了。电子是运动没有规律的物质，必须有一个电源才能规则地运动，内存通电时它很安守地在内存的储存空间里，一旦内存断电，电子失去了电源，就会露出它乱杂无章的本分，逃离出内存的空间去，所以，内存断电就不能保存数据了。 再看看U盘、MP3，它们的储存芯片是Flash芯片，它与RAM芯片的工作原理相似但不同。现在你在纸上再画一个“田”字，这次要在四个空格中各画一个顶格的圆圈，这个圆圈不是表示电子，而是表示一种物质。好，Flash芯片工作通电了，这次也是保存“1010”这个数据。电子进入了“田”的第一个空格，也就是芯片的储存空间。电子把里面的物质改变了性质，为了表示这个物质改变了性质，你可以把“田”内的第一个圆圈涂上颜色。由于数据“1010”的第二位数是0，所以Flash芯片的第二个空间没有电子，自然里面那个物质就不会改变了。第三位数是1，所以“田”的第三个空格通电，第四个不通电。现在你画的“田”字，第一个空格的物质涂上了颜色，表示这个物质改变了性质，表示1，第二个没有涂颜色，表示0，以此类推。当Flash芯片断电后，物质的性质不会改变了，除非你通电擦除。当Flash芯片通电查看储存的信息时，电子就会进入储存空间再反馈信息，电脑就知道芯片里面的物质有没有改变。就是这样，RAM芯片断电后数据会丢失，Flash芯片断电后数据不会丢失，还有一点RAM的读取数据速度远远快于Flash芯片，所以运行游戏、程序速度快慢看的是RAM，也就是动态内存，而FLASH的大小并不影响运行速度。
3、FLASH 芯片 是应用非常广泛的存储材料，与之容易混淆的是 RAM芯片 ，我们经常在有关IT的文章里面谈到这两种芯片。由于它们的工作条件与方式不一样，决定它们性能和用途也有差异。 这里简单介绍一下它们的工作原理。首先介绍一下计算机的信息是怎样储存的。计算机用的是二进制，也就是0与1。在二进制中，0与1可以组成任何数。而电脑的器件都有两种状态，可以表示0与1。比如三极管的断电与通电，磁性物质的已被磁化与未被磁化，物质平面的凹与凸，都可以表示0与1。 硬盘( FLASH芯片）—— 硬盘就是采用磁性物质记录信息的，磁盘上的磁性物质被磁化了就表示1，未被磁化就表示0，因为磁性在断电后不会丧失，所以磁盘断电后依然能保存数据。而内存的储存形式则不同，内存不是用磁性物质，而是用RAM芯片。现在请你在一张纸上画一个“田”，就是画一个正方形再平均分成四份，这个“田”字就是一个内存，这样，“田”里面的四个空格就是内存的储存空间了，这个储存空间极小极小，只能储存电子 内存（RAM芯片） ——内存通电后，如果我要把“1010”这个信息保存在内存（现在画的“田”字）中，那么电子就会进入内存的储存空间里。“田”字的第一个空格你画一点东西表示电子，第二个空格不用画东西，第三个空格又画东西表示电子，第四个格不画东西。这样，“田”的第一格有电子，表示1，第二格没有，表示0，第三格有电子，表示1，第四格没有，表示0，内存就是这样把“1010”这个数据保存好了。电子是运动没有规律的物质，必须有一个电源才能规则地运动，内存通电时它很安守地在内存的储存空间里，一旦内存断电，电子失去了电源，就会露出它乱杂无章的本分，逃离出内存的空间去，所以，内存断电就不能保存数据了。再看看U盘、MP3，它们的储存芯片是Flash芯片，它与RAM芯片的工作原理相似但不同。现在你在纸上再画一个“田”字，这次要在四个空格中各画一个顶格的圆圈，这个圆圈不是表示电子，而是表示一种物质。好，Flash芯片工作通电了，这次也是保存“1010”这个数据。电子进入了“田”的第一个空格，也就是芯片的储存空间。电子把里面的物质改变了性质，为了表示这个物质改变了性质，你可以把“田”内的第一个圆圈涂上颜色。由于数据“1010”的第二位数是0，所以Flash芯片的第二个空间没有电子，自然里面那个物质就不会改变了。第三位数是1，所以“田”的第三个空格通电，第四个不通电。现在你画的“田”字，第一个空格的物质涂上了颜色，表示这个物质改变了性质，表示1，第二个没有涂颜色，表示0，以此类推。当Flash芯片断电后，物质的性质不会改变了，除非你通电擦除。当Flash芯片通电查看储存的信息时，电子就会进入储存空间再反馈信息，电脑就知道芯片里面的物质有没有改变。就是这样，RAM芯片断电后数据会丢失，Flash芯片断电后数据不会丢失，还有一点RAM的读取数据速度远远快于Flash芯片，所以运行游戏、程序速度快慢看的是RAM，也就是动态内存，而FLASH的大小并不影响运行速度。

Ⅶ 内存存储数据，是怎么存储的存储的是什么样的数据是101001010010之类的吗

1、内存条是一个非常精密的部件，包含了上亿个电子元器件，它们很小，达到了纳米级别。这些元器件，实际上就是电路；电路的电压会变化，要么是 0V，要么是 5V，只有这两种电压。5V 是通电，用1来表示，0V 是断电，用0来表示。所以，一个元器件有2种状态，0 或者 1。

2、我们通过电路来控制这些元器件的通断电，会得到很多0、1的组合。例如，8个元器件有 28=256 种不同的组合，16个元器件有 216=65536 种不同的组合。虽然一个元器件只能表示2个数值，但是多个结合起来就可以表示很多数值了。

3、我们可以给每一种组合赋予特定的含义，例如，可以分别用 1101000、00011100、11111111、00000000、01010101、10101010 来表示 我、是、一、个、 好、人这几个字，那么结合起来 1101000 00011100 11111111 00000000 01010101 10101010 就表示“我是一个好人”

4、一般情况下我们不一个一个的使用元器件，而是将8个元器件看做一个单位，即使表示很小的数，例如 1，也需要8个，也就是 00000001。1个元器件称为1比特（Bit）或1位，8个元器件称为1字节（Byte），那么16个元器件就是2Byte，32个就是4Byte，以此类推：

8×1024个元器件就是1024Byte，简写为1KB；

8×1024×1024个元器件就是1024KB，简写为1MB；

8×1024×1024×1024个元器件就是1024MB，简写为1GB。

5、介绍一下单位换算：

1Byte = 8 Bit

1KB = 1024Byte = 210Byte

1MB = 1024KB = 220Byte

1GB = 1024MB = 230Byte

1TB = 1024GB = 240Byte

1PB = 1024TB = 250Byte

1EB = 1024PB = 260Byte

6、我们平时使用计算机时，通常只会设计到 KB、MB、GB、TB 这几个单位，PB 和 EB 这两个高级单位一般在大数据处理过程中才会用到。

7、在内存中没有abc这样的字符，也没有gif、jpg这样的图片，只有0和1两个数字，计算机也只认识0和1。所以，计算机使用二进制，而不是我们熟悉的十进制，写入内存中的数据，都会被转换成0和1的组合。

Ⅷ 内存存储和硬盘存储有啥区别呢

硬盘与内存的区别是很大的，这里只谈最主要的三点：一、内存是计算机的工作场所，硬盘用来存放暂时不用的信息。二、内存是半导体材料制作，硬盘是磁性材料制作。三、内存中的信息会随掉电而丢失，硬盘中的信息可以长久保存。

内存与硬盘的联系也非常密切：这里只提一点：硬盘上的信息永远是暂时不用的，要用吗？请装入内存！CPU与硬盘不发生直接的数据交换，CPU只是通过控制信号指挥硬盘工作，硬盘上的信息只有在装入内存后才能被处理。

计算机的启动过程就是一个从硬盘上把最常用信息装入内存的过程。