存储器读写实验心得

‘壹’ 只读存储器和随机存储器有什么区别

只读存储器和随机存储器区别：作用不同、特点不同

1、作用不同

只读存储器的主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入／输出的驱动程序及引导操作系统。

随机存储器是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统运改或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。

2、特点不同

RAM 是随机存取存储器，它的特点是易挥发性，即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器（一次写入，反复读取），它的特点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写三种类型。

举个例子来说手亏也就是，如果突然停电或者没有保存就关闭了文件，那么ROM可以随机保存之前没有储存的文件但是RAM会使之前没有保存的文件消失。

(1)存储器读写实验心得扩展阅读：

随机存储器的分类：

1、静态随机存储器（SRAM）

静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门毕悄神控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。

2、动态随机存储器（DRAM）

动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。

只读存储器的种类：

1、ROM

只读内存（Read－Only Memory）是一种只能读取资料的内存。在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。

2、可编程只读存储器

可编程只读存储器（英文：Programmable ROM，简称：PROM）一般可编程一次。PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1，或皆为0。用户使用时，再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。

‘贰’ 铁电存储器的读写操作

FRAM保存数据不是通过电容上的电荷，而是由存储单元电容中铁电晶体的中心原子位置进行记录。直接对中心原子的位置进行检测是不能实现的，实际的读操作过程是：在存储单元电容上施加一已知电场（即对电容充电），如果原来晶体的中心原子的位置与所施加的电场方向使中心原子要达到的位置相同，则中心原子不会移动；若相反，则中心原子将越过晶体中间层的高能阶到达另一位置，则在充电波形上就会出现一个尖峰，即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个尖峰，把这个充电波形同参考位（确定且已知）的充电波形进行比较，便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。
无论是2T2C还是1T1C的FRAM，对存储单元进行读操作时，数据位状态可能改变而参考位则不会改变（这是因为读操作施加的电场方向与原参考位中原子的位置相同）。由于读操作可能导致存储单元状态的改变，需要电路自动恢复其内容，所以每个读操作后面还伴随一个"预充"（precharge）过程来对数据位恢复，而参考位则不用恢复。晶体原子状态的切换时间小于1ns，读操作的时间小于70ns，加上"预充"时间60ns，一个完整的读操作时间约为130ns。
写操作和读操作十分类似，只要施加所要方向的电场改变铁电晶体的状态就可以了，而无需进行恢复。但是写操作仍要保留一个"预充"时间，所以总的时间与读操作相同。FRAM的写操作与其它非易失性存储器的写操作相比，速度要快得多，而且功耗小。

‘叁’ 计算机的主存储器是指

计算机主存储器是ROM（只读内存）和RAM（随机存取存储器）。

主存储器一般采用半导体存储器，与辅助存储器相比有容量小、读写速度快、价格高等特点。计算机中的主存储器主要由存储体、控衡薯制线路、地址寄存器、数据寄存器和地址译码电路五部分组成。

从70年代起，主存储器已逐步采用大规模集成电路构成。用得最普遍的也是最经济的动态随机存储器芯片（DRAM）。

(3)存储器读写实验心得扩展阅读：

1995年集成度为64Mb（可存储400万个汉字）的DRAM芯片已经开始商业性生产，16MbDRAM芯片已成为市场主流产品。DRAM芯片的存取速度适中，一般为50~70ns。有一些改进型的DRAM，如EDO DRAM（即扩充数据输出的DRAM），其性能可较普通DRAM提高10%以上。

又如SDRAM（即同步DRAM），其性能又可较EDO DRAM提高10%左右。1998年SDRAM的后继产品为SDRAMⅡ（或称DDR，即双倍数据速率）的品种已上市。在追求速度和可靠性的场合，通常采用价格较贵的静态随机存储器芯片（SRAM），其存取速度可以达到了1~15ns。

无论主存采用DRAM还是SRAM芯片构成，在断电时存储的信息都会“丢失”，因此计算机设计者应考虑发生这种情况时，设法维持若干毫秒的供电以保存主存中的重要信息，以便供电恢复时计算机能恢复正常运行。

鉴知枝于上述情况，在某些应用中主存中存储重要而相对固定的程序和数据的部分采用“非易失性”存储器芯片（如EPROM，快闪存储芯片等）构成；对于完全固定的程序，数据搭拦敏区域甚至采用只读存储器（ROM）芯片构成；主存的这些部分就不怕暂时供电中断，还可以防止病毒侵入。

‘肆’ 存储器读写是什么意思

问题一：读写是什么意思 读写。如果是指电脑类。通常是指对存储器的的数据的读出（把存储器的数据读出来）与写入（把要存储的数据写入存储器）。

问题二：存储器的读写过程是什么样的？ 首页 采购专区 供应专区 技术资料 环保电子 商情资讯 我的B2BIC
5.1 存储器系统基本知识

作者： 时间： 2008-04-10 来源：
5.1.1存储器的分类
按照存储介质不同，可以将存储器分为半导体存储器、磁存储器、激光存储器。
这里我们只讨论构成内存的半导体存储器。
按照存储器的存取功能不同，半导体存储器可分为只读存储器（Read Only Memory简称ROM）和随机存储器（Random Access Memory简称RAM）
1.只读存储器（ROM）
ROM的特点是把信息写入存储器以后，能长期保存，不会因电源断电而丢失信息。计算机在运行过程中，只能读出只读存储器中的信息，不能再写入信息。一般地，只读存储器用来存放固定的程序和数据，如微机的监控程序、汇编程序、用户程序、数据表格等。根据编程方式的不同，ROM共分为以下5种：
(1)掩模工艺ROM
这种ROM是芯片制造厂根据ROM要存贮的信息，设计固定的半导体掩模版进行生产的。一旦制出成品之后，其存贮的信息即可读出使用，但不能改变。这种ROM常用于批量生产，生产成本比较低。微型机中一些固定不变的程序或数据常采用这种ROM存贮。
(2)可一次性编程ROM（PROM）
为了使用户能够根据自己的需要来写ROM，厂家生产了一种PROM。允许用户对其进行一次编程──写入数据或程序。一旦编程之后，信息就永久性地固定下来。用户可以读出和使用，但再也无法改变其内容。
(3)紫外线擦除可改写ROM（EPROM）
可改写ROM芯片的内容也由用户写入，但允许反复擦除重新写入。EPROM是用电信号编程而用紫外线擦除的只读存储器芯片。在芯片外壳上方的中央有一个圆形窗口，通过这个窗口照射紫外线就可以擦除原有的信息。由于阳光中有紫外线的成分，所以程序写好后要用不透明的标签封窗口，以避免因阳光照射而破坏程序。EPROM的典型芯片是Intel公司的27系列产品，按存储容量不同有多种型号，例如2716（2KB′8）、2732（4KB′8）、2764（8KB′8）、27128（16KB′8）、27256（32KB′8）等，型号名称后的数字表示其存储容量。
(4)电擦除可改写ROM（EEPROM或E2PROM）
这是一种用电信号编程也用电信号擦除的ROM芯片，它可以通过读写操作进行逐个存储单元读出和写入，且读写操作与RAM存储器几乎没有什么差别，所不同的只是写入速度慢一些。但断电后却能保存信息。典型E2PROM芯片有28C16、28C17、2817A等。
(5)快擦写ROM（flash ROM）
E2PROM虽然具有既可读又可写的特点，但写入的速度较慢，使用起来不太方便。而flash ROM是在EPROM和E2PROM的基础上发展起来的一种只读存储器，读写速度都很快，存取时间可达70ns，存储容量可达16MB~128MB。这种芯片可改写次数可从1万次到100万次。典型flash ROM芯片有28F256、28F516、AT89等。
2.随机存储器RAM（也叫读写存储器）
读写存储器RAM按其制造工艺又可以分为双极型RAM和金属氧化物RAM。
(1) 双极型RAM
双极型RAM的主要特点是存取时间短，通常为几到几十纳秒（ns）。与下面提到的MOS型RAM相比，其集成度低、功耗大，而且价格也较高。因此，双极型RAM主要用于要求存取时间短的微型计算机中。
(2) 金属氧化物（MOS）RAM
用MO......>>

问题三：存储器的读写 20分 RAM、硬盘、光盘、储蓄器

问题四：按内容访问的存储器是什么 相联存储器是一种按内容访问的存储器，每个存储单元有匹配电梗，可用于cache中查找数据，整个存储器阵列同时进行数据的匹配操作。

问题五：4. 存储器的读写操作是怎样的 1.存储器通过加法处理器对CS:IP进行处理,得到一个物理地址;
2.通过地址绩线在内存中找到物理地址,在物理地址内存中找到对应的机器码即汇编指令
3.机器码通过数据总线到达指令缓冲器
4.执行机器码
至于是读还是写就要看汇编指令是怎么的了

问题六：读写平台是什么意思 现代的内存储器多半是半导体存储器，采用大规模集成电路或超大规模集成电路器件。内存储器按其工作方式的不同，可以分为随机存取存储器（简称随机存储器或RAM）和只读存储器（简称ROM）

问题七：手机储存和内置储存是什么意思 5分 手机存储，就是指手机的“内置存储”与“外置存储”。外置就是我们用户加上去的所谓扩展的D卡，4G，8G,等。总之除SD卡，就是手机的内置存储，一般手机只有几百兆，好的手机可能大些，这生产厂家在工厂做了的，我们不能改变的。

问题八：存储读取数据的缓冲区是什么意思 缓冲区: 读取的数据暂时存放的位置,便于后续处理
起始偏移量: 从什么位置开始存储, 如果缓冲区的数据位null, 起始偏移量为0;如果缓冲区已经有数据并且要把心的数据追加到原数据之后, 那么就要找到第一个为null的数据, byte的初始值是0
阻塞: 在这个方法操作缓冲区时, 不能被其他的异步线程调用
希望能帮助你

问题九：几种存储器读写速度关系 存储器大体分为两种：只读存储器ROM和随机存储器RAM。ROM用得比较多的是NANDFLASH和NOR FLASH，写入速度NAND比NOR快，读取速度NOR比NAND快。随机存储器分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM），速度是SR畅M>DDR3>DDR2>DDR>SDRAM.

问题十：cpu对存储器的读写操作是按什么进行的?是地址吗? 记得微机原理这本书有详细的解释的，应该是根据逻辑地址and物理地址去读写数据的