合肥长鑫的存储芯片技术

A. 合肥长鑫10nm内存工艺的具体技术水平如何

合肥长鑫存储取得显着突破：在中国闪存技术峰会上，合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士强调，已将奇梦达原有的46nm内存工艺技术提升到了10nm级别，这一成就令人瞩目。演讲中，平尔萱博士深入探讨了内存技术的发展、应用以及技术挑战，明确指出了长鑫在内存技术上的自主研发路径。

长鑫的技术根基源于已破产的奇梦达，朱一明董事长在GSA+Memory存储峰会上透露，通过收购奇梦达的技术文件和数据，长鑫投入巨资进行自主研发，目标是实现自主产权的内存芯片。尽管奇梦达的技术停留在46nm阶段，但长鑫借助先进技术将其提升到了新的高度。

然而，平尔萱博士所提到的10nm级别并未给出确切的工艺参数。通常，20nm以下的工艺都可归类为10nm级，但三星在1Xnm后才正式使用10nm标签。据报道，长鑫计划年底量产19nm工艺的DDR4内存芯片，这是否就是平尔萱博士口中的10nm级内存，尚待进一步确认。

不论工艺如何，国内公司能在年底实现10nm级内存的量产，标志着显着的进步，缩小了与国际先进水平的2-3年差距，这在内存芯片领域无疑是一大飞跃。

B. 长江浩荡，于是滥觞--国产存储初体验

微电子专业毕业的工程师，对国产半导体产业的发展保持关注。长久以来，存储芯片市场由韩日美企业垄断，中国国内企业难以涉足。然而，国产存储芯片在ddr4和3d nand flash市场相继取得突破，合肥长鑫和武汉长江存储分别在ddr4和3d nand flash市场出货，产品已上市，作者购入相关产品进行体验。

期待收快递的激动心情，如同大学时买新手机一般。长鑫的ddr4 2666内存条，由光威旗下的弈pro系列提供，属于低端产品，品牌口碑一般。长鑫颗粒内存不易购买，价格相对较高，且单颗容量较小，颗粒封装尺寸大，对pcb设计要求高。颗粒使用的是19nm成熟制程，密度和发热有劣势，但成绩可喜。

长江存储的PC005 Active SSD采用致钛品牌，搭载64层3D NAND颗粒，容量512GB，定价合理，与市场同类产品相当。Xtacking技术提高了容量密度，且PCB设计良好，主控来自慧荣，缓存来自南亚，整体完成度高。

装机测试显示，内存兼容性良好，任务管理器中正确识别两条内存，但以较低频率运行。ssd测试成绩符合预期，温度控制优秀，主控和闪存温度稳定。对于缓存大小、读写速度、回收策略等，更多与主控固件相关，已有评测进行详细测试。

国产存储芯片在消费级市场初试牛刀，合肥长鑫在没有dram技术基础的情况下，通过购买技术资料完成预研，几年时间完成ddr4验证和量产。长江存储研发进度神速，已推出128层3D TLC/QLC NAND，容量密度接近三星，消费市场已顺利出货，性能竞争力强。

对于国产存储品牌的误解主要集中在对国产与非国产的区别和定价策略上。国产内存和SSD存在品牌与原厂的区别，前者可能只是贴牌或封测，后者为高新技术产业国产替代。定价策略上，国产品牌根据市场定位和产品性能，合理定价，部分人愿意为纯国产付出溢价。致钛等原厂品牌在定价上具有竞争力，与国际一线原厂正面竞争。

国产存储芯片的崛起标志着产业的突破，未来发展前景可期。尽管面临挑战，但历史证明，只有坚持不懈的努力，才能取得最终的胜利。面对误解，需要通过深入理解国产存储产业链与市场策略，消除偏见，支持国产存储产业的健康发展。