存储器一般由多个存储芯片组成

A. CPU与存储器连接时的一般原则有哪些

存储器与CPU或系统总线的连接是一个复杂的过程，需要考虑多个方面的问题。首先，要确保CPU总线的负载能力，通常通过使用三态锁存器或驱动器来实现。其次，CPU与存储器的速度配合也是一个关键点，这需要根据CPU的时序特性来选择合适的存储芯片。例如，存储芯片的读取时间必须小于CPU从发出地址到数据稳定的时间间隔。如果无法满足要求，则需要设计READY信号产生电路。

此外，存储器的地址空间分配也需要合理规划。通常，内存分为RAM和ROM两部分，而RAM又分为操作系统占用区和用户区。因此，在连接存储器时需要确定每个芯片所占用的地址空间。在实际应用中，由于单片存储器的容量有限，通常需要多个芯片组成一个存储器。

读／写控制信号的连接也是连接过程中的一个重要环节。一般来说，CPU的读／写控制信号应该与存储器芯片的相应输入端相连。对于一些特定的存储器芯片，可能需要将输出允许引脚与CPU的读信号相连，以确保数据输出三态门打开。

最后，数据线的连接也需要考虑存储器的读／写宽度。通常，存储器读／写的最大宽度与CPU对外数据总线的位数相同。如果存储器芯片的芯片字位数小于所需的读／写宽度，则需要进行位扩展，即将几片组合在一起，使它们的芯片字位数的总和等于存储器的读／写宽度。

综上所述，存储器与CPU的连接需要考虑多个方面的问题，包括总线驱动、速度配合、地址空间分配、控制信号连接和数据线连接等。通过合理规划和设计，可以实现高效、稳定的存储器与CPU连接。

B. 存储芯片的分类有哪些 存储芯片和逻辑芯片的区别

一、存储芯片的分类有哪些

按照存储方式的不同，存储芯片可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。其中，RAM又可分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）两种，ROM又可分为EPROM、EEPROM、Flash等多种类型。

1、静态随机存储器（SRAM）

静态随机存储器是指不需要刷新的存储芯片，其内部采用的是触发器电路，可以实现高速读写。但是由于采用的电路结构比较复杂，因此成本较高，容量较小，通常用于高速缓存等应用场景。

2、动态随机存储器（DRAM）

动态随机存储器是指需要定时刷新的存储芯片，其内部采用的是电容器电路，可以实现较大的存储容量，但读写速度较慢。由于采用的电路结构简单，因此成本较低，通常用于计算机主存等应用场景。

3、只读存储器（ROM）

只读存储器是指只能读取数据而不能写入数据的存储芯片，其内部采用的是可编程逻辑电路，可以实现永久存储数据。ROM可以分为多种类型，如EPROM、EEPROM、Flash等。其中，EPROM需要使用紫外线擦除，EEPROM可以电子擦除，Flash 可以分块擦除，因此具有更高的灵活性和可靠性。

二、存储芯片和逻辑芯片的区别

存储芯片和逻辑芯片是计算机系统中两种不同类型的芯片，它们在功能和用途上有着明显的区别。逻辑芯片主要用于执行计算和控制功能，而存储芯片主要用于存储数据和信息。

1、功能和用途不同

逻辑芯片是一种用于执行逻辑和算术运算的芯片，它包括诸如逻辑门、加法器、乘法器等功能单元。逻辑芯片能够执行各种计算任务，包括数据处理、控制指令执行等。

而存储芯片则是一种用于存储数据的芯片，它包括诸如随机存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、闪存等。存储芯片主要用于保存计算机程序和数据，以便在需要时进行读取和写入操作。

2、内部结构和工作原理不同

逻辑芯片通常由逻辑门和触发器等基本单元组成，它们通过电子信号的传输和处理来执行各种计算任务。而存储芯片则采用不同的存储单元，如存储单元、存储单元和存储单元等，它们通过电荷的存储和释放来实现数据的存储和读取。

3、应用领域和性能要求不同

逻辑芯片主要用于计算机的中央处理器（CPU）和逻辑控制单元（LCU）等部件中，它们需要具有较高的运算速度和稳定性。而存储芯片则主要用于计算机的内存和存储系统中，它们需要具有较大的存储容量和较快的数据读写速度。

三、存储芯片和逻辑芯片工艺的区别

1、逻辑芯片工艺

逻辑芯片，又称为微处理器或逻辑集成电路，是执行计算和控制功能的芯片。它们负责处理数据、执行程序指令以及控制电子设备的各种功能。逻辑芯片工艺主要关注于晶体管、逻辑门和互连线的制造。

（1）晶体管结构

逻辑芯片的基本构建块是晶体管，尤其是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。随着技术的发展，晶体管的尺寸不断缩小，从微米级到纳米级，以提高集成度和性能。这种尺寸缩小带来了更高的晶体管密度，进而提高了芯片的处理速度和能效。

（2）逻辑门实现

逻辑门是执行逻辑运算的基本单元，如与、或、非等。在逻辑芯片中，这些逻辑门通过组合和配置晶体管来实现。逻辑门的设计和布局对芯片的性能和功耗具有重要影响。

（3）互连线技术

随着晶体管密度的增加，互连线在逻辑芯片中的作用日益凸显。互连线负责将各个晶体管连接起来，形成复杂的电路网络。为了减少信号延迟和功耗，现代逻辑芯片采用了多层金属互连、低电阻率材料和先进的布线技术。

2、存储芯片工艺

存储芯片，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（Flash），用于存储数据和程序。与逻辑芯片不同，存储芯片工艺主要关注于存储单元的制造和阵列布局。

（1）存储单元结构

存储芯片的基本构建块是存储单元，它们负责存储二进制数据（0或1）。不同类型的存储芯片具有不同的存储单元结构。例如，DRAM采用电容和晶体管组成的存储单元，而闪存则采用浮栅晶体管。这些存储单元的设计和优化对于提高存储密度、速度和可靠性至关重要。

（2）阵列布局

存储芯片通常采用二维阵列布局，将大量存储单元排列成行和列。这种布局有助于提高存储密度和访问速度。同时，为了降低功耗和减少错误率，现代存储芯片还采用了先进的纠错码（ECC）技术和低功耗设计。

（3）制程技术

存储芯片的制程技术与逻辑芯片有所不同。由于存储单元的结构和布局要求，存储芯片在制造过程中需要关注于精确控制薄膜厚度、掺杂浓度和光刻精度等参数。此外，随着三维堆叠技术的发展，存储芯片正逐步实现多层存储单元的垂直集成，进一步提高存储密度。

3、逻辑芯片工艺与存储芯片工艺的比较

（1）设计重点不同

逻辑芯片工艺注重于高性能、低功耗和复杂功能的实现，因此设计过程中需要考虑大量的逻辑门、触发器和寄存器等元素。而存储芯片工艺则侧重于高存储密度、快速访问和长寿命，设计重点在于优化存储单元结构和阵列布局。

（2）制程技术差异

尽管逻辑芯片和存储芯片都采用了类似的半导体制造工艺，如光刻、刻蚀、薄膜沉积等，但它们在制程技术方面仍存在一定差异。例如，逻辑芯片可能需要更高的光刻精度和更复杂的互连技术，而存储芯片则需要更精确的薄膜控制和掺杂技术。

C. 64KB存储器需要几片存储芯片

想要构造64KB的存储器需要8K*4位的存储芯片共16片。

计算过程：

因为要组成64KB的存储器64KB=2^6KB=2^16B，现在只有8K*4位的芯片，首先需要将两片8K*4位的芯片的采用位扩展扩展为8K*8位=8KB的芯片。

2^16B/8KB=2^16B/2^13B=2^8。所以说先不要8组8K*8位的芯片，然后8K*8位的芯片有两片8K*4位的芯片。所以需要8K*4位的芯片的为8*2=16。

(3)存储器一般由多个存储芯片组成扩展阅读：

根据存储材料的性能及使用方法的不同，存储器有几种不同的分类方法。

1、按存储介质分类

半导体存储器，用半导体器件组成的存储器。

磁表面存储器，用磁性材料做成的存储器。

2、按存储方式分类

随机存储器，任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间和存储单元的物理位置无关。

顺序存储器，只能按某种顺序来存取，存取时间与存储单元的物理位置有关。

3、按存储器的读写功能分类

只读存储器(ROM)，存储的内容是固定不变的，只能读出而不能写入的半导体存储器。

随机读写存储器(RAM)，既能读出又能写入的半导体存储器。

储存器的扩展

任何存储芯片的存储容量都是有限的。要构成一定容量的内存，单个芯片往往不能满足字长或存储单元个数的要求，甚至字长和存储单元数都不能满足要求。

就需要用多个存储芯片进行组合，以满足对存储容量的需求，这种组合就称为存储器的扩展。存储器扩展时要解决的问题主要包括位扩展、字扩展和字位扩展。