制作存储器
A. 怎样制作简易24CXX存储器读写工具
大家好！仅有这个读写器是不行的，还需要烧录软件的。先我共享给大家。 本人在网上搜索了一款24C、93C系列存储器(E2PROM、EEPROM、EPROM）读写器,它可以打开以BIN为后缀的二进制24C、93C系列存储器数据文件。使用25针打印口LPT1（端口地址为378H）端口工作。经我改进后设计如下线路图。主要是在各个数据输入端加了保护电阻，增加开关，使其使用的时候不必要拔插头关机。但是由于在开着计算机，所以开关电源的时候产生的脉冲干扰对主机的影响是很大，必须考虑，所以本人在电源输入部分加了电容、电感、电阻来保护主机的安全。当工作的时候本电路电源供电为3.3V左右，但是读写的数据是没有问题。本站提供DOS和WINDOWS两个版本的操作程序。 DOS程序，本程序不逊色于某些大型软件，接口也很简单，稍加熟悉便会使用。注意本程序在其它系统下使用可能会有错误。 1 接口的左上角是软件的名称及版本号：24C×× PROGRAMER VER1.0； 2 接口的右上角是被写芯片的名称和类型：Mfr:ATMEL Type:AT24C01A（缺省值）。 3 中间大范围的部分是代码编辑缓冲区，可以将芯片中的内容先读入到该编辑区，重新编辑后再写回到芯片中去。也可以将缓冲区中的内容以二进制文件的形式存放到硬盘上，或将硬盘上的二进制文件调入缓冲区，再写入到芯片中去。 4 中间靠右侧是弹出式菜单条，可用上下箭头选取菜单，再按回车键执行。也可以按加亮的大写字母所代表的键进行相应的操作。 5 左下部是代码保存的二进制文件名输入区FileName。 6 中下部是芯片的起始地址StartAddr和结束地址EndAddr。 7 右下部是缓冲区代码的校验和Check Sum。 菜单功能介绍： 1 芯片类型选择—Type，按T键弹出一个菜单，按数字键1～9可分别选择下列芯片：AT24C01A、AT24C02、AT24C04、AT24C08、AT24C16、AT24C32、AT24C64、AT24C128、AT24C256。 2 Read—读片，按R键可将芯片数据读入到缓冲区。 3 Auto—自动编程，按A键可自动完成写片、校验等一连串操作。 4 Blank check—空片检查，按B键可检查芯片是否为空片（FF）。 5 Erase—芯片擦除，按E键可擦除整个芯片，即将芯片写入全1（FF）。 6 Program—芯片编程，按P键可将缓冲区内容写入到芯片中去。 7 Verify—芯片校验，按V键可比对缓冲区数据和芯片内数据是否一致，若不相等则给出不相等数据的首地址。 8 lock bit—位锁定，暂不能用。 9 Load—装入档，按L键并输入文件名，可将2进制文件装入到数据缓冲区。 10 Save—保存缓冲区内容，按S键可将缓冲区内容保存为二进制文件。 11 eDit—编辑缓冲区数据，按D键可编辑、修改缓冲区内容。 12 clear Memory—清缓冲区，按M键可全部清除缓冲区内容，以FF填满。 13 unlock—解锁，暂不能用。 14 abOut—查看软件信息，按O键可查看到关于该软件的一些信息，如软件名称、版本数、作者等。 15 Quit—退出键，按Q键可退出该程序。 16 PgUp——上翻页。 17 PgDn—下翻页。 windows中文版本仅支持24C系列的存储器。支持98、ME、2000、XP等系统。由于全是中文，本站就不对其具体解释程序中的文字意思，只对其使用方法介绍一下： 制作好读写器连接电脑的打印口后，装上待读写的存储器（24C系列）打开软件，点“设置”选择相对应的存储器型号（24C01-24C256）然后点确定。 如果要读存储器数据，就直接点“读芯片”读好后点“保存”选择要保存的目录保存就可以了。 如果要写芯片。首先点“打开”选择文件，注意存储器的容量确保和选择的文件大小一致。选择好后，点“写芯片”就可以把选择好的数据写进去存储器IC内部了。 常用的串行存储器分为24系列与93系列两种，分别有自己独特的通讯协议。24系列目前市面常见的有24C01A/02/04/08/16/32/64/256。93系列常见有93C46/56/66/76/86。做为手机或CALL的码片广泛存在于这些通讯设备中。因此这些器件的读写成为维修的最基本问题。 注意：美国AT、ST、BR公司生产的24C××系列存储器其⑦脚需接地才能写入数据；而韩国KOA、KOR、KS公司生产的24C××系列存储器其⑦脚则需接高电平才能写入数据。 PCF（PCA）85系列的脚位排列以及工作方式基本和24C系列一样。可以相互代换 三个系列的存储器存储空间与型号说明字节\型号\厂商ATMEL24C系列PCF(PCA)85系列M93CXX系列1K(128x8bit)24C01APCF858193C462K(256x8bit)24C02PCF8582/85102C-2/85103C-293C564K(512x8bit)24C04PCF8592/8594C-293C668K(1024x8bit)24C08PCF8598C-293C7616K(2048x8bit)24C16PCF85116C-393C8632K(4096x8bit)24C32 64K(8182x8bit)24C64 128K(16364x8bit)24C128 256K(32728x8bit)24C256
B. 内存是怎么制作的
1. 内存的工作原理
显然，题主指的是PC中缓裤腔常见的内存条，这一类内存属于动态随机访问存储器 DRAM (Dynamic Random Access Memory), 它的基本存储单元非常简单易懂，由一个N型场效应晶体管(NMOS FET)和一个电容组成（如下图）。
这一结构其实很像一座楼房，芯片制造的过程也有点像盖楼的过程，非常简化的步骤如下：
作者：又见山人
链接：http://www.hu.com/question/20442122/answer/15167153
来源：知乎
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设计图，也就是芯片的版图（layout）；版图是一幅分层的俯视图，包含了每一层的物理形状信息和层与层间的位置连接关系。版图被转化成掩模（mask），每张掩模则是某一层的俯视图，一颗芯片往往有几十张掩模。芯片的每层是被同时制作的，就像盖楼是必须3楼盖好才能盖4楼。
平整土地。这个没什么说的，绝大部分芯片都是从平整的芯圆（wafer）开始的，要对芯圆进行清洗啊什么的.
地基和底层。这是在制造过程中最关键最复杂的一步，因为所有重要的有源器件（active device）如晶体管都是在电路的最底层。 首先要划线（光照Photolithography）界定哪里要挖掉哪里要保留，然后挖坑（ecthing刻蚀），在需要的地方做固化（离子注入Ion Implantation），盖墙铺管道什么的（化学沉积和物理沉积CVD&PVD）等等。具体步骤十分复杂，往往需要十几张掩模才能完成，不过大家可以自行脑补一座大楼怎么从地上长出来的。
高层。较高的层就相对简单了，还是划线决定（光照Photolithography）哪里要做墙或柱子，哪里是空间，再沉积金属把这些东西长出来。这些层次基本都是铜或铝金属连接，少有复杂器件。纯高
封顶。做一层金属化合物固化保护，当然要把连接点（PAD）露出来。
清洗，切割。 这一步盖楼是没有的。。。。一块300毫米直径的晶圆上可能有成百上千块芯片，像切蛋糕一样切下来。
封装。 有点像外立面装修，然后给整座楼通水通电通气。一块小小的硅芯片就变成了我们经常看到的样子，需要的信号和电源被连接到一个个焊球或针脚上。封装是一门很大的学问，对芯片的电气性能影响巨大。