ftp08n07n场效应管

⑴ 场效应管80nf70型号中的80,nf,70各代表什么含义，急求

80NF70（全称STP80NF70）：N沟场效应管。参数：68V，98A，0.0098Ω，190W。

⑵ ftp08N08NF三极管用什么管子代替

属于中功率管，PNP管，0.5瓦，A683可以代换。

⑶ 场效应管ru75n08的主要参数,能代换p75nf75吗

1、场效应管ru75n08的主要参数：
Vdss=75V，
VGS=10A，
Ids=40A，
Rds=8mΩ，
Ids=80A，
耐热175摄氏度。

2、场效应管ru75n08能代换p75nf75，两者只是在工作电流Ids和VGS上有差别，不影响使用。

场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

⑷ fhp100n07场效应管参数与13N50有什么区别

FHP100N07场效应管，封装形式是TO-220，主要参数是 100A/70V,常用于电动车控制器。

13N50场效应管全称是TSP13N50M，主要参数是 13A /500V ，封装形式是 TO-220，是N沟道场效应MOS管。

这两个型号参数相差特别大，不可以代换。

⑸ 80NF70是什么三极管

场效应管STP80NF70参数：TO-220，ST，DIP/MOS，N场，68V，98A，0.0098Ω，最大耐压68V。

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

相关内容解释：

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

⑹ IRF2807场效应管能用什么型号代用

IRF2807场效应管能用SE75N75和STP75NF75，WFP75N75代换。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconctor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

⑺ 三极管FQS70N08与FQP70N08可互用吗

S70N08 和 FQP70N08 查资料没有差异，主要参数是70A/80V， 直插TO220封装形式，是N沟道 MOS场效应管，可以互代。这两个型号主要用在电动车控制器。

FQP70N08，RFP70N08，S70N08R参数都相同。

⑻ 场效应管的工作原理

就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。

因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

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场效应管相关概念：晶体管的优势

1、构件没有消耗

无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍。

2、晶体管消耗电能极少

仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。

3、晶体管不需预热

一开机就工作。例如，晶体管收音机一开就响，晶体管电视机一开就很快出现画面。电子管设备就做不到这一点。开机后，等一会儿才听得到声音，看得到画面。显然，在军事、测量、记录等方面，晶体管是非常有优势的。

4、晶体管结实可靠

比电子管可靠100倍，耐冲击、耐振动，这都是电子管所无法比拟的。另外，晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一，放热很少，可用于设计小型、复杂、可靠的电路。晶体管的制造工艺虽然精密，但工序简便，有利于提高元器件的安装密度。

⑼ FTp08NO8NF与k08E08K3是否相同

不相同。
FTp08NO8NF与k08E08K3不相同，是两种场效应管，场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。