福建晋华合肥长鑫长江存储

1. 合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力

长鑫是内存，长江是闪存。内存断电数据丢失，闪存断电数据依然在，技术层面，闪存技术难度更高！另外长鑫是买的国外底层技术，然后升级优化发展，发展有一定局限性，且与世界一流水平有2-3代的差距！而长存完全自主研发，技术几乎达到世界一流水平。从市场发展来看，内存技术有天花板，需求市场几乎停止增长，而闪存技术革新空间很大，市场需求每年更是以30%的增长速度扩张。综合来看长江存储发展前景更大！

两家企业之间内部高层人员同属于紫光派系。因此在产业结构分工上是协调合作方式。合肥长鑫主攻可读存储；长江存储以研发可写存储。

长江存储属于国家队，合肥长鑫地地道道属省级队。由此看来，长江存储比合肥长鑫起步高。不过合肥长鑫率先将上市产品对标到世界同等级别，而长江存储还需时日。

另外，众所周知，玩存储晶圆是个烧钱项目，风险变数极大，所以这些企业背靠的是有实力的大级别体量玩家。长江存储背靠武汉，是国家倾尽全力打造的存储之都；合肥近几年靠集成芯片（京东方）实实在在是挣到百千亿的，夹持国家科学中心名头不可小觑！

综叙，潜力谁大不好说，一个是小狮子，逐渐霸气侧漏想挑战王位；一个是小老虎，虎虎生威欲占山为王！

冲出重围千亿起步，强敌环伺巨头统治。

存储芯片的前景如何展望？

合肥长鑫，成立于2016年5月， 专注于DRAM领域 ，整体投资预计超过1500亿元。目前一期已投入超过220亿元，19nm8GbDDR4已实现量产，产能已达到2万片/月，预计2020年一季度末达4万片/月，三期完成后产能为36万片/月， 有望成为全球第四大DRAM厂商。

长江存储，成立于2016年7月， 专注于3DNANDFlash领域 ，整体投资额240亿美元，目前64层产品已量产。根据集邦咨询数据，2019年Q4长江存储产能在2万片/月，到2020年底有望扩产至7万片/月，2023年目标扩产至30万片/月产能， 有望成为全球第三大NANDFlash厂商。

最近利基型内存（Specialty DRAM）的价格大涨，我们今天就来聊聊 DRAM 是什么？

Dynamic Random Access Memory，缩写DRAM。动态随机存取存储器，作用原理是利用电容内存储电荷的多寡，来代表一个二进制比特是1还是0。这一段听不懂，听不懂没关系，你只需要知道，它运算速度快、常应用于系统硬件的运行内存，计算机、手机中得有它，你可能没听说过DRAM，但你一定知道内存条， 没错，DRAM的最常见出现形式就是内存条。

近几年的全球DRAM市场，呈现巨头垄断不变，市场规模多变的局面。

全球DRAM生产巨头是三星、SK海力士和美光，分别占据了41.3%、28.2%和25%的市场份额。

2019年市场销售额为620亿美元，同比下降了37%。其中美国占比39%排名第一，中国占比34%排名第二，中美是全球DRAM的主要消费市场。细分市场，手机/移动端占比40%，服务器占比34%。

总结来说，巨头垄断，使得中国企业没有议价权，DRAM芯片受外部制约严重。 当前手机和移动设备是最大的应用领域，但未来随着数据向云端转移，市场会逐步向服务器倾斜。

未来，由于DRAM的技术路径发展没有发生明显变化，微缩制程来提高存储密度。那么在进入20nm的存储制程工艺后，制造难度越来越高，厂商对工艺的定义已不再是具体线宽，而是要在具体制程范围内提升技术，提高存储密度。

当前供需状况，由于疫情在韩、美两国发展速度超过预期，国内DRAM企业发展得到有利发展。

合肥长鑫、长江存储 两家都是好公司，都在各自的赛道中冲刺，希望他们能够在未来打破寡头垄断的格局。

看哪家产品已经销售了，其他吹得再好都是假的

目前看合肥长鑫优势明显

合肥长鑫和长江存储两个企业的存储芯片和未来发展哪个更有潜力？闪存也好内存也罢都是国内相当薄弱的环节，都是要在国外垄断企业口里夺食，如果发展得好都是相当有潜力的企业。只是对于市场应用的广度而言，合肥长鑫的内存可能相对来说更有潜力一些。

这两家企业一家合肥长鑫以DRAM为主要的专注领域，长江存储以NAND FLAH领域，而且投资都相当巨大，都是一千亿元以上的投资。长江存储除了企业投资之外，还有湖北地方产业基金，另外还有国家集成电路产业投资基金的介入，显得更为有气势。而合肥长鑫主要以合肥地方投资为主，从投资来看看似长江存储更有力度更有潜力一些。

不管时闪存还是内存，目前都被美国、韩国、日本等国外的几家主要企业所垄断，价格的涨跌几乎都已经被操纵，国内企业已经吃过不少这方面的苦。DRAM领域的三星、海力士、镁光，NAND领域有三星、东芝、新帝、海力士、镁光、英特尔等，包括其他芯片一起，国内企业每一年花在这上面购买资金高达3000多亿美金，并且一直往上攀升。

这两家企业携裹着大量投资进入该领域，但短时间之内要改变这种态势还很难，一个是技术实力落后，另一个是市场号召力极弱。目前与国外的技术距离差不多在三年左右，况且这两家的良品率和产能还并不高没有完全释放，在市场应用上的差距就更为悬殊。

从市场应用上来看，各种电子产品特别是手机及移动产品将会蓬勃发展，内存的应用地方相当多，甚至不可缺少，这带来极大的需求量。相对而言，闪存应用地方可能要稍稍窄小一点，但需求同样庞大。

国外三星、海力士等处于极强的强势地位，而合肥长鑫和长江存储要想从他们嘴里争夺是相当不容易的。不过有国内这个庞大的市场作后盾，相信这两家未来都有不错的前景，一旦发展起来被卡脖子的状况将会大为改观。

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理论上说长江存储潜力更大，技术水平距离三星更近。长鑫的话制程跟三星还有一些差距，另外gddr5和ddr5长鑫都还没影。

市场来说长鑫的dram内存价值更大。

但是不论nand还是dram存储市场都是需要巨额投入和多年坚持的，所以谁钱多谁潜力大。

合肥长鑫是国产芯片的代表企业，主要从事存储芯片行业中DRAM的研发、生产和销售。企业计划总投资超过 2200 亿元，目前已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过 2700 人，核心技术人员超过 500。

长江存储成立于2016年7月，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业。目前全球员工已超 6000 余人，其中资深研发工程师约 2200人，已宣布 128 层 TLC/QLC 两款产品研发成功，且进入加速扩产期，目前产能约 7.5 万片/月，拥有业界最高的IO速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

存储芯片行业属于技术密集型产业，中国存储芯片行业起步晚，缺乏技术经验累积。中国本土制造商长江存储、合肥长鑫仍在努力追赶。

谁先做出产品谁就有潜力，两家现在主要方向也不一样，一个nand一个dram，也得看技术和顶级玩家三星的差距

当然是长江存储更有潜力，长江存储有自主知识产权的3d堆叠工艺平台，是国家存储产业基地，长鑫买的外国专利授权，发展受到外国技术限制。长江存储可以依靠3d堆叠工艺平台轻松杀入dram领域，而长鑫却没有可能进入nand领域。

2. 合肥长鑫斥资 72 亿美元建厂靠的是什么

2017年5月25日，由合肥市政府支持的合肥长鑫公司宣布，预计由合肥长鑫投资72亿美元，兴建12吋晶圆厂以发展DRAM产品，未来完成后，预计最大月产将高达12.5万片规模。

之前合肥长鑫也不断招募台湾华亚科的员工。由于华亚科在 2016 年被美光完全收购前，是全球继三星、美光、SK海力士之外，第 4 家有能力发展20纳米制程DRAM的企业。根据之前的媒体报导，合肥长鑫已从华亚科挖走不少员工，甚至华亚科前资深副总刘大维也成了这家公司的员工。

国家曾对中国半导体企业由这么一份通牒：自给自足。然而近几年，我国半导体制造商似乎都在“曲解”：用两、三倍价格挖来列强的员工，填补自己的技术漏洞。也就是说，用商业手段解决学术问题。虽然这不失为一种解决办法，但是对未来长期发展来说，存在或多或少的影响。

目前国际上已经起草了相关防半导体厂商员工跳槽、挖角的草案，中国企业遭到了针对。据了解，厂鑫受到了列强的围追堵截，若厂鑫想要达到预期产能，势必会走上一条坎坷的道路。

3. 福建晋华恢复生产了吗

恢复了。
没想到华为+长江居然超越了DDR5,而国产内存三大马车——长江存储、合肥长鑫和当初的福建晋华将成为国产自研的顶梁柱,根据规划,现在晋华早已经投产。
福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华集成电路,JHICC),以攻坚集成电路内存芯片自主技术,与合作伙伴共创双赢为使命,芯系世界,共荣未来,致力于成为全球一流的存储器公司。

4. 到目前存储器的发展进程是

行业起步较晚，技术基础薄弱

中国存储芯片发展较晚，2016年以前行业几乎没有生产能力，存储芯片极度依赖于进口。面对国外企业在存储芯片行业所拥有的垄断优势，近年来中国开始在存储芯片行业投入巨资，目前中国主要有长江存储、合肥长鑫、福建晋华等存储芯片企业介入这个行业，经过数年的发展，它们开始逐渐取得一些成绩。

目前中国大陆地区的企业在相关领域内的市场份额仍然较低，通过国家政府层面的大规模投资有机会快速切入相关领域，也是芯片国产化之路迈出的可靠而重要的一步。

——更多数据来请参考前瞻产业研究院《中国存储芯片行业市场需求与投资前景预测》。

5. 5G手机，开启新一轮换机盛宴

5G网络作为第五代移动通信网络，其峰值理论传输速度可达每秒数十Gb，这比4G网络的传输速度快了数百倍。美国研究公司StrategyAnalytics预测5G智能手机出货量将从2019年的200万增加到2025年的15亿，年复合增长率为201％。

中国4G智能手机出货量市场份额2014年初为10％，仅仅用了两年左右市场份额就就达到了90％，5G的采用率也将和4G类似，在中国会迅速提升。

随着物联网、AR和VR等技术的诞生和发展，对移动网络的要求更高，5G将采用NR技术，传输速率高达10Gps，比4G快达100倍、而且具有低延时、低功耗的特点。我国5G预计按照2019年预商用，2020年规模商用的规划逐步实施。

目前，已有多家手机厂商跟进5G步伐，发布了5G手机时间计划。7月23日OPPO官方宣布Reno5G版正式获得中国5G终端电信设备进网许可证，Reno5G版目前已三证在手，具备了5G手机商用的能力。此前，华为6月26日官方宣布华为Mate20X获得中国首张5G终端电信设备进网许可证，这标志着国产5G手机上市步伐加快，5G商用将进一步提速。6月份工信部向包括三大运营商和中国广电在内的四家企业也都正式发放5G牌照，上游运营商和下游手机厂商的5G进展情况均超预期。

5G的到来也将改变手机零组件的创新和升级。例如毫米波带来的应用将有可能使得滤波器和终端系统侧的天线结构数量变多，陶瓷和玻璃机壳在5G通信以及无线充电上优势明显，被动元件的需求量提升等。

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目前根据运营商计划资本支出估算，在2019年中国预计将会建设超10万台宏基站的准备，而5G宏基站的总建设量预计将会在500万台左右，同时配备约为900万台的微基站，建设总量将会远远超过4G时代的基站建设力度！

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5G手机与4G手机相比，在硬件上最大的区别之一在于5G基带芯片，目前高通、华为、三星、联发科、紫光展锐等巨头厂商纷纷加入5G芯片阵营的角逐，英特尔则在与苹果“分手”后，宣布退出手机5G基带芯片市场，而苹果仍积极自研5G基带芯片，摆脱受制于人的局面。

基带芯片主要玩家：

5G芯片发布时间：

中国的厂商紧跟5G的步伐，2018年2月25日，在巴塞罗纳举行的MWC展会上，华为正式发布了旗下首款5G商用芯片——Balong5G01，符合5g标准R15规范，支持Sub6GHz中低频，以及28GHz高频毫米波，兼容2g/3g/4g网络。联发科也公布了其5g基带芯片产品HelioM70，符合5g标准R15规范，最快下行速率可达5gbps，兼容2g/3g/4g网络。

2019年1月24日，华为在其北京研究所举办了华为5G发布会暨MWC2019预沟通会，会上发布了巴龙5000基带芯片。麒麟980搭配巴龙5000，正式成为首个提供5G功能的正式商用移动平台。

在今年的MWC2019大展上，紫光展锐重磅发布了5G通信技术平台“马卡鲁”及其首款5G基带芯片“春藤510”，迈入全球5G第一梯队。春藤510基带采用台积电12nm制程工艺，支持多项5G关键技术，单芯片统一支持2G/3G/4G/5G多种通讯模式，符合最新的3GPPR15标准规范，支持Sub-6GHz频段、100MHz带宽，是一款高集成、高性能、低功耗的5G基带芯片。并且，春藤510可同时支持5GSA独立组网、NSA非独立组网两种组网方式。

根据紫光展锐官方说法，春藤510的高速传输速率可为各类AR/VR/4K/8K高清在线视频、AR/VR网络 游戏 等大流量应用提供支持，而且架构灵活，可支持智能手机、家用CPE、MiFi、物联网终端等产品形态和应用场景。紫光展锐7月18日宣布，已与华为完成5G互通测试，达到1.38Gbps的下载速率。

射频前端芯片包括射频开关、射频低噪声放大器、射频功率放大器、双工器、射频滤波器等芯片。射频开关用于实现射频信号接收与发射的切换、不同频段间的切换；射频低噪声放大器用于实现接收通道的射频信号放大；射频功率放大器用于实现发射通道的射频信号放大；射频滤波器用于保留特定频段内的信号，而将特定频段外的信号滤除；双工器用于将发射和接收信号的隔离，保证接收和发射在共用同一天线的情况下能正常工作。

根据法国市场研究与战略咨询公司YoleDevelopment的统计，2G制式智能手机中射频前端芯片的价值为0.9美元，3G制式智能手机中大幅上升到3.4美元，支持区域性4G制式的智能手机中射频前端芯片的价值已经达到6.15美元，高端LTE智能手机中为15.30美元，是2G制式智能手机中射频前端芯片的17倍。因此，在4G制式智能手机不断渗透的背景下，射频前端芯片行业的市场规模将持续快速增长。

随着5G商业化的逐步临近，现在已经形成的初步共识认为，5G标准下现有的移动通信、物联网通信标准将进行统一，因此未来在统一标准下射频前端芯片产品的应用领域会被进一步放大。同时，5G下单个智能手机的射频前端芯片价值亦将继续上升。

根据QYRElectronicsResearchCenter的统计，从2011年至2018年全球射频前端市场规模以年复合增长率13.10%的速度增长，2018年达149.10亿美元。受到5G网络商业化建设的影响，自2020年起，全球射频前端市场将迎来快速增长。2018年至2023年全球射频前端市场规模预计将以年复合增长率16.00%持续高速增长，2023年接近313.10亿美元。

5G三大核心创新驱动是AI、物联网、智能驾驶，从人产生数据到接入设备自动产生数据，数据呈指数级别增长！智能驾驶智能安防对数据样本进行训练推断、物联网对感应数据进行处理等大幅催生内存性能与存储需求，所有数据都需要采集、存储、计算、传输，数据为王，存储器比重将大幅提升。

从全球集成电路市场结构来看，全球半导体贸易组织统计2018年全球集成电路市场规模达4015.81亿美元，相较于本轮景气周期起点2016年增长了1249亿美元。而存储器2018年市场规模达1651.10亿美元，相较2016年增长了883亿美元，占增量比重达71%，是本轮景气周期的主要推手。

随着5G时代的逐渐逼近，物联网的快速发展促进着存储器需求的持续增长。数据表明，中国消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，中国存储市场发展潜力巨大，各芯片制造商也在抓住存储器市场商机，积极布局，促进国产芯片的不断发展。

尽管成长空间巨大，我国存储器市场却一直面临着一个尴尬的局面——进口依赖大。回归到现实，中国发展存储产业并不容易，由于技术门槛高、投资规模巨大、高端人才稀缺，作为尖端产业，中国存储器企业与世界巨头相比还有较大的差距。

长江存储是国内三大存储器项目之一（另外二者为福建晋华、合肥长鑫），是国内实现存储芯片国产化率提升的重点支持项目，是目前国内投资规模、规划产能最高的存储器项目，处于稳步爬坡过程。

包括长江存储在内的存储器/代工厂将于2019-2020年 陆续进入设备采购与搬入的高峰阶段，而国内设备厂商已经在多个核心设备细分领域实现拓展。

5G不仅是4G基础上的一个提升，而是移动通信技术的一场革命，在各方面的表现上相比今天的网络，都会有数量级方面的提升。

5G的主要通信技术是Massive MIMO技术，通过使用多个发射和接收天线在单个无线信道上同时发送和接收多个数据流的多天线技术，用于提高移动设备带宽、增加数据吞吐。

3G时代使用了单用户MIMO技术，4G时代使用了多用户MIMO技术是 ，而5G时代使用的是大规模MIMO技术。

2013年以前，单机天线数量较少，包括通信主天线、无线、收音机、GPS、蓝牙等，此后随着智能手机功能的延展，单机的天线数量大幅增加，按用途分大致可分为通讯天线、WiFi天线及NFC天线三种天线模组。

5G对于天线设计是一个巨大的挑战，因为新频段的增加会带来天线的增多。正常的5G手机将会包含11根天线，其中：5G NR会做4x4 MIMO，因此会有4根天线，LTE也会有4根天线，同时Wi-Fi中需要做2x2 MIMO，这又会需要两根天线，再加上GPS L5天线，总共11根。典型4G手机天线数量2~4支，因此市场空间提升较大。

6. 存储芯片是什么怎么没有听说存储芯片被卡脖子

存储芯片主要包括DRAM芯片和NAND芯片，这个行业确实是拼制造，但并不意味着我们不会被卡脖子。我国投资370亿元之巨的福建晋华，主要制造DRAM芯片，在2018年10月30日被美国商务部列入“实体清单”，至今前途未卜。今天我到晋华的官网去逛了逛，发现“大事记”的时间线停在了2018年10月20日，也就是试产运行之日，至今1年半过去，就没有量产的消息传出。

半导体设备基本被日美垄断，成为套在国产存储芯片企业头上的紧箍咒。下图是网上流传的晋华存储器生产设备采购清单，可以看出，清一色的日本、美国企业。实际上，全球前10大半导体设备公司，美国占了5个，日本有4个，欧洲1个。这就意味着，人家一断供，没有生产设备，钱再多，你也生产不了先进存储芯片。总之，看起来没有CPU等逻辑芯片复杂的存储芯片，对目前的我国来说，仍然是一块硬骨头，还需要多多努力。

7. 国产存储芯片开始提速，两大喜讯接连传来，实现从0到1突破

全球存储芯片的格局非常明确，以韩国三星，SK海力士和美国美光这三大巨头为主，在各大存储芯片领域中占据核心技术和市场份额的主要优势。常见的NAND，DDR5以及DRAM都掌握在海外巨头手中。

但其实国产存储芯片已经开始提速了，两大喜讯接连传来，完成了从0到1的关键突破。具体是怎样的喜讯呢？国产存储芯片产业格局如何？

存储芯片的重要性是显而易见的，手机，电脑设备想要运行文件，存储数据，那么存储芯片将会是不可或缺的存在。

根据存储芯片种类的不同，赛道竞争程度也不一样。有些存储芯片巨头已经将工艺做到了使用EUV光刻机的程度，而有些企业能在某个细分存储芯片领域取得一席之地，就已经是很大的突破了。

国外巨头因为起步时间早，有庞大的资本开支优势，再加上产业链发展完善，取得领先也是能理解的。但后来居上，实现反超的例子也不是没有，国产存储芯片传来两大喜讯，已经在弯道超车了。具体有怎样的喜讯呢？

第一大喜讯：昕原半导体建成28/22nm ReRAM生产线

对存储芯片有一定了解的人都知道，DAND，DRAM等是发展了几十年的存储芯片，已经发展出完整的全球化产业链，相关的技术，配套设施和人才储备也十分完善。

可是在人工智能，云计算等日益发展迅速的新基建领域， 探索 新型存储芯片也成为了一种趋势。而ReRAM这种阻变存储器就是新型存储芯片，它的优势体现在读取速度快，功耗低，应用范围广阔。

昕原半导体就是发展ReRAM存储芯片的国产公司，其成立于2019年，在今年2月中旬正式传来消息，建成了中国首条28nm/22nm的ReRAM生产线。

基于这座生产线，昕原半导体可以更快将研究成果落地，补充完善国产存储芯片产业的生产供应链。

值得一提的是，在新型的ReRAM阻变存储器产业中，入局的玩家还不是很多，而建成相关生产线的企业更是少之又少。放眼国外，昕原半导体的这一生产线建设成果都是领先的。这也意味着，中国已经在ReRAM新型阻变存储器中把握住了先手机会，未来可期。

第二大喜讯：曝合肥长鑫今年投产17nm制程的DDR5 内存芯片

相较于昕原半导体大力发展新型阻变存储器，合肥长鑫这家存储巨头则在传统赛道上持续攻克难关。有消息爆料称，合肥长鑫会在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片，成为国内首个参与DDR5内存芯片市场的中国企业。

DDR5是计算机内存规格的芯片，相比于DDR4等前几代内存条，DDR5的性能更加出色，且功耗更低，是当下主流的高性能，高品质内存芯片。

DDR5的市场份额一直把控在三星、SK海力士、美光这三大巨头手中，制造出的DDR5被各国客户争相下单采购，国内也一直存在DDR5内存芯片的空白。

然而喜讯传来，消息爆料合肥长鑫会在今年进行DDR5内存芯片的投产，且还是17nm的工艺制程。在这一领域内，17nm已经是非常先进高端的水准了。

若爆料消息无误，则说明国产DDR5芯片已经迎来有望参与全球市场的发展能力。除了投产DDR5芯片之外，合肥长鑫也一直在努力提升产能，得益于背后资本的支持，合肥长鑫计划在今年实现每月12万片晶圆的目标，而2年前合肥长鑫的产能水准还停留在每月4.5万片。

以上两个关于国产存储芯片的喜讯接踵而至，一个是昕原半导体在新型ReRAM阻变存储器建成生产线，为国产新型存储芯片产业发展提供更多的可能性。

另一个是合肥长鑫计划今年投产DDR5内存芯片，在17nm工艺的支持下，将有望拿下DDR5市场的一席之地，打破海外巨头单一市场垄断的局面。

不难发现，这两个喜讯都是实现了从0到1的突破，昕原半导体的ReRAM生产线是国内首条，合肥长鑫投产DDR5也是国内首个参与者，可见国产存储芯片已经开始提速。

其实不只是这两大国产存储芯片巨头，在其余的长江存储，福建晋华等等存储公司的参与下，构建了如今存储芯片产业快速破局的格局。他们要么是兴建生产线，要么加快技术研发突破，齐聚力量之下，相信定能为国产存储芯片创造全新的未来。

海外巨头长期耕耘技术研发和产业发展，国产企业要想加速进步，还得一步一个脚印。首先要树立发展目标，其次包括人才资源，紧接着努力将研究成果落地产业。正所谓一分耕耘一分收获，希望国产企业的耕耘都能得到应有的收获。

对国产存储芯片的两个喜讯你有什么看法呢？