磨损算法

⑴ 有谁比较了解sd卡或u盘的磨损平衡和坏块管理功能，能不能稍微详细说一下。谢谢

这是我的理解：
很不标准呵呵，就是当每块写入次数到了它的周期（1~10万次），就坏掉了，于是固件会忽略掉它，用别的块代替~所以U盘越用越小。

这是专业的说法：

WL(Wear leveling) 磨损平衡

在传统的硬盘中，每个扇区的读写利用率是不平均的。一般来说磁盘外径的空间读写速度最快，会被放置一些经常需要使用的数据。而磁盘的中间和靠近盘芯的部位会放置一些比较不容易被访问的数据。

在SSD中也有这样的情况，闪存芯片不同块、页的数据更新速度是不同的。很显然，如果某个块或者页的利用率高于其他，那么它的写入周期将被过快的消耗掉。由此这里就会产生一个坏块。一旦这个坏块是无法被修复或屏蔽的，那么这片闪存芯片也随之报废。而一颗芯片的报废会导致整块SSD无法继续使用。因此，这是工程师与消费者最不愿看到的情况。

平衡闪存中每一个块的负载，保持所有的存储单元都能被均匀的利用。这就能极大的保持SSD的健康性，保证SSD可以长期可靠的工作。

磨损平衡技术依赖于逻辑和物理地址的转换：也就是说，每次主机上的应用程序请求相同逻辑页地址时，内存控制器动态的映射逻辑页地址到另一个不同的物理页地址，并把这个映射的指向存放在一个特定的“映射表”里。而之前过期的物理页地址就被标记为“无效”并等待之后的擦除操作。这样一来，所有的物理块就能被控制在一个相同磨损范围，保证所有存储单元能够同时“老化”。

磨损平衡算法分静态和动态。动态磨损算法是基本的磨损算法：只有用户在使用中更新的文件占用的物理页地址被磨损平衡了。而静态磨损算法是更高级的磨损算法：在动态磨损算法的基础上，增加了对于那些不常更新的文件占用的物理地址进行磨损平衡，这才算是真正的全盘磨损平衡。目前SandForce和Marvell的主控方案都支持静态磨损算法。

⑵ 请问现在主流U盘会不会像SSD那样有均衡磨损的算法

当然有均匀磨损算法的，比如最常见的华芯主控HX6600，它的介绍页面上就有“华芯于2011年成功研发出国内第一款支持UASP和60位ECC纠错功能的USB3.0主控芯片，将USB3.0的性能提升了20%，同时提高了Flash的访问速度。华芯USB3.0主控芯片同时支持USB3.0/2.0接口，并且整合了3.3V和1.2V电源输出解决方案，优化了后续的应用开发，采用了创新的动态面、块、页三维地址映射和延长Flash寿命的磨损均匀算法。”

⑶ SSD平衡磨损算法的疑问

SSD装得越满，速度就越受影响，这个是没错的。因为负载平衡算法要用到剩余空间，但SandForce主控受这个影响较大，而M4影响不大。
至于你一开始说的那个极端情况，也不是简单这样分析。通常主控会把频繁读写的热数据平摊到每个颗粒每个区块。长远来看，这样性能会很受影响（因为平衡磨损均摊会造成大量地址变动），但对寿命而言，50MB热数据只是毛毛雨。
对于你的实际情况，请注意一点：读，是几乎不产生磨损的；写，才影响寿命。SSD主控的使命是兼顾性能和寿命，没事的时候吃饱了撑的去挪动超大文件？无论如何，主控不可能为了磨损平均度就玩命地搬移数据，平摊的过程本身就要造成读写，这方面SSD会有自己的算法来做到平衡。记住一点，寿命到时基本所有颗粒的磨损度都差不多！不可能给你造成只有某个颗粒读写特别厉害的情况。更何况还有预留空间，即使有颗粒超出预期地早挂，还有备份的顶上。
关于你说的WIN7后台挪动的问题，我只问你一句：相比winxp，win7才有的trim指令是干吗的？不就是为了SSD后台智能优化，恢复性能回收可用地址的嘛！这一切都是无声智能的。而且你要明白，一个超大的系统文件可能地址都分散映射在不同的SSD颗粒里面，即使为了磨损平衡，也只要变动很少一部分地址而已，没必要整个挪动大文件的。
对于你的补充，相信你现在也该明白了，如果在这种极端情况下，SSD主控会逐渐把不动的那些数据小部分小部分转移，让这100M的读写磨损尽量平均分布到所有颗粒上，了解？
PS：所以我当初狠狠心，直接上M4 128G了，系统盘丢进去，魔兽丢进去，还剩60G不到空间，干脆再把所有应用软件通通扔进去，这下能加速的都加速了，剩余空间也足够，寿命也好速度也好都妥妥的。
建议你去PCEVA论坛固态硬盘板块看看，版大对SSD的讲解深入浅出，以后看到OCZ之流的动辄5，600M速度就能一眼看穿猫腻在哪里。很庆幸，选了镁光，选了M4~