闪存编程写

‘壹’ STM32单片机闪存存储器里存储的是哪些内容

先看rom也就是flash（0x0800 0000-0x0807 ffff）512k，这个空间就是用户存放程序的地方，用户以后自己写boot loader的时候，也是存放在这个空间里的，system memory这个空间是2k大小，是st公司在生产完片子的时候，就固化好的isp代码，用户之所以能用上位机软件烧程序就是靠这部分的代码，用户更改不了这个区域，想了解这个区域就看AN2606文档，option bytes这个区域是16个字节，是控制flash区域的寄存器，想了解这些寄存器看STM32F10xxx闪存编程参考手册，SRAM这个区域的其实地址始终是0x2000 0000，终止地址就得根据你的SRAM的大小来进行计算了，这个区域就是程序运行时的临时变量区，什么堆栈都在这里面

‘贰’ 车辆闪存编程错误什么意思

1. 概述
微控制器的内部闪存有以下两种编程方法：

- 独立芯片编程
- 对目标系统中的设备编程

这两种编程方法仅在目标设备的状态上有所区别；基本的编程方法是相同的。
除此之外，有些设备支持自编程方式，这里不再详述。

在独立芯片编程方式中，除了编程器，还需要用于设置目标设备的插槽适配器。
通常采用由Naito Densei Machida Mfg. Co., Ltd.制造的适配器(FA系列)会较为简便。
在对目标系统中的设备进行编程（称为在线编程）期间，只是在供电目标系统和编程器之间进行简单的信号交换。

2. 需要的设备
以下是编程所需要的设备。

- 烧写器(例如: NEC Electronics制造的PG-FP4, Naito Densei Machida Mfg. Co., Ltd.制造的FL-PR4)
- 参数文件(可从NEC Electronics主页上下载)
- 控制用的个人计算机
- 具有所需配线的FA适配器(用于独立编程方式)
(在线编程中的目标系统)

3. 设备/编程器接口
为了编程，要在设备和编程器之间交换信号。
基本上要使用三类信号:

- 供电电源/控制相关的信号(VDD, VPP, RESET)
- 串行信号
- 运行时钟(需要时)

在供电电源/控制相关的信号中，VPP除了用作编程的电源供电信号外，也用于指定设备和编程器之间进行串行通信的模式。

此外，在独立芯片编程期间，编程器可以提供VDD，但在在线编程时，编程器没有足够的电力容量驱动整个电路板，所以需要单独的供电电源。

对于串行信号，根据实际使用的通信模式进行信号选择。
在线编程使用一个串行端口。
(由于通信模式随目标设备而不同，因此请根据不同的设备选择相应的通信模式。)
采用有握手方式的3线串行通信模式可以最大限度地缩短编程时间。
但是，FL-PR2不支持该模式。

如果独立编程方式中的设备没有提供时钟生成功能，编程器可以提供操作时钟。
但是，在这种情况下频率稍微受限制。
在线编程时，基本上由目标系统产生时钟，而不必由编程器提供。

4. 设备与编程器之间的基本交换(初始化)
编程时，编程器先为设备提供VDD。
在经历了电源的上升时间之后，提供VPP，在等待了上升时间之后，释放RESET。
然后系统等待时钟振荡稳定时间。

RESET释放且供应了时钟（振荡）后，设备进入闪存编程模式。
然后，编程器通过将VPP转换为脉冲的方式通知设备通信使用的接口类型。
由于该处理过程必须在给定的时间间隔内执行，因此必须保证在编程器释放RESET之后到设备RESET被释放之前不会插入会造成显着延时的电路。

在完成接口条件设置之后，编程器使用串行信号向设备发送最多16次的初始化命令。
如果在这16次初始化命令发送过程中，设备返回了ACK信号，则表明该设备准备好通信。
(如果此时在处理过程中出现错误，则会显示出错信息“目标初始化错误”。)

5. 编程与校验 通常在编程期间使用EPV指令，但在这种情况下要在设备内部进行V（校验）处理，而不执行对单独数据的校验。

为了更准确地检查写入的数据，在编程后会执行校验指令。

出于保护程序的目的，闪存编程数据不能从外部读取。
处于同样的原因，校验操作也不能通过指定地址来执行。

6. 参数文件
每个设备都有一个参数文件。
而且参数文件根据设备版本、使用的时钟或接口条件的不同而不同，因此使用的参数文件要与待编程的设备相匹配。
这个信息对您有用吗 ?
(2006/04)

writ
-0002 仿真器与闪存版本的操作是否不同?
Q1 与装载到仿真器上操作的模块文件同时产生的16进制文件被写入设备的闪存时，设备不执行操作。
(即使复位后设备也不操作。)
A1 假定闪存编程没有问题，同样的对象在仿真器上可以操作，而在闪存中不能，则可考虑以下原因。

(1) 对有初值的变量没有正确地初始化。 (没有正确执行ROMization。)
(2) 时钟没有完全振荡。
(3) 没有正确执行上电复位功能。(时间太短。)
(4) 使用了设备中没有的资源。
(5) 电源容量有问题。(仿真器仅监控电源，但没有使用目标设备的电源。)

另外考虑闪存可能存在的问题:

(6) 对闪存进行写操作时已经出现了错误。
(7) Vpp引脚处理可能不正确。(在掩模ROM版本中，IC引脚处理可能不正确。)

（2）和（3）是与硬件相关的问题，仿真器无法评测。
请针对硬件检查这些问题。
如果简单的程序可以成功运行，那么不大可能是与硬件相关的问题。

(4)也与仿真器设置有关。
程序大小是否超出了设备的存储器容量，或是在仿真器中分配了仿真存储空间？

有两种基本的编程方法，独立设备编程和对安装在目标系统上的设备的在线编程。

当对独立设备进行写操作时，要使用闪存编程器和适配器（FA-80GC或FA-80GK，均由Naito Densei Machida Mfg. Co., Ltd.制造）执行必要的配线操作。要了解有关编程所需信号的资料，可选择uPD780058子系列用户手册第26章列出的三个接口之一。
除了该信号，提供正常的时钟。
由于编程期间没有使用其它引脚，所以将其均作为未使用引脚处理。

相关参考文档可到上面引用的Naito Densei Machida Mfg. Co.的ASMIS的网站上的目标手册中查询。

在线编程期间要确保编程使用的信号与内部信号之间不发生冲突。
尤其注意编程使用的串行信号不可以在系统中使用，也不可切换。

同时编程器也应可以执行复位操作。
而且要提供转换开关或跳线，以便在正常使用时将Vpp引脚与Vss相连接，而在编程期间只能由编程器提供。 在闪存版本中，考虑编程器的驱动容量和设备的噪声允许误差，可以通过一个约10kΩ的电阻把Vpp下拉到Vss。

但是在安装期间，无论是否存在噪声允许误差都需要评测。
在掩模版本中，由于对应Vpp的引脚是一个测试引脚，因此Vpp必须始终与Vss直接连接。
如果没有与Vss直接连接，就不能保证正常操作。 初始化错误表明设备与编程器之间没有实现通信。
通常，当连接出现问题，或者当设备无法操作时，会出现这种情况。

请检查以下几点：
用户手册第290页介绍的连接是进行正常写操作时的信号连接。
对于在线编程，面板上提供电源和时钟，而编程器不提供时钟。

此外，这个时候，将FL-PR3的TARGET VDD SWITCH设定在IN一侧。
另外，编程期间将设备的VPP和复位切换到FL-PR3。
在这种状态下，除了CLK之外的其它信号都应该按手册中的描述进行连接，并且如果时钟振荡没有问题，应该可以进行编程。

‘叁’ 如何烧写f16-100hip 8脚闪存，用那种编程器

看前面是什么型号，一般是28或29，f是5v的flash rom，可能是32m的，看你的芯片封装一般的编程器都可以写。

‘肆’ 请问PIC16F1938的闪存程序存储器怎么进行擦除和写操作

/*******************************************************************************
* 名称：FlashRead
* 功能：读取程序存储器一个字
* 参数：addr -> 程序存储器字地址
* 返回：读取到的存储器值
*******************************************************************************/
uint16 FlashReadWord(uint16 addr)
{
EEADRL = ((addr) & 0x00ff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
CFGS = 0; //访问程序存储器or数据EEPROM
LWLO = 0; //仅装载写锁存器位
EEPGD = 1; //访问程序存储器
RD = 1; //启动对程序存储器or数据EEPROM的读操作，读操作占用一个周期，由硬件清零
asm("NOP");
asm("NOP");
return ((EEDATH)<<8 | (EEDATL));
}
/*******************************************************************************
* 名称：FlashWriteWord
* 功能：编程程序存储器一个字
* 参数：addr -> 程序存储器字地址
* dat -> 要编程的值
* 返回：无
*******************************************************************************/
void FlashWriteWord(uint16 addr,uint16 dat)
{
uint16 value;
EECON1 = 0;
EEADRL = ((addr) & 0xff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
value = dat & 0x3fff;
EEDATH = ((value) >> 8);
EEDATL = ((value) & 0xff);
EEPGD = 1; //访问程序存储器
CFGS = 0; //访问程序存储器or数据EEPROM
WREN = 1; //使能编程/擦除操作
LWLO = 0; //加载到程序存储锁存器，并编程到程序存储器
EECON2 = 0x55; //必须的解锁序列
EECON2 = 0xAA; //必须的解锁序列
WR = 1; //启动编程操作
asm("NOP");
asm("NOP");
WREN = 0; //禁止编程/擦除操作
}
/*******************************************************************************
* 名称：FlashWriteLine
* 功能：编程程序存储器一行(32字)
* 参数：addr -> 程序存储器行地址
* dat -> 要编程的值
* 返回：无
*******************************************************************************/
void FlashWriteLine(uint16 addr,uint16 *dat)
{
uint8 i;
uint16 value;
EECON1 = 0;
EEADRL = ((addr) & 0xff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
for(i=0;i<31;i++)
{
value = dat[i] & 0x3fff;
EEDATH = ((value) >> 8);
EEDATL = ((value) & 0xff);
EEPGD = 1; //访问程序存储器
CFGS = 0; //访问程序存储器or数据EEPROM
WREN = 1; //使能编程/擦除操作
LWLO = 1; //只加载到程序存储锁存器
EECON2 = 0x55; //必须的解锁序列
EECON2 = 0xAA; //必须的解锁序列
WR = 1; //启动编程操作
asm("NOP");
asm("NOP");
EEADR++;
}
value = dat[31] & 0x3fff;
EEDATH = ((value) >> 8);
EEDATL = ((value) & 0xff);
EEPGD = 1; //访问程序存储器
CFGS = 0; //访问程序存储器or数据EEPROM
WREN = 1; //使能编程/擦除操作
LWLO = 0; //加载到程序存储锁存器，并编程到程序存储器
EECON2 = 0x55; //必须的解锁序列
EECON2 = 0xAA; //必须的解锁序列
WR = 1; //启动编程操作
asm("NOP");
asm("NOP");
WREN = 0; //禁止编程/擦除操作
}
/*******************************************************************************
* 名称：FlashEraseLine
* 功能：擦除程序存储器一行
* 参数：addr -> 程序存储器行地址
* 返回：无
*******************************************************************************/
void FlashEraseLine(uint16 addr)
{
EEADRL = ((addr) & 0xff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
CFGS = 0; //访问程序存储器or数据EEPROM
WREN = 1; //使能编程/擦除操作
EEPGD = 1; //访问程序存储器
FREE = 1; //执行擦除操作
EECON2 = 0x55; //必须的解锁序列
EECON2 = 0xAA; //必须的解锁序列
WR = 1; //启动程序存储器or数据EEPROM编程/擦除操作
asm("NOP");
asm("NOP");
WREN = 0; //禁止编程/擦除操作
}

‘伍’ NAND的与NOR闪存比较

NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写(编程)操作的能力(见下图图2)。NOR的随机存取能力支持直接代码执行(XiP)，而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。NAND的缺点是随机存取的速率慢，NOR的缺点是受到读和擦除速度慢的性能制约。NAND较适合于存储文件。如今，越来越多的处理器具备直接NAND接口，并能直接从NAND(没有NOR)导入数据。
编程速度快、擦除时间短
NAND的真正好处是编程速度快、擦除时间短。NAND支持速率超过5Mbps的持续写操作，其区块擦除时间短至2ms，而NOR是750ms。显然，NAND在某些方面具有绝对优势。然而，它不太适合于直接随机存取。
对于16位的器件，NOR闪存大约需要41个I/O引脚；相对而言，NAND器件仅需24个引脚。NAND器件能够复用指令、地址和数据总线，从而节省了引脚数量。复用接口的一项好处，就在于能够利用同样的硬件设计和电路板，支持较大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封装已经沿用多年，该功能让客户能够把较高密度的NAND器件移植到相同的电路板上。NAND器件的另外一个好处显然是其封装选项：NAND提供一种厚膜的2Gb裸片或能够支持最多四颗堆叠裸片，容许在相同的TSOP-1封装中堆叠一个8Gb的器件。这就使得一种封装和接口能够在将来支持较高的密度。
NOR闪存的随机存取时间为0.12ms，而NAND闪存的第一字节随机存取速度要慢得多
以2Gb NAND器件为例，它由2048个区块组成，每个区块有64个页
2GB NAND闪存包含2,048个区块

‘陆’ 手机闪存什么意思呢

分清楚内存和闪存的概念。

一、什么是手机内存

手机系统内存又称“运行内存”。手机的“内存”分为“运行内存”及“非运行内存”。手机的“运行内存”相当于电脑的内存?即RAM。而手机的“非运行内存”?相当于电脑的硬盘?即ROM。RAM越大?手机能运行多个程序且流畅?ROM越大?就像硬盘越大?能存放更多的数据。 手机系统内存是指手机运行程序时的内存?简称运存也叫RAM?而另一个内存是用来存储东西的内存?就像8G的MP4一样,它拥有8G的存储空间,这种内存叫ROM。

二、什么是闪存

闪存： 闪存是采用一种新型内存(换句话说就是一种内存格式的一种)。闪存有许多种类型，从结构上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等，其中NAND和NOR是目前最为常见的类型。例如iPhone5所采用的东芝24纳米NAND闪存。闪存具有内存可擦可写可编程的优点，还具有写入的数据在断电后不会丢失的优点。所有被广泛应用用于数码相机，MP3，及移动存储设备。

总结：我们多指的手机内存就是用来存储东西的介质，而手机闪存是内存里面的一种比较好的存储类型，在读写和存储上面更具优势。

‘柒’ 为什么路由换了大闪存用编程器写入.不能亮

一般路由器的内存可以换来换去了，我是指已经用编程式刷好的。

‘捌’ 网络机顶盒闪存29f32g08存储芯片用什么编程器读写拷贝

这个NAND Flash容量很大，一般这么大的NAND都是MLC结构的，现在市面上有SmartPRO 6000F-PLUS是支持的，截图如：

大容量的NAND Flash都存在位翻转的情况，在读写的时候要非常注意，建议你找专业人士咨询。

‘玖’ 闪存卡的存储原理是什么

闪存卡存储原理是什么？闪存(Flash Memory)是非挥发存储的一种，具有关掉电源仍可保存数据的优点，同时又可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量，以及低功耗特性等优点。其存储物理机制实际上为一种新型EEPROM（电可擦除可编程只读存储）。是SCM（半导体存储器）的一种。早期的SCM采用典型的晶体管触发器作为存储位元，加上选择、读写等电路构成存储器。现代的SCM采用超大规模集成电路工艺制成存储芯片，每个芯片中包含相当数量的存储位元，再由若干芯片构成存储器。目前SCM广泛采用的主要材料是金属氧化物场效应管（MOS），包括PMOS、NMOS、CMOS三类，尤其是NMOS和CMOS应用最广泛。RAM（随机存取存储），是一种半导体存储器。必须在通电情况下工作，否则会丧失存储信息。RAM又分为DRAM（动态）和SRAM（静态）两种，我们现在普遍使用的PC机内存即是SDRAM（同步动态RAM），它在运行过程当中需要按一定频率进行充电（刷新）以维持信息。DDR DDR2内存也属于SDRAM。而SRAM不需要频繁刷新，成本比DRAM高，主要用在CPU集成的缓存（cache）上。PROM（可编程ROM）则只能写入一次，写入后不能再更改。EPROM（可擦除PROM）这种EPROM在通常工作时只能读取信息，但可以用紫外线擦除已有信息，并在专用设备上高电压写入信息。EEPROM（电可擦除PROM），用户可以通过程序的控制进行读写操作。闪存实际上是EEPROM的一种。一般MOS闸极(Gate)和通道的间隔为氧化层之绝缘(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制闸(Control gate)与通道间多了一层称为“浮闸”(floating gate)的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash Memory可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给存储的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。 Flash Memory芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash Memory采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”(Block)。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash Memory每次可擦写一块或整个芯片。Flash Memory的工作速度大幅领先于传统EEPROM芯片。 MSM（磁表面存储）是用非磁性金属或塑料作基体，在其表面涂敷、电镀、沉积或溅射一层很薄的高导磁率、硬矩磁材料的磁面，用磁层的两种剩磁状态记录信息"0"和"1"。基体和磁层合称为磁记录介质。依记录介质的形状可分别称为磁卡存储器、磁带存储器、磁鼓存储器和磁盘存储器。计算机中目前广泛使用的MSM是磁盘和磁带存储器。硬盘属于MSM设备。ODM（光盘存储）和MSM类似，也是将用于记录的薄层涂敷在基体上构成记录介质。不同的是基体的圆形薄片由热传导率很小，耐热性很强的有机玻璃制成。在记录薄层的表面再涂敷或沉积保护薄层，以保护记录面。记录薄层有非磁性材料和磁性材料两种，前者构成光盘介质，后者构成磁光盘介质。ODM是目前辅存中记录密度最高的存储器，存储容量很大且盘片易于更换。缺点是存储速度比硬盘低一个数量级。现已生产出与硬盘速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常见的ODM。