非易失性存儲
⑴ 什麼是非易失性存儲器
非易失性存儲器（nonvolatile memory）是所有形式的固態（沒有可動部分）存儲器的一個一般的術語，它不用定期地刷新存儲器內容。這包括所有形式的只讀存儲器（ROM），像是可編程只讀存儲器（PROM）、可擦可編程只讀存儲器（EPROM）、電可擦除只讀存儲器（EEPROM）和快閃記憶體。它也包括電池供電的隨機存取儲存器（RAM）。
⑵ 常見的非易失性存儲器有哪幾種
常見的非易失性存儲器有以下幾種：
一、可編程只讀內存：PROM（Programmable read-only memory）
其內部有行列式的鎔絲，可依用戶（廠商）的需要，利用電流將其燒斷，以寫入所需的數據及程序，鎔絲一經燒斷便無法再恢復，亦即數據無法再更改。
二、電可擦可編程只讀內存：EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory）
電子抹除式可復寫只讀存儲器（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。
三、可擦可編程只讀內存：EPROM（Erasable programmable read only memory）
可利用高電壓將數據編程寫入，但抹除時需將線路曝光於紫外線下一段時間，數據始可被清空，再供重復使用。因此，在封裝外殼上會預留一個石英玻璃所制的透明窗以便進行紫外線曝光。
四、電可改寫只讀內存：EAROM（Electrically alterable read only memory）
內部所用的晶元與寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，封裝上不設置透明窗，因此編程寫入之後就不能再抹除改寫。
五、快閃記憶體：Flash memory
是一種電子式可清除程序化只讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在電腦與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與U盤。快閃記憶體是一種特殊的、以宏塊抹寫的EEPROM。早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶元上的數據。
⑶ 幾種新型非易失性存儲器
關鍵詞： 非易失性存儲器；FeRAM；MRAM；OUM引言更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時問、更低成本和更高可靠性是存儲器設計和製造者追求的永恆目標。根據這一目標，人們研究各種存儲技術，以滿足應用的需求。本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。
圖1 MTJ元件結構示意圖鐵電存儲器(FeRAM)
鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。
當前應用於存儲器的鐵電材料主要有鈣鈦礦結構系列，包括PbZr1-xTixO3，SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。鐵電存儲器的存儲原理是基於鐵電材料的高介電常數和鐵電極化特性，按工作模式可以分為破壞性讀出(DRO)和非破壞性讀出(NDRO)。DRO模式是利用鐵電薄膜的電容效應，以鐵電薄膜電容取代常規的存儲電荷的電容，利用鐵電薄膜的極化反轉來實現數據的寫入與讀取。鐵電隨機存取存儲器(FeRAM)就是基於DRO工作模式。這種破壞性的讀出後需重新寫入數據，所以FeRAM在信息讀取過程中伴隨著大量的擦除/重寫的操作。隨著不斷地極化反轉，此類FeRAM會發生疲勞失效等可靠性問題。目前，市場上的鐵電存儲器全部都是採用這種工作模式。
⑷ 什麼是易失性存儲器什麼是非易失性存儲器
易失性存儲器就是在關閉計算機或者突然性、意外性關閉計算機的時候，裡面的數據會丟失，就像內存。非易失性存儲器在上面的情況下數據不會丟失，像硬碟等外存。
⑸ 什麼是非易失性存儲器
斷電後，所存儲的數據不會丟失的存儲器。
在許多常見的應用中，微處理器要求用非易失性存儲器來存放其可執行代碼、變數和其他暫態數據。rom、eprom或flash
memory(快閃記憶體)常被用來存放可執行代碼(因這些代碼不會被頻繁修改)
⑹ 「所有外存儲器都是非易失性存儲器」對嗎
是的，但也有DRAM和非易失存儲（Nand-flash, eMMC）結合的，但只有拆開看才知道
⑺ cmos是不是非易失性存儲器
cmos是非易失性存儲器。
非易失性存儲器是指當電流關掉後，所存儲的數據不會消失的電腦存儲器。而CMOS（互補金屬氧化物半導體）是微機主板上的一塊可讀寫的RAM晶元。CMOS RAM晶元由系統通過一塊鈕扣電池供電，因此無論是在關機狀態中，還是遇到系統斷電情況，CMOS所存儲的數據信息都不會丟失。
(7)非易失性存儲擴展閱讀：
CMOS作為可擦寫晶元使用，用來保存BIOS的硬體配置和用戶對某些參數的設定。在這個領域，用戶通常不會關心CMOS的硬體問題，而只關心寫在CMOS上的信息，也就是BIOS的設置問題，其中提到最多的就是系統故障時拿掉主板上的電池，進行CMOS放電操作，從而還原BIOS設置。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同構成，它的特點是低功耗。由於CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間要麼PMOS導通、要麼NMOS導通、要麼都截至，比線性的三極體（BJT）效率要高得多，因此功耗很低。
⑻ ROM是易失性存儲器還是非易事性存儲器
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統停止供電的時候仍然可以保持數據，而RAM通常都是在掉電之後就丟失數據，典型的RAM就是計算機的內存。
因此，是非易失性存儲器
RAM 有兩大類，一種稱為靜態RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前讀寫最快的存儲設備了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留數據的時間很短，速度也比SRAM慢，不過它還是比任何的ROM都要快，但從價格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多，計算機內存就是DRAM的。
DRAM分為很多種，常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，這里介紹其中的一種DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也稱作DDR SDRAM，這種改進型的RAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鍾讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有著成本優勢，事實上擊敗了Intel的另外一種內存標准－Rambus DRAM。在很多高端的顯卡上，也配備了高速DDR RAM來提高帶寬，這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
內存工作原理：
內存是用來存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，我們平常所提到的計算機的內存指的是動態內存（即DRAM），動態內存中所謂的"動態"，指的是當我們將數據寫入DRAM後，經過一段時間，數據會丟失，因此需要一個額外設電路進行內存刷新操作。
具體的工作過程是這樣的：一個DRAM的存儲單元存儲的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是數據丟失的原因；刷新操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於 1／2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持數據的連續性。
ROM也有很多種，PROM是可編程的ROM，PROM和 EPROM（可擦除可編程ROM）兩者區別是，PROM是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而 EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序，是一種通用的存儲器。另外一種EEPROM是通過電子擦出，價格很高，寫入時間很長，寫入很慢。
舉個例子，手機軟體一般放在EEPROM中，我們打電話，有些最後撥打的號碼，暫時是存在SRAM中的，不是馬上寫入通過記錄（通話記錄保存在EEPROM中），
因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。
FLASH 存儲器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會斷電丟失數據同時可以快速讀取數據（NVRAM 的優勢），U盤和MP3里用的就是這種存儲器。在過去的20年裡，嵌入式系統一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲設備，然而近年來Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統中的地位，用作存儲Bootloader以及操作系統或者程序代碼或者直接當硬碟使用（U盤）。
⑼ non-transitory memory是什麼
非易失性存儲器（Non-volatilememory）是指即使電源供應中斷，存儲器所存儲的數據並不會消失，重新供電後，就能夠讀取存儲器中的數據。
非易失性存儲器（英語：non-volatilememory，縮寫為NVM）是指當電流關掉後，所存儲的數據不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數據是否能在使用電腦時隨時改寫為標准，可分為二大類產品，即ROM和Flashmemory。
⑽ 非易失性內存的信息描述
非易失性內存的一種，利用存儲單元的可逆的相變來存儲信息。可擦寫的CD/DVD一直在用這種技術。目前主流技術是採用硫族元素（元素周期表上「氧」那一列）做的合金，一般採用的是鍺、銻、碲合金（簡稱GST）。這種合金在常溫下有兩種狀態，一種是不規則、無序的，具有較高的電阻（非晶態）；另一種是高度有序的，具有較低的電阻（晶態）。通過電脈沖局部集中加熱的方式在這兩種之間切換。和RAM一樣，相變存儲器是按位讀寫的。相比於Flash技術，相變存儲器不需要單獨的擦除步驟。讀取延遲大約在50-100納秒左右，寫入延遲大約是幾毫秒。PCM對運行環境的溫度要求很敏感，一般工作在0-70攝氏度之間。
MRAM:magnetic random access memory，磁阻隨機存取內存。
STT-MRAM: spin-transfer-torque magnetic RAM。實驗室階段，尚無產品。
ReRAM(RRAM): Resistive random-access memory 可變電阻式存儲器。
ECC（error correcting circuits）：對於BCH編碼，從k位的數據中糾正t個錯誤，至少需要t * ceil (log2k) + 1個校驗位。ECC採用標準的Hamming碼再多加一位parity bit，於是可以檢測一位及兩位錯誤，並糾正一位錯誤。現在主要是採用64+8,即72位一組，其中64位是數據，8位是校驗。
ECC是為DRAM設計的，對於Flash、NVM等，應考慮其它的方案。至少在有一點上有根本的不同，DRAM的錯誤一般都是臨時性的，而FLASH、PCM等都是永久的。
fusionIO octal：MLC Nand，如果是純512B的單位，IOPS 大約1百萬左右。以64 kB的單元讀寫，讀的帶寬是6GB/s，寫入帶寬4.4GB/s。訪問延遲30微秒。容量5.12T。
PCM需要程序做一些改進：
1、寫之前先讀，只寫被修改的位。
2、每行前面加一個標志位。稱為翻轉位。假如為1，代表其它的位是0-1翻轉過的。
不讀寫時可以不用通電保持數據，解決計算機存儲和訪問速度問題。
NVDIMM：non-volaitle al inline memory mole,一種集成了普通DDR RAM + 非易失性FLASH晶元的內存條。在系統異常掉電時，NVDIMM藉助其後備超級電容作為動力源，在短時間內將數據放入flash晶元，從而永久保存內存中的數據。相比其他介質的非易失性內存，NVDIMM已逐步進入主流伺服器市場，micron，viking，AGIGA等國外內存廠商皆以推出自己的NVDIMM。國內廠商雲動科技也了推出了自己的NVDIMM產品，並給出了基於NVDIMM的全系統保護 演示示例。