半導體存儲器特點

『壹』 半導體存儲器分為哪兩種

半導體存儲器分為隨機讀寫存儲器和只讀存儲器。

半導體存儲器的分類從製造工藝的角度可把半導體存儲器分為雙極型、CMOS型、HMOS型等；從應用角度上可將其分為兩大類：隨機讀寫存儲器（RAM），又稱隨機存取存儲器；只讀存儲器（ROM）。

1、只讀存儲器（ROM）

只讀存儲器在使用過程中，只能讀出存儲的信息而不能用通常的方法將信息寫入的存儲器，其中又可以分為以下幾種。

掩膜ROM，利用掩膜工藝製造，一旦做好，不能更改，因此只適合於存儲成熟的固定程序和數據。工廠大量生產時，成本很低。

可編程ROM，簡稱PROM，由廠商生產出的空白存儲器，根據用戶需要，利用特殊方法寫入程序和數據，但是只能寫一次，寫入後信息固定的，不能更改。

光擦除PROM，簡稱EPROM，這種存儲器編寫後，如果需要擦除可用紫外線燈製造的擦除器照射20分鍾左右，使存儲器復原用戶可再編程。

電擦除PROM，簡稱EEPROM，顧名思義可以通過電來進行擦除，這種存儲器的特點是能以位元組為單位擦除和改寫，而且不需要把晶元拔下插入編程器編程，在用戶系統即可進行。

Flash Memory，簡稱快閃記憶體。它是非易失性存儲器，在電源關閉後仍能保持片內信息，與EEPROM相比，快閃記憶體存儲器具有成本低密度大的優點。

2、隨機讀寫存儲器（RAM）

分為兩類：雙極型和MOS型兩種。雙極型RAM，其特點是存取速度快，採用晶體管觸發器作為基本存儲電路，管子較多，功耗大，成本高，主要用於高速緩存存儲器（Cache）MOS RAM，其特點是功耗低，密度大，故大多採用這種存儲器。

SRAM：存儲原理是用雙穩態觸發器來做存儲電路，狀態穩定，只要不掉電，信息就不會丟失，優點是不用刷新，缺點是集成度低。DRAM：存儲原理是用電容器來做存儲電路，優點是電路簡單，集成度高，缺點是由於電容會漏電需要不停地刷新。

『貳』 半導體存儲器有幾類，分別有什麼特點

1、隨機存儲器

對於任意一個地址，以相同速度高速地、隨機地讀出和寫入數據的存儲器（寫入速度和讀出速度可以不同）。存儲單元的內部結構一般是組成二維方矩陣形式，即一位一個地址的形式(如64k×1位)。但有時也有編排成便於多位輸出的形式（如8k×8位）。

特點：這種存儲器的特點是單元器件數量少，集成度高，應用最為廣泛（見金屬-氧化物-半導體動態隨機存儲器）。

2、只讀存儲器

用來存儲長期固定的數據或信息，如各種函數表、字元和固定程序等。其單元只有一個二極體或三極體。一般規定，當器件接通時為「1」,斷開時為「0」，反之亦可。若在設計只讀存儲器掩模版時,就將數據編寫在掩模版圖形中，光刻時便轉移到硅晶元上。

特點：其優點是適合於大量生產。但是，整機在調試階段，往往需要修改只讀存儲器的內容，比較費時、費事，很不靈活（見半導體只讀存儲器）。

3、串列存儲器

它的單元排列成一維結構，猶如磁帶。首尾部分的讀取時間相隔很長，因為要按順序通過整條磁帶。半導體串列存儲器中單元也是一維排列，數據按每列順序讀取，如移位寄存器和電荷耦合存儲器等。

特點：砷化鎵半導體存儲器如1024位靜態隨機存儲器的讀取時間已達2毫秒，預計在超高速領域將有所發展。

(2)半導體存儲器特點擴展閱讀：

半導體存儲器優點

1、存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路製作在同一個硅晶元上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機的運算和控制與存儲兩大部分之間的介面大為簡化。

2、數據的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數量級,可大大提高計算機運算速度。

3、利用大容量半導體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。

『叄』 按存儲器的讀寫功能分類，半導體存儲器可分為幾類各有何特點

按存儲器的讀寫功能分類，半導體存儲器可分為兩類：1.靜態 SRAM ，2.動態 DRAM
簡單說特點:靜態耗時稍長但信息穩定；動態快速但信息易流失。

『肆』 ROM的特點是

特點：ROM是一種只能讀出事先所存數據的固態半導體存儲器。其特性是一旦儲存資料就無法再將之改變或刪除。通常用在不需經常變更資料的電子或電腦系統中，並且資料不會因為電源關閉而消失。

ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電後所存數據也不會改變；其結構較簡單，讀出較方便，因而常用於存儲各種固定程序和數據。

除少數品種的只讀存儲器（如字元發生器）可以通用之外，不同用戶所需只讀存儲器的內容不同。為便於使用和大批量生產 ，進一步發展了可編程只讀存儲器（PROM）、可擦可編程序只讀存儲器（EPROM）和電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）。

(4)半導體存儲器特點擴展閱讀：

種類：

1、ROM

此內存的製造成本較低，常用於電腦中的開機啟動如啟動光碟，在系統裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統文件讀取至內存，然後通過cpu調用各種配件進行工作這時系統存放存儲器為RAM。這種屬於COMPACT DISC激光唱片，光碟就是這種。

2、PROM

可編程程序只讀存儲器（Programmable ROM，PROM）之內部有行列式的熔絲，是需要利用電流將其燒斷，寫入所需的資料，但僅能寫錄一次。

3、EPROM

可抹除可編程只讀存儲器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光於紫外線下，則資料可被清空，並且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。

4、OTPROM

一次編程只讀存儲器（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節省成本，編程寫入之後就不再抹除，因此不設置透明窗。

『伍』 什麼是半導體存儲器有什麼特點

半導體存儲器(semi-conctor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器.按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器.按其存儲原理可分為：靜態和動態兩種.其優點是：體積小、存儲速度快、存儲密...

『陸』 半導體存儲器的分類；各自的特點；存儲器容量與片上地址的關系；

半導體存儲器分ROM和RAM
ROM只讀存儲器
只能讀，不能寫，斷電後信息不會丟失，屬非易性存儲器,ROM又分為
1、掩膜ROM：由生產廠商用掩膜技術將程序寫入其中，適用於大批量生產
2、可編程ROM（PROM或OTP）：由用戶自行寫入程序，一旦寫入，不能修改，適用於小批量生產
3、可擦除可編程ROM（ EPROM ）：可由用戶自行寫入，寫入後，可用紫外線光照擦除重新寫新的程序，適用於科研
4、電可擦除ROM（EEPROM）：可用電信號擦除和重新寫入的存儲器，適用於斷電保護
RAM 隨機存取存儲器
既能讀，又能寫，斷電後信息會丟失，屬易失性存儲器
RAM用於存放各種現場的輸入輸出程序，數據，中間結果。RAM又分為靜態RAM，動態RAM
1、靜態RAM（SRAM）：利用半導體觸發器兩個穩定的狀態表示0或1
靜態RAM又分為雙極型的SRAM和MOS管的SRAM
雙極型的SRAM：用晶體管觸發器作為記憶單元
MOS管的SRAM：由6個MOS管作為記憶單元
雙極雙極型的SRAM型速度快， MOS管速度慢，不需要刷新
2、動態RAM（DRAM）：利用MOS管的柵極電容保存信靜態RAM息，即電荷的多少表示0和1。
動態RAM需要進行刷新操作

存儲器容量可以表示成2^n,n為地址線的數目

『柒』 半導體存儲器中動態ram的特點是

半導體存儲器中動態ram的特點是信息在存儲介質中移動。根據查詢相關公開資料得知動態RAM的特點是都靠電容存儲電荷的原理來寄存信息，電容上的電荷一般只能維持1到2ms。因此即使電源不掉電，信息也會自動消失，所以必須在2ms內對其所有存儲單元恢復一次原狀態，稱為刷新，刷新是一行一行進行的。

『捌』 半導體存儲器的優點

是：體積小、存儲速度快、存儲密度高、與邏輯電路介面容易。

『玖』 常用半導體存儲器有哪幾類各有什麼特點

半導體存儲器分類：
1，按其功能可分為隨機存取存儲器（簡稱RAM）和只讀存儲器（只讀ROM）
（1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用於主存（內存的主體部分），SRAM主要用於高速緩存存儲器。
（2）只讀存儲器（ROM）特點：只讀存儲器的特點是只能讀出不能隨意寫入信息，在主板上的ROM裡面固化了一個基本輸入/輸出系統，稱為BIOS（基本輸入輸出系統）。其主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程序及引導操作系統。
2，按其製造工藝可分為：雙極晶體管存儲器和MOS晶體管存儲器。
（1）雙極型存儲器特點：運算速度比磁芯存儲器速度約快 3個數量級，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使介面大為簡化。

（2）MOS晶體管存儲器特點：集成度高、容量大、體積小、存取速度快、功耗低、價格便宜、維護簡單。
3，按其存儲原理，可分為：靜態和動態兩種。
（1）靜態存儲器特點：需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩定的保存信息。

（2）動態存儲器特點：超大容量的存儲技術，跟其它類型的存儲器相比，每兆比特的價格為最低。