dram存儲器市場
❶ 計算機中DRAM什麼意思
動態隨機存取存儲器最為常見的系統內存。
❷ 目前市面上最主流的內存類型是什麼
指內存所採用的內存類型，不同類型的內存傳輸類型各有差異，在傳輸率、工作頻率、工作方式、工作電壓等方面都有不同。目前市場中主要有的內存類型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三種，其中DDR SDRAM內存占據了市場的主流，而SDRAM內存規格已不再發展，處於被淘汰的行列。RDRAM則始終未成為市場的主流，只有部分晶元組支持，而這些晶元組也逐漸退出了市場，RDRAM前景並不被看好。
SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步動態隨機存儲器），曾經是PC電腦上最為廣泛應用的一種內存類型，即便在今天SDRAM仍舊還在市場佔有一席之地。既然是「同步動態隨機存儲器」，那就代表著它的工作速度是與系統匯流排速度同步的。SDRAM內存又分為PC66、PC100、PC133等不同規格，而規格後面的數字就代表著該內存最大所能正常工作系統匯流排速度，比如PC100，那就說明此內存可以在系統匯流排為100MHz的電腦中同步工作。
與系統匯流排速度同步，也就是與系統時鍾同步，這樣就避免了不必要的等待周期，減少數據存儲時間。同步還使存儲控制器知道在哪一個時鍾脈沖期由數據請求使用，因此數據可在脈沖上升期便開始傳輸。SDRAM採用3.3伏工作電壓，168Pin的DIMM介面，帶寬為64位。SDRAM不僅應用在內存上，在顯存上也較為常見。
DDR SDRAM：嚴格的說DDR應該叫DDR SDRAM，人們習慣稱為DDR，部分初學者也常看到DDR SDRAM，就認為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態隨機存儲器的意思。DDR內存是在SDRAM內存基礎上發展而來的，仍然沿用SDRAM生產體系，因此對於內存廠商而言，只需對製造普通SDRAM的設備稍加改進，即可實現DDR內存的生產，可有效的降低成本。
SDRAM在一個時鍾周期內只傳輸一次數據，它是在時鍾的上升期進行數據傳輸；而DDR內存則是一個時鍾周期內傳輸兩次次數據，它能夠在時鍾的上升期和下降期各傳輸一次數據，因此稱為雙倍速率同步動態隨機存儲器。DDR內存可以在與SDRAM相同的匯流排頻率下達到更高的數據傳輸率。
與SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數據的輸送和輸出主要步驟既獨立執行，又保持與CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延時鎖定迴路提供一個數據濾波信號)技術，當數據有效時，存儲控制器可使用這個數據濾波信號來精確定位數據，每16次輸出一次，並重新同步來自不同存儲器模塊的數據。DDL本質上不需要提高時鍾頻率就能加倍提高SDRAM的速度，它允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿讀出數據，因而其速度是標准SDRA的兩倍。
從外形體積上DDR與SDRAM相比差別並不大，他們具有同樣的尺寸和同樣的針腳距離。但DDR為184針腳，比SDRAM多出了16個針腳，主要包含了新的控制、時鍾、電源和接地等信號。DDR內存採用的是支持2.5V電壓的SSTL2標准，而不是SDRAM使用的3.3V電壓的LVTTL標准。
DDR2的詳解
RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美國的RAMBUS公司開發的一種內存。與DDR和SDRAM不同，它採用了串列的數據傳輸模式。在推出時，因為其徹底改變了內存的傳輸模式，無法保證與原有的製造工藝相兼容，而且內存廠商要生產RDRAM還必須要迦納一定專利費用，再加上其本身製造成本，就導致了RDRAM從一問世就高昂的價格讓普通用戶無法接收。而同時期的DDR則能以較低的價格，不錯的性能，逐漸成為主流，雖然RDRAM曾受到英特爾公司的大力支持，但始終沒有成為主流。
RDRAM的數據存儲位寬是16位，遠低於DDR和SDRAM的64位。但在頻率方面則遠遠高於二者，可以達到400MHz乃至更高。同樣也是在一個時鍾周期內傳輸兩次次數據，能夠在時鍾的上升期和下降期各傳輸一次數據，內存帶寬能達到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行緩沖器的信息在寫回存儲器後便不再保留，而RDRAM則具有繼續保持這一信息的特性，於是在進行存儲器訪問時，如行緩沖器中已經有目標數據，則可利用，因而實現了高速訪問。另外其可把數據集中起來以分組的形式傳送，所以只要最初用24個時鍾，以後便可每1時鍾讀出1個位元組。一次訪問所能讀出的數據長度可以達到256位元組。
伺服器內存
伺服器內存也是內存(RAM)，它與普通PC（個人電腦）機內存在外觀和結構上沒有什麼明顯實質性的區別，主要是在內存上引入了一些新的特有的技術，如ECC、ChipKill、熱插拔技術等，具有極高的穩定性和糾錯性能。
伺服器內存主要技術：
(1)ECC
在普通的內存上，常常使用一種技術，即Parity，同位檢查碼（Parity check codes）被廣泛地使用在偵錯碼（error detectioncodes）上，它們增加一個檢查位給每個資料的字元（或位元組），並且能夠偵測到一個字元中所有奇（偶）同位的錯誤，但Parity有一個缺點，當計算機查到某個Byte有錯誤時，並不能確定錯誤在哪一個位，也就無法修正錯誤。基於上述情況，產生了一種新的內存糾錯技術，那就是ECC，ECC本身並不是一種內存型號，也不是一種內存專用技術，它是一種廣泛應用於各種領域的計算機指令中，是一種指令糾錯技術。ECC的英文全稱是「 Error Checking and Correcting」，對應的中文名稱就叫做「錯誤檢查和糾正」，從這個名稱我們就可以看出它的主要功能就是「發現並糾正錯誤」，它比奇偶校正技術更先進的方面主要在於它不僅能發現錯誤，而且能糾正這些錯誤，這些錯誤糾正之後計算機才能正確執行下面的任務，確保伺服器的正常運行。之所以說它並不是一種內存型號，那是因為並不是一種影響內存結構和存儲速度的技術，它可以應用到不同的內存類型之中，就象前講到的「奇偶校正」內存，它也不是一種內存，最開始應用這種技術的是EDO內存，現在的SD也有應用，而ECC內存主要是從SD內存開始得到廣泛應用，而新的DDR、RDRAM也有相應的應用，目前主流的ECC內存其實是一種SD內存。
(2)Chipkill
Chipkill技術是IBM公司為了解決目前伺服器內存中ECC技術的不足而開發的，是一種新的ECC內存保護標准。我們知道ECC內存只能同時檢測和糾正單一比特錯誤，但如果同時檢測出兩個以上比特的數據有錯誤，則一般無能為力。目前ECC技術之所以在伺服器內存中廣泛採用，一則是因為在這以前其它新的內存技術還不成熟，再則在目前的伺服器中系統速度還是很高，在這種頻率上一般來說同時出現多比特錯誤的現象很少發生，正因為這樣才使得ECC技術得到了充分地認可和應用，使得ECC內存技術成為幾乎所有伺服器上的內存標准。
但隨著基於Intel處理器架構的伺服器的CPU性能在以幾何級的倍數提高，而硬碟驅動器的性能同期只提高了少數的倍數，因此為了獲得足夠的性能，伺服器需要大量的內存來臨時保存CPU上需要讀取的數據，這樣大的數據訪問量就導致單一內存晶元上每次訪問時通常要提供4（32位）或8（64位）比特以上的數據，一次性讀取這么多數據，出現多位數據錯誤的可能性會大大地提高，而ECC又不能糾正雙比特以上的錯誤，這樣就很可能造成全部比特數據的丟失，系統就很快崩潰了。IBM的Chipkill技術是利用內存的子結構方法來解決這一難題。內存子系統的設計原理是這樣的，單一晶元，無論數據寬度是多少，只對於一個給定的ECC識別碼，它的影響最多為一比特。舉個例子來說明的就是，如果使用4比特寬的DRAM，4比特中的每一位的奇偶性將分別組成不同的ECC識別碼，這個ECC識別碼是用單獨一個數據位來保存的，也就是說保存在不同的內存空間地址。因此，即使整個內存晶元出了故障，每個ECC識別碼也將最多出現一比特壞數據，而這種情況完全可以通過ECC邏輯修復，從而保證內存子系統的容錯性，保證了伺服器在出現故障時，有強大的自我恢復能力。採用這種內存技術的內存可以同時檢查並修復4個錯誤數據位，伺服器的可靠性和穩定得到了更加充分的保障。
(3)Register
Register即寄存器或目錄寄存器，在內存上的作用我們可以把它理解成書的目錄，有了它，當內存接到讀寫指令時，會先檢索此目錄，然後再進行讀寫操作，這將大大提高伺服器內存工作效率。帶有Register的內存一定帶Buffer(緩沖)，並且目前能見到的Register內存也都具有ECC功能，其主要應用在中高端伺服器及圖形工作站上，如IBM Netfinity 5000。
伺服器內存典型類型
目前伺服器常用的內存有SDRAM和DDR兩種內存
❸ 作晶元的上市公司就這個價，中國晶元還能強嗎
科技真相 科技紅利及方向型資產研究
中國半導體集成電路晶元產業百人高峰論壇，在上海圓滿舉行，會議邀請了國家集成電路產業投資基金(大基金)、安芯基金以及中國半導體集成電路晶元產業龍頭公司的領導、專家們以及科技產業分析師鄭震湘，共同探討中國半導體集成電路晶元產業所面臨的現狀、機遇及挑戰。
我們能夠更加清晰看到中國半導體集成電路晶元產業崛起的必然性以及在當中我們所面臨任務的艱巨性，中國半導體集成電路晶元產業進入了發展的重大轉型期和變革期，在國家、中國半導體集成電路晶元產業人及諸多社會力量的大力支持下，我們必將迎來半導體集成電路晶元產業的突破及發展，不忘初心，砥礪前行，實現國之重器「中國芯」的中國夢！
中芯國際聯合首席執行官趙海軍博士發表主題演講，《中國半導體製造產業的現狀與前景》。
一、中國半導體製造業現狀
❹ DRAM存儲器的中文和含義
DRAM存儲器的中文是動態隨機存取存儲器。
含義：為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
寫操作時，寫選擇線為"1"，所以Q1導通，要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極，並通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時，先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電，當讀選擇線為高電平有效時,Q3處於可導通的狀態。若原來存有"1",則Q2導通，讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為"0"，正好和原存信息相反。
若原存信息為"0",則Q3盡管具備導通條件，但因為Q2截止，所以，CD上的電壓保持不變，因而，讀得的信息為"1"。可見，對這樣的存儲電路，讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數據匯流排。
(4)dram存儲器市場擴展閱讀：
在半導體科技極為發達的中國台灣，內存和顯存被統稱為記憶體（Memory），全名是動態隨機存取記憶體（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。
基本原理就是利用電容內存儲電荷的多寡來代表0和1，這就是一個二進制位元（bit），內存的最小單位。
DRAM的結構可謂是簡單高效，每一個bit只需要一個晶體管另加一個電容。但是電容不可避免的存在漏電現象，如果電荷不足會導致數據出錯，因此電容必須被周期性的刷新（預充電），這也是DRAM的一大特點。
而且電容的充放電需要一個過程，刷新頻率不可能無限提升（頻障），這就導致DRAM的頻率很容易達到上限，即便有先進工藝的支持也收效甚微。隨著科技的進步，以及人們對超頻的一種意願，這些頻障也在慢慢解決。
❺ 當今主流行存儲器介紹
儲器技術是一種不斷進步的技術，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，這是因為開發新技術的初衷就是為了消除或減輕某種特定存儲器產品的不足之處。
舉例來說，快閃記憶體技術脫胎於EEPROM，它的第1個主要用途就是為了取代用於PC機BIOS的EEPROM晶元，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。
這樣，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，從PC機直到數字相機。本文即著眼於對現有的存儲器技術及其未來走向進行考察。
DRAM
嚴重依賴於PC的DRAM市場總是處於劇烈的振盪之中。對目前處於衰退過程中的供應商們來說，降低每比特DRAM生產成本唯一劃算的方法就是縮小DRAM晶元的尺寸。所以，製造商們就不斷地尋找可以縮小DRAM晶元尺寸的方法。
隨著市場的復甦和邊際效益的增長，供應商們會逐漸轉向使用300mm的大圓片。但現在，大多數DRAM生產商都承擔不起在300mm圓片上生產的費用。
就像石油公司都想多賣高品質汽油以獲取高額利潤一樣，DRAM生產商也正在把產品線從SDRAM換成DDR SDRAM，希望賣個高價。在DDR之後又出來一個DDR II，這是一種更先進的DRAM技術，已經受到英特爾的歡迎。出於同樣的原因，存儲器生產商們很快就會升級到DDR II技術。
同樣像石油公司不斷勘探新油田一樣，DRAM生產商也在不斷地開發新的市場，包括通信和消費電子市場在內。他們希望這樣能降低對PC市場的依存度，平穩渡過市場振盪期。
許多生產商都開始針對這些市場開發專門的DRAM產品。
不幸的是，隨著人們開始對各種模塊和伺服器進行升級，PC市場在未來仍將是DRAM應用最主要的推動力。盡管一些生產商認為通信將成為另一個主要的推動力，但根據iSuppli公司的預測，至少在2002年，通信市場在DRAM銷售中所佔的份額將仍低於2%。
生產商對消費電子市場的期望值更高。網路設備和數字電視是DRAM應用增長最迅速的領域，但與PC市場相比，其份額仍然太小了。
但是，不論是消費電子市場還是PC市場，DRAM面臨的最大挑戰都是以下需求：更高的密度、更大的帶寬、更低的功耗、更少的延遲時間以及更低的價格。因此，對DRAM生產商和用戶來說，在消費電子領域中性價比還是最主要的考慮因素。
現在已經有許多公司在開始或已經開始提供專門為各種非PC應用設計的DRAM，包括短延遲DRAM（RL-DRAM）以及各種Rambus DRAM（RDRAM）。這些專用DRAM的產量都很小，單位售價很高。因此，iSuppli相信在非PC領域內，這些專用存儲器永遠不會取代普通的SDRAM和DDR存儲器。所以，對DRAM來說，其未來屬於低價、標准、大量生產的、面向其占最大份額的PC市場的技術。
快閃記憶體和其他非易失性存儲器
目前，非易失性存儲器技術的最高水平是快閃記憶體。如同DRAM依賴於PC市場一樣，快閃記憶體也依賴於手機和機頂盒市場。由於這些設備的需求一直不夠強勁，所以快閃記憶體目前良好的銷售情況只是季節性的，今年下半年就會降下來。
但到明年上半年，手機、數字消費產品以及數字介質的需求會比較強勁，所以快閃記憶體的前景也會變得光明一些。
盡管目前非易失性存儲器中最先進的就是快閃記憶體，但技術卻並未就此停步。生產商們正在開發多種新技術，以便使快閃記憶體也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。
非易失性存儲器包括鐵電介質存儲器（FRAM或FeRAM）、磁介質存儲器（MRAM）、奧弗辛斯基效應一致性存儲器（OUM）以及聚合物存儲器（PFRAM），對數據處理來說，它們都很有前途，因為它們突破了SRAM、DRAM以及快閃記憶體的局限性。
每種技術都有自己的目標市場，iSuppli公司將在下面逐一進行分析。
FRAM
FRAM是下一代的非易失性存儲器技術，運行能耗低，在斷電後能長期保存數據。它綜合了RAM高速讀寫和ROM長期保存數據的特點。
這項技術利用了鐵電材料可保存信息的特點，使用工業標準的CMOS半導體存儲器製造工藝來生產，直到近日才研發成功。但是，FRAM的壽命是有限的，而其讀取是破壞性的，就是說一旦進行讀取，FRAM中存儲的數據就消失了。
MRAM
MRAM是非易失性的存儲器，速度比DRAM還快。在實驗室中，MRAM的寫入時間可低至2.3ns。
MRAM擁有無限次的讀寫能力，並且功耗極低，可實現瞬間開關機並能延長便攜機的電池使用時間。而且，MRAM的電路比普通存儲器還簡單，整個晶元只需一條讀出電路。
但就生產成本來看，MRAM比SRAM、DRAM及快閃記憶體都高得多。
OUM
OUM是一種非易失性存儲器，可以替代低功耗的快閃記憶體。它擁有很長的讀寫操作壽命，並且比快閃記憶體更易集成。OUM存儲單元的密度極高，讀取操作完全安全，只需極低的電壓和功率即可工作，同現有邏輯電路的集成也相當簡單。用OUM單元製作的存儲器大約可寫入10億次，這使它成為便攜設備中大容量存儲器的理想替代品。
但是，OUM有一定的使用壽命，長期使用會出一些可靠性問題。
PFRAM
PFRAM是一種塑料的、基於聚合物的非易失性存儲器，通過三維堆疊技術可以得到很高的密度，但它的讀寫操作壽命有限。
PFRAM可能會替代快閃記憶體，並且其成本只有NOR型快閃記憶體的10%左右。塑料存儲器的存儲潛力也相當巨大。
今後，生產聚合物存儲器可能會變得像印照片一樣簡單，但今年才剛剛開始對這種存儲器的生產工藝進行研發。PFRAM的讀寫次數也有限，並且其讀取也是破壞性的，就像FRAM一樣。
總之，存儲器技術將會繼續發展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。
而在非易失性存儲器領域，供應商們正在研究快閃記憶體之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，而這些技術各有優劣。
❻ DRAM存儲器是
RAM是隨機存儲器 ROM是只讀存儲器
DRAM是動態隨機存儲器，為防止數據丟失，需定時刷新， 現在電腦的內存條都屬於DRAM
SRAM，是靜態隨機存儲器，由於其價格較高，但不需定時刷新，多用於單片機等小容量系統。
❼ 當前存儲器系統的發展概況
發展趨勢
存儲器的發展都具有更大、更小、更低的趨勢，這在閃速存儲器行業表現得尤為淋漓盡致。隨著半導體製造工藝的發展，主流閃速存儲器廠家採用0�18μm，甚至0.15μm的製造工藝。藉助於先進工藝的優勢，Flash Memory的容量可以更大：NOR技術將出現256Mb的器件，NAND和AND技術已經有1Gb的器件；同時晶元的封裝尺寸更小：從最初DIP封裝，到PSOP、SSOP、TSOP封裝，再到BGA封裝，Flash Memory已經變得非常纖細小巧；先進的工藝技術也決定了存儲器的低電壓的特性，從最初12V的編程電壓，一步步下降到5V、3.3V、2�7V、1.8V單電壓供電。這符合國際上低功耗的潮流，更促進了攜帶型產品的發展。
另一方面，新技術、新工藝也推動Flash Memory的位成本大幅度下降：採用NOR技術的Intel公司的28F128J3價格為25美元，NAND技術和AND技術的Flash Memory將突破1MB 1美元的價位，使其具有了取代傳統磁碟存儲器的潛質。
世界閃速存儲器市場發展十分迅速，其規模接近DRAM市場的1/4，與DRAM和SRAM一起成為存儲器市場的三大產品。Flash Memory的迅猛發展歸因於資金和技術的投入，高性能低成本的新產品不斷涌現，刺激了Flash Memory更廣泛的應用，推動了行業的向前發展。
❽ 內存條的發展史和當今主流的內存條
內存發展史
Wikipedia，自由的網路全書
在了解內存的發展之前，我們應該先解釋一下幾個常用詞彙，這將有助於我們加強對內存的理解。RAM就是Random Access Memory（隨機存貯器）的縮寫。它又分成兩種Static RAM（靜態隨機存貯器）和Dynamic RAM（動態隨機存貯器）。
SRAM曾經是一種主要的內存，SRAM速度很快而且不用刷新就能保存數據不丟失。它以雙穩態電路形式存儲數據，結構復雜，內部需要使用更多的晶體管構成寄存器以保存數據，所以它採用的矽片面積相當大，製造成本也相當高，所以現在只能把SRAM用在比主內存小的多的高速緩存上。隨著 Intel將L2高速緩存整合入CPU（從Medocino開始）後，SRAM失去了最大應用需求來源，還好在行動電話從模擬轉向數字的發展趨勢中，終於為具有省電優勢的SRAM尋得了另一個需求成長的契機，再加上網路伺服器、路由器等的需求激勵，才使得SRAM市場勉強得以繼續成長。
DRAM，顧名思義即動態RAM。DRAM的結構比起SRAM來說要簡單的多，基本結構是一隻MOS管和一個電容構成。具有結構簡單、集成度高、功耗低、生產成本低等優點，適合製造大容量存儲器，所以現在我們用的內存大多是由DRAM構成的。所以下面主要介紹DRAM內存。在詳細說明DRAM存儲器前首先要說一下同步的概念，根據內存的訪問方式可分為兩種：同步內存和非同步內存。區分的標準是看它們能不能和系統時鍾同步。內存控制電路（在主板的晶元組中，一般在北橋晶元組中）發出行地址選擇信號（RAS）和列地址選擇信號（CAS）來指定哪一塊存儲體將被訪問。在SDRAM之前的 EDO內存就採用這種方式。讀取數據所用的時間用納秒錶示。當系統的速度逐漸增加，特別是當66MHz頻率成為匯流排標准時，EDO內存的速度就顯得很慢了，CPU總要等待內存的數據，嚴重影響了性能，內存成了一個很大的瓶頸。因此出現了同步系統時鍾頻率的SDRAM。
DRAM的分類 FP DRAM：又叫快頁內存，在386時代很流行。因為DRAM需要恆電流以保存信息，一旦斷電，信息即丟失。它的刷新頻率每秒鍾可達幾百次，但由於FP DRAM使用同一電路來存取數據，所以DRAM的存取時間有一定的時間間隔，這導致了它的存取速度並不是很快。另外，在DRAM中，由於存儲地址空間是按頁排列的，所以當訪問某一頁面時，切換到另一頁面會佔用CPU額外的時鍾周期。其介面多為72線的SIMM類型。 EDO DRAM：EDO RAM――Extended Date Out RAM——外擴充數據模式存儲器，EDO-RAM同FP DRAM相似，它取消了擴展數據輸出內存與傳輸內存兩個存儲周期之間的時間間隔，在把數據發送給CPU的同時去訪問下一個頁面，故而速度要比普通DRAM 快15~30%。工作電壓為一般為5V，其介面方式多為72線的SIMM類型，但也有168線的DIMM類型。EDO DRAM這種內存流行在486以及早期的奔騰電腦上。當前的標準是SDRAM（同步DRAM的縮寫），顧名思義，它是同步於系統時鍾頻率的。SDRAM內存訪問採用突發（burst）模式，它和原理是， SDRAM在現有的標准動態存儲器中加入同步控制邏輯(一個狀態機)，利用一個單一的系統時鍾同步所有的地址數據和控制信號。使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的數據傳輸。 在功能上，它類似常規的DRAM，也需時鍾進行刷新。 可以說， SDRAM是一種改善了結構的增強型DRAM。然而，SDRAM是如何利用它的同步特性而適應高速系統的需要的呢？我們知道，原先我們使用的動態存儲器技術都是建立在非同步控制基礎上的。系統在使用這些非同步動態存儲器時需插入一些等待狀態來適應非同步動態存儲器的本身需要，這時，指令的執行時間往往是由內存的速度、而非系統本身能夠達到的最高速率來決定。例如，當將連續數據存入CACHE時，一個速度為60ns的快頁內存需要40ns的頁循環時間；當系統速度運行在100MHz時(一個時鍾周期10ns)，每執行一次數據存取，即需要等待4個時鍾周期！而使用SDRAM，由於其同步特性，則可避免這一時。 SDRAM結構的另一大特點是其支持DRAM的兩列地址同時打開。兩個打開的存儲體間的內存存取可以交叉進行，一般的如預置或激活列可以隱藏在存儲體存取過程中，即允許在一個存儲體讀或寫的同時，令一存儲體進行預置。按此進行，100MHz的無縫數據速率可在整個器件讀或寫中實現。因為SDRAM的速度約束著系統的時鍾速度，它的速度是由MHz或ns來計算的。 SDRAM的速度至少不能慢於系統的時鍾速度，SDRAM的訪問通常發生在四個連續的突發周期，第一個突發周期需要4個系統時鍾周期，第二到第四個突發周期只需要1個系統時鍾周期。用數字表示如下：4-1-1-1。順便提一下BEDO（Burst EDO）也就是突發EDO內存。實際上其原理和性能是和SDRAM差不多的，因為Intel的晶元組支持SDRAM，由於INTEL的市場領導地位幫助 SDRAM成為市場的標准。
DRAMR的兩種介面類型 DRAM主要有兩種介面類型，既早期的SIMM和現在的標准DIMM。SIMM是Single-In Line Memory Mole的簡寫，即單邊接觸內存模組，這是486及其較早的PC機中常用的內存的介面方式。在更早的PC機中（486以前），多採用30針的SIMM 介面，而在Pentium中，應用更多的則是72針的SIMM介面，或者是與DIMM介面類型並存。DIMM是Dual In-Line Memory Mole的簡寫，即雙邊接觸內存模組，也就是說這種類型介面內存的插板的兩邊都有數據介面觸片，這種介面模式的內存廣泛應用於現在的計算機中，通常為 84針，但由於是雙邊的，所以一共有84×2=168線接觸，故而人們經常把這種內存稱為168線內存，而把72線的SIMM類型內存模組直接稱為72線內存。DRAM內存通常為72線，EDO-RAM內存既有72線的，也有168線的，而SDRAM內存通常為168線的。
新的內存標准在新的世紀到來之時，也帶來了計算機硬體的重大改變。計算機的製造工藝發展到已經可以把微處理器（CPU）的時鍾頻率提高的一千兆的邊緣。相應的內存也必須跟得上處理器的速度才行。現在有兩個新的標准，DDR SDRAM內存和Rambus內存。它們之間的競爭將會成為PC內存市場競爭的核心。DDR SDRAM代表著一條內存逐漸演化的道路。Rambus則代表著計算機設計上的重大變革。從更遠一點的角度看。DDR SDRAM是一個開放的標准。然而Rambus則是一種專利。它們之間的勝利者將會對計算機製造業產生重大而深遠的影響。
RDRAM在工作頻率上有大幅度的提升，但這一結構的改變，涉及到包括晶元組、DRAM製造、封裝、測試甚至PCB及模組等的全面改變，可謂牽一發而動全身。未來高速DRAM結構的發展究竟如何？Intel重新整裝再發的820晶元組，是否真能如願以償地讓RDRAM登上主流寶座？
PC133 SDRAM：PC133 SDRAM基本上只是PC100 SDRAM的延伸，不論在DRAM製造、封裝、模組、連接器方面，都延續舊有規范，它們的生產設備相同，因此生產成本也幾乎與PC100 SDRAM相同。嚴格來說，兩者的差別僅在於相同製程技術下，所多的一道「篩選」程序，將速度可達133MHz的顆粒挑選出來而已。若配合可支持 133MHz外頻的晶元組，並提高CPU的前端匯流排頻率（Front Side Bus）到133MHz，便能將DRAM帶寬提高到1GB/sec以上，從而提高整體系統性能。
DDR-SDRAM：DDR SDRAM（Double Data Rate DRAM）或稱之為SDRAMⅡ，由於DDR在時鍾的上升及下降的邊緣都可以傳輸資料，從而使得實際帶寬增加兩倍，大幅提升了其性能／成本比。就實際功能比較來看，由PC133所衍生出的第二代PC266 DDR SRAM（133MHz時鍾×2倍數據傳輸＝266MHz帶寬），不僅在InQuest最新測試報告中顯示其性能平均高出Rambus 24.4％，在Micron的測試中，其性能亦優於其他的高頻寬解決方案，充份顯示出DDR在性能上已足以和Rambus相抗衡的程度。
Direct Rambus-DRAM ：Rambus DRAM設計與以往DRAM很大的不同之處在於，它的微控制器與一般內存控制器不同，使得晶元組必須重新設計以符合要求，此外，數據通道介面也與一般內存不同，Rambus以2條各8 bit寬（含ECC則為9 bit）的數據通道（channel）傳輸數據，雖然比SDRAM的64bit窄，但其時鍾頻率卻可高達400MHz，且在時鍾的上升和下降沿都能傳輸數據，因而能達到1.6GB／sec的尖峰帶寬。
各種DRAM規格之綜合比較數據帶寬：從數據帶寬來看，傳統PC100在時鍾頻率為100MHz的情況下，尖峰數據傳輸率可達到800MB／sec。若以先進0.25微米線程製造的 DRAM，大都可以「篩選」出時鍾頻率達到133MHz的PC133顆粒，可將尖峰數據傳輸率再次提高至1.06GB／sec，只要CPU及晶元組能配合，就可提高整體系統性能。此外，就DDR而言，由於其在時鍾上升和下降沿都能傳輸數據，所以在相同133MHz的時鍾頻率下，其尖峰數據傳輸將可大幅提高兩倍，達到2.1 GB／sec的水準，其性能甚至比現階段Rambus所能達到的1.6GB／sec更高。
傳輸模式：傳統SDRAM採用並列數據傳輸方式，Rambus則採取了比較特別的串列傳輸方式。在串列的傳輸方式之下，資料信號都是一進一出，可以把數據帶寬降為16bit，而且可大幅提高工作時鍾頻率（400MHz），但這也形成了模組在數據傳輸設計上的限制。也就是說，在串接的模式下，如果有其中一個模組損壞、或是形成斷路，便會使整個系統無法正常開機。因此，對採用Rambus內存模組的主機板而言，便必須將三組內存擴充插槽完全插滿，如果Rambus模組不足的話，只有安裝不含RDRAM顆粒的中繼模組（Continuity RIMM Mole；C-RIMM），純粹用來提供信號的串接工作，讓數據的傳輸暢通。
模組及PCB的設計：由於Rambus的工作頻率高達400MHz，所以不管是電路設計、線路布局、顆粒封裝及記憶模組的設計等，都和以往SDRAM大為不同。以模組設計而言，RDRAM所構成的記憶模組稱之為RIMM（Rambus In Memory Mole），目前的設計可採取4、6、8、12與16顆等不同數目的RDRAM顆粒來組成，雖然引腳數提高到了184隻，但整個模組的長度卻與原有 DIMM相當。
另外，在設計上，Rambus的每一個傳輸信道所能承載的晶元顆粒數目有限（最多32顆），從而造成RDRAM內存模組容量將有所限制。也就是說，如果已經安裝了一隻含16顆RDARM顆粒的RIMM模組時，若想要再擴充內存，最多隻能再安裝具有16顆RDARM的模組。另外，由於 RDARM在高頻下工作將產生高溫，所以RIMM模組在設計時必須加上一層散熱片，也增加了RIMM模組的成本。
顆粒的封裝：DRAM封裝技術從最早的DIP、SOJ提高到TSOP的形式。從現在主流SDRAM的模組來看，除了勝創科技首創的TinyBGA技術和樵風科技首創的BLP封裝模式外，絕大多數還是採用TSOP的封裝技術。
隨著DDR、RDRAM的陸續推出，將內存頻率提高到一個更高的水平上，TSOP封裝技術漸漸有些力不從心了，難以滿足DRAM設計上的要求。從Intel力推的RDRAM來看，採用了新一代的μBGA封裝形式，相信未來DDR等其他高速DRAM的封裝也會採取相同或不同的BGA封裝方式。
盡管RDRAM在時鍾頻率上有了突破性的進展，有效地提高了整個系統性能，但畢竟在實際使用上，其規格與現階段主流的SDRAM有很大的差異，不僅不兼容於現有系統晶元組而成了Intel一家獨攬的局面。甚至在DRAM模組的設計上，不僅使用了最新一代的BGA封裝方式，甚至在電路板的設計上，都採取用了8層板的嚴格標准，更不用說在測試設備上的龐大投資。使得大多數的DRAM及模組廠商不敢貿然跟進。
再說，由於Rambus是個專利標准，想生產RDRAM的廠商必須先取得Rambus公司的認證，並支付高額的專利費用。不僅加重了各DRAM廠商的成本負擔，而且它們擔心在制定未來新一代的內存標准時會失去原來掌握的規格控制能力。
由於RIMM模組的顆粒最多隻能為32顆，限制了Rambus應用，只能用在入門級伺服器和高級PC上。或許就PC133而言，在性能上無法和Rambus抗衡，但是一旦整合了DDR技術後，其數據帶寬可達到2.1GB／sec，不僅領先Rambus所能達到的1.6GB／sec標准，而且由於其開放的標准及在兼容性上遠比Rambus高的原故，估計將會對Rambus造成非常大的殺傷力。更何況台灣在威盛與AMD等聯盟的強力支持下，Intel是否能再象往日一般地呼風喚雨，也成了未知數。至少，在低價PC及網路PC方面，Rambus的市場將會很小。
結論：盡管Intel採取了種種不同的策略布局及對策，要想挽回Rambus的氣勢，但畢竟像Rambus這種具有突破性規格的產品，在先天上便存在有著諸多較難克服的問題。或許Intel可以藉由更改主機板的RIMM插槽方式、或是提出SDRAM與RDRAM共同存在的過渡性方案（S- RIMM、RIMM Riser）等方式來解決技術面上的問題。但一旦涉及規模量產成本的控制問題時，便不是Intel所能一家獨攬的，更何況在網路趨勢下的計算機應用將愈來愈趨於低價化，市場需求面是否對Rambus有興趣，則仍有待考驗。 在供給方面，從NEC獨創的VCM SDRAM規格（Virtual Channel Memory）、以及Samsung等DRAM大廠對Rambus支持態度已趨保守的情況來看，再加上相關封裝及測試等設備上的投資不足，估計年底之前， Rambus內存模組仍將缺乏與PC133甚至DDR的價格競爭力。
就長遠的眼光來看，Rambus架構或許可以成為主流，但應不再會是主導市場的絕對主流，而SDRAM架構（PC133、DDR）在低成本的優勢，以及廣泛的應用領域，應該會有非常不錯的表現。相信未來的DRAM市場，將會是多種結構並存的局面。
具最新消息，可望成為下一世代內存主力的Rambus DRAM因晶元組延遲推出，而氣勢稍挫的情況之下，由全球多家半導體與電腦大廠針對DDR SDRAM的標准化，而共同組成的AMII（Advanced Memory International Inc、）陣營，則決定積極促進比PC200、PC266速度提高10倍以上的PC1600與PC2100 DDR SDRAM規格的標准化，此舉使得Rambus DRAM與DDR SDRAM的內存主導權之爭，邁入新的局面。全球第二大微處理器製造商AMD，決定其Athlon處理器將採用PC266規格的DDR SDRAM，而且決定在今年年中之前，開發支持DDR SDRAM的晶元組，這使DDR SDRAM陣營深受鼓舞。全球內存業者極有可能將未來投資的重心，由Rambus DRAM轉向DDR SDRAM。
綜上所述，今年DDR SDRAM的發展勢頭要超過RAMBUS。而且DDR SDRAM的生產成本只有SDRAM的1.3倍，在生產成本上更具優勢。
未來除了DDR和RAMBUS外還有其他幾種有希望的內存產品，下面介紹其中的幾種： SLDRAM (SyncLink DRAM,同步鏈接內存)：SLDRAM也許是在速度上最接近RDRAM的競爭者。SLDRAM是一種增強和擴展的SDRAM架構，它將當前的4體（Bank）結構擴展到16體，並增加了新介面和控制邏輯電路。SLDRAM像SDRAM一樣使用每個脈沖沿傳輸數據。
❾ 什麼是DRAM產業
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態隨機存取存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。
dram就是存儲晶元的產業。也就是生產台式、手提、平板電腦和手機等上的內存的相關產業。
❿ 內存儲器的發展歷程
對於用過386機器的人來說，30pin的內存，我想在很多人的腦海里，一定或多或少的還留有一絲印象，這一次我們特意收集的7根30pin的內存條，並拍成圖片，怎麼樣看了以後，是不是有一種久違的感覺呀！
30pin 反面 30pin 正面
下面是一些常見內存參數的介紹：
bit 比特，內存中最小單位，也叫「位」。它只有兩個狀態分別以0和1表示
byte位元組，8個連續的比特叫做一個位元組。
ns（nanosecond）
納秒，是一秒的10億分之一。內存讀寫速度的單位，其前面數字越小表示速度越快。
72pin正面 72pin反面
72pin的內存，可以說是計算機發展史的一個經典，也正因為它的廉價，以及速度上大幅度的提升，為電腦的普及，提供了堅實的基礎。由於用的人比較多，目前在市場上還可以買得到。
SIMM（Single In-line Memory Moles）
單邊接觸內存模組。是5X86及其較早的PC中常採用的內存介面方式。在486以前，多採用30針的SIMM介面，而在Pentuim中更多的是72針的SIMM介面，或者與DIMM介面類型並存。人們通常把72線的SIMM類型內存模組直接稱為72線內存。
ECC（Error Checking and Correcting）
錯誤檢查和糾正。與奇偶校驗類似，它不但能檢測到錯誤的地方，還可以糾正絕大多數錯誤。它也是在原來的數據位上外加位來實現的，這些額外的位是用來重建錯誤數據的。只有經過內存的糾錯後，計算機操作指令才可以繼續執行。當然在糾錯是系統的性能有著明顯的降低。
EDO DRAM（Extended Data Output RAM）
擴展數據輸出內存。是Micron公司的專利技術。有72線和168線之分、5V電壓、帶寬32bit、基本速度40ns以上。傳統的DRAM和FPM DRAM在存取每一bit數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間後，然後才能讀寫有效的數據，而下一個bit的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。EDO DRAM不必等待資料的讀寫操作是否完成，只要規定的有效時間一到就可以准備輸出下一個地址，由此縮短了存取時間，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有較高的性/價比，因為它的存取速度比FPM DRAM快15%，而價格才高出5%。因此，成為中、低檔Pentium級別主板的標准內存。
DIMM（Dual In-line Memory Moles）
雙邊接觸內存模組。也就是說這種類型介面內存的插板兩邊都有數據介面觸片，這種介面模式的內存廣泛應用於現在的計算機中，通常為84針，由於是雙邊的，所以共有84×2=168線接觸，所以人們常把這種內存稱為168線內存。
PC133
SDRAM（Synchronous Burst RAM）
同步突發內存。是168線、3.3V電壓、帶寬64bit、速度可達6ns。是雙存儲體結構，也就是有兩個儲存陣列，一個被CPU讀取數據的時候，另一個已經做好被讀取數據的准備，兩者相互自動切換，使得存取效率成倍提高。並且將RAM與CPU以相同時鍾頻率控制，使RAM與CPU外頻同步，取消等待時間，所以其傳輸速率比EDO DRAM快了13%。SDRAM採用了多體（Bank）存儲器結構和突發模式，能傳輸一整數據而不是一段數據。
SDRAM ECC 伺服器專用內存
RDRAM（Rambus DRAM）
是美國RAMBUS公司在RAMBUSCHANNEL技術基礎上研製的一種存儲器。用於數據存儲的字長為16位，傳輸率極速指標有望達到600MHz。以管道存儲結構支持交叉存取同時執行四條指令，單從封裝形式上看，與DRAM沒有什麼不同，但在發熱量方面與100MHz的SDRAM大致相當。因為它的圖形加速性能是EDO DRAM的3-10倍，所以目前主要應用於高檔顯卡上做顯示內存。
Direct RDRAM
是RDRAM的擴展，它使用了同樣的RSL，但介面寬度達到16位，頻率達到800MHz，效率更高。單個傳輸率可達到1.6GB/s，兩個的傳輸率可達到3.2GB/s。
點評：
30pin和72pin的內存，早已退出市場，現在市場上主流的內存，是SDRAM，而SDRAM的價格越降越底，對於商家和廠家而言，利潤空間已縮到了極限，賠錢的買賣，有誰願意去做了？再者也沒有必要，畢竟廠家或商家們總是在朝著向「錢」的方向發展。
隨著 INTEL和 AMD兩大公司 CPU生產飛速發展，以及各大板卡廠家的支持，RAMBUS 和 DDRAM 也得到了更快的發展和普及，究竟哪一款會成為主流，哪一款更適合用戶，市場終究會證明這一切的。
機存取存儲器是電腦的記憶部件，也被認為是反映集成電路工藝水平的部件。各種存儲器中以動態存儲器（DRAM）的存儲容量為最大，使用最為普及，幾十年間它的存儲量擴大了幾千倍，存取數據的速度提高40多倍。存儲器的集成度的提高是靠不斷縮小器件尺寸達到的。尺寸的縮小，對集成電路的設計和製造技術提出了極為苛刻的要求，可以說是只有一代新工藝的突破，才有一代集成電路。
動態讀寫存儲器DRAM（Dynamic Random Access MeMory）是利用MOS存儲單元分布電容上的電荷來存儲數據位，由於電容電荷會泄漏，為了保持信息不丟失，DRAM需要不斷周期性地對其刷新。由於這種結構的存儲單元所需要的MOS管較少，因此DRAM的集成度高、功耗也小，同時每位的價格最低。DRAM一般都用於大容量系統中。DRAM的發展方向有兩個，一是高集成度、大容量、低成本，二是高速度、專用化。
從1970年Intel公司推出第一塊1K DRAM晶元後，其存儲容量基本上是按每三年翻兩番的速度發展。1995年12月韓國三星公司率先宣布利用0.16μm工藝研製成功集成度達10億以上的1000M位的高速（3lns）同步DRAM。這個領域的競爭非常激烈，為了解決巨額投資和共擔市場風險問題，世界范圍內的各大半導體廠商紛紛聯合，已形成若干合作開發的集團格局。
1996年市場上主推的是4M位和16M位DRAM晶元，1997年以16M位為主，1998年64M位大量上市。64M DRAM的市場佔有率達52%；16M DRAM的市場佔有率為45%。1999年64M DRAM市場佔有率已提高到78%，16M DRAM佔1%。128M DRAM已經普及，明年將出現256M DRAM。
高性能RISC微處理器的時鍾已達到100MHz～700MHz，這種情況下，處理器對存儲器的帶寬要求越來越高。為了適應高速CPU構成高性能系統的需要，DRAM技術在不斷發展。在市場需求的驅動下，出現了一系列新型結構的高速DRAM。例如EDRAM、CDRAM、SDRAM、RDRAM、SLDRAM、DDR DRAM、DRDRAM等。為了提高動態讀寫存儲器訪問速度而採用不同技術實現的DRAM有：
（1） 快速頁面方式FPM DRAM
快速頁面方式FPM（Fast Page Mode）DRAM已經成為一種標准形式。一般DRAM存儲單元的讀寫是先選擇行地址，再選擇列地址，事實上，在大多數情況下，下一個所需要的數據在當前所讀取數據的下一個單元，即其地址是在同一行的下一列，FPM DRAM可以通過保持同一個行地址來選擇不同的列地址實現存儲器的連續訪問。減少了建立行地址的延時時間從而提高連續數據訪問的速度。但是當時鍾頻率高於33MHz時，由於沒有足夠的充電保持時間，將會使讀出的數據不可靠。
（2） 擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDO DRAM
在FPM技術的基礎上發展起來的擴展數據輸出動態讀寫存儲器EDODRAM（Extended Data Out DRAM），是在RAM的輸出端加一組鎖存器構成二級內存輸出緩沖單元，用以存儲數據並一直保持到數據被可靠地讀取時為止，這樣就擴展了數據輸出的有效時間。EDODRAM可以在50MHz時鍾下穩定地工作。
由於只要在原DRAM的基礎上集成成本提高並不多的EDO邏輯電路，就可以比較有效地提高動態讀寫存儲器的性能，所以在此之前，EDO DRAM曾成為動態讀寫存儲器設計的主流技術和基本形式。
（3） 突發方式EDO DRAM
在EDO DRAM存儲器的基礎上，又發展了一種可以提供更高有效帶寬的動態讀寫存儲器突發方式EDO DRAM（Burst EDO DRAM）。這種存儲器可以對可能所需的4個數據地址進行預測並自動地預先形成，它把可以穩定工作的頻率提高到66MHz。
（4） 同步動態讀寫存儲器SDRAM
SDRAM（Synchronous DRAM）是通過同步時鍾對控制介面的操作和安排片內隔行突發方式地址發生器來提高存儲器的性能。它僅需要一個首地址就可以對一個存儲塊進行訪問。所有的輸入采樣如輸出有效都在同一個系統時鍾的上升沿。所使用的與CPU同步的時鍾頻率可以高達66MHz～100MHz。它比一般DRAM增加一個可編程方式寄存器。採用SDRAM可大大改善內存條的速度和性能，系統設計者可根據處理器要求，靈活地採用交錯或順序脈沖。
Infineon Technologies(原Siemens半導體)今年已批量供應256Mit SDRAM。其SDRAM用0.2μm技術生產，在100MHz的時鍾頻率下輸出時間為10ns。
（5） 帶有高速緩存的動態讀寫存儲器CDRAM
CDRAM（Cached DRAM）是日本三菱電氣公司開發的專有技術，1992年推出樣品，是通過在DRAM晶元，集成一定數量的高速SRAM作為高速緩沖存儲器Cache和同步控制介面，來提高存儲器的性能。這種晶元用單一+3.3V電源，低壓TTL輸入輸出電平。目前三菱公司可以提供的CDRAM為4Mb和16Mb，其片內Cache為16KB，與128位內部匯流排配合工作，可以實現100MHz的數據訪問。流水線式存取時間為7ns。
（6） 增強型動態讀寫存儲器EDRAM（Enhanced DRAM）
由Ramtron跨國公司推出的帶有高速緩沖存儲器的DRAM產品稱作增強型動態讀寫存儲器EDRAM（Enhanced DRAM），它採用非同步操作方式，單一+5V工作電源，CMOS或TTL輸入輸出電平。由於採用一種改進的DRAM 0.76μm CMOS工藝和可以減小寄生電容和提高晶體管增益的結構技術，其性能大大提高，行訪問時間為35ns，讀/寫訪問時間可以提高到65ns，頁面寫入周期時間為15ns。EDRAM還在片內DRAM存儲矩陣的列解碼器上集成了2K位15ns的靜態RAM高速緩沖存儲器Cache，和後寫寄存器以及另外的控制線，並允許SRAM Cache和DRAM獨立操作。每次可以對一行數據進行高速緩沖。它可以象標準的DRAM對任一個存儲單元用頁面或靜態列訪問模式進行操作，訪問時間只有15ns。當Cache未命中時，EDRAM就把新的一行載入到Cache中，並把選擇的存儲單元數據輸出，這需要花35ns。這種存儲器的突發數據率可以達到267Mbytes/s。
（7） RDRAM（Rambus DRAM）
Rambus DRAM是Rambus公司利用本身研製的一種獨特的介面技術代替頁面方式結構的一種新型動態讀寫存儲器。這種介面在處理機與DRAM之間使用了一種特殊的9位低壓負載發送線，用250MHz同步時鍾工作，位元組寬度地址與數據復用的串列匯流排介面。這種介面又稱作Rambus通道，這種通道嵌入到DRAM中就構成Rambus DRAM，它還可以嵌入到用戶定製的邏輯晶元或微處理機中。它通過使用250MHz時鍾的兩個邊沿可以使突發數據傳輸率達到500MHz。在採用Rambus通道的系統中每個晶元內部都有它自己的控制器，用來處理地址解碼和面頁高速緩存管理。由此一片存儲器子系統的容量可達512K位元組，並含有一個匯流排控制器。不同容量的存儲器有相同的引腳並連接在同一組匯流排上。Rambus公司開發了這種新型結構的DRAM，但是它本身並不生產，而是通過發放許可證的方式轉讓它的技術，已經得到生產許可的半導體公司有NEC、Fujitsu、Toshiba、Hitachi和LG等。
被業界看好的下一代新型DRAM有三種：雙數據傳輸率同步動態讀寫存儲器（DDR SDRAM）、同步鏈動態讀寫存儲器（SLDRAM）和Rambus介面DRAM（RDRAM）。
（1） DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）
在同步動態讀寫存儲器SDRAM的基礎上，採用延時鎖定環（Delay-locked Loop）技術提供數據選通信號對數據進行精確定位，在時鍾脈沖的上升沿和下降沿都可傳輸數據（而不是第一代SDRAM僅在時鍾脈沖的下降沿傳輸數據），這樣就在不提高時鍾頻率的情況下，使數據傳輸率提高一倍，故稱作雙數據傳輸率（DDR）DRAM，它實際上是第二代SDRAM。由於DDR DRAM需要新的高速時鍾同步電路和符合JEDEC標準的存儲器模塊，所以主板和晶元組的成本較高，一般只能用於高檔伺服器和工作站上，其價格在中低檔PC機上可能難以接受。
（2） SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）
這是由IBM、HP、Apple、NEC、Fujitsu、Hyundai、Micron、TI、Toshiba、Sansung和Siemens等業界大公司聯合制定的一個開放性標准，委託Mosaid Technologies公司設計，所以SLDRAM是一種原本最有希望成為高速DRAM開放性工業標準的動態讀寫存儲器。它是一種在原DDR DRAM基礎上發展的一種高速動態讀寫存儲器。它具有與DRDRAM相同的高數據傳輸率，但是它比其工作頻率要低；另外生產這種存儲器不需要支付專利使用費，使得製造成本較低，所以這種存儲器應該具有市場競爭優勢。但是由於SLDRAM聯盟是一個鬆散的聯合體，眾多成員之間難以協調一致，在研究經費投入上不能達成一致意見，加上Intel公司不支持這種標准，所以這種動態存儲器反而難以形成氣候，敵不過Intel公司鼎立支持的Rambus公司的DRDRAM。SLDRAM可用於通信和消費類電子產品，高檔PC和伺服器。
（3） DRDRAM（Direct Rambus DRAM）
從1996年開始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定新一代RDRAM標准，這就是DRDRAM（Direct RDRAM）。這是一種基於協議的DRAM，與傳統DRAM不同的是其引腳定義會隨命令而變，同一組引腳線可以被定義成地址，也可以被定義成控制線。其引腳數僅為正常DRAM的三分之一。當需要擴展晶元容量時，只需要改變命令，不需要增加硬體引腳。這種晶元可以支持400MHz外頻，再利用上升沿和下降沿兩次傳輸數據，可以使數據傳輸率達到800MHz。同時通過把數據輸出通道從8位擴展成16位，這樣在100MHz時就可以使最大數據輸出率達1.6Gb/s。東芝公司在購買了Rambus公司的高速傳輸介面技術專利後，於1998年9月首先推出72Mb的RDRAM，其中64Mb是數據存儲器，另外8Mb用於糾錯校驗，由此大大提高了數據讀寫可靠性。
Intel公司辦排眾議，堅定地推舉DRDRAM作為下一代高速內存的標准，目前在Intel公司對Micro、Toshiba和Samsung等公司組建DRDRAM的生產線和測試線投入資金。其他眾多廠商也在努力與其抗爭，最近AMD宣布至少今年推出的K7微處理器都不打算採用Rambus DRAM；據說IBM正在考慮放棄對Rambus的支持。當前市場上同樣是64Mb的DRAM，RDRAM就要比其他標準的貴45美元。
由此可見存儲器的發展動向是：大容量化，高速化， 多品種、多功能化，低電壓、低功耗化。
存儲器的工藝發展中有以下趨勢：CHMOS工藝代替NMOS工藝以降低功耗；縮小器件尺寸，外圍電路仍採用ECL結構以提高存取速度同時提高集成度；存儲電容從平面HI-C改為深溝式，保證尺寸減少後的電荷存儲量，以提高可靠性；電路設計中簡化外圍電路結構，注意降低雜訊，運用冗餘技術以提高質量和成品率；工藝中採用了多種新技術；使DRAM的存儲容量穩步上升，為今後繼續開發大容量的新電路奠定基礎。
從電子計算機中的處理器和存儲器可以看出ULSI前進的步伐和幾十年間的巨大變化。