存儲器三種名稱

Ⅰ 「存儲程序」有幾個器

三個器，ROM、RAM、Cache三種。
內部存儲器有隻讀存儲器ROM，用於存放系統、固化程序和數據；隨機存儲器RAM，用於存放當前運行的程序和數據；高速緩存Cache，用於充當CPU。
存儲程序原理是馮·諾依曼於1946年提出的將程序像數據一樣存儲到計算機內部存儲器中的一種設計原理。存儲程序原理就是將我們為解決特定問題而編寫的程序存放在計算機存儲器中，然後按存儲器存儲程序的首地址執行程序的第一條指令。以後就按照該程序的規定順序執行其他指令，直至程序結束執行。

Ⅱ 存儲器的分類及其各自的特點

存儲器（Memory）是現代信息技術中用於保存信息的記憶設備。其概念很廣，有很多層次，在數字系統中，只要能保存二進制數據的都可以是存儲器；在集成電路中，一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器，如RAM、FIFO等；在系統中，具有實物形式的存儲設備也叫存儲器，如內存條、TF卡等。計算機中全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。計算機中的存儲器按用途存儲器可分為主存儲器（內存）和輔助存儲器（外存），也有分為外部存儲器和內部存儲器的分類方法。外存通常是磁性介質或光碟等，能長期保存信息。內存指主板上的存儲部件，用來存放當前正在執行的數據和程序，但僅用於暫時存放程序和數據，關閉電源或斷電，數據會丟失。
存儲器的分類特點及其應用
在嵌入式系統中最常用的存儲器類型分為三類：
1．隨機存取的RAM;
2．只讀的ROM;
3．介於兩者之間的混合存儲器
1.隨機存儲器（Random Access Memory，RAM）
RAM能夠隨時在任一地址讀出或寫入內容。 RAM的優點是讀/寫方便、使用靈活；
RAM的缺點是不能長期保存信息，一旦停電，所存信息就會丟失。 RAM用於二進制信息的臨時存儲或緩沖存儲
2.只讀存儲器（Read-Only Memory，ROM）
ROM中存儲的數據可以被任意讀取，斷電後，ROM中的數據仍保持不變，但不可以寫入數據。
ROM在嵌入式系統中非常有用，常常用來存放系統軟體（如ROM BIOS）、應用程序等不隨時間改變的代碼或數據。
ROM存儲器按發展順序可分為：掩膜ROM、可編程ROM（PROM）和可擦寫可編程ROM（EPROM）。
3. 混合存儲器
混合存儲器既可以隨意讀寫，又可以在斷電後保持設備中的數據不變。混合存儲設備可分為三種：
EEPROM NVRAM FLASH
（1）EEPROM
EEPROM是電可擦寫可編程存儲設備，與EPROM不同的是EEPROM是用電來實現數據的清除，而不是通過紫外線照射實現的。
EEPROM允許用戶以位元組為單位多次用電擦除和改寫內容，而且可以直接在機內進行，不需要專用設備，方便靈活，常用作對數據、參數等經常修改又有掉電保護要求的數據存儲器。
（2） NVRAM
NVRAM通常就是帶有後備電池的SRAM。當電源接通的時候，NVRAM就像任何其他SRAM一樣，但是當電源切斷的時候，NVRAM從電池中獲取足夠的電力以保持其中現存的內容。
NVRAM在嵌入式系統中使用十分普遍，它最大的缺點是價格昂貴，因此，它的應用被限制於存儲僅僅幾百位元組的系統關鍵信息。
（3）Flash
Flash（閃速存儲器，簡稱快閃記憶體）是不需要Vpp電壓信號的EEPROM，一個扇區的位元組可以在瞬間（與單時鍾周期比較是一個非常短的時間）擦除。
Flash比EEPROM優越的方面是，可以同時擦除許多位元組，節省了每次寫數據前擦除的時間，但一旦一個扇區被擦除，必須逐個位元組地寫進去，其寫入時間很長。
存儲器工作原理
這里只介紹動態存儲器（DRAM）的工作原理。

工作原理
動態存儲器每片只有一條輸入數據線，而地址引腳只有8條。為了形成64K地址，必須在系統地址匯流排和晶元地址引線之間專門設計一個地址形成電路。使系統地址匯流排信號能分時地加到8個地址的引腳上，藉助晶元內部的行鎖存器、列鎖存器和解碼電路選定晶元內的存儲單元，鎖存信號也靠著外部地址電路產生。
當要從DRAM晶元中讀出數據時，CPU首先將行地址加在A0-A7上，而後送出RAS鎖存信號，該信號的下降沿將地址鎖存在晶元內部。接著將列地址加到晶元的A0-A7上，再送CAS鎖存信號，也是在信號的下降沿將列地址鎖存在晶元內部。然後保持WE=1，則在CAS有效期間數據輸出並保持。
當需要把數據寫入晶元時，行列地址先後將RAS和CAS鎖存在晶元內部，然後，WE有效，加上要寫入的數據，則將該數據寫入選中的存貯單元。

存儲器晶元
由於電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態存儲電路的各存儲單元執行重讀操作，以保持電荷穩定，這個過程稱為動態存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現的。首先應用可編程定時器8253的計數器1，每隔1⒌12μs產生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態存儲器執行讀操作，每讀一次刷新一行。

Ⅲ 三級存儲系統是指哪三種存儲器計算機系統為何採用三級存儲系統

Cache（高速緩沖存儲器）、主存儲器、輔助存儲器；三者速度依次降低。
Cache通常位於CPU內，主存可以理解為現代計算機中的內存條，而輔存則為大容量硬碟。
三級存儲系統結構層次中的」Cache-主存」層次主要用於解決CPU和主存的速度不匹配的問題；而「主存-輔存」層次主要解決存儲系統的容量問題；

Ⅳ 內存有什麼分類

內存主頻和CPU主頻一樣，習慣上被用來表示內存的速度，它代表著該內存所能達到的最高工作頻率。內存主頻是以MHz(兆赫)為單位來計量的。內存主頻越高在一定程度上代表著內存所能達到的速度越快。內存主頻決定著該內存最高能在什麼樣的頻率正常工作。那麼內存的分類是什麼?下面跟著我一起來了解下吧。

內存有什麼分類

內存其實是一組或多組具備數據輸入/輸出和數據存儲功能的集成電路。按照其工作原理可分為RAM和ROM兩大類;從功能的角度，又可以分為主存儲器、高速緩沖存儲器(Cache)和 BIOS 存儲器三種。

按工作原理分類

按照內存的工作原理可將內存分為RAM和ROM兩大類。下面分別進行介紹。

(1)RAM

RAM(RandomAccessMemory，隨機存取存儲器)存儲的內容可以通過指令隨機讀寫訪問。RAM由半導體存儲器組成，當系統運行時，將所需的指令和數據從外部存儲器(如硬碟、軟盤、光碟等)調入內存，CPU再從內存中讀取指令或數據進行處理，並將結見存入內存，所以RAM既能讀又能寫。RAM中存儲的數據在關機或斷電後將自動丟失，因而只能在開機運行時存儲數裾。RAM又分靜態存儲器SRAM、動態存儲器DRAM和磁性內存MRAM三種。

&;SRAM

SRAM以雙穩態電路形式存儲數據，這種電路可視為一個開關，對應兩個狀態1和0。由於開關的轉換由電路控制，所以只要電路不動，狀態就不會改變。由於SRAM集成度低、體積大和造價高，從成本和體積考慮，內存不宜全部採用SRAM，但由於晶體管的開關速度很快，因此SRAM的讀巧速度也很快，通常將其作為Cache。

②DRAM

DRAM通過MOS(金屬氧化物半導體)電容存儲電荷來儲存信息，具有結構簡單、集成度高、功耗低、體積小、生產成本低、便於大容量製造的特點，在計算機主存儲器中得以大量應用。

常見的DRAM內存根椐製造工藝和性能參數等各方面的差異，可分為以下幾種。

•SDRAM(Synchronous Dynamic RAM，即同步動態隨機存儲器)：採用同步技術，工作頻率與系統的外頻相同，因此在一定程序上提高了性能。隨著其他硬體能力的快速提高，SDRAM逐漸暴露出其弱點，因此將被DDRSDRAM所取代(如圖1所示為SDRAM內存)。

•DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM,即雙倍速率同步動態隨機存儲器)：習慣上稱之為DDR，其核心建立在SDRAM的基礎之上，只是在速率和容量上有所提高。DDR本質上並沒有提髙時鍾頻率，但是它可以在時鍾脈沖的上升沿和下降沿同時傳輸數據，因此其速度是標准SDRAM的兩倍(如圖2所示為DDRSDRAM內存)。

•DDR-II：DDR-II內存是DDR-1內存的換代產品，DDR-1I內存最早出現在高端顯卡上，因為品存對傳輸帶寬的需求比較高，因此使用了這種能夠提供更高帶寬的內存。DDR-II和DDR—樣，採用了在時鍾的上升沿和下降沿同時進行數據傳輸的基木方式，但DDR-II內存可進行4bit預讀取，是標准DDR內存的兩倍，這就意味著，DDR-II比DDR的預讀取系統數據速度高兩倍。DDR-II內存頻率從533MHz開始，現在主要有533/667/800MHZ三類產品。DDR-II採用240線DIMM介面標准，因此完全不兼容DDR的184線DIMM介面標准，現有DDR標准介面的主板無法使用DDR-II內存(如圖3所示為DDR-II內存)。

(2)ROM

ROM(Read Only Memory,只讀存儲器)，是一種半導體電路，通過掩模藝一次件製造，使用時只能從中讀取信息而不能寫入信息。ROM的特點是價格高並且容最小，但由於其與有斷電後數據可保持不變的優點，常用於存放一次性寫入的程序或數據，例如，主板上保存BIOS程序的晶元就是ROM存儲器。

ROM存儲器可分為四種，即普通ROM、EPROM、EEPROM和Flash Memory。早期主板上的BIOS使用的是普通ROM，只能一次性寫入，其中的內容不可改變。其後BIOS使用EPROM製造，即可擦寫可編程只讀存儲器。這種ROM使用紫外線掃描的 方法 擦除和改寫其中的信息。而後開始使用EEPROM製造，即電可擦寫可編程只讀存儲器。這種ROM可以用電子掃描的方法來改變存儲器中的內容。目前，主板上的BIOS多使用Flash Memory製造，簡稱快閃記憶體，這種存儲器可以直接通過調節主板上的電壓來對BIOS進行升級操作。

£按功能分類

內存儲器從功能上可分為主存儲器、Cache和BIOS存儲器。

•主存儲器：是內存中最主要和容量最入的存儲器。它用來存儲計箅機運行過程中的程序和數據，因此其容量越大越好。

•Cache：商速緩沖存儲器，它是位於CPU和主存儲器之間並且容量較小，但速度很快的存儲器。由於CPU運算速度要比內存讀寫速度快很多，閃此如果CPU直接從內存讀取數據或把數據寫入內存時則會花費大最時間，而系統可以把正在執行的指令地址附近的一部分指令或這者數據從主存調入Cache,供CPU在一段時間內使用，這樣就能相對提高CPU的運箅速度。

隨著計算機技術的發展，CPU晶元中也集成了Cache，稱為LI Cache(一級緩存)，其速度高，容量小，一般僅為兒百KB;安裝於主板上的Cache則稱為L2 Cache(二級緩存)，有較大的容量，從256KB到2MB不等;Pentium II以後的CPU則將L2 Cache與CPU內核一起封裝在一隻金屬盒內，或荇直接把L2Cache集成到CPU晶元內(如Celeron CPU)，進而提高速度，因此卞板上的Cache就稱為L3 Cache(三級緩存)。

•BIOS存儲器：它是用來存放BIOS(基木輸入/輸出系統)程序的存儲器，如圖4所示。由於BIOS中的數據和程序非常重要，不允許修改，因此一般情況下都採用ROM型存儲器晶元。

Ⅳ 內存儲器分哪幾三類

1、按存儲介質分類

半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。

磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。

2、按存儲方式分類

隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。

順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間與存儲單元的物理位置有關。

3、按存儲器的讀寫功能分類

只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。

隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。

4、按信息的可保存性分類

非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。

永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。

5、按在計算機系統中的作用分類

主存儲器（內存）：用於存放活動的程序和數據，其速度高、容量較小、每位價位高。

輔助存儲器（外存儲器）：主要用於存放當前不活躍的程序和數據，其速度慢、容量大、每位價位低。

緩沖存儲器：主要在兩個不同工作速度的部件起緩沖作用。

Ⅵ 存儲器的類型

根據存儲材料的性能及使用方法的不同，存儲器有幾種不同的分類方法。1、按存儲介質分類：半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
下面我們就來了解一下存儲器的相關知識。
存儲器大體分為兩大類，一類是掉電後存儲信息就會丟失，另一類是掉電後存儲信息依然保留，前者專業術語稱之為「易失性存儲器」，後者稱之為「非易失性存儲器」。

1 RAM

易失性存儲器的代表就是RAM（隨機存儲器），RAM又分SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。

SRAM
SRAM保存數據是靠晶體管鎖存的，SRAM的工藝復雜，生產成本高，但SRAM速度較快，所以一般被用作Cashe，作為CPU和內存之間通信的橋梁，例如處理器中的一級緩存L1 Cashe, 二級緩存L2 Cashe，由於工藝特點，SRAM的集成度不是很高，所以一般都做不大，所以緩存一般也都比較小。

DRAM
DRAM（動態隨機存儲器）保存數據靠電容充電來維持，DRAM的應用比SRAM更普遍，電腦裡面用的內存條就是DRAM，隨著技術的發展DRAM又發展為SDRAM（同步動態隨機存儲器）DDR SDRAM（雙倍速率同步動態隨機存儲器），SDRAM只在時鍾的上升沿表示一個數據，而DDR SDRAM能在上升沿和下降沿都表示一個數據。
DDR又發展為DDR2,DDR3,DDR4，在此基礎上為了適應移動設備低功耗的要求，又發展出LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM)，對應DDR技術的發展分別又有了LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4。

目前手機中運行內存應用最多的就是 LPDDR3和LPDDR4，主流配置為3G或4G容量，如果達到6G或以上，就屬於高端產品。

2 ROM

ROM(Read Only Memory)在以前就指的是只讀存儲器，這種存儲器只能讀取它裡面的數據無法向裡面寫數據。所以這種存儲器就是廠家造好了寫入數據，後面不能再次修改，常見的應用就是電腦里的BIOS。
後來，隨著技術的發展，ROM也可以寫數據，但是名字保留了下來。
ROM中比較常見的是EPROM和EEPROM。

EPROM
EPROM(Easerable Programable ROM)是一種具有可擦除功能，擦除後即可進行再編程的ROM內存，寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射IC上的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別，其封裝中包含有「石英玻璃窗」，一個編程後的EPROM晶元的「玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住， 以防止遭到紫外線照射。

EPROM (Easerable Programable ROM)

EPROM存儲器就可以多次擦除然後多次寫入了。但是要在特定環境紫外線下擦除，所以這種存儲器也不方便寫入。

EEPROM
EEPROM(Eelectrically Easerable Programable ROM)，電可擦除ROM，現在使用的比較多，因為只要有電就可擦除數據，再重新寫入數據，在使用的時候可頻繁地反復編程。

FLASH
FLASH ROM也是一種可以反復寫入和讀取的存儲器，也叫快閃記憶體，FLASH是EEPROM的變種，與EEPROM不同的是，EEPROM能在位元組水平上進行刪除和重寫而不是整個晶元擦寫，而FLASH的大部分晶元需要塊擦除。和EEPROM相比，FLASH的存儲容量更大。
FLASH目前應用非常廣泛，U盤、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡等等都屬於FLASH，SSD固態硬碟也屬於FLASH。

NOR FLAHS & NAND FLASH
Flash又分為Nor Flash和Nand Flash。
Intel於1988年首先開發出Nor Flash 技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；隨後，1989年，東芝公司發表了Nand Flash 結構，強調降低每比特的成本，有更高的性能，並且像磁碟一樣可以通過介面輕松升級。
Nor Flash與Nand Flash不同，Nor Flash更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而Nand Flash更像硬碟，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬碟的所有信息都通過一條硬碟線傳送一樣，而且Nand Flash與Nor Flash相比，成本要低一些，而容量大得多。

如果快閃記憶體只是用來存儲少量的代碼，這時Nor Flash更適合一些。而Nand Flash則是大量數據存儲的理想解決方案。
因此，Nor Flash型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程序代碼並直接在快閃記憶體內運行，Nand Flash型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如U盤、存儲卡都是用Nand Flash型快閃記憶體。
在Nor Flash上運行代碼不需要任何的軟體支持，在Nand Flash上進行同樣操作時，通常需要驅動程序。

目前手機中的機身內存容量都比較大，主流配置已經有32G~128G存儲空間，用的通常就是Nand Flash，另外手機的外置擴展存儲卡也是Nand Flash。

Ⅶ 存儲器可分為哪三類

存儲器不僅可以分為三類。因為按照不同的劃分方法，存儲器可分為不同種類。常見的分類方法如下。

一、按存儲介質劃分

1. 半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。

2. 磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。

二、按存儲方式劃分

1. 隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。

2. 順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。

三、按讀寫功能劃分

1. 只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。

2. 隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的存儲器。

二、選用各種存儲器，一般遵循的選擇如下：

1、內部存儲器與外部存儲器

一般而言，內部存儲器的性價比最高但靈活性最低，因此用戶必須確定對存儲的需求將來是否會增長，以及是否有某種途徑可以升級到代碼空間更大的微控制器。基於成本考慮，用戶通常選擇能滿足應用要求的存儲器容量最小的微控制器。

2、引導存儲器

在較大的微控制器系統或基於處理器的系統中，用戶可以利用引導代碼進行初始化。應用本身通常決定了是否需要引導代碼，以及是否需要專門的引導存儲器。

3、配置存儲器

對於現場可編程門陣列(FPGA）或片上系統(SoC)，可以使用存儲器來存儲配置信息。這種存儲器必須是非易失性EPROM、EEPROM或快閃記憶體。大多數情況下，FPGA採用SPI介面，但一些較老的器件仍採用FPGA串列介面。

4、程序存儲器

所有帶處理器的系統都採用程序存儲器，但是用戶必須決定這個存儲器是位於處理器內部還是外部。在做出了這個決策之後，用戶才能進一步確定存儲器的容量和類型。

5、數據存儲器

與程序存儲器類似，數據存儲器可以位於微控制器內部，或者是外部器件，但這兩種情況存在一些差別。有時微控制器內部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)兩種數據存儲器，但有時不包含內部EEPROM，在這種情況下，當需要存儲大量數據時，用戶可以選擇外部的串列EEPROM或串列快閃記憶體器件。

6、易失性和非易失性存儲器

存儲器可分成易失性存儲器或者非易失性存儲器，前者在斷電後將丟失數據，而後者在斷電後仍可保持數據。用戶有時將易失性存儲器與後備電池一起使用，使其表現猶如非易失性器件，但這可能比簡單地使用非易失性存儲器更加昂貴。

7、串列存儲器和並行存儲器

對於較大的應用系統，微控制器通常沒有足夠大的內部存儲器。這時必須使用外部存儲器，因為外部定址匯流排通常是並行的，外部的程序存儲器和數據存儲器也將是並行的。

8、EEPROM與快閃記憶體

存儲器技術的成熟使得RAM和ROM之間的界限變得很模糊，如今有一些類型的存儲器（比如EEPROM和快閃記憶體）組合了兩者的特性。這些器件像RAM一樣進行讀寫，並像ROM一樣在斷電時保持數據，它們都可電擦除且可編程，但各自有它們優缺點。

參考資料來源：網路——存儲器

Ⅷ 計算機的存儲器可分為哪幾類,各特點

存儲系統可分為內存和外存兩大類。
內存是直接受cpu控制與管理的並只能暫存數據信息的存儲器，外存可以永久性保存信息的存儲器。存於外存中的程序必須調入內存才能運行，內存是計算機工作的舞台。
內存與外存的區別是：內存只能暫存數據信息，外存可以永久性保存數據信息；外存不受cpu控制，但外存必須藉助內存才能與cpu交換數據信息；內存的訪問速度快，外存的訪問速度慢。內存可分為：ram與rom。ram的特點是：可讀可寫，但斷電信息丟失。rom用於存儲bios。外存有：磁碟（軟盤和硬碟）、光碟、u盤（電子盤）

存儲器（memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。存儲器的主要功能是存儲程序和各種數據，並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器是具有「記憶」功能的設備，它採用具有兩種穩定狀態的物理器件來存儲信息，這些器件也稱為記憶元件。有了存儲器，計算機才有記憶功能，才能保證正常工作。

Ⅸ 都是存儲器，但RAM、ROM、快閃記憶體、硬碟怎麼分

買電子產品是經常的事情，即使不買也會關注電子產品的發展，對於手機和電腦，我們的關注點都在配置上。但是對於一些配置我們只知道他們的名稱，而不清楚他們到底是指什麼東西，也不知道怎麼區分他們，比如都是存儲器的RAM、ROM、快閃記憶體、硬碟很多人就分不清。下面我給大家說一下他們都是一些什麼東西。

4、硬碟

硬碟是大容量的外存儲設備，一般有機械硬碟和固態硬碟，容量很大，價格便宜，一般用來存儲文件和數據等。機械硬碟比固態硬碟便宜，但是速度慢很多。

Ⅹ 存儲器可分為哪三類

樓主 您好 很榮幸回答您的問題！
存儲器有很多種分類的。詳情見下文：
按存儲介質分：
半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器。
磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器。
按存儲方式分
隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關。
順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關。
按存儲器的讀寫功能分
只讀存儲器(ROM)：存儲的內容是固定不變的，只能讀出而不能寫入的半導體存儲器。
隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入的半導體存儲器。
按信息的可保存性分
非永久記憶的存儲器：斷電後信息即消失的存儲器。
永久記憶性存儲器：斷電後仍能保存信息的存儲器。
按存儲器用途分
根據存儲器在計算機系統中所起的作用，可分為主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器、控制存儲器等。
了解決對存儲器要求容量大，速度快，成本低三者之間的矛盾，目前通常採用多級存儲器體系結構，即使用高速緩沖存儲器、主存儲器和外存儲器。

我想您要需要的是：高速存儲器，主存儲器，外存儲器！這三類吧！