slc存儲卡

⑴ SLC，MLC和TLC晶元三者的區別

SLC、MLC和TLC
X3（3-bit-per-cell）架構的TLC晶元技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC（Single-Level Cell），原理是在1個存儲器儲存單元（cell）中存放1位元（bit）的資料，直到MLC（Multi-Level Cell）技術接棒後，架構演進為1個存儲器儲存單元存放2位元。
2009年TLC架構正式問世，代表1個存儲器儲存單元可存放3位元，成本進一步大幅降低。
如同上一波SLC技術轉MLC技術趨勢般，這次也是由NAND Flash大廠東芝（Toshiba）引發戰火，之後三星電子（Samsung Electronics）也趕緊加入戰局，使得整個TLC技術大量被量產且應用在終端產品上。
TLC晶元雖然儲存容量變大，成本低廉許多，但因為效能也大打折扣，因此僅能用在低階的NAND Flash相關產品上，象是低速快閃記憶卡、小型記憶卡microSD或隨身碟等。

⑵ SLC，MLC和TLC三者的區別

一、存儲技術不同

1、SLC：單層單元存儲技術。

2、MLC：多層單元存儲技術。

3、TLC：三層單元存儲技術。

二、特點不同

1、SLC：在每個單元中存儲一個Bit，這種設計提高了耐久性、准確性和性能。

2、MLC：架構可以為每個單元存儲2個Bit。

3、TLC：用於性能和耐久性要求相對較低的消費級電子產品。

三、用處不同

1、SLC：對於企業的關鍵應用程序和存儲服務，SLC是首選的快閃記憶體技術。它的價格最高。

2、MLC：存儲多個Bit似乎能夠很好地利用空間，在相同空間內獲得更大容量，但它的代價是使用壽命降低，可靠性降低。

3、TLC：適合於包含大量讀取操作的應用程序，基於TLC的存儲組件很少在業務環境中使用。

⑶ NAND SLC SSD是什麼

NAND是目前快閃記憶體顆粒用的技術，SSD裡面的存儲顆粒就是一顆顆NAND Flash（快閃記憶體）

SLC表示一種快閃記憶體顆粒的類型，區別是最小存儲單元可以存儲的數據位數量。
如果最小存儲單元只區分2個電位（高低電位），等於只能存儲0或1，即1位（1bit）數據。這種類型的NAND快閃記憶體就叫做SLC。
以此類推，還有MLC：最小存儲單元區分4個電位，即00，01，10，11。TLC：區分8個電位。
同樣一個最小的存儲單元，區分的電位越多，存儲密度越大。假設一顆SLC NAND是1GB的話，做成MLC就是2GB，TLC就是3GB。所以SLC會比後面的貴得多，容量也不容易做大。
但SLC好處是：區分的電位越多，每個電位間區別越小，讀寫速度越慢（難以識別和寫入），壽命也越短（損耗一點點就錯位了）。所以SLC比MLC、TLC速度快，可擦寫次數更多。

目前的情況是，SLC一般用於企業級SSD，以及Intel智能響應技術的加速盤。
MLC一般用於桌面級SSD。
TLC的SSD因為技術和可靠性的原因幾乎還沒有。但TLC則已經幾乎統治了U盤和存儲卡市場（因為價格戰太厲害，利潤太低，沒人願意上好的NAND）。
所以除非是高速的存儲卡，U盤和存儲卡存數據是很不可靠的哦。

⑷ 求市面上SLC型快閃記憶體的1GB容量MicroSD卡

目前業內最具爭議的話題莫過於NAND快閃記憶體的兩大架構MLC和SLC了，這兩種架構最大的區別是存取技術不同，由此也帶來了製造成本、工藝要求、輔助電路、存取次數上的迥異。從短期發展來看，SLC架構在使用上優勢較為明顯，也因此成為了部分廠商炫耀產品的資本。然而MLC架構具有成本低廉、單片容量較SLC成倍增大等優勢，長遠來看勢必會成為NAND快閃記憶體的下一代主流架構。現在購買隨身數碼影音產品也許我們還在為快閃記憶體晶元採用了哪種架構而顧慮，但在不久的將來這種顧慮會完全消失，為什麼呢？且聽筆者慢慢分析。

NAND快閃記憶體可分為三大架構，分別是單層式儲存（Single Level Cell），即SLC；多層式儲存（Multi Level Cell），即MLC；多位式存儲（Multi Bit Cell），即MBC。MLC是英特爾（INTEL）在1997年9月最先研發成功的，其原理是將兩個位的信息存入一個浮動柵（Floating Gate，快閃記憶體存儲單元中存放電荷的部分），然後利用不同電位的電荷，透過內存儲存格的電壓控制精準讀寫。講白話點就是一個Cell存放多個bit，現在常見的MLC架構快閃記憶體每Cell可存放2bit，容量是同等SLC架構晶元的2倍，目前三星、東芝、海力士（Hynix）、IMFT(英特爾與美光合資公司)、瑞薩（Renesas）都是此技術的使用者，而且這個隊伍還在不斷壯大，其發展速度遠快於曾經的SLC架構。

SLC技術與EEPROM原理類似，只是在浮置閘極（Floating gate）與源極（Source gate）之中的氧化薄膜更薄，其數據的寫入是透過對浮置閘極的電荷加電壓，然後可以透過源極，即可將所儲存的電荷消除，採用這樣的方式便可儲存每1個信息位，這種技術的單一位方式能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術受限於低硅效率的問題，必須由較先進的流程強化技術才能向上提升SLC製程技術，單片容量目前已經很難再有大的突破，似乎已經發展到了盡頭。

MBC是英飛凌（Infineon）與賽芬半導體（Saifun Semiconctors）合資利用NROM技術共同開發的NAND架構，技術上的問題目前還沒有得到廣泛應用。網上相關資料也非常有限，加之主題和篇幅關系，就不做深入探討了。

對MLC和SLC兩大架構現在網上存在一個普遍的認識誤區，那就是大家都認為MLC架構的NAND快閃記憶體是劣品，只有SLC架構的NAND快閃記憶體才能在質量上有保障。殊不知採用MLC架構的NAND快閃記憶體產品在2003年就已經投入市場使用，至今也沒有見哪位用戶說自己曾經購買的大容量CF、SD卡有質量問題。可能你會說這是暫時的，日後肯定出問題，那麼我們就先來回憶一下MLC的發展歷程以及SLC目前的發展狀況再來給這個假設做定論吧。

MLC技術開始升溫應該說是從2003年2月東芝推出了第一款MLC架構NAND Flash開始，當時作為NAND Flash的主導企業三星電子對此架構很是不屑，依舊我行我素大力推行SLC架構。第二年也就是2004年4月東芝接續推出了採用MLC技術的4Gbit和8Gbit NAND Flash，顯然這對於本來就以容量見長的NAND快閃記憶體更是如虎添翼。三星電子長期以來一直倡導SLC架構，聲稱SLC優於MLC，但該公司於2004和2005年發表的關於MLC技術的ISSCC論文卻初步顯示它的看法發生了轉變。三星在其網站上仍未提供關於MLC快閃記憶體的任何營銷材料，但此時卻已經開發出了一款4Gbit的MLC NAND快閃記憶體。該產品的裸片面積是156mm2，比東芝的90nm工藝MLC NAND快閃記憶體大了18mm2。兩家主流NAND快閃記憶體廠商在MLC架構上的競爭就從這時開始正式打響了。除了這三星和東芝這兩家外，現在擁有了英特爾MLC技術的IM科技公司更是在工藝和MLC上都希望超越競爭對手，大有後來者居上的沖勁。MLC技術的競爭就這樣如火如荼地進行著。

另一方面我們再來看看SLC技術，存取原理上SLC架構是0和1兩個充電值，即每Cell只能存取1bit數據，有點兒類似於開關電路，雖然簡單但卻非常穩定。如同電腦的CPU部件一樣，要想在一定體積里容納更多的晶體管數，就必須提高生產工藝水平，減小單晶體管體積。目前SLC技術受限於低硅效率問題，要想大幅度提高製程技術就必須採用更先進的流程強化技術，這就意味著廠商必須更換現有的生產設備，投入大不說而且還是個無底洞。而MLC架構可以一次儲存4個以上的充電值，因此擁有比較好的存儲密度，再加上可利用現有的生產設備來提高產品容量，廠商即享有生產成本上的優勢同時產品良率又得到了保證，自然比SLC架構更受歡迎。

既然MLC架構技術上更加先進，同時又具備成本和良率等優勢，那為什麼遲遲得不到用戶的認同呢。除了認識上的誤區外，MLC架構NAND Flash確實存在著讓使用者難以容忍的缺點，但這都只是暫時的。為了讓大家能更直觀清楚地認識這兩種架構的優缺點，我們來做一下技術參數上的對比。

首先是存取次數。MLC架構理論上只能承受約1萬次的數據寫入，而SLC架構可承受約10萬次，是MLC的10倍。這其中也存在一個誤區，網上很多媒體都有寫MLC和SLC知識普及的文章，筆者一一拜讀過，可以說內容不夠嚴謹，多數都是你抄我我抄你，相互抄來抄去，連錯誤之處也都完全相同，對網友很不負責。就拿存取次數來說吧，這個1萬次指的是數據寫入次數，而非數據寫入加讀取的總次數。數據讀取次數的多寡對快閃記憶體壽命有一定影響，但絕非像寫入那樣嚴重，這個壽命值正隨著MLC技術的不斷發展和完善而改變著。MLC技術並非一家廠商壟斷，像東芝（Toshiba）已生產了好幾代MLC架構NAND快閃記憶體，包括前不久宣布和美國SanDisk公司共同開發的採用最先進56nm工藝的16Gb（2gigabyte）和8Gb（1gigabyte）MLC NAND快閃記憶體，16Gb是單晶元的業內最大容量。

東芝在MLC快閃記憶體設計方面擁有經驗與技術，去年東芝利用90nm工藝與三星的73nm產品競爭。東芝90nm MLC快閃記憶體的位密度達29 Mbits/ mm2，超過了三星的73nm快閃記憶體（位密度為25.8 Mbits/mm2）。對於給定的存儲密度，東芝快閃記憶體的裸片面積也比三星的要小。例如東芝的4-Gbit 90nm NAND裸片面積是138 mm2，而三星的4-Gbit 73nm NAND裸片面積是156 mm2，這使東芝在成本方面更具競爭力。三星方面現在正奮起直追，與東芝之間的競爭異常激烈。再加上IMFT、海力士等廠商的參與，MLC技術發展勢頭迅猛，今天MLC NAND Flash寫壽命還只有1萬次，明天也許就會是2萬次、3萬次甚至達到與SLC同等級別的10萬次，這是完全有可能的。
拿MLC NAND Flash的寫壽命我們一起來算筆帳，假如近期筆者購買了一款2GB容量MP3播放器，快閃記憶體是東芝產的MLC架構NAND Flash，理論上只能承受約1萬次數據寫入。筆者是個瘋狂的音樂愛好者，每天都要更新一遍快閃記憶體里的歌曲文件，這樣下來一年要執行365次數據寫入，1萬次可夠折騰至少27年的，去除7年零頭作為數據讀取對快閃記憶體壽命的損耗，這款MP3播放器如果其它部件不出問題筆者就可以正常使用至少20年。20年對於一款電子產品有著怎樣的意義？就算筆者戀舊，也不可能20年就用一款MP3播放器吧。況且就算是SLC架構，快閃記憶體里的數據保存期限最多也只有10年，1萬次的數據寫入壽命其實一點兒也不少。

其次是讀取和寫入速度。這里仍存在認識上的誤區，所有快閃記憶體晶元讀取、寫入或擦除數據都是在快閃記憶體控制晶元下完成的，快閃記憶體控制晶元的速度決定了快閃記憶體里數據的讀取、擦除或是重新寫入的速度。可能你會拿現成的例子來辯駁，為什麼在同樣的控制晶元、同樣的外圍電路下SLC速度比MLC快。首先就MLC架構目前與之搭配的控制技術來講這點筆者並不否認，但如果認清其中的原因你就不會再說SLC在速度方面存在優勢了。SLC技術被開發的年頭遠早於MLC技術，與之相匹配的控制晶元技術上已經非常成熟，筆者評測過的SLC產品數據寫入速度最快能達到9664KB/s（ KISS KS900），讀取速度最快能達到13138KB/s（ mobiBLU DAH-1700），而同樣在高速USB2.0介面協議下寫入速度最慢的還不足1500KB/s，讀取速度最慢的也沒有超過2000KB/s。都是SLC快閃記憶體晶元，都是高速USB2.0介面協議，為什麼差別會如此大。筆者請教了一位業內資深設計師，得到的答案是快閃記憶體控制晶元效能低，且與快閃記憶體之間的兼容性不好，這類產品不僅速度慢而且在數據操作時出錯的概率也大。這個問題在MLC快閃記憶體剛投入市場時同樣也困擾著MLC技術的發展，好在去年12月我們終於看到了曙光。這就是擎泰科技（Skymedi Corporation）為我們帶來的新一代高速USB2.0控制晶元SK6281及SD 2.0/MMC 4.2的combo快閃記憶卡控制晶元SK6621，在MLC NAND快閃記憶體的支持與速度效能上皆有良好表現。其所支持的MLC晶元已經達到了Class4的傳輸速度。

MLC NAND Flash自身技術的原因，只有控制晶元效能夠強時才能支持和彌補其速度上的缺點，支持MLC製程的控制晶元需要較嚴格的標准，以充分發揮NAND快閃記憶體晶元的性能。擎泰科技所推出的系列控制晶元經過長時間可靠性測試及針對不同裝置兼容性進行的比對較正，已能支持目前市場主流的MLC快閃記憶體，如英特爾JS29F16G08CAMB1、JS29F08G08AAMB1，三星K9G4G08U0A、K9G8G08U0M、K9LAG08U0M、K9HBG08U1M，東芝TC58NVG2D4CTG00、TC58NVG3D4CTG00、TH58NVG4D4CTG00，美光（Micron）、海力士（Hynix）等等。此外，藉由良好的韌體設計，可大幅提升性能，達到最高的存取速度，例如：SK6621支持MLC可到Class4水準，其所支持SLC皆可支持到Class6的傳輸速度。SK6281還達到了Vista ReadyBoost速度的需求（Enhanced for Windows ReadyBoost），且支持單顆MLC時可達22MB/s的讀取速度及6MB/s的寫入速度，綜合下來並不比SLC慢多少。你手上的MP3播放器USB傳輸速度慢並不全是因為快閃記憶體晶元採用了MLC架構，它與控制晶元的關系要更加密切一些。

第三是功耗。SLC架構由於每Cell僅存放1bit數據，故只有高和低2種電平狀態，使用1.8V的電壓就可以驅動。而MLC架構每Cell需要存放多個bit，即電平至少要被分為4檔（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的電壓才能驅動。最近傳來好消息，英特爾新推出的65納米MLC寫入速度較以前產品提升了二倍，而工作電壓僅為1.8V，並且憑借低功耗和深層關機模式，其電池使用時間也得到了延長。

第四是出錯率。在一次讀寫中SLC只有0或1兩種狀態，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，簡單點說每Cell就像我們日常生活中使用的開關一樣，只有開和關兩種狀態，非常穩定，就算其中一個Cell損壞，對整體的性能也不會有影響。在一次讀寫中MLC有四種狀態（以每Cell存取2bit為例），這就意味著MLC存儲時要更精確地控制每個存儲單元的充電電壓，讀寫時就需要更長的充電時間來保證數據的可靠性。它已經不再是簡單的開關電路，而是要控制四種不同的狀態，這在產品的出錯率方面和穩定性方面有較大要求，而且一旦出現錯誤，就會導致2倍及以上的數據損壞，所以MLC對製造工藝和控制晶元有著更高的要求。目前一些MP3主控制晶元已經採用了硬體4bit ECC校驗，這樣就可以使MLC的出錯率和對機器性能的影響減小到最低。

第五是製造成本。為什麼硬碟容量在成倍增大的同時生產成本卻能保持不變，簡單點說就是在同樣面積的碟片上存儲更多的數據，也就是所謂的存儲密度增大了。MLC技術與之非常類似，原來每Cell僅存放1bit數據，而現在每Cell能存放2bit甚至更多數據，這些都是在存儲體體積不增大的前提下實現的，所以相同容量大小的MLC NAND Flash製造成本要遠低於SLC NAND Flash。

綜上所述，MLC技術是今後NAND Flash的發展趨勢，就像CPU單核心、雙核心、四核心一樣，MLC技術通過每Cell存儲更多的bit來實現容量上的成倍跨越，直至更先進的架構問世。而SLC短期內仍然會是市場的佼佼者，但隨著MLC技術的不斷發展和完善，SLC必將退出歷史的舞台。

⑸ slc與mmc存儲卡哪個好

slc是存儲晶元的技術，mmc是成品存儲卡的規格，問這兩個哪個好，就像比較豬裡脊肉和水煮肉片那個好一樣。

⑹ 怎麼分辨存儲卡是slc還是mlc

鑒於同樣容量的高速低速卡價格差異不大，筆者建議朋友盡量選擇高速卡。並不是因為低速卡不夠用，而是因為你在開啟相機連拍功能時高速卡能在一定程度上提供更長時間的連拍。 其實所謂的高速卡和低速卡的區別在於它們所採用NAND快閃記憶體的不同而劃分的。所謂的低速卡使用的是MLC型（Multi level cell）NAND快閃記憶體，這主要是由Toshiba和Sandisk生產；而高速卡所採用的是SLC型（Single level cell） NAND快閃記憶體，主要是由三星生產。MLC的存儲密度比SLC高，所以價格更有競爭力。但是它的讀寫速度慢，能耗高，壽命短。MLC的架構相較於SLC在相同使用條件下多了15%的電流消耗，而數碼相機和其它諸如PDA等的數字行動裝置所需求的應是省電、高寫入速度的儲存媒體，以SLC NAND顆粒製成的產品才是消費者最理想的選擇。MLC架構雖較為落後，但其彈性大，可利用比較老舊的生產來提高產品的密度，無需額外投資生產設備，具有成本的優勢。所以現在市場上可見的大多數品牌還是採用的是MLC的架構，畢竟這樣可以拉低成本嘛！！ 從外表看沒什麼區別，當然標示的速度可能不一樣，低速卡一般是2MB/s傳輸率，高速卡一般在60X以上，少數卡能達到150X（1X=150KB/s)某些卡在卡表面的標簽上有註明，比如威剛的。還有些卡用顏色區分高速和低速，比如東芝和金士頓，藍色代表低速，白色代表高速。

⑺ 固態硬碟SSD的SLC與MLC和TLC三者的區別

1、具體含義不同：

SLC即Single Level Cell，速度快壽命長，價格較貴，約10萬次擦寫壽命。

MLC即Multi Level Cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000~10000次擦寫壽命。

TLC即Trinary Level Cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500-1000次擦寫壽命。

2、硬體情況不同：

大多數U盤都是採用TCL晶元顆粒，其優點是價格便宜，不過速度一般，壽命相對較短。而SSD固態硬碟中，MLC顆粒固態硬碟是主流，其價格適中，速度與壽命相對較好，而低價SSD固態硬碟普遍採用的是TLC晶元顆粒。

(7)slc存儲卡擴展閱讀：

固態硬碟特點

1、固態硬碟和機械硬碟相比讀寫速度遠遠勝出，這也是其最主要的功能，還具有低功耗、無噪音、抗震動、低熱量的特點，這些特點可以延長靠電池供電的計算機設備運轉時間。

2、固態硬碟防震抗摔性傳統硬碟都是磁碟型的，數據儲存在磁碟扇區里。而固態硬碟是使用快閃記憶體顆粒（即mp3、U盤等存儲介質）製作而成，所以SSD固態硬碟內部不存在任何機械部件。

⑻ U盤、MP3這些產品用的內存晶元分MLC和SLC的，它們都有什麼區別啊

MLC（Multi-Level-Cell）技術，由英特爾於1997年率先推出，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數據量。MLC內存顆粒是個相當良好的低價解決方案，可大幅節省製造商端的成本，但是MLC NAND顆粒製成的CompactFlash卡相較於SLC（Single-Lecel_Cell） 內存顆粒的產品有著寫入速度慢、耗電多、壽命短的缺點，MLC顆粒製成的產品只有10X（1.5Mbyte/sec）的寫入速度，SLC 顆粒製成的產品可以達到 22X（3.2Mbyte/sec）的寫入速度。Intel 在1997年9月最先開發成功，能夠讓單個存儲單元保存兩倍的數據量；
SLC 與 MLC 的參數對比：
Item SLC MLC
電壓 3.3V/1.8V 3.3V
生產工藝 / 晶元尺寸 0.12um 0.16um
頁容量 / 塊容量 2KB/128KB 512KB/32KB or 2KB/256KB
訪問時間（最大） 25us 70us
頁編程時間（典 型） 250us 1.2ms
可否局部編程 Yes No
擦寫次數 100K 10K
數據寫入速率 8MB/S+ 1.5MB/S

⑼ SLC，MLC和TLC三者的區別

SLC、MLC和TLC三者是快閃記憶體的不同類型，三者區別如下：

1、SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格貴（約MLC的3倍以上的價格），約10萬次擦寫壽命。

2、MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000—10000次擦寫壽命。

3、TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次擦寫壽命，目前還沒有廠家能做到1000次。

(9)slc存儲卡擴展閱讀

快閃記憶體與硬碟相比所具備的優點：

1、快閃記憶體的體積小。快閃記憶體的集成度比硬碟高，硬碟做的這么大一塊主要原因，就是硬碟不能做的小過快閃記憶體，相比較快閃記憶體來說，硬碟的集成度不高。

2、相對於硬碟來說快閃記憶體結構不怕震，更抗摔。硬碟最怕的就是強烈震動，雖然我們使用的時候可以很小心，但老虎也有打盹的時候，不怕一萬就怕萬一。

3、快閃記憶體可以提供更快的數據讀取速度，硬碟則受到轉速的限制。

4、快閃記憶體存儲數據更加安全，硬碟的寫入是靠磁性來寫入，快閃記憶體則採用電壓，數據不會因為時間而消除。

⑽ 手機內存卡真假識別方法

手機內存卡真假識別方法

有網友在某網店看到了金士頓TF內存卡的促銷信息，16GB的35元，32GB的100元，與市場均價相比確實便宜很多，而後他就各買了一張。不過，對於如此便宜的內存卡他也產生了疑問，所以購買後第一時間就通過金士頓官網查詢了內存卡包裝上的防偽碼，經驗證確實是正品。但在使用了一段時間後就發現自己的內存卡讀寫速度比別人的要慢很多，而且在復制比較大的文件時會提示錯誤，隨後他從網上下載了一個內存卡檢測工具，最終測試結果表明這兩張內存卡的實際容量都只有2GB。

或許大家會感到疑惑，2GB的內存卡怎麼能變成16GB和32GB呢?其實，他買的這種內存卡被稱為「擴容卡」，在行業內部早已不是什麼秘密，這也是山寨廠家和姦商最常用的牟利手段。一般來說，用一張十幾二十元的2GB內存卡擴容成16GB或32GB，然後以低價吸引消費者購買，其中的利潤翻了好幾倍。針對這個情況，現在就為各位普及一下內存卡的基礎知識，同時再教大家幾個簡單的鑒別方法，以避免購買時上當受騙。

內存卡的前世今生

回想當年，大家都還在用著非智能機，由於功能單一，需要存儲的數據也就是通訊錄和簡訊。雖然那時也有手機游戲，但大多都是幾十KB，並不需要太大的存儲空間。但隨著手機功能的多樣化，尤其是音樂、拍照、視頻元素的加入，原本充裕的內存也變得緊張起來，有一部分手機選擇了擴大機身內存，但大多數手機廠商還是選擇內存卡擴展空間的方式。

雖然大家每天都在使用，但早期的手機內存卡並不是現在這樣「嬌小」的造型，而且容量也沒有那麼大。其中MMC內存卡算是比較早的一種，它是在1997年由西門子及SanDisk共同開發而成，基於東芝的NAND快閃記憶技術，比採用IntelNOR快閃記憶技術的CF卡更細小。當初MMC卡應用較為廣泛，數碼相機、PDA、手機都可以使用，其中諾基亞採用MMC內存卡的機型相對較多。

之後，SD內存卡開始興起，它是由日本松下、東芝及美國SanDisk公司於1999年8月共同開發研製。SD內存卡是一種基於半導體快閃記憶器的新一代存儲設備，它被廣泛地用於攜帶型裝置上，並且擁有高記憶容量、快速數據傳輸率、極大的移動靈活性以及很好的安全性。雖說SD內存卡很快的取代了MMC內存卡的位置，並且一直沿用至今，但實際上它也是基於MMC格式發展而來，兩者在一些設備上還具有一定的兼容性。

上圖就是現在最為常見的TF內存卡，它是由SanDisk公司研製，主要用於手機設備，相比早期的MMC內存卡它的體積更小，容量更大，而且兼容性強。通過卡托就可以轉換為SD卡，擴展性極強，在2004年它被SD協會正式更名為Micro SD。

2GB變32GB 擴容卡內幕大曝光

現在市場銷售的不少TF內存卡的實際存儲空間與標稱並不相符，像2GB變32GB、4GB變32GB的情況比比皆是。而所謂擴容卡就是擴展電子設備容量的存儲介質，例如手機、MP3、MP4、數碼相機、U盤、CF內存卡、SD內存卡、TF內存卡等等，這些都可以被擴容。尤其是現在最常用的TF內存卡，擴容現象最為嚴重，主要集中在金士頓、SanDisk這兩個品牌。

其實，對於購買擴容卡的消費者來說，損失點錢倒是小事，畢竟內存卡頂多也就200多元，而它最大的危害則是在數據安全方面。一般來說，擴容卡在復制一些文件的時候會出現錯誤提示，因為擴展出來的空間並不算真正意義上的內存。當然，出現報錯也需要一定條件，這也是很多朋友在購買到擴容卡後長時間沒有發現問題的原因。

例如，一張2GB內存卡擴容到了32GB，當我們將它連接到電腦上，通過屬性是不會發現有問題的。如果我們復制總容量為3GB的1000首歌曲，這時內存卡一般不會有什麼異樣，報錯的幾率比較小，因為每首歌曲的大小僅為幾MB。但是，當我們復制一部容量為3GB的高清電影時，這張擴容卡就會出現報錯提示，因為這時單個文件的大小已經超過了內存卡的實際容量，這種情況是無法傳輸數據的。

雖說復制1000首歌曲很少出現報錯，但由於擴容的部分並不穩定，很容易出現數據丟失的問題。同時，擴容會導致內存卡使用壽命減少，甚至直接燒壞，最後連格式化都無法進行，容量只顯示為8MB或者16MB，而且還無法打開。還有一種情況就是，將文件復制進去，當時打開一般沒問題，但只要更換電腦或者重啟的`話就會出現數據丟失或者報錯，這是因為系統會優先讀取本地磁碟的緩存文件。由此可以看出擴容卡的危害之嚴重，如果卡內文件十分重要的話，一旦丟失將很難找回。

SanDisk官方也生產擴容卡?

看到題目大家肯定會疑惑，SanDisk官方怎麼可能生產擴容卡?其實此「擴容卡」非彼擴容卡，這其中又涉及到一個存儲單元晶元的問題。一般來說，Nand快閃記憶體主要分為MLC多層存儲單元、SLC單層存儲單元和TLC三種類別，這三種類別也分別適用於不同的使用環境，最常見的就是MLC和SLC，SanDisk使用的就是MLC。

MLC是Multi-Level Cell多層存儲單元的縮寫，它的最大特點就是容量大成本低，但是速度卻很慢。MLC的每個單元為2bit，相對SLC來說整整多了一倍。也就是說，同樣100個單元，MLC就要比SLC的容量大很多，通常製造128MB的內存卡需要用1024個單位的晶圓顆粒，而SanDisk來製造同樣的內存卡只需要用512個單位的晶圓顆粒，這其實就相當於變相的「擴容」。雖然這樣可以降低成本，但卻犧牲了速度，由於每個MLC存儲單元中存放的數據過多，結構相對復雜，出錯的幾率也相對增加，必須進行錯誤修正，同時MLC的擦寫壽命僅為5000-10000次。而很多消費者卻不知道這一點，SanDisk超高的知名度掩蓋了其產品上的「瑕疵」。

SLC是Single Layer Cell單層存儲單元的縮寫，它的最大特點就是穩定、速度快、功耗低，但相比MLC容量要小一半，成本也相對較高。SLC的每個單元為1bit，其存儲單元中存放的數據較少，結構相對簡單，出錯的幾率也大大降低。而且，SLC快閃記憶體的復寫次數高達100000次，是MLC的10-20倍，它經常被用在企業級SSD上，但同樣SLC的成本也較MLC高出三倍有餘。

在了解了MLC和SLC的區別及優缺點之後，相信有不少朋友會問，現在有哪個品牌的內存卡在使用SLC呢?其實這個品牌的國際知名度絲毫不亞於SanDisk，它就是PNY(必恩威)。它是美國第二大內存卡廠商，也是美國通路市場第一大品牌，而且它在歐洲的市場佔有率極高，國內也有銷售，只不過很多消費者不了解罷了。其內存卡產品採用SLC製成，也是市場上為數不多的高速卡。

從外觀初識真假

一般來說，購買內存卡之後，我們首先要做的就是辨別這張內存卡的真假，也就是說先要確定它是不是你買的那個廠商生產的。雖說擴容卡在將容量擴展後會更改內存卡上相應的容量標識，但至少要保證這張卡是原廠生產，因為如果遇到了無法退換的情況，我們至少還可以將內存卡還原為實際容量，這樣的話大品牌內存卡總要比雜牌或者山寨的要好。

網上也有不少關於內存卡的鑒別文章，但大多都是通過包裝、防偽碼來進行分辨。其實，這種方法現在看來已經不是很靠譜，因為市場中有不少商家在回收包裝。除此之外，現在的高仿包裝已經可以做到以假亂真的地步，就連背後的防偽碼都可以製作，這些假編碼同樣可以在官網查詢到，足見奸商們的手段之高。所以相對保險的方法就是對內存卡本身進行鑒別，下面我們就拿時下熱銷的金士頓TF卡來做一下鑒別。先來看一下正面，主要關注兩個點，一是中間的激光碼，二是底部的凹槽。一般假卡的激光碼刻字會出現模糊、字型大小不統一、編碼間隔不均勻的問題，而真卡則不會出現這種情況。另外，真的金士頓TF卡正面左下方會有一個圓形凹槽，假卡一般則沒有。

看儲存卡的背面，這也是較容易的方法。原裝金士頓TF卡背面每個銅片下方都會有一個明顯的銅點，而高仿金士頓TF卡則沒有這個銅點。出現這種差別的原因就是山寨廠商的技術和工藝還無法達到如此高的水平。

擴容卡及壞塊檢測

當然，通過內存卡的外觀我們只能簡單的判斷它是否為正品，但卻不能鑒定它是不是擴容卡。要想知道你買的內存卡是否被擴容，那麼就需要用特定的測試工具MyDiskTest(點此下載)。它是一款集5大功能於一身的移動存儲產品擴容識別工具，通過它可以方便的檢測出存儲設備是否經過擴充容量。同時也能查出存儲設備是否有壞塊，是否採用黑片，它不會破壞磁碟原有數據，並可以測試讀取和寫入速度。

當用戶將內存卡連接到電腦上之後，通過最頂部的下拉菜單就可以選擇要檢測的設備。確定設備後，下面就可以選擇測試方法，默認是壞塊檢測和快速擴容測試，這相當於是一個組合選項，不能單獨測試其中某一項，兩項檢測是同時進行的。一般來說，想檢測自己的內存卡是否被擴容就可以直接採用默認設置，然後點擊立即開始測試此驅動器，下面我們就用一張16GB容量的SanDisk內存卡來做一下演示。

既然名為快速擴容測試，那整個檢測過程用時就不會太久，也就5分鍾左右。壞塊檢測與快速擴容測試主要會測試三個方面：標准讀寫、覆寫、快速診斷。檢測完成過後就會有一個結果，可以看出，這張內存卡已經通過了默認測試，基本可以斷定它不是擴容卡。當然，如果不放心的話可以按照提示進行數據完整性校驗，只需點擊快速擴容測試下的選項，然後按開始就可以了。

從上圖來看，經過數據完整性校驗，最終這張內存卡通過了測試，也就是說它是真正的16GB容量，並非擴容卡。

如果沒有通過測試的話，就證明這張內存卡為擴容卡。一張標稱為32GB的內存卡，經過快速擴容測試後發現它是一張擴容卡。從數據來看，這張內存卡的實際容量僅為4GB，也就是說它擴展了28GB，擴容量達到7倍之多，其成本也不過十幾元，而奸商一般都會賣200元，可想而知裡面的利潤有多高。

讀寫速度檢測

進行完上面的檢測後，我們就可以斷定自己買的內存卡是否被擴容，如果是擴容卡的話就需要將其恢復到實際容量，以免在使用時丟失數據。如果不是的話，那麼我們還需要回到第一個問題，即內存卡是否為正品。雖說過了外觀和擴容檢測這兩關，但還不足以證明內存卡的真假，最後，我們還要對卡速進行一下測試，使用的依舊是MyDiskTest檢測工具。

相比擴容檢測，內存卡的讀寫速度測試就更為容易，只需在軟體主界面點擊速度測試，然後按開始就可以了。這時會跳轉到上圖中的界面，點擊右上角的開始測試就會進行檢測，時間也是5分鍾左右。其中最上面兩大塊分別為測試項目和平均讀寫速度。而下方的縱軸表示讀寫速度，橫軸表示容量大小。中間的數個綠色數軸為讀取速度，紅色為寫入速度，待上圖界面完全出現後就可以點擊關閉了。

關閉後就會跳轉到MyDiskTest的主界面，最終測試結果包括物理操作速度、創建文件速度、刪除文件速度、隨機讀寫速度、文件復制速度。得到這些數值後，就可以去該內存卡的官網查找資料，一般品牌內存卡官網都會提供產品的讀寫速度，當然大多都是平均值和最低值，兩相對比後，只要差距不是太大就可以確定為原裝無擴容內存卡。

文至於此，相信大家對於手機內存卡的一些基礎知識和鑒別方法已經有了一個大致的了解。擴容卡的危害還是比較嚴重的，如果將重要數據放在這種內存卡中就很容易出現丟失的情況，那時候損失的就不僅僅是一兩百塊錢了，文件很有可能因此無法找回。其實想避免類似情況發生也並不困難：首先，不能貪圖小便宜，本來一張內存卡就沒有多少錢，所以盡量從正規商家或者網站購買;其次，購買時要先對外觀進行辨別，僅僅知道方法還不夠，最重要的依舊是細心和耐心;第三，購買之後一定要先用軟體對內存卡進行測試，確認無誤後再行使用。