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快閃記憶體編程寫

發布時間: 2023-01-29 06:30:34

『壹』 STM32單片機快閃記憶體存儲器里存儲的是哪些內容

先看rom也就是flash(0x0800 0000-0x0807 ffff)512k,這個空間就是用戶存放程序的地方,用戶以後自己寫boot loader的時候,也是存放在這個空間里的,system memory這個空間是2k大小,是st公司在生產完片子的時候,就固化好的isp代碼,用戶之所以能用上位機軟體燒程序就是靠這部分的代碼,用戶更改不了這個區域,想了解這個區域就看AN2606文檔,option bytes這個區域是16個位元組,是控制flash區域的寄存器,想了解這些寄存器看STM32F10xxx快閃記憶體編程參考手冊,SRAM這個區域的其實地址始終是0x2000 0000,終止地址就得根據你的SRAM的大小來進行計算了,這個區域就是程序運行時的臨時變數區,什麼堆棧都在這裡面

『貳』 車輛快閃記憶體編程錯誤什麼意思

1. 概述
微控制器的內部快閃記憶體有以下兩種編程方法:

- 獨立晶元編程
- 對目標系統中的設備編程

這兩種編程方法僅在目標設備的狀態上有所區別;基本的編程方法是相同的。
除此之外,有些設備支持自編程方式,這里不再詳述。

在獨立晶元編程方式中,除了編程器,還需要用於設置目標設備的插槽適配器。
通常採用由Naito Densei Machida Mfg. Co., Ltd.製造的適配器(FA系列)會較為簡便。
在對目標系統中的設備進行編程(稱為在線編程)期間,只是在供電目標系統和編程器之間進行簡單的信號交換。

2. 需要的設備
以下是編程所需要的設備。

- 燒寫器(例如: NEC Electronics製造的PG-FP4, Naito Densei Machida Mfg. Co., Ltd.製造的FL-PR4)
- 參數文件(可從NEC Electronics主頁上下載)
- 控制用的個人計算機
- 具有所需配線的FA適配器(用於獨立編程方式)
(在線編程中的目標系統)

3. 設備/編程器介面
為了編程,要在設備和編程器之間交換信號。
基本上要使用三類信號:

- 供電電源/控制相關的信號(VDD, VPP, RESET)
- 串列信號
- 運行時鍾(需要時)

在供電電源/控制相關的信號中,VPP除了用作編程的電源供電信號外,也用於指定設備和編程器之間進行串列通信的模式。

此外,在獨立晶元編程期間,編程器可以提供VDD,但在在線編程時,編程器沒有足夠的電力容量驅動整個電路板,所以需要單獨的供電電源。

對於串列信號,根據實際使用的通信模式進行信號選擇。
在線編程使用一個串列埠。
(由於通信模式隨目標設備而不同,因此請根據不同的設備選擇相應的通信模式。)
採用有握手方式的3線串列通信模式可以最大限度地縮短編程時間。
但是,FL-PR2不支持該模式。

如果獨立編程方式中的設備沒有提供時鍾生成功能,編程器可以提供操作時鍾。
但是,在這種情況下頻率稍微受限制。
在線編程時,基本上由目標系統產生時鍾,而不必由編程器提供。

4. 設備與編程器之間的基本交換(初始化)
編程時,編程器先為設備提供VDD。
在經歷了電源的上升時間之後,提供VPP,在等待了上升時間之後,釋放RESET。
然後系統等待時鍾振盪穩定時間。

RESET釋放且供應了時鍾(振盪)後,設備進入快閃記憶體編程模式。
然後,編程器通過將VPP轉換為脈沖的方式通知設備通信使用的介面類型。
由於該處理過程必須在給定的時間間隔內執行,因此必須保證在編程器釋放RESET之後到設備RESET被釋放之前不會插入會造成顯著延時的電路。

在完成介面條件設置之後,編程器使用串列信號向設備發送最多16次的初始化命令。
如果在這16次初始化命令發送過程中,設備返回了ACK信號,則表明該設備准備好通信。
(如果此時在處理過程中出現錯誤,則會顯示出錯信息「目標初始化錯誤」。)

5. 編程與校驗 通常在編程期間使用EPV指令,但在這種情況下要在設備內部進行V(校驗)處理,而不執行對單獨數據的校驗。

為了更准確地檢查寫入的數據,在編程後會執行校驗指令。

出於保護程序的目的,快閃記憶體編程數據不能從外部讀取。
處於同樣的原因,校驗操作也不能通過指定地址來執行。

6. 參數文件
每個設備都有一個參數文件。
而且參數文件根據設備版本、使用的時鍾或介面條件的不同而不同,因此使用的參數文件要與待編程的設備相匹配。
這個信息對您有用嗎 ?
(2006/04)

writ
-0002 模擬器與快閃記憶體版本的操作是否不同?
Q1 與裝載到模擬器上操作的模塊文件同時產生的16進制文件被寫入設備的快閃記憶體時,設備不執行操作。
(即使復位後設備也不操作。)
A1 假定快閃記憶體編程沒有問題,同樣的對象在模擬器上可以操作,而在快閃記憶體中不能,則可考慮以下原因。

(1) 對有初值的變數沒有正確地初始化。 (沒有正確執行ROMization。)
(2) 時鍾沒有完全振盪。
(3) 沒有正確執行上電復位功能。(時間太短。)
(4) 使用了設備中沒有的資源。
(5) 電源容量有問題。(模擬器僅監控電源,但沒有使用目標設備的電源。)

另外考慮快閃記憶體可能存在的問題:

(6) 對快閃記憶體進行寫操作時已經出現了錯誤。
(7) Vpp引腳處理可能不正確。(在掩模ROM版本中,IC引腳處理可能不正確。)

(2)和(3)是與硬體相關的問題,模擬器無法評測。
請針對硬體檢查這些問題。
如果簡單的程序可以成功運行,那麼不大可能是與硬體相關的問題。

(4)也與模擬器設置有關。
程序大小是否超出了設備的存儲器容量,或是在模擬器中分配了模擬存儲空間?

有兩種基本的編程方法,獨立設備編程和對安裝在目標系統上的設備的在線編程。

當對獨立設備進行寫操作時,要使用快閃記憶體編程器和適配器(FA-80GC或FA-80GK,均由Naito Densei Machida Mfg. Co., Ltd.製造)執行必要的配線操作。要了解有關編程所需信號的資料,可選擇uPD780058子系列用戶手冊第26章列出的三個介面之一。
除了該信號,提供正常的時鍾。
由於編程期間沒有使用其它引腳,所以將其均作為未使用引腳處理。

相關參考文檔可到上面引用的Naito Densei Machida Mfg. Co.的ASMIS的網站上的目標手冊中查詢。

在線編程期間要確保編程使用的信號與內部信號之間不發生沖突。
尤其注意編程使用的串列信號不可以在系統中使用,也不可切換。

同時編程器也應可以執行復位操作。
而且要提供轉換開關或跳線,以便在正常使用時將Vpp引腳與Vss相連接,而在編程期間只能由編程器提供。 在快閃記憶體版本中,考慮編程器的驅動容量和設備的雜訊允許誤差,可以通過一個約10kΩ的電阻把Vpp下拉到Vss。

但是在安裝期間,無論是否存在雜訊允許誤差都需要評測。
在掩模版本中,由於對應Vpp的引腳是一個測試引腳,因此Vpp必須始終與Vss直接連接。
如果沒有與Vss直接連接,就不能保證正常操作。 初始化錯誤表明設備與編程器之間沒有實現通信。
通常,當連接出現問題,或者當設備無法操作時,會出現這種情況。

請檢查以下幾點:
用戶手冊第290頁介紹的連接是進行正常寫操作時的信號連接。
對於在線編程,面板上提供電源和時鍾,而編程器不提供時鍾。

此外,這個時候,將FL-PR3的TARGET VDD SWITCH設定在IN一側。
另外,編程期間將設備的VPP和復位切換到FL-PR3。
在這種狀態下,除了CLK之外的其它信號都應該按手冊中的描述進行連接,並且如果時鍾振盪沒有問題,應該可以進行編程。

『叄』 如何燒寫f16-100hip 8腳快閃記憶體,用那種編程器

看前面是什麼型號,一般是28或29,f是5v的flash rom,可能是32m的,看你的晶元封裝一般的編程器都可以寫。

『肆』 請問PIC16F1938的快閃記憶體程序存儲器怎麼進行擦除和寫操作

/*******************************************************************************
* 名稱:FlashRead
* 功能:讀取程序存儲器一個字
* 參數:addr -> 程序存儲器字地址
* 返回:讀取到的存儲器值
*******************************************************************************/
uint16 FlashReadWord(uint16 addr)
{
EEADRL = ((addr) & 0x00ff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
CFGS = 0; //訪問程序存儲器or數據EEPROM
LWLO = 0; //僅裝載寫鎖存器位
EEPGD = 1; //訪問程序存儲器
RD = 1; //啟動對程序存儲器or數據EEPROM的讀操作,讀操作佔用一個周期,由硬體清零
asm("NOP");
asm("NOP");
return ((EEDATH)<<8 | (EEDATL));
}
/*******************************************************************************
* 名稱:FlashWriteWord
* 功能:編程程序存儲器一個字
* 參數:addr -> 程序存儲器字地址
* dat -> 要編程的值
* 返回:無
*******************************************************************************/
void FlashWriteWord(uint16 addr,uint16 dat)
{
uint16 value;
EECON1 = 0;
EEADRL = ((addr) & 0xff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
value = dat & 0x3fff;
EEDATH = ((value) >> 8);
EEDATL = ((value) & 0xff);
EEPGD = 1; //訪問程序存儲器
CFGS = 0; //訪問程序存儲器or數據EEPROM
WREN = 1; //使能編程/擦除操作
LWLO = 0; //載入到程序存儲鎖存器,並編程到程序存儲器
EECON2 = 0x55; //必須的解鎖序列
EECON2 = 0xAA; //必須的解鎖序列
WR = 1; //啟動編程操作
asm("NOP");
asm("NOP");
WREN = 0; //禁止編程/擦除操作
}
/*******************************************************************************
* 名稱:FlashWriteLine
* 功能:編程程序存儲器一行(32字)
* 參數:addr -> 程序存儲器行地址
* dat -> 要編程的值
* 返回:無
*******************************************************************************/
void FlashWriteLine(uint16 addr,uint16 *dat)
{
uint8 i;
uint16 value;
EECON1 = 0;
EEADRL = ((addr) & 0xff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
for(i=0;i<31;i++)
{
value = dat[i] & 0x3fff;
EEDATH = ((value) >> 8);
EEDATL = ((value) & 0xff);
EEPGD = 1; //訪問程序存儲器
CFGS = 0; //訪問程序存儲器or數據EEPROM
WREN = 1; //使能編程/擦除操作
LWLO = 1; //只載入到程序存儲鎖存器
EECON2 = 0x55; //必須的解鎖序列
EECON2 = 0xAA; //必須的解鎖序列
WR = 1; //啟動編程操作
asm("NOP");
asm("NOP");
EEADR++;
}
value = dat[31] & 0x3fff;
EEDATH = ((value) >> 8);
EEDATL = ((value) & 0xff);
EEPGD = 1; //訪問程序存儲器
CFGS = 0; //訪問程序存儲器or數據EEPROM
WREN = 1; //使能編程/擦除操作
LWLO = 0; //載入到程序存儲鎖存器,並編程到程序存儲器
EECON2 = 0x55; //必須的解鎖序列
EECON2 = 0xAA; //必須的解鎖序列
WR = 1; //啟動編程操作
asm("NOP");
asm("NOP");
WREN = 0; //禁止編程/擦除操作
}
/*******************************************************************************
* 名稱:FlashEraseLine
* 功能:擦除程序存儲器一行
* 參數:addr -> 程序存儲器行地址
* 返回:無
*******************************************************************************/
void FlashEraseLine(uint16 addr)
{
EEADRL = ((addr) & 0xff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
CFGS = 0; //訪問程序存儲器or數據EEPROM
WREN = 1; //使能編程/擦除操作
EEPGD = 1; //訪問程序存儲器
FREE = 1; //執行擦除操作
EECON2 = 0x55; //必須的解鎖序列
EECON2 = 0xAA; //必須的解鎖序列
WR = 1; //啟動程序存儲器or數據EEPROM編程/擦除操作
asm("NOP");
asm("NOP");
WREN = 0; //禁止編程/擦除操作
}

『伍』 NAND的與NOR快閃記憶體比較

NAND快閃記憶體的優點在於寫(編程)和擦除操作的速率快,而NOR的優點是具有隨機存取和對位元組執行寫(編程)操作的能力(見下圖圖2)。NOR的隨機存取能力支持直接代碼執行(XiP),而這是嵌入式應用經常需要的一個功能。NAND的缺點是隨機存取的速率慢,NOR的缺點是受到讀和擦除速度慢的性能制約。NAND較適合於存儲文件。如今,越來越多的處理器具備直接NAND介面,並能直接從NAND(沒有NOR)導入數據。
編程速度快、擦除時間短
NAND的真正好處是編程速度快、擦除時間短。NAND支持速率超過5Mbps的持續寫操作,其區塊擦除時間短至2ms,而NOR是750ms。顯然,NAND在某些方面具有絕對優勢。然而,它不太適合於直接隨機存取。
對於16位的器件,NOR快閃記憶體大約需要41個I/O引腳;相對而言,NAND器件僅需24個引腳。NAND器件能夠復用指令、地址和數據匯流排,從而節省了引腳數量。復用介面的一項好處,就在於能夠利用同樣的硬體設計和電路板,支持較大的NAND器件。由於普通的TSOP-1封裝已經沿用多年,該功能讓客戶能夠把較高密度的NAND器件移植到相同的電路板上。NAND器件的另外一個好處顯然是其封裝選項:NAND提供一種厚膜的2Gb裸片或能夠支持最多四顆堆疊裸片,容許在相同的TSOP-1封裝中堆疊一個8Gb的器件。這就使得一種封裝和介面能夠在將來支持較高的密度。
NOR快閃記憶體的隨機存取時間為0.12ms,而NAND快閃記憶體的第一位元組隨機存取速度要慢得多
以2Gb NAND器件為例,它由2048個區塊組成,每個區塊有64個頁
2GB NAND快閃記憶體包含2,048個區塊

『陸』 手機快閃記憶體什麼意思呢

分清楚內存和快閃記憶體的概念。

一、什麼是手機內存

手機系統內存又稱「運行內存」。手機的「內存」分為「運行內存」及「非運行內存」。手機的「運行內存」相當於電腦的內存?即RAM。而手機的「非運行內存」?相當於電腦的硬碟?即ROM。RAM越大?手機能運行多個程序且流暢?ROM越大?就像硬碟越大?能存放更多的數據。 手機系統內存是指手機運行程序時的內存?簡稱運存也叫RAM?而另一個內存是用來存儲東西的內存?就像8G的MP4一樣,它擁有8G的存儲空間,這種內存叫ROM。

二、什麼是快閃記憶體

快閃記憶體: 快閃記憶體是採用一種新型內存(換句話說就是一種內存格式的一種)。快閃記憶體有許多種類型,從結構上分主要有AND、NAND、NOR、DiNOR等,其中NAND和NOR是目前最為常見的類型。例如iPhone5所採用的東芝24納米NAND快閃記憶體。快閃記憶體具有內存可擦可寫可編程的優點,還具有寫入的數據在斷電後不會丟失的優點。所有被廣泛應用用於數碼相機,MP3,及移動存儲設備。

總結:我們多指的手機內存就是用來存儲東西的介質,而手機快閃記憶體是內存裡面的一種比較好的存儲類型,在讀寫和存儲上面更具優勢。

『柒』 為什麼路由換了大快閃記憶體用編程器寫入.不能亮

一般路由器的內存可以換來換去了,我是指已經用編程式刷好的。

『捌』 網路機頂盒快閃記憶體29f32g08存儲晶元用什麼編程器讀寫拷貝

這個NAND Flash容量很大,一般這么大的NAND都是MLC結構的,現在市面上有SmartPRO 6000F-PLUS是支持的,截圖如:

大容量的NAND Flash都存在位翻轉的情況,在讀寫的時候要非常注意,建議你找專業人士咨詢。

『玖』 快閃記憶體卡的存儲原理是什麼

快閃記憶體卡存儲原理是什麼?快閃記憶體(Flash Memory)是非揮發存儲的一種,具有關掉電源仍可保存數據的優點,同時又可重復讀寫且讀寫速度快、單位體積內可儲存最多數據量,以及低功耗特性等優點。其存儲物理機制實際上為一種新型EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲)。是SCM(半導體存儲器)的一種。早期的SCM採用典型的晶體管觸發器作為存儲位元,加上選擇、讀寫等電路構成存儲器。現代的SCM採用超大規模集成電路工藝製成存儲晶元,每個晶元中包含相當數量的存儲位元,再由若干晶元構成存儲器。目前SCM廣泛採用的主要材料是金屬氧化物場效應管(MOS),包括PMOS、NMOS、CMOS三類,尤其是NMOS和CMOS應用最廣泛。RAM(隨機存取存儲),是一種半導體存儲器。必須在通電情況下工作,否則會喪失存儲信息。RAM又分為DRAM(動態)和SRAM(靜態)兩種,我們現在普遍使用的PC機內存即是SDRAM(同步動態RAM),它在運行過程當中需要按一定頻率進行充電(刷新)以維持信息。DDR DDR2內存也屬於SDRAM。而SRAM不需要頻繁刷新,成本比DRAM高,主要用在CPU集成的緩存(cache)上。PROM(可編程ROM)則只能寫入一次,寫入後不能再更改。EPROM(可擦除PROM)這種EPROM在通常工作時只能讀取信息,但可以用紫外線擦除已有信息,並在專用設備上高電壓寫入信息。EEPROM(電可擦除PROM),用戶可以通過程序的控制進行讀寫操作。快閃記憶體實際上是EEPROM的一種。一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide),而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為「浮閘」(floating gate)的物質。拜這層浮閘之賜,使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式;就算在不提供電源給存儲的環境下,也能透過此浮閘,來保存數據的完整性。 Flash Memory晶元中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的1。Flash Memory採用內部閉合電路,這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶元,還可以預先設定「區塊」(Block)。在設定區塊的同時就將晶元中的目標區域擦除干凈,以備重新寫入。傳統的EEPROM晶元每次只能擦除一個位元組,而Flash Memory每次可擦寫一塊或整個晶元。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶元。 MSM(磁表面存儲)是用非磁性金屬或塑料作基體,在其表面塗敷、電鍍、沉積或濺射一層很薄的高導磁率、硬矩磁材料的磁面,用磁層的兩種剩磁狀態記錄信息"0"和"1"。基體和磁層合稱為磁記錄介質。依記錄介質的形狀可分別稱為磁卡存儲器、磁帶存儲器、磁鼓存儲器和磁碟存儲器。計算機中目前廣泛使用的MSM是磁碟和磁帶存儲器。硬碟屬於MSM設備。ODM(光碟存儲)和MSM類似,也是將用於記錄的薄層塗敷在基體上構成記錄介質。不同的是基體的圓形薄片由熱傳導率很小,耐熱性很強的有機玻璃製成。在記錄薄層的表面再塗敷或沉積保護薄層,以保護記錄面。記錄薄層有非磁性材料和磁性材料兩種,前者構成光碟介質,後者構成磁光碟介質。ODM是目前輔存中記錄密度最高的存儲器,存儲容量很大且碟片易於更換。缺點是存儲速度比硬碟低一個數量級。現已生產出與硬碟速度相近的ODM。CD-ROM、DVD-ROM等都是常見的ODM。

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