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可多次編程

發布時間: 2023-03-17 00:57:04

① maxim9668e晶元的作用

技術資料你可以自己查下(需要的話我也可以發給你),
下面是9668E的概述
MAX9668可輸出8路電壓基準,用於TFT
LCD的gamma校準,同時還有一路電壓基準用於蔽洞滾VCOM。每路gamma基準都帶有10位數/模轉換器(DAC)和緩沖器,確保電壓穩定。VCOM基
准電壓帶有10位DAC和放大器,當顯示關鍵電平和圖像時確保電壓穩定。MAX9668集成了可多次編程(MTP)的存儲器,用於存儲gamma和
VCOM值,省去了外部EEPROM。MAX9668的片上非易失存儲器能夠支持最多100次寫操作。
gamma輸出可以驅動200mA峰值瞬態電流,並且具有小於1µs的建立時間。宏余VCOM輸出可提供600mA峰值瞬態電流,並且具有小於1µs的建立時間。模擬電源電壓范圍為9V至20V,數字電源電壓范圍為2.7V至3.6V。
可通過I²C介面對寄存器進行編程設置gamma和VCOM值。

9668E的關鍵特性:
8通道gamma校準10位解析度
VCOM驅動器
集成MTP存儲器
可編程VCOM限制顫彎
1µs建立時間
20V最大模擬電源電壓
gamma通道具有200mA峰值電流
VCOM通道具有600mA峰值電流

② dsp和fpga區別

1、FPGA與DSP的特點
FPAG的結構特點
片內有大量的邏輯門和觸發器,多為查找表結構,實現工藝多為SRAM。規模大,集成度高,處理速度快,執行效率高。能完成復雜的時序邏輯設計,且編程靈活,方便,簡單,可辯明灶多次重復編程。許多FPAG可無限重復編程。利用重新配置可減少硬體的開銷。缺點是:掉電後一般會丟失原有邏輯配置;時序難規劃;不能處理多事件;不適合條件操作。
DSP的結構特點
1、 採用數據和程序分離的哈佛結構和改進的哈佛結構,執行指令速度更快。
2、 採用流水線技術,減少每條指令執行時間。
3、 片內多匯流排,可同時進行取指及多個數據存取操作。
4、 獨立的累加器及加法器,一個周期內可同時完成相乘及累加運算。
5、 有DMA通道控制器及串列通信口等,便於數據傳送。
6、 有中斷處理器及定時控制器,便於構成小規模系統。
7、 具有軟硬體等待功能,能與各種存儲器介面。
DSP作為專門的微處理器,主要用於計算,優勢是軟體的靈活性。適用於條件進程,特別是復雜的多演算法任務。DSP通過匯編或高級語言(如C語言)進行編程,實時實現方案。因此,採用DSP器件的優勢在於:軟體更新速度快,極大地提高了系統的可靠性、通用性、可更換性和靈活性。缺點:受到串列指令流的限制;超過幾MHZ的取樣率,一個DSP 僅能完成對數據非常簡單的運算;研發周期長。
2、內部資源
FPGA側重於設計具有某個功能的硬體電路,內部資源是VersaTIles(ActelFPGA)之類的微小單元,FPGA的內部單元初始在編程前都是使用的是HDL語言實現硬體電路的設計描述。FPGA內部的連線資源將這些功能模塊的內部和模塊之間的信號連接起來,構成較大的模塊。FPGA可以內部實現ALU,加法器,乘法器,累加器,FIFO,SRAM,DDRcontroller,FFT,HDLC,DMA,PWM等等數字電路,也就說我們要用其實現一個槐悄特定的或是通用的硬體功能一個或是多個模塊,這些模塊的各個細節都要要用HDL來描述設計實現。
目前的FPGA都可以直接內嵌諸如ARM7,CoretexM1,Core8051等微處理器,用於FPGA的軟核的,也有的FPGA廠商將一些硬體模塊直接做到FPGA中,這些是FPGA內部的硬核。傳統的FPGA都是實現純數字電路的,業界只有Actel的FPGA實現了數模混合的PSC單晶元技術,真正的提升和擴大了FPGA的應用功能和領域。
此外,攜扮多數FPGA都有PLL,DLL之類的鎖相環,Slew可調,Actel的還內建了OSC,RTC,Powermanager之類的硬體單元,甚至Actel的Fusion系列還內建了600kbps的12bit的ADC以及MOSFETDriver之類模擬介面,內部有UserFlashMemeory,FlashROM等資源可以實現真正的PSC,Bootloader之類的功能。
DSP主要是演算法處理,內部資源主要是乘法器,加法器之類的資源,有SPI介面,UART介面,接受一定的指令集,內部的資源基本上都是現成的,需要客戶的需要而重新配置,方便於客戶的使用,但是相對來講其功能是有局限性的,所以主要用於某些特定的領域。DSP也有內嵌的鎖相環,計數器,Baudrate發生器,有的DSP也有ADC模擬介面。
3、編程語言
FPGA主要使用HDL,包括VHDl,Verilog,還有數模混合的描述語言Verilog-AMS等。(課程推薦:FPGA培訓)
DSP使用C,匯編語言編程。(課程推薦:C6000 DSP培訓)
4、功能角度
FPGA普遍用於實現數字電路模塊,基本上能實現所有的數字電路,傳統的數字功能模塊,以及客戶產品特定需求的數字處理模塊。FPGA的IO橋接種類繁多,不同種類的級別的FPGA支持的IO標准和協議都不盡相同,但是這些IO的驅動能力或是電壓都是可編程配置的。任何數字功能電路的實現,高速信號的處理,控制領域的信號處理,橋轉換協議的實現,Actel的Fusion還能用於電流/電壓檢測,溫度的檢測,MOSFETdriver,電源管理,其獨特的Flash工藝技術可以依靠電池供電工作,和掉電實時保存數據,超低功耗,多種工作模式(StaTIc,Sleepmode),尤其IGLOO晶元的功能在Sleepmode下功耗只有5uW。這樣的功耗用於手機,GPS之類的移動手持設備中能發揮更大的功能應用。
除此之外,用FPGA實現ASIC的前期的設計驗證,FPGA實現DSP的功能,實現CPU的功能,MCU的功能,內存控制器,用於工業的PWM,SVPWM,Clarke,Park的正逆變換的實現,VGA控制,數據的編解碼,解復用,高達上Gbps的信號的處理,協議的轉換實現等等等等功能,都是DSP難以勝任的。
DSP內部有很多現成的硬體模塊和介面以及控制器,但是需要軟體編程設定,可以實現PWM控制,介面控制,UART介面,SPI介面等功能。但是由於受指令集的時鍾周期的限制,DSP不能處理太高的信號,至於說上Gbps的信號,LVDS之類的信號就很難以涉及了。所以相應的應用領域會有所限制。但是不同的領域客戶的設計方案不同,考慮的側重點不同,有些領域設計者也是愛好使用DSP的,諸如演算法實現,協議的處理等等如果換作FPGA來處理那就得不償失。
5、適用的場合
DSP適用於系統較低取樣速率、低數據率、多條件操作、處理復雜的多演算法任務、使用C語言編程、系統使用浮點。)適合於較低采樣速率下多條件進程、特別是復雜的多演算法任務。
FPAG適用於系統高速取樣速率(≥幾MHZ)、高數據率、框圖方式編程、處理任務固定或重復、使用定點。) 適合於高速采樣頻率下,特別是任務比較固定或重復的情況以及試制樣機、系統開發的場合。

③ 述構成內存儲器的半導體存儲部件RAM和RoM的特性和區別是什麼

區別:

1、信息的存儲特性

RAM為隨機存儲器,具有掉電信息丟失。ROM為只讀存儲器,數據掉電後不會丟失。信息不可擦除只能進行一次寫,之後信息不能更改,但隨著技術的發展出現了可編程可擦除只讀存儲器。可以實現多次編程。

2、組成的部件不同

RAM由六管NMOS或OS構成。ROM矩陣的存儲單元是由N溝道增強型MOS管構成。

3、讀出信息的方式不同

ROM以非破壞性讀出方式工作,只能讀出無法寫入信息。信息一旦寫入後就固定下來。SRAM讀出信息後不需要刷新。DRAM讀出信息後需要及時的刷新,對數據進行恢復。

RAM特點:隨機存取、易失性、對靜電敏、訪問速度、需要刷新(再生)。

ROM特點:只讀存儲器的特點是只能讀出而不能寫入信息。其主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程序及引導操作系統。

(3)可多次編程擴展閱讀:

ROM適用范圍:

由於ROM具有斷電後信息不丟失的特性,因而可用於計算機啟動用的BIOS晶元。

EPROM、EEPROM和Flash ROM性能同ROM,但可改寫,一般讀比寫快,寫需要比讀高的電壓,(讀5V寫12V)但Flash可以在相同電壓下讀寫,且容量大成本低,如U盤MP3中使用廣泛。

在計算機系統里,RAM一般用作內存,ROM一般作為固件,用來存放一些硬體的驅動程序。

RAM類別:靜態隨機存儲器(SRAM)、動態隨機存儲器(DRAM)。

RAM由存儲矩陣、地址解碼器、讀/寫控制器、輸入/輸出、片選控制等幾部分組成。

參考資料來源:網路-只讀存儲器

參考資料來源:網路-隨機存取存儲器

④ rom可分為哪四種

掩膜ROM,可編程只讀存儲器,可擦除可編程只讀存儲器,電可擦除可編程只讀存儲器。
1、掩膜ROM是一種定製的ROM,它是在製造過程中將程序和數據直接刻在晶元上的,無法進行修改。由於需要生產掩膜,因此成本較高,但可以用於大量生產。
2、可編程只讀存儲器信培是一種可以進行一次性編程的ROM,通過加電燒掉存儲單元內部的繼電器,實現數據的存儲。由於只能編程一次,因此適用於需要固化程序和數據的應用場景。
3、可擦除可編程只讀存儲器是一種可以擦除並重新編程的ROM,通常使用紫外線照射來擦除存儲單元,再進行編程。由於可以多次編程,因此適用於需要頻繁修改程序和數據的應用場景做運。
4、電可擦除可編程只讀存儲器是一種可以通過電子信號進行擦除和編程的ROM,無需使用紫外線照射。EEPROM可以進行單個位元組的擦除和編程,且具有快速擦除和低功耗等優點,因此適用於純坦梁需要頻繁修改數據的應用場景。

⑤ 只讀存儲器和隨機存儲器的主要特點

只讀存儲器的特點是用戶只能讀出不能隨意寫入信息,在主板上的ROM裡面固化了一個基本輸入/輸出系統,稱為BIOS(基本輸入輸出系統)。其主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程序及引導操作系統。

隨機儲存器的特點是在儲存器的數據被讀取和斜入式,所需要的時間與這段信息所在的位置或所寫入的位置無關。但隨機儲存器具有易失性,當電源關閉時RAM不能保留數據。

而且隨機存儲器對環境的靜電荷極其的銘感,靜電會干擾儲存器內電容器的電荷,導致數據丟失,甚至是燒壞電路。隨機存儲器幾乎是所有訪問設備寫入和讀取速度最快的,並且現代的隨機存取存儲器以來電容器去存儲數據。

(5)可多次編程擴展閱讀:

只讀存儲器工作原理

地址解碼器根據輸入地址選擇某條輸出(稱字線),由它再去驅動該字線的各位線,以便讀出字線上各存儲單元所儲存的代碼。

隨機存儲器的組成

RAM電路由地址解碼器、存儲矩陣和讀寫控制電路三部分組成。

存儲矩陣由觸發器排列而成,每個觸發器能存儲一位數據(0或1)。通常將每一組存儲單元編為一個地址,存放一個「字」。

每個字的位數等於這一組單元的數目。存儲器的容量以「字數×位數」表示。地址解碼器將每個輸入的地址代碼譯成高(或低)電平信號,從存儲矩陣中選中一組單元,使之與讀寫控制電路接通。在讀寫控制信號的配合下,將數據讀出或寫入。

只讀存儲器種類

可編程只讀存儲器

可編程只讀存儲器(英文:Programmable ROM,簡稱:PROM)一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1,或皆為0。

用戶使用時,再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。 PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次,第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。

ROM

只讀內存(Read-Only Memory)是一種只能讀取資料的內存。

在製造過程中,將資料以一特製光罩(mask)燒錄於線路中,其資料內容在寫入後就不能更改,所以有時又稱為「光罩式只讀內存」(mask ROM)。此內存的製造成本較低,常用於電腦中的開機啟動。

⑥ 常見rom存儲器有哪些 謝謝!

ROM

只讀內存(Read-Only Memory)是一種只能讀取資料的內存。最常見的就是光碟,如下圖所示:

CDROM

在製造過程中,將資料以一特製光罩(mask)燒錄於線路中,其資料內容在寫入後就不能更改,所以有時又稱為「光罩式只讀內存」(mask ROM)。此內存的製造成本較低,常用於電腦中的開機啟動。

rom的分類:

可編程只讀存儲器

可編程只讀存儲器(英文:Programmable ROM,簡稱:PROM)一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1,或皆為0。用戶使用時,再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數據。

PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次,第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。例如,雙極性PROM有兩種結構:一種是熔絲燒斷型,一種是PN結擊穿型。它們只能進行一次性改寫,一旦編程完畢,其內容便是永久性的。由於可靠性差,又是一次性編程,目前較少使用。

可編程可擦除只讀存儲器

可編程可擦除只讀存儲器(英文:Erasable Programmable Read Only Memory,簡稱:EPROM)可多次編程。這是一種便於用戶根據需要來寫入,並能把已寫入的內容擦去後再改寫,即是一種多次改寫的ROM。由於能夠改寫,因此能對寫入的信息進行校正,在修改錯誤後再重新寫入。

擦除遠存儲內容的方法可以採用以下方法:電的方法(稱電可改寫ROM)或用紫外線照射的方法(稱光可改寫ROM)。[2]光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入,抹除時將線路曝光於紫外線下,則資料可被清空,並且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。

一次編程只讀內存

一次編程只讀內存(One Time Programmable Read Only Memory,OPTROM)之寫入原理同EPROM,但是為了節省成本,編程寫入之後就不再抹除,因此不設置透明窗。

電子可擦除可編程只讀存儲器

電子可擦除可編程只讀存儲器(英文:Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,簡稱:EPROM)之運作原理類似EPROM,但是抹除的方式是使用高電場來完成,因此不需要透明窗。

閃速存儲器

閃速存儲器(英文:Flash memory)是英特爾公司90年代中期發明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點,又有RAM的特點,因而是一種全新的存儲結構。

⑦ 有關存儲器的問題~

存儲器分為內存儲器(簡稱內存或主存)、外存儲器(簡稱外存或輔存)。外存儲器一般也可作為輸入/輸出設備。計算機把要執行的程序和數據存入內存中,內存一般由半導體器構成。半導體存儲器可分為三大類:隨機存儲器、只讀存儲器、特殊存儲器。
RAM
RAM是隨機存取存儲器(Random
Access
Memory),其特點是可以讀寫,存取任一單元所需的時間相同,通電是存儲器內的內容可以保持,斷電後,存儲的內容立即消失。RAM可分為動態(Dynamic
RAM)和靜態(Static
RAM)兩大類。所謂動態隨機存儲器DRAM是用MOS電路和電容來作存儲元件的。由於電容會放電,所以需要定時充電以維持存儲內容的正確,例如互隔2ms刷新一次,因此稱這為動態存儲器。所謂靜態隨機存儲器SRAM是用雙極型電路或MOS電路的觸發器來作存儲元件的,它沒有電容放電造成的刷新問題。只要有電源正常供電,觸發器就能穩定地存儲數據。DRAM的特點是集成密度高,主要用於大容量存儲器。SRAM的特點是存取速度快,主要用於調整緩沖存儲器。
ROM
ROM是只讀存儲器(Read
Only
Memory),它只能讀出原有的內容,不能由用戶再寫入新內容。原來存儲的內容是由廠家一次性寫放的,並永久保存下來。ROM可分為可編程(Programmable)ROM、可擦除可編程(Erasable
Programmable)ROM、電擦除可編程(Electrically
Erasable
Programmable)ROM。如,EPROM存儲的內容可以通過紫外光照射來擦除,這使它的內可以反復更改。
特殊固態存儲器
包括電荷耦合存儲器、磁泡存儲器、電子束存儲器等,它們多用於特殊領域內的信息存儲。
此外,描述內、外存儲容量的常用單位有:
①位/比特(bit):這是內存中最小的單位,二進制數序列中的一個0或一個1就是一比比特,在電腦中,一個比特對應著一個晶體管。
②位元組(B、Byte):是計算機中最常用、最基本的存在單位。一個位元組等於8個比特,即1
Byte=8bit。
③千位元組(KB、Kilo
Byte):電腦的內存容量都很大,一般都是以千位元組作單位來表示。1KB=1024Byte。
④兆位元組(MB
Mega
Byte):90年代流行微機的硬碟和內存等一般都是以兆位元組(MB)為單位。1
MB=1024KB。
⑤吉位元組(GB、Giga
Byte):目前市場流行的微機的硬碟已經達到4.3GB、6.4GB、8.1GB、12G、13GB等規格。1GB=1024MB。
⑥太位元組(TB、Tera
byte):1TB=1024GB。
(三)輸入/輸出設備
輸入設備是用來接受用戶輸入的原始數據和程序,並將它們變為計算機能識別的二進制存入到內存中。常用的輸入設備有鍵盤、滑鼠、掃描儀、光筆等。
輸出設備用於將存入在內存中的由計算機處理的結果轉變為人們能接受的形式輸出。常用的輸出設備有顯示器、列印機、繪圖儀等。
(四)匯流排
匯流排是一組為系統部件之間數據傳送的公用信號線。具有匯集與分配數據信號、選擇發送信號的部件與接收信號的部件、匯流排控制權的建立與轉移等功能。典型的微機計算機系統的結構如圖2-3所示,通常多採用單匯流排結構,一般按信號類型將匯流排分為三組,其中AB(Address
Bus)為地址匯流排;DB(Data
Bus)為數據匯流排;CB(Control
Bus)控制匯流排。
(五)微型計算機主要技術指標
①CPU類型:是指微機系統所採用的CPU晶元型號,它決定了微機系統的檔次。
②字長:是指CPU一次最多可同時傳送和處理的二進制位數,安長直接影響到計算機的功能、用途和應用范圍。如Pentium是64位字長的微處理器,即數據位數是64位,而它的定址位數是32位。
③時鍾頻率和機器周期:時鍾頻率又稱主頻,它是指CPU內部晶振的頻率,常用單位為兆(MHz),它反映了CPU的基本工作節拍。一個機器周期由若干個時鍾周期組成,在機器語言中,使用執行一條指令所需要的機器周期數來說明指令執行的速度。一般使用CPU類型和時鍾頻率來說明計算機的檔次。如Pentium
III
500等。
④運算速度:是指計算機每秒能執行的指令數。單位有MIPS(每秒百萬條指令)、MFLOPS(秒百萬條浮點指令)
⑤存取速度:是指存儲器完成一次讀取或寫存操作所需的時間,稱為存儲器的存取時間或訪問時間。而邊連續兩次或寫所需要的最短時間,稱為存儲周期。對於半導體存儲器來說,存取周期大約為幾十到幾百毫秒之間。它的快慢會影響到計算機的速度。
⑥內、外存儲器容量:是指內存存儲容量,即內容儲存器能夠存儲信息的位元組數。外儲器是可將程序和數據永久保存的存儲介質,可以說其容量是無限的。如硬碟、軟盤已是微機系統中不可缺少的外部設備。迄今為止,所有的計算機系統都是基於馮·諾依曼存儲程序的原理。內、外存容量越大,所能運行的軟體功能就越豐富。CPU的高速度和外存儲器的低速度是微機系統工作過程中的主要瓶頸現象,不過由於硬碟的存取速度不斷提高,目前這種現象已有所改善。

⑧ 計算機內存中只能讀出,不能寫入的存儲器稱為

只能獨處,不能寫入的存儲器為ROM。

只讀存儲器(ROM)是一種在正常工作時其存儲的數據固定不變,其中的數據只能讀出,不能寫入,即使斷電也能夠保留數據,要想在只讀存儲器中存入或改變數據,必須具備特定的條件。

按存取信息的不同方式,存儲器可以分為隨機存取存儲器(RAM)和非隨機存取存儲器。只讀存儲器就屬於非隨機存取存儲器。主要分為掩膜 ROM、PROM、EPROM、EEROM、flash ROM等幾類。

(8)可多次編程擴展閱讀:

根據編程方式的不同,只讀存儲器共分為以下5種:

1、掩膜工藝 ROM

這種 ROM 是工藝廠家根據客戶所要存儲的信息,設計專用的掩膜板進行生產的。一旦生產出成品後,ROM 中的信息即可被讀出使用,但不能改變。這類 ROM一般用於批量生產,成本比較低。

2、可一次性編程 ROM(PROM)

PROM 是用熔絲(通常用鎳鉻合金、多晶硅或鈦鎢合金製造)製造的,用戶可以燒斷這些熔絲,以實現存儲器存儲元件之間的互聯,從而寫入信息,一旦寫入之後,信息就會永久的固定下來,只可讀出,不可再改變其內容。

3、紫外線擦除可改寫 ROM(EPROM)

EPROM 中的內容可由用戶寫入,也允許用戶反復擦除重新寫入。EPROM 用電信號編程用紫外線擦除,在晶元外殼上方有一個圓形的窗口,通過這個窗口照射紫外線就可以擦除原有信息。由於太陽光中含有紫外線,所以當程序寫好後要使用昂貴的帶有石英窗口的陶瓷封裝,避免陽光射入而破壞程序。而且在擦除過程中不能選擇性地擦除存儲字單元,如果用戶需要改程序,必須擦除整個存儲陣列。

4、電擦除可改寫 ROM(EEROM)

EEROM 是 ROM 發展過程中的一個主要進展,它的寫操作採用了熱載流子隧穿,擦除操作採用了熱電子的量子力學隧穿效應。EEPROM 有相當多的優點,如單一的 5V 電壓編程能力、編程之前無需進行擦除操作、位元組模式和頁模式的寫操作、中等的存取時間、低功耗、全軍用工作溫度范圍,以及在嚴峻的環境條件下的不揮發性。

5、快閃 ROM(flash ROM)

在 20 世紀 80 年代中期,人們發現把熱載流子編程和隧穿擦除結合在一起是一種實現一個單管 EPROM 單元的方法,這種新技術被稱為快閃記憶體(flashROM)。這種技術結合了 EPROM 的編程能力和 EEPROM 的擦除能力,讀寫速度都很快。這種晶元的改寫次數最大能達到 100 萬次。

⑨ 只能讀出不能寫入的存儲器是

計算機內存中只能讀出,不能寫入的存儲器稱為只讀存儲器。

只讀存儲器,英語是Read-Only Memory,簡稱ROM)。ROM所存數據,一般是裝入整機前事先寫好的,整機工作過程中只能讀出,而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。

ROM所存數據穩定 ,斷電後所存數據也不會改變;其結構較簡單,讀出較方便,因而常用於存儲各種固定程序和數據。



特點:只讀存儲器的特點是只能讀出不能隨意寫入信息,在主板上的ROM裡面固化了一個基本輸入/輸出系統,稱為BIOS(基本輸入輸出系統)。其主要作用是完成對系統的加電自檢、系統中各功能模塊的初始化、系統的基本輸入/輸出的驅動程序及引導操作系統。

(9)可多次編程擴展閱讀:

計算機的存儲器可分為ROM、可編程只讀存儲器、可編程可擦除只讀存儲器、一次編程只讀內存、電子可擦除可編程只讀存儲器、閃速存儲器。

1、ROM

只讀內存(Read-Only Memory)是一種只能讀取資料的內存。在製造過程中,將資料以一特製光罩(mask)燒錄於線路中,其資料內容在寫入後就不能更改,所以有時又稱為「光罩式只讀內存」(mask ROM)。

2、可編程只讀存儲器

可編程只讀存儲器(英文:Programmable ROM,簡稱:PROM)一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1,或皆為0。

3、可編程可擦除只讀存儲器

可編程可擦除只讀存儲器(英文:Erasable Programmable Read Only Memory,簡稱:EPROM)可多次編程。這是一種便於用戶根據需要來寫入,並能把已寫入的內容擦去後再改寫,即是一種多次改寫的ROM。

4、一次編程只讀內存

一次編程只讀內存(One Time Programmable Read Only Memory,OTPROM)的寫入原理同EPROM。

5、電子可擦除可編程只讀存儲器

電子可擦除可編程只讀存儲器(英文:Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,簡稱:EEPROM)的運作原理類似EPROM,但是抹除的方式是使用高電場來完成。

6、閃速存儲器

閃速存儲器(英文:Flash memory)是英特爾公司90年代中期發明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點,又有RAM的特點,是一種全新的存儲結構。

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