合肥長鑫的存儲晶元技術

A. 合肥長鑫10nm內存工藝的具體技術水平如何

合肥長鑫存儲取得顯著突破：在中國快閃記憶體技術峰會上，合肥長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士強調，已將奇夢達原有的46nm內存工藝技術提升到了10nm級別，這一成就令人矚目。演講中，平爾萱博士深入探討了內存技術的發展、應用以及技術挑戰，明確指出了長鑫在內存技術上的自主研發路徑。

長鑫的技術根基源於已破產的奇夢達，朱一明董事長在GSA+Memory存儲峰會上透露，通過收購奇夢達的技術文件和數據，長鑫投入巨資進行自主研發，目標是實現自主產權的內存晶元。盡管奇夢達的技術停留在46nm階段，但長鑫藉助先進技術將其提升到了新的高度。

然而，平爾萱博士所提到的10nm級別並未給出確切的工藝參數。通常，20nm以下的工藝都可歸類為10nm級，但三星在1Xnm後才正式使用10nm標簽。據報道，長鑫計劃年底量產19nm工藝的DDR4內存晶元，這是否就是平爾萱博士口中的10nm級內存，尚待進一步確認。

不論工藝如何，國內公司能在年底實現10nm級內存的量產，標志著顯著的進步，縮小了與國際先進水平的2-3年差距，這在內存晶元領域無疑是一大飛躍。

B. 長江浩盪，於是濫觴--國產存儲初體驗

微電子專業畢業的工程師，對國產半導體產業的發展保持關注。長久以來，存儲晶元市場由韓日美企業壟斷，中國國內企業難以涉足。然而，國產存儲晶元在ddr4和3d nand flash市場相繼取得突破，合肥長鑫和武漢長江存儲分別在ddr4和3d nand flash市場出貨，產品已上市，作者購入相關產品進行體驗。

期待收快遞的激動心情，如同大學時買新手機一般。長鑫的ddr4 2666內存條，由光威旗下的弈pro系列提供，屬於低端產品，品牌口碑一般。長鑫顆粒內存不易購買，價格相對較高，且單顆容量較小，顆粒封裝尺寸大，對pcb設計要求高。顆粒使用的是19nm成熟製程，密度和發熱有劣勢，但成績可喜。

長江存儲的PC005 Active SSD採用致鈦品牌，搭載64層3D NAND顆粒，容量512GB，定價合理，與市場同類產品相當。Xtacking技術提高了容量密度，且PCB設計良好，主控來自慧榮，緩存來自南亞，整體完成度高。

裝機測試顯示，內存兼容性良好，任務管理器中正確識別兩條內存，但以較低頻率運行。ssd測試成績符合預期，溫度控制優秀，主控和快閃記憶體溫度穩定。對於緩存大小、讀寫速度、回收策略等，更多與主控固件相關，已有評測進行詳細測試。

國產存儲晶元在消費級市場初試牛刀，合肥長鑫在沒有dram技術基礎的情況下，通過購買技術資料完成預研，幾年時間完成ddr4驗證和量產。長江存儲研發進度神速，已推出128層3D TLC/QLC NAND，容量密度接近三星，消費市場已順利出貨，性能競爭力強。

對於國產存儲品牌的誤解主要集中在對國產與非國產的區別和定價策略上。國產內存和SSD存在品牌與原廠的區別，前者可能只是貼牌或封測，後者為高新技術產業國產替代。定價策略上，國產品牌根據市場定位和產品性能，合理定價，部分人願意為純國產付出溢價。致鈦等原廠品牌在定價上具有競爭力，與國際一線原廠正面競爭。

國產存儲晶元的崛起標志著產業的突破，未來發展前景可期。盡管面臨挑戰，但歷史證明，只有堅持不懈的努力，才能取得最終的勝利。面對誤解，需要通過深入理解國產存儲產業鏈與市場策略，消除偏見，支持國產存儲產業的健康發展。