ftp08n07n場效應管
⑴ 場效應管80nf70型號中的80,nf,70各代表什麼含義,急求
80NF70(全稱STP80NF70):N溝場效應管。參數:68V,98A,0.0098Ω,190W。
⑵ ftp08N08NF三極體用什麼管子代替
屬於中功率管,PNP管,0.5瓦,A683可以代換。
⑶ 場效應管ru75n08的主要參數,能代換p75nf75嗎
1、場效應管ru75n08的主要參數:
Vdss=75V,
VGS=10A,
Ids=40A,
Rds=8mΩ,
Ids=80A,
耐熱175攝氏度。
2、場效應管ru75n08能代換p75nf75,兩者只是在工作電流Ids和VGS上有差別,不影響使用。
場效應晶體管簡稱場效應管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、雜訊小、功耗低、動態范圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。
⑷ fhp100n07場效應管參數與13N50有什麼區別
FHP100N07場效應管,封裝形式是TO-220,主要參數是 100A/70V,常用於電動車控制器。
13N50場效應管全稱是TSP13N50M,主要參數是 13A /500V ,封裝形式是 TO-220,是N溝道場效應MOS管。
這兩個型號參數相差特別大,不可以代換。
⑸ 80NF70是什麼三極體
場效應管STP80NF70參數:TO-220,ST,DIP/MOS,N場,68V,98A,0.0098Ω,最大耐壓68V。
場效應管分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOS管)兩大類。
按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,絕緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。
場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。
相關內容解釋:
三極體,全稱應為半導體三極體,也稱雙極型晶體管、晶體三極體,是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號,也用作無觸點開關。
三極體是半導體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件。三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結,兩個PN結把整塊半導體分成三部分,中間部分是基區,兩側部分是發射區和集電區,排列方式有PNP和NPN兩種。
⑹ IRF2807場效應管能用什麼型號代用
IRF2807場效應管能用SE75N75和STP75NF75,WFP75N75代換。
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconctor FET,簡稱MOS-FET)。由多數載流子參與導電,也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(107~1015Ω)、雜訊小、功耗低、動態范圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
⑺ 三極體FQS70N08與FQP70N08可互用嗎
S70N08 和 FQP70N08 查資料沒有差異,主要參數是70A/80V, 直插TO220封裝形式,是N溝道 MOS場效應管,可以互代。這兩個型號主要用在電動車控制器。
FQP70N08,RFP70N08,S70N08R參數都相同。
⑻ 場效應管的工作原理
就是「漏極-源極間流經溝道的ID,用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID」。更正確地說,ID流經通路的寬度,即溝道截面積,它是由pn結反偏的變化,產生耗盡層擴展變化控制的緣故。
在VGS=0的非飽和區域,表示的過渡層的擴展因為不很大,根據漏極-源極間所加VDS的電場,源極區域的某些電子被漏極拉去,即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型,ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋,並不是電流被切斷。
在過渡層由於沒有電子、空穴的自由移動,在理想狀態下幾乎具有絕緣特性,通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場,實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近,由於漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。
因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次,VGS向負的方向變化,讓VGS=VGS(off),此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上,將電子拉向漂移方向的電場,只有靠近源極的很短部分,這更使電流不能流通。
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場效應管相關概念:晶體管的優勢
1、構件沒有消耗
無論多麼優良的電子管,都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由於技術上的原因,晶體管製作之初也存在同樣的問題。隨著材料製作上的進步以及多方面的改善,晶體管的壽命一般比電子管長100到1000倍。
2、晶體管消耗電能極少
僅為電子管的十分之一或幾十分之一。它不像電子管那樣需要加熱燈絲以產生自由電子。一台晶體管收音機只要幾節干電池就可以半年一年地聽下去,這對電子管收音機來說,是難以做到的。
3、晶體管不需預熱
一開機就工作。例如,晶體管收音機一開就響,晶體管電視機一開就很快出現畫面。電子管設備就做不到這一點。開機後,等一會兒才聽得到聲音,看得到畫面。顯然,在軍事、測量、記錄等方面,晶體管是非常有優勢的。
4、晶體管結實可靠
比電子管可靠100倍,耐沖擊、耐振動,這都是電子管所無法比擬的。另外,晶體管的體積只有電子管的十分之一到百分之一,放熱很少,可用於設計小型、復雜、可靠的電路。晶體管的製造工藝雖然精密,但工序簡便,有利於提高元器件的安裝密度。
⑼ FTp08NO8NF與k08E08K3是否相同
不相同。
FTp08NO8NF與k08E08K3不相同,是兩種場效應管,場效應晶體管(FieldEffectTransistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型。
場效應管(FET)是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件,並以此命名。