鐵電存儲前景

① 鐵電材料都有哪些應用領域

一般認為，鐵電體的研究始於1920年，當年法國人發現了羅息鹽酒石酸鉀鈉，場·的特異的介電性能，導致了「鐵電性」概念的出現。迄今鐵電研究可大體分為四個階段』。第一階段是1920-1939年，在這一階段中發現了兩種鐵電結構，即羅息鹽和系列。第二階段是1940-1958年，鐵電維象理論開始建立，並趨於成熟。第三階段是1959—1970年，這是鐵電軟模理論出現和基本完善的時期，稱為軟模階段。第四階段是80年代至今，主要研究各種非均勻系統。到目前為止，己發現的鐵電晶體包括多晶體有一千多種。
從物理學的角度來看，對鐵電研究起了最重要作用的有三種理論，即德文希爾(Devonshire)等的熱力學理論,Slater的模型理論,Cochran和Anderson的軟模理論。鐵電體的研究取得不少新的進展，其中最重要的有以下幾個方面。
1、第一性原理的計算。現代能帶結構方法和高速計算機的反展使得對鐵電性起因的研究變為可能。通過第一性原理的計算，對鐵疇和等鐵電體，得出了電子密度分布，軟模位移和自發極化等重要結果，對闡明鐵電性的微觀機制有重要作用。
2、尺寸效應的研究。隨著鐵電薄膜和鐵電超微粉的發展，鐵電尺寸效應成為一個迫切需要研究的實際問題。人們從理論上預言了自發極化、相變溫度和介電極化率等隨尺寸變化的規律，並計算了典型鐵電體的鐵電臨界尺寸。這些結果不但對集成鐵電器件和精細復合材料的設計有指導作用，而且是鐵電理論在有限尺寸條件下的發展。
3、鐵電液晶和鐵電聚合物的基礎和應用研究。1975年MEYER發現，由手性分子組成的傾斜的層狀相『相液晶具有鐵電性。在性能方面，鐵電液晶在電光顯示和非線性光學方面很有吸引力。電光顯示基於極化反轉，其響應速度比普通絲狀液晶快幾個數量級。非線性光學方面，其二次諧波發生效率已不低於常用的無機非線性光學晶體。
聚合物的鐵電性在年代末期得到確證。雖然的熱電性和壓電性早已被發現，但直到年代末才得到論證，並且人們發現了一些新的鐵電聚合物。聚合物組分繁多，結構多樣化，預期從中可發掘出更多的鐵電體，從而擴展鐵電體物理學的研究領域，並開發新的應用。
4、集成鐵電體的研究。鐵電薄膜與半導體的集成稱為集成鐵電體，廣泛開展了此類材料的研究。鐵電存貯器的基本形式是鐵電隨機存取存貯器。早期以為主要研究對象，直至年實現了的商業化。與五六十年代相比，當前的材料和技術解決了幾個重要問題。一是採用薄膜，極化反轉電壓易於降低，可以和標準的硅或電路集成；二是在提高電滯回線矩形度的同時，在電路設計上採取措施，防止誤寫誤讀；三是疲勞特性大有改善，已制出多次反轉仍不顯示任何疲勞的鐵電薄膜。
在存貯器上的重大應用己逐漸在鐵電薄膜上實現。與此同時，鐵電薄膜的應用也不局限於存儲領域，還有鐵電場效應晶體管、鐵電動態隨機存取存貯器等。除存貯器外，集成鐵電體還可用於紅外探測與成像器件，超聲與聲表面波器件以及光電子器件等。可以看出，集成薄膜器件的應用前景不可估量。
在鐵電物理學內，當前的研究方向主要有兩個一是鐵電體的低維特性，二是鐵電體的調制結構。鐵電體低維特性的研究是應對薄膜鐵電元件的要求，只有在薄膜等低維系統中，尺寸效應才變得不可忽略腳一。極化在表面處的不均勻分布將產生退極化場，對整個系統的極化狀態產生影響。表面區域內偶極相互作用與體內不同，將導致居里溫度隨膜厚而變化。薄膜中還不可避免地有界面效應，薄膜厚度變化時，矯頑場、電容率和自發極化都隨之變化，需要探明其變化規律並加以解釋。
鐵電超微粉的研究也逐漸升溫。在這種三維尺寸都有限的系統中，塊體材料的導致鐵電相變的布里淵區中心振模可能無法維持，也許全部聲子色散關系都要改變。庫侖作用將隨尺寸減小而減弱，當它不能平衡短程力的作用時，鐵電有序將不能建立。

② 鐵電存儲器FRAM的鐵電應用

存儲器（FRAM）可以讓設計者更快、更頻繁地將數據寫入非易失性存儲器，而且價格比EEPROM低。數據採集通常包括採集和存儲兩部分，系統所採集的數據（(除臨時或中間結果數據外)需要在掉電後能夠保存，這些功能是數據採集系統或子系統所具有的基本功能。在大多數情況下，一些歷史記錄是很重要的。
典型應用：儀表 (電表、氣表、水表、流量表)、RF/ID、儀器,、和汽車黑匣子、安全氣袋、GPS定位系統、電力電網監控系統。 FRAM通過實時存儲數據幫助系統設計者解決了突然斷電數據丟失的問題。參數存儲用於跟蹤系統在過去時間內的改變，它的目的包括在上電狀態時恢復系統狀態或者確認一個系統錯誤。總的來說，數據採集是系統或子系統的功能，不論何種系統類型，設置參數存儲都是一種底層的系統功能。
典型應用： 影印機,列印機, 工業控制, 機頂盒 (Set-Top-Box), 網路設備（網路數據機）和大型家用電器。 鐵電存貯器（FRAM）可以在數據傳遞儲存在其它存儲器之前快速存儲數據。在此情況下，信息從一個子系統非實時地傳送到另一個子系統去.。由於資料的重要性, 緩沖區內的數據在掉電時不能丟失.，在某些情況下，目標系統是一個較大容量的存儲裝置。FRAM以其擦寫速度快、擦寫次數多使數據在傳送之前得到存儲。
典型應用：工業系統、銀行自動提款機 (ATM), 稅控機, 商業結算系統 (POS), 傳真機，未來將應用於硬碟非易失性高速緩沖存儲器。

③ 晶元發展前景

晶元產業鏈核心環節為產業鏈中游的晶元設計、晶元製造、封裝測試。而上游基礎EDA軟體、材料和設備是中游製造的關鍵，中國晶元在這部分較為受制於人，其中晶元產業鏈最薄弱的環節為最上游的EDA軟體。目前，中國國晶元產業鏈布局最完整的地區位於上海。

晶元產業鏈全景梳理：EDA軟體最薄弱

晶元產業鏈包括上游基礎層、中游製造層和下游應用層。上游EDA軟體/IP、材料和設備是晶元產業的基礎，其中EDA軟體/IP是中游晶元設計的關鍵;材料和設備是晶元製造和封測的基礎。中游製造是晶元產業鏈的核心，包括晶元設計、晶元製造和封裝測試。下游應用領域主要包括通訊設備、汽車電子、消費電子、軍事、工業、物聯網、新能源、人工智慧等等。

晶元產業鏈中上游各個環節的行業龍頭企業集中在上海，上游EDA軟體的代表企業概倫電子，原材料部分生產大矽片的龍頭企業滬硅產業，製造半導體設備的龍頭企業盛美半導體，中游晶元設計、封裝測試的龍頭企業中芯國際、紫光展銳、華虹半導體等。上海的晶元產業布局是全國最完整的。

—— 以上數據及分析均來自於前瞻產業研究院《中國晶元行業市場需求與投資規劃分析報告》。

④ 鐵電存儲器有什麼型號，有什麼容量的，有沒有現成的驅動，什麼封裝

鐵電晶元的型號多數以FM24xxxx,FM25xxxx,FM3xxxx為主，容量：串口最小的4K，最大的512K，並口最小的8K，最大的2M。只是單純的存儲，無驅動部分，串口多為SOP-8封裝，並口多為貼片，管腳數不一。有任何問題可發郵件到我的Q郵箱 [email protected]。

⑤ 鐵電存儲器的原理

FRAM利用鐵電晶體的鐵電效應實現數據存儲，鐵電晶體的結構如圖1所示。鐵電效應是指在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子在電場的作用下運動，並達到一種穩定狀態；當電場從晶體移走後，中心原子會保持在原來的位置。這是由於晶體的中間層是一個高能階，中心原子在沒有獲得外部能量時不能越過高能階到達另一穩定位置，因此FRAM保持數據不需要電壓，也不需要像DRAM一樣周期性刷新。由於鐵電效應是鐵電晶體所固有的一種偏振極化特性，與電磁作用無關，所以FRAM存儲器的內容不會受到外界條件諸如磁場因素的影響，能夠同普通ROM存儲器一樣使用，具有非易失性的存儲特性。
FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數的問題。但受鐵電晶體特性制約，FRAM仍有最大訪問（讀）次數的限制。

⑥ 當今主流行存儲器介紹

儲器技術是一種不斷進步的技術，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，這是因為開發新技術的初衷就是為了消除或減輕某種特定存儲器產品的不足之處。

舉例來說，快閃記憶體技術脫胎於EEPROM，它的第1個主要用途就是為了取代用於PC機BIOS的EEPROM晶元，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。

這樣，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，從PC機直到數字相機。本文即著眼於對現有的存儲器技術及其未來走向進行考察。

DRAM

嚴重依賴於PC的DRAM市場總是處於劇烈的振盪之中。對目前處於衰退過程中的供應商們來說，降低每比特DRAM生產成本唯一劃算的方法就是縮小DRAM晶元的尺寸。所以，製造商們就不斷地尋找可以縮小DRAM晶元尺寸的方法。

隨著市場的復甦和邊際效益的增長，供應商們會逐漸轉向使用300mm的大圓片。但現在，大多數DRAM生產商都承擔不起在300mm圓片上生產的費用。

就像石油公司都想多賣高品質汽油以獲取高額利潤一樣，DRAM生產商也正在把產品線從SDRAM換成DDR SDRAM，希望賣個高價。在DDR之後又出來一個DDR II，這是一種更先進的DRAM技術，已經受到英特爾的歡迎。出於同樣的原因，存儲器生產商們很快就會升級到DDR II技術。

同樣像石油公司不斷勘探新油田一樣，DRAM生產商也在不斷地開發新的市場，包括通信和消費電子市場在內。他們希望這樣能降低對PC市場的依存度，平穩渡過市場振盪期。

許多生產商都開始針對這些市場開發專門的DRAM產品。

不幸的是，隨著人們開始對各種模塊和伺服器進行升級，PC市場在未來仍將是DRAM應用最主要的推動力。盡管一些生產商認為通信將成為另一個主要的推動力，但根據iSuppli公司的預測，至少在2002年，通信市場在DRAM銷售中所佔的份額將仍低於2%。

生產商對消費電子市場的期望值更高。網路設備和數字電視是DRAM應用增長最迅速的領域，但與PC市場相比，其份額仍然太小了。

但是，不論是消費電子市場還是PC市場，DRAM面臨的最大挑戰都是以下需求：更高的密度、更大的帶寬、更低的功耗、更少的延遲時間以及更低的價格。因此，對DRAM生產商和用戶來說，在消費電子領域中性價比還是最主要的考慮因素。

現在已經有許多公司在開始或已經開始提供專門為各種非PC應用設計的DRAM，包括短延遲DRAM（RL-DRAM）以及各種Rambus DRAM（RDRAM）。這些專用DRAM的產量都很小，單位售價很高。因此，iSuppli相信在非PC領域內，這些專用存儲器永遠不會取代普通的SDRAM和DDR存儲器。所以，對DRAM來說，其未來屬於低價、標准、大量生產的、面向其占最大份額的PC市場的技術。

快閃記憶體和其他非易失性存儲器

目前，非易失性存儲器技術的最高水平是快閃記憶體。如同DRAM依賴於PC市場一樣，快閃記憶體也依賴於手機和機頂盒市場。由於這些設備的需求一直不夠強勁，所以快閃記憶體目前良好的銷售情況只是季節性的，今年下半年就會降下來。

但到明年上半年，手機、數字消費產品以及數字介質的需求會比較強勁，所以快閃記憶體的前景也會變得光明一些。

盡管目前非易失性存儲器中最先進的就是快閃記憶體，但技術卻並未就此停步。生產商們正在開發多種新技術，以便使快閃記憶體也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。

非易失性存儲器包括鐵電介質存儲器（FRAM或FeRAM）、磁介質存儲器（MRAM）、奧弗辛斯基效應一致性存儲器（OUM）以及聚合物存儲器（PFRAM），對數據處理來說，它們都很有前途，因為它們突破了SRAM、DRAM以及快閃記憶體的局限性。

每種技術都有自己的目標市場，iSuppli公司將在下面逐一進行分析。

FRAM

FRAM是下一代的非易失性存儲器技術，運行能耗低，在斷電後能長期保存數據。它綜合了RAM高速讀寫和ROM長期保存數據的特點。

這項技術利用了鐵電材料可保存信息的特點，使用工業標準的CMOS半導體存儲器製造工藝來生產，直到近日才研發成功。但是，FRAM的壽命是有限的，而其讀取是破壞性的，就是說一旦進行讀取，FRAM中存儲的數據就消失了。

MRAM

MRAM是非易失性的存儲器，速度比DRAM還快。在實驗室中，MRAM的寫入時間可低至2.3ns。

MRAM擁有無限次的讀寫能力，並且功耗極低，可實現瞬間開關機並能延長便攜機的電池使用時間。而且，MRAM的電路比普通存儲器還簡單，整個晶元只需一條讀出電路。

但就生產成本來看，MRAM比SRAM、DRAM及快閃記憶體都高得多。

OUM

OUM是一種非易失性存儲器，可以替代低功耗的快閃記憶體。它擁有很長的讀寫操作壽命，並且比快閃記憶體更易集成。OUM存儲單元的密度極高，讀取操作完全安全，只需極低的電壓和功率即可工作，同現有邏輯電路的集成也相當簡單。用OUM單元製作的存儲器大約可寫入10億次，這使它成為便攜設備中大容量存儲器的理想替代品。

但是，OUM有一定的使用壽命，長期使用會出一些可靠性問題。

PFRAM

PFRAM是一種塑料的、基於聚合物的非易失性存儲器，通過三維堆疊技術可以得到很高的密度，但它的讀寫操作壽命有限。

PFRAM可能會替代快閃記憶體，並且其成本只有NOR型快閃記憶體的10%左右。塑料存儲器的存儲潛力也相當巨大。

今後，生產聚合物存儲器可能會變得像印照片一樣簡單，但今年才剛剛開始對這種存儲器的生產工藝進行研發。PFRAM的讀寫次數也有限，並且其讀取也是破壞性的，就像FRAM一樣。

總之，存儲器技術將會繼續發展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。

而在非易失性存儲器領域，供應商們正在研究快閃記憶體之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，而這些技術各有優劣。

⑦ 您有關於鐵電存儲器的發展狀況及趨勢的文章嗎，麻煩發我一份！非常感謝！！

嗯 需要我來的

⑧ 說實話，鐵電，壓電材料有前途嗎

有研究價值啊，國家急需研究專業，物理學前沿研究上這么說的。當是和其他電子材料一樣都不好就業

⑨ 鐵電存儲器有什麼特點

相對於其它類型的半導體技術而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM（static random access memory)和動態存儲器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據。 RAM 類型的存儲器易於使用、性能好，可是它們同樣會在掉電的情況下會失去所保存的數據。
非易失性存儲器在掉電的情況下並不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自於只讀存儲器（ROM）技術。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作
，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術研發出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術包括有EPROM (幾乎已經廢止）、EEPROM和Flash。 這些存儲器不僅寫入速度慢，而且只能有限次的擦寫，寫入時功耗大。
鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，並且和ROM技術一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM
鐵電存貯器（FRAM）的第一個最明顯的優點是可以跟隨匯流排速度（busspeed）寫入。
鐵電存貯器（FRAM）的第二大優點是幾乎可以無限次寫入。

⑩ 鐵電存儲和磁性存儲相比有哪些優點

鐵電存儲器相對於磁存儲器主要優點是抗電磁場干擾。