存儲器刷新方式

⑴ 設存儲器的讀、寫周期均為0.5us，CPU在1us內至少訪問一次。試問採用哪種刷新方式比較合理

1us內要求訪問一次就不能使用集中刷新，非同步和分散都可以，但非同步比較合理。
最大間隔的話，如果是兩行之間=最大間隔時間/行數，
不然的話一般就是2ms

⑵ 存儲器所有單元刷新一遍需要多少次刷新操作如何理解

靜態存儲單元（SRAM） ●存儲原理：由觸發器存儲數據 ●單元結構：六管NMOS或OS構成 ●優點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態功耗極低；常用作Cache ●缺點：元件數多、集成度低、運行功耗大 ●常用的SRAM集成晶元：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8位)，2114(1K×4位) 動態存儲單元（DRAM） ●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之後：單管基本單元） ●刷新(再生)：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作 ●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小於柵極電容自然保持信息的時間（小於2ms）。 ●優點： 集成度遠高於SRAM、功耗低，價格也低 ●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用於作主存儲器。盡管如此，由於DRAM存儲單元的結構簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產品。

⑶ dram的刷新方式一般有哪兩種

集中刷新和分散隱含刷新

DRAM的刷新方式 常用刷新方式： 教科書P84圖3.14
① 集中式---正常讀/寫操作與刷新操作分開進行，刷新集中完成。

特點：存在一段停止讀/寫操作的死時間 適用於高速存儲器

② 分散式---將一個存儲系統周期分成兩個時間片，分時進行正常讀/寫操作和刷新操作。

特點：不存在停止讀/寫操作的死時間
但系統運行速度降低

③ 非同步式---前兩種方式的結合，每隔一段時間刷新一次，保證在刷新周期內對整個存儲器刷新一遍。

⑷ 什麼是刷新存儲器其存儲器容量與什麼因素有關

將存儲器原有內容擦除，寫入新的內容，就叫刷新存儲器。存儲器容量與晶元集成技術發展程度有關。

⑸ 在實際SRAM存儲器刷新操作中,最常用的刷新操作時哪幾種它們如何工作,特點是

SRAM利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態刷新。特點是速度快，價格較貴，常用於高速緩沖存儲器。
SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能。
但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，功耗較DRAM大 ，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的矽片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。

⑹ 半導體動態存儲器為什麼要刷新刷新的主要方式有哪三種

動態存儲器依靠電容電荷存儲信息，時間一長，電荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、非同步刷新。

⑺ 為什麼DRAM需要刷新

DRAM就是動態隨機存取存儲器，動態隨機存取存儲器需要刷新是因為DRAM存儲信息的特殊性。

DRAM是通過柵極電容存儲電荷來暫存信息。由於存儲的信息電荷終究是有泄漏的，電荷數又不能像SRAM存儲元那樣由電源經負載管來補充，時間一長，信息就會丟失。為此必須設法由外界按一定規律給柵極充電，按需要補給柵極電容的信息電荷，此過程叫刷新。因此，DRAM需要刷新。

(7)存儲器刷新方式擴展閱讀：

DRAM是靠其內部電容電位來記錄其邏輯值的，但是電容因各方面的技術困難無可避免的有顯著的漏電現象（放電現象）而使電位下降，於是需要周期性地對高電位電容進行充電而保持其穩定，這就是刷新。動態MOS存儲器採用「讀出」方式進行刷新。 有的Dram也支持每個bank刷新的命令，每次同時刷新一個bank的多個行，在一個rank刷新的時候允許bank-level 並行。

⑻ 動態MOS存儲器為什麼要刷新常用的刷新方式有哪幾種

動態MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。但由於漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。 常用的刷新方式有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是非同步式。 集中式刷新：在整個刷新間隔內，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用於高速存儲器。 分散式刷新：把一個存儲系統周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期後半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經過128個系統周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。 非同步式刷新：前兩種方式的結合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。

⑼ RAM存儲器需要每隔1~2ms刷新一次

RAM存儲器需要每隔1~2ms刷新一次的原因是：
DRAM電容上的電荷只能維持1-2ms，即使電源不掉電，信息也會自動消失，需要動態刷新。

⑽ 簡要說明動態RAM的各種刷新方式及其特點

dram的刷新方式
常用刷新方式：
教科書p84圖3.14
①
集中式---正常讀/寫操作與刷新操作分開進行，刷新集中完成。
特點：存在一段停止讀/寫操作的死時間
適用於高速存儲器
②
分散式---將一個存儲系統周期分成兩個時間片，分時進行正常讀/寫操作和刷新操作。
特點：不存在停止讀/寫操作的死時間
但系統運行速度降低
③
非同步式---前兩種方式的結合，每隔一段時間刷新一次，保證在刷新周期內對整個存儲器刷新一遍。