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晶圓存儲機

發布時間: 2022-09-27 17:37:47

A. 中國攻克最先進128層快閃記憶體:它到底強在哪何時能跟三星掰手腕

晶元分為存儲晶元和非存儲晶元,其中存儲晶元的種類很多,按用途可分為主存儲晶元和輔助存儲晶元。前者又稱內存儲晶元(內存),可以與CPU直接交換數據,速度快、容量小、價格高。後者為外存儲晶元(外存),指除內存及緩存以外的儲存晶元。此類儲存晶元一般斷電後仍然能保存數據,速度慢、容量大、價格低。


B. 合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力

長鑫是內存,長江是快閃記憶體。內存斷電數據丟失,快閃記憶體斷電數據依然在,技術層面,快閃記憶體技術難度更高!另外長鑫是買的國外底層技術,然後升級優化發展,發展有一定局限性,且與世界一流水平有2-3代的差距!而長存完全自主研發,技術幾乎達到世界一流水平。從市場發展來看,內存技術有天花板,需求市場幾乎停止增長,而快閃記憶體技術革新空間很大,市場需求每年更是以30%的增長速度擴張。綜合來看長江存儲發展前景更大!

兩家企業之間內部高層人員同屬於紫光派系。因此在產業結構分工上是協調合作方式。合肥長鑫主攻可讀存儲;長江存儲以研發可寫存儲。

長江存儲屬於國家隊,合肥長鑫地地道道屬省級隊。由此看來,長江存儲比合肥長鑫起步高。不過合肥長鑫率先將上市產品對標到世界同等級別,而長江存儲還需時日。

另外,眾所周知,玩存儲晶圓是個燒錢項目,風險變數極大,所以這些企業背靠的是有實力的大級別體量玩家。長江存儲背靠武漢,是國家傾盡全力打造的存儲之都;合肥近幾年靠集成晶元(京東方)實實在在是掙到百千億的,夾持國家科學中心名頭不可小覷!

綜敘,潛力誰大不好說,一個是小獅子,逐漸霸氣側漏想挑戰王位;一個是小老虎,虎虎生威欲佔山為王!

沖出重圍千億起步,強敵環伺巨頭統治。

存儲晶元的前景如何展望?

合肥長鑫,成立於2016年5月, 專注於DRAM領域 ,整體投資預計超過1500億元。目前一期已投入超過220億元,19nm8GbDDR4已實現量產,產能已達到2萬片/月,預計2020年一季度末達4萬片/月,三期完成後產能為36萬片/月, 有望成為全球第四大DRAM廠商。


長江存儲,成立於2016年7月, 專注於3DNANDFlash領域 ,整體投資額240億美元,目前64層產品已量產。根據集邦咨詢數據,2019年Q4長江存儲產能在2萬片/月,到2020年底有望擴產至7萬片/月,2023年目標擴產至30萬片/月產能, 有望成為全球第三大NANDFlash廠商。

最近利基型內存(Specialty DRAM)的價格大漲,我們今天就來聊聊 DRAM 是什麼?


Dynamic Random Access Memory,縮寫DRAM。動態隨機存取存儲器,作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡,來代表一個二進制比特是1還是0。這一段聽不懂,聽不懂沒關系,你只需要知道,它運算速度快、常應用於系統硬體的運行內存,計算機、手機中得有它,你可能沒聽說過DRAM,但你一定知道內存條, 沒錯,DRAM的最常見出現形式就是內存條。

近幾年的全球DRAM市場,呈現巨頭壟斷不變,市場規模多變的局面。



全球DRAM生產巨頭是三星、SK海力士和美光,分別占據了41.3%、28.2%和25%的市場份額。

2019年市場銷售額為620億美元,同比下降了37%。其中美國佔比39%排名第一,中國佔比34%排名第二,中美是全球DRAM的主要消費市場。細分市場,手機/移動端佔比40%,伺服器佔比34%。

總結來說,巨頭壟斷,使得中國企業沒有議價權,DRAM晶元受外部制約嚴重。 當前手機和移動設備是最大的應用領域,但未來隨著數據向雲端轉移,市場會逐步向伺服器傾斜。

未來,由於DRAM的技術路徑發展沒有發生明顯變化,微縮製程來提高存儲密度。那麼在進入20nm的存儲製程工藝後,製造難度越來越高,廠商對工藝的定義已不再是具體線寬,而是要在具體製程范圍內提升技術,提高存儲密度。

當前供需狀況,由於疫情在韓、美兩國發展速度超過預期,國內DRAM企業發展得到有利發展。

合肥長鑫、長江存儲 兩家都是好公司,都在各自的賽道中沖刺,希望他們能夠在未來打破寡頭壟斷的格局。

看哪家產品已經銷售了,其他吹得再好都是假的

目前看合肥長鑫優勢明顯

合肥長鑫和長江存儲兩個企業的存儲晶元和未來發展哪個更有潛力?快閃記憶體也好內存也罷都是國內相當薄弱的環節,都是要在國外壟斷企業口裡奪食,如果發展得好都是相當有潛力的企業。只是對於市場應用的廣度而言,合肥長鑫的內存可能相對來說更有潛力一些。



這兩家企業一家合肥長鑫以DRAM為主要的專注領域,長江存儲以NAND FLAH領域,而且投資都相當巨大,都是一千億元以上的投資。長江存儲除了企業投資之外,還有湖北地方產業基金,另外還有國家集成電路產業投資基金的介入,顯得更為有氣勢。而合肥長鑫主要以合肥地方投資為主,從投資來看看似長江存儲更有力度更有潛力一些。


不管時快閃記憶體還是內存,目前都被美國、韓國、日本等國外的幾家主要企業所壟斷,價格的漲跌幾乎都已經被操縱,國內企業已經吃過不少這方面的苦。DRAM領域的三星、海力士、鎂光,NAND領域有三星、東芝、新帝、海力士、鎂光、英特爾等,包括其他晶元一起,國內企業每一年花在這上面購買資金高達3000多億美金,並且一直往上攀升。



這兩家企業攜裹著大量投資進入該領域,但短時間之內要改變這種態勢還很難,一個是技術實力落後,另一個是市場號召力極弱。目前與國外的技術距離差不多在三年左右,況且這兩家的良品率和產能還並不高沒有完全釋放,在市場應用上的差距就更為懸殊。


從市場應用上來看,各種電子產品特別是手機及移動產品將會蓬勃發展,內存的應用地方相當多,甚至不可缺少,這帶來極大的需求量。相對而言,快閃記憶體應用地方可能要稍稍窄小一點,但需求同樣龐大。



國外三星、海力士等處於極強的強勢地位,而合肥長鑫和長江存儲要想從他們嘴裡爭奪是相當不容易的。不過有國內這個龐大的市場作後盾,相信這兩家未來都有不錯的前景,一旦發展起來被卡脖子的狀況將會大為改觀。


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理論上說長江存儲潛力更大,技術水平距離三星更近。長鑫的話製程跟三星還有一些差距,另外gddr5和ddr5長鑫都還沒影。

市場來說長鑫的dram內存價值更大。

但是不論nand還是dram存儲市場都是需要巨額投入和多年堅持的,所以誰錢多誰潛力大。

合肥長鑫是國產晶元的代表企業,主要從事存儲晶元行業中DRAM的研發、生產和銷售。企業計劃總投資超過 2200 億元,目前已經建立了一支擁有自主研發實力、工作經驗豐富的成建制國際化團隊,員工總數超過 2700 人,核心技術人員超過 500。

長江存儲成立於2016年7月,總部位於武漢,是一家專注於3D NAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業。目前全球員工已超 6000 餘人,其中資深研發工程師約 2200人,已宣布 128 層 TLC/QLC 兩款產品研發成功,且進入加速擴產期,目前產能約 7.5 萬片/月,擁有業界最高的IO速度,最高的存儲密度和最高的單顆容量。

存儲晶元行業屬於技術密集型產業,中國存儲晶元行業起步晚,缺乏技術經驗累積。中國本土製造商長江存儲、合肥長鑫仍在努力追趕。

誰先做出產品誰就有潛力,兩家現在主要方向也不一樣,一個nand一個dram,也得看技術和頂級玩家三星的差距

當然是長江存儲更有潛力,長江存儲有自主知識產權的3d堆疊工藝平台,是國家存儲產業基地,長鑫買的外國專利授權,發展受到外國技術限制。長江存儲可以依靠3d堆疊工藝平台輕松殺入dram領域,而長鑫卻沒有可能進入nand領域。

C. 晶元存儲數據的原理

Flash晶元並不是像光碟那樣把信息刻上去的。為了更加清楚地說明,我首先讓你知道計算機的信息是怎樣儲存的。計算機用的是二進制,也就是0與1。在二進制中,0與1可以組成任何數。而電腦的器件都有兩種狀態,可以表示0與1。比如三極體的斷電與通電,磁性物質的已被磁化與未被磁化,物質平面的凹與凸,都可以表示0與1。硬碟就是採用磁性物質記錄信息的,磁碟上的磁性物質被磁化了就表示1,未被磁化就表示0,因為磁性在斷電後不會喪失,所以磁碟斷電後依然能保存數據。而內存的儲存形式則不同,內存不是用磁性物質,而是用RAM晶元。現在請你在一張紙上畫一個「田」,就是畫一個正方形再平均分成四份,這個「田」字就是一個內存,這樣,「田」裡面的四個空格就是內存的儲存空間了,這個儲存空間極小極小,只能儲存電子。。好,內存現在開始工作。內存通電後,如果我要把「1010」這個信息保存在內存(現在畫的「田」字)中,那麼電子就會進入內存的儲存空間里。「田」字的第一個空格你畫一點東西表示電子,第二個空格不用畫東西,第三個空格又畫東西表示電子,第四個格不畫東西。這樣,「田」的第一格有電子,表示1,第二格沒有,表示0,第三格有電子,表示1,第四格沒有,表示0,內存就是這樣把「1010」這個數據保存好了。電子是運動沒有規律的物質,必須有一個電源才能規則地運動,內存通電時它很安守地在內存的儲存空間里,一旦內存斷電,電子失去了電源,就會露出它亂雜無章的本分,逃離出內存的空間去,所以,內存斷電就不能保存數據了。再看看U盤,U盤里的儲存晶元是Flash晶元,它與RAM晶元的工作原理相似但不同。現在你在紙上再畫一個「田」字,這次要在四個空格中各畫一個頂格的圓圈,這個圓圈不是表示電子,而是表示一種物質。好,Flash晶元工作通電了,這次也是保存「1010」這個數據。電子進入了「田」的第一個空格,也就是晶元的儲存空間。電子把裡面的物質改變了性質,為了表示這個物質改變了性質,你可以把「田」內的第一個圓圈塗上顏色。由於數據「1010」的第二位數是0,所以Flash晶元的第二個空間沒有電子,自然裡面那個物質就不會改變了。第三位數是1,所以「田」的第三個空格通電,第四個不通電。現在你畫的「田」字,第一個空格的物質塗上了顏色,表示這個物質改變了性質,表示1,第二個沒有塗顏色,表示0,以此類推。當Flash晶元斷電後,物質的性質不會改變了,除非你通電擦除。當Flash晶元通電查看儲存的信息時,電子就會進入儲存空間再反饋信息,電腦就知道晶元裡面的物質有沒有改變。就是這樣,RAM晶元斷電後數據會丟失,Flash晶元斷電後數據不會丟失,但是RAM的讀取數據速度遠遠快於Flash晶元。

D. dram 和3d nand flash的晶圓一樣嗎

什麼是3D NAND快閃記憶體?從新聞到評測,我們對3D NAND快閃記憶體的報道已經非常多了,首先我們要搞懂什麼是3D NAND快閃記憶體。從2D NAND到3D NAND就像平房到高樓大廈我們之前見過的快閃記憶體多屬於Planar NAND平面快閃記憶體,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 快閃記憶體,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那麼3D NAND就是高樓大廈,建築面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。3D NAND與2D NAND區別3D NAND快閃記憶體也不再是簡單的平面內存堆棧,這只是其中的一種,還有VC垂直通道、VG垂直柵極等兩種結構。3D NAND快閃記憶體有什麼優勢?在回答3D NAND快閃記憶體有什麼優勢的時候,我們先要了解平面NAND遇到什麼問題了——NAND快閃記憶體不僅有SLC、MLC和TLC類型之分,為了進一步提高容量、降低成本,NAND的製程工藝也在不斷進步,從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm,但NAND快閃記憶體跟處理器不一樣,先進工藝雖然帶來了更大的容量,但NAND快閃記憶體的製程工藝是雙刃劍,容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降,因為工藝越先進,NAND的氧化層越薄,可靠性也越差,廠商就需要採取額外的手段來彌補,但這又會提高成本,以致於達到某個點之後製程工藝已經無法帶來優勢了。相比之下,3D NAND解決問題的思路就不一樣了,為了提高NAND的容量、降低成本,廠商不需要費勁心思去提高製程工藝了,轉而堆疊更多的層數就可以了,這樣一來3D NAND快閃記憶體的容量、性能、可靠性都有了保證了,比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2,而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達到1.87Gb/mm2,48層堆棧的則可以達到2.8Gb/mm2。3D NAND快閃記憶體在容量、速度、能效及可靠性上都有優勢傳統的平面NAND快閃記憶體現在還談不上末路,主流工藝是15/16nm,但10/9nm節點很可能是平面NAND最後的機會了,而3D NAND快閃記憶體還會繼續走下去,目前的堆棧層數不過32-48層,廠商們還在研發64層甚至更高層數的堆棧技術。四大NAND豪門的3D NAND快閃記憶體及特色在主要的NAND廠商中,三星最早量產了3D NAND,其他幾家公司在3D NAND快閃記憶體量產上要落後三星至少2年時間,Intel、美光去年才推出3D NAND快閃記憶體,Intel本月初才發布了首款3D NAND快閃記憶體的SSD,不過主要是面向企業級市場的。這四大豪門的3D NAND快閃記憶體所用的技術不同,堆棧的層數也不一樣,而Intel在常規3D NAND快閃記憶體之外還開發了新型的3D XPoint快閃記憶體,它跟目前的3D快閃記憶體有很大不同,屬於殺手鐧級產品,值得關注。四大NAND豪門的3D NAND快閃記憶體規格及特色上述3D NAND快閃記憶體中,由於廠商不一定公布很多技術細節,特別是很少提及具體的製程工藝,除了三星之外其他廠商的3D NAND快閃記憶體現在才開始推向市場,代表性產品也不足。三星:最早量產的V-NAND快閃記憶體三星是NAND快閃記憶體市場最強大的廠商,在3D NAND快閃記憶體上也是一路領先,他們最早在2013年就開始量產3D NAND快閃記憶體了。在3D NAND路線上,三星也研究過多種方案,最終量產的是VG垂直柵極結構的V-NAND快閃記憶體,目前已經發展了三代V-NAND技術,堆棧層數從之前的24層提高到了48層,TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。三星最早量產了3D NAND快閃記憶體值得一提的是,三星在3D NAND快閃記憶體上領先不光是技術、資金的優勢,他們首先選擇了CTF電荷擷取快閃記憶體(charge trap flash,簡稱CTF)路線,相比傳統的FG(Floating Gate,浮柵極)技術難度要小一些,這多少也幫助三星佔了時間優勢。有關V-NAND快閃記憶體的詳細技術介紹可以參考之前的文章:NAND新時代起點,三星V-NAND技術詳解東芝/閃迪:獨辟蹊徑的BiCS技術東芝是快閃記憶體技術的發明人,雖然現在的份額和產能被三星超越,不過東芝在NAND及技術領域依然非常強大,很早就投入3D NAND研發了,2007年他們獨辟蹊徑推出了BiCS技術的3D NAND——之前我們也提到了,2D NAND快閃記憶體簡單堆棧是可以作出3D NAND快閃記憶體的,但製造工藝復雜,要求很高,而東芝的BiCS快閃記憶體是Bit Cost Scaling,強調的就是隨NAND規模而降低成本,號稱在所有3D NAND快閃記憶體中BiCS技術的快閃記憶體核心面積最低,也意味著成本更低。東芝的BiCS技術3D NAND東芝和閃迪是戰略合作夥伴,雙方在NAND領域是共享技術的,他們的BiCS快閃記憶體去年開始量產,目前的堆棧層數是48層,MLC類型的核心容量128Gb,TLC類型的容量可達256Gb,預計會在日本四日市的Fab 2工廠規模量產,2016年可以大量出貨了。SK Hynix:悶聲發財的3D NAND在這幾家NAND廠商中,SK Hynix的3D NAND最為低調,相關報道很少,以致於找不到多少SK Hynix的3D NAND快閃記憶體資料,不過從官網公布的信息來看,SK Hynix的3D NAND快閃記憶體已經發展了3代了,2014年Q4推出的第一代,2015年Q3季度推出的第二代,去年Q4推出的則是第三代3D NAND快閃記憶體,只不過前面三代產品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移動市場,今年推出的第四代3D NAND快閃記憶體則會針對UFS 2.1、SATA及PCI-E產品市場。SK Hynix的3D NAND快閃記憶體堆棧層數從36層起步,不過真正量產的是48層堆棧的3D NAND快閃記憶體,MLC類型的容量128Gb,TLC類型的也可以做到256Gb容量。Intel/美光:容量最高的3D NAND快閃記憶體這幾家廠商中,Intel、美光的3D NAND快閃記憶體來的最晚,去年才算正式亮相,不過好菜不怕晚,雖然進度上落後了點,但IMFT的3D NAND有很多獨特之處,首先是他們的3D NAND第一款採用FG浮柵極技術量產的,所以在成本及容量上更有優勢,其MLC類型快閃記憶體核心容量就有256Gb,而TLC快閃記憶體則可以做到384Gb,是目前TLC類型3D NAND快閃記憶體中容量最大的。美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的384Gb容量還不終點,今年的ISSCC大會上美光還公布了容量高達768Gb的3D NAND快閃記憶體論文,雖然短時間可能不會量產,但已經給人帶來了希望。Intel的殺手鐧:3D XPoint快閃記憶體IMFT在3D NAND快閃記憶體上進展緩慢已經引起了Intel的不滿,雖然雙方表面上還很和諧,但不論是16nm快閃記憶體還是3D快閃記憶體,Intel跟美光似乎都有分歧,最明顯的例子就是Intel都開始採納友商的快閃記憶體供應了,最近發布的540s系列硬碟就用了SK Hynix的16nm TLC快閃記憶體,沒有用IMFT的。Intel、美光不合的證據還有最明顯的例子——那就是Intel甩開美光在中國大連投資55億升級晶圓廠,准備量產新一代快閃記憶體,很可能就是3D XPoint快閃記憶體,這可是Intel的殺手鐧。3D XPoint快閃記憶體是Intel掌控未來NAND市場的殺手鐧這個3D XPoint快閃記憶體我們之前也報道過很多了,根據Intel官方說法,3D XPoint快閃記憶體各方面都超越了目前的內存及快閃記憶體,性能是普通顯存的1000倍,可靠性也是普通快閃記憶體的1000倍,容量密度是內存的10倍,而且是非易失性的,斷電也不會損失數據。由於還沒有上市,而且Intel對3D XPoint快閃記憶體口風很嚴,所以我們無法確定3D XPpoint快閃記憶體背後到底是什麼,不過比較靠譜的說法是基於PCM相變存儲技術,Intel本來就是做存儲技術起家的,雖然現在的主業是處理器,但存儲技術從來沒放鬆,在PCM相變技術上也研究了20多年了,現在率先取得突破也不是沒可能。相比目前的3D NAND快閃記憶體,3D XPoint快閃記憶體有可能革掉NAND及DRAM內存的命,因為它同時具備這兩方面的優勢,所以除了做各種規格的SSD硬碟之外,Intel還准備推出DIMM插槽的3D XPoint硬碟,現在還不能取代DDR內存,但未來一切皆有可能。最後再回到我們開頭提到的問題上——中國大陸現在也把存儲晶元作為重點來抓,武漢新芯科技(XMC)已經在武漢開工建設12英寸晶圓廠,第一個目標就是NAND快閃記憶體,而且是直接切入3D NAND快閃記憶體,他們的3D NAND技術來源於飛索半導體(Spansion),而後者又是1993年AMD和富士通把雙方的NOR快閃記憶體部門合並而來,後來他們又被賽普拉斯半導體以40億美元的價格收購。2015年新芯科技與飛索半導體達成了合作協議,雙方合作研發、生產3D NAND快閃記憶體,主要以後者的MirrorBit快閃記憶體技術為基礎。不過小編搜遍了網路也沒找到多少有關MirrorBit的技術資料。這兩家公司的快閃記憶體技術多是NOR領域的,3D NAND顯然是比不過三星、SK Hynix及東芝等公司的,有一種說法是MirrorBit的堆棧層數只有8層,如果真是這樣,相比主流的32-48層堆棧就差很遠了,成本上不會有什麼優勢。dram 和3d nand flash的晶圓一樣嗎

E. 求問;這個時代芯存是做什麼的啊謝謝

江蘇時代芯存半導體有限公司致力於開發及生產搭載最新PCM技術的存儲產品,擁有先進的12吋晶圓生產線,採用40納米製程工藝,設計產能突破10萬片/年,其生產的相變存儲器性能優越,並已實現量產商業化。 大大的贊。

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