存儲器封測

1. 長江存儲的晶元由誰封裝

商華天科技。長江存儲科技有限責任公司成立於2016年7月，總部位於「江城」武漢，是一家專注於3DNAND快閃記憶體設計製造一體化的IDM集成電路企業，同時也提供完整的存儲器解決方案其晶元的存儲及其封測裝測供應商華天科技。

2. 什麼是封裝測試有用什麼設備

1、BGA(ball grid array)
球形觸點陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用 以 代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI 晶元，然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也 稱為凸 點陳列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI 用的一種封裝。 封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如，引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方；而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。 該封裝是美國Motorola 公司開發的，首先在攜帶型電話等設備中被採用，今後在美國有
可 能在個人計算機中普及。最初，BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm，引腳數為225。現在 也有 一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。 BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為 ， 由於焊接的中心距較大，連接可以看作是穩定的，只能通過功能檢查來處理。 美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC，而把灌封方法密封的封裝稱為
GPAC(見OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)
帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一，在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊) 以 防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中 採用 此封裝。引腳中心距0.635mm，引腳數從84 到196 左右(見QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面貼裝型PGA 的別稱(見表面貼裝型PGA)。
4、C－(ceramic)
表示陶瓷封裝的記號。例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝，用於ECL RAM，DSP(數字信號處理器)等電路。帶有 玻璃窗口的Cerdip 用於紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中 心 距2.54mm，引腳數從8 到42。在日本，此封裝表示為DIP－G(G 即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面貼裝型封裝之一，即用下密封的陶瓷QFP，用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗 口的Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好，在自然空冷條件下可容許1. 5～ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3～5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、 0.5mm、 0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。
7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)
帶引腳的陶瓷晶元載體，表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 。 帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為 QFJ、QFJ－G(見QFJ)。
8、COB(chip on board)
板上晶元封裝，是裸晶元貼裝技術之一，半導體晶元交接貼裝在印刷線路板上，晶元與 基 板的電氣連接用引線縫合方法實現，晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現，並用 樹脂覆 蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸晶元貼裝技術，但它的封裝密度遠不如TAB 和 倒片 焊技術。
9、DFP(al flat package)
雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法，現在已基本上不用。
10、DIC(al in-line ceramic package)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
11、DIL(al in-line)
DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
12、DIP(al in-line package)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出，封裝材料有塑料和陶瓷兩種 。 DIP 是最普及的插裝型封裝，應用范圍包括標准邏輯IC，存貯器LSI，微機電路等。 引腳中心距2.54mm，引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm 和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下並不加 區分， 只簡單地統稱為DIP。另外，用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。
13、DSO(al small out-lint)
雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。
14、DICP(al tape carrier package)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於 利 用的是TAB(自動帶載焊接)技術，封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI，但多數為 定製品。 另外，0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本，按照EIAJ(日本電子機 械工 業)會標准規定，將DICP 命名為DTP。
15、DIP(al tape carrier package)
同上。日本電子機械工業會標准對DTCP 的命名(見DTCP)。
16、FP(flat package)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家采 用此名稱。
17、flip-chip
倒焊晶元。裸晶元封裝技術之一，在LSI 晶元的電極區製作好金屬凸點，然後把金屬凸 點 與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的佔有面積基本上與晶元尺寸相同。是所有 封裝技 術中體積最小、最薄的一種。 但如果基板的熱膨脹系數與LSI 晶元不同，就會在接合處產生反應，從而影響連接的可 靠 性。因此必須用樹脂來加固LSI 晶元，並使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。
18、FQFP(fine pitch quad flat package)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家采 用此名稱。
19、CPAC(globe top pad array carrier)
美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。
20、CQFP(quad fiat package with guard ring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一，引腳用樹脂保護環掩蔽，以防止彎曲變 形。 在把LSI 組裝在印刷基板上之前，從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。 這種封裝 在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm，引腳數最多為208 左右。
21、H-(with heat sink)
表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的SOP。
22、pin grid array(surface mount type)
表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝，引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法，因而 也稱 為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm，比插裝型PGA 小一半，所以封裝本體可製作得 不 怎麼大，而引腳數比插裝型多(250～528)，是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有 多層陶 瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。
23、JLCC(J-leaded chip carrier)
J 形引腳晶元載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半 導體廠家採用的名稱。
24、LCC(Leadless chip carrier)
無引腳晶元載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是 高 速和高頻IC 用封裝，也稱為陶瓷QFN 或QFN－C(見QFN)。
25、LGA(land grid array)
觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現 已 實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA，應用於高速 邏輯 LSI 電路。 LGA 與QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由於引線的阻 抗 小，對於高速LSI 是很適用的。但由於插座製作復雜，成本高，現在基本上不怎麼使用 。預計 今後對其需求會有所增加。
26、LOC(lead on chip)
晶元上引線封裝。LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處於晶元上方的一種結構，晶元 的 中心附近製作有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在晶元側面 附近的 結構相比，在相同大小的封裝中容納的晶元達1mm 左右寬度。
27、LQFP(low profile quad flat package)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP，是日本電子機械工業會根據制定的新QFP 外形規格所用的名稱。
28、L－QUAD
陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，晶元用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種 封裝， 在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳 (0.65mm 中心距)的LSI 邏輯用封裝，並於1993 年10 月開始投入批量生產。
29、MCM(multi-chip mole)
多晶元組件。將多塊半導體裸晶元組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可 分 為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。 MCM－L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎麼高，成本較低 。 MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件，與使 用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高於MCM－L。
MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組 件。 布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。
30、MFP(mini flat package)
小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家採用的名稱。
31、MQFP(metric quad flat package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標准對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為 0.65mm、本體厚度為3.8mm～2.0mm 的標准QFP(見QFP)。
32、MQUAD(metal quad)
美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均採用鋁材，用粘合劑密封。在自然空 冷 條件下可容許2.5W～2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司於1993 年獲得特許開始生產 。
33、MSP(mini square package)
QFI 的別稱(見QFI)，在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。
34、OPMAC(over molded pad array carrier)
模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 採用的名稱(見 BGA)。
35、P－(plastic)
表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。
36、PAC(pad array carrier)
凸點陳列載體，BGA 的別稱(見BGA)。
37、PCLP(printed circuit board leadless package)
印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)採用的名稱(見QFN)。引
腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。目前正處於開發階段。
38、PFPF(plastic flat package)
塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家採用的名稱。
39、PGA(pin grid array)
陳列引腳封裝。插裝型封裝之一，其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都 采 用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下，多數為陶瓷PGA，用於高速大規模 邏輯 LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64 到447 左右。 了為降低成本，封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64～256 引腳的塑料PG A。 另外，還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝 型PGA)。
40、piggy back
馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝，形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發帶有微機的設 備時用於評價程序確認操作。例如，將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是 定製 品，市場上不怎麼流通。
41、PLCC(plastic leaded chip carrier)
帶引線的塑料晶元載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形 ， 是塑料製品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中採用，現在已經 普 及用於邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 到84。 J 形引腳不易變形，比QFP 容易操作，但焊接後的外觀檢查較為困難。 PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前，兩者的區別僅在於前者用塑料，後者用陶瓷。但現 在已經出現用陶瓷製作的J 形引腳封裝和用塑料製作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PC LP、P －LCC 等)，已經無法分辨。為此，日本電子機械工業會於1988 年決定，把從四側引出 J 形引 腳的封裝稱為QFJ，把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。
42、P－LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)
有時候是塑料QFJ 的別稱，有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分
LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝，用P－LCC 表示無引線封裝，以示區別。
43、QFH(quad flat high package)
四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種，為了防止封裝本體斷裂，QFP 本體製作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家採用的名稱。
44、QFI(quad flat I-leaded packgac)
四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈I 字 。 也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由於引腳無突出部分，貼裝佔有面 積小 於QFP。 日立製作所為視頻模擬IC 開發並使用了這種封裝。此外，日本的Motorola 公司的PLL IC 也採用了此種封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從18 於68。
45、QFJ(quad flat J-leaded package)
四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出，向下呈J 字形 。 是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。
材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC)，用於微機、門陳列、 DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。
陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用於紫外線擦除型EPROM 以及 帶有EPROM 的微機晶元電路。引腳數從32 至84。
46、QFN(quad flat non-leaded package)
四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業 會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點，由於無引腳，貼裝佔有面積比QFP 小，高度 比QFP 低。但是，當印刷基板與封裝之間產生應力時，在電極接觸處就不能得到緩解。因此電 極觸點 難於作到QFP 的引腳那樣多，一般從14 到100 左右。 材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。
塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外， 還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P－LCC 等。
47、QFP(quad flat package)
四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有 陶 瓷、金屬和塑料三種。從數量上看，塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時， 多數情 況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用於微處理器，門陳列等數字 邏輯LSI 電路，而且也用於VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。
日本將引腳中心距小於0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業會對QFP 的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別，而是根據封裝本體厚度分為 QFP(2.0mm～3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。
另外，有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。 但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP，至使名稱稍有一些混亂 。 QFP 的缺點是，當引腳中心距小於0.65mm 時，引腳容易彎曲。為了防止引腳變形，現已 出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP)；帶樹脂 保護 環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP)；在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專 用夾 具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。 在邏輯LSI 方面，不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為 0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqa d)。
48、QFP(FP)(QFP fine pitch)
小中心距QFP。日本電子機械工業會標准所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm 、 0.3mm 等小於0.65mm 的QFP(見QFP)。
49、QIC(quad in-line ceramic package)
陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP、Cerquad)。
50、QIP(quad in-line plastic package)
塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP)。
51、QTCP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一，在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利 用 TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。
52、QTP(quad tape carrier package)
四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會於1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用 的 名稱(見TCP)。
53、QUIL(quad in-line)
QUIP 的別稱(見QUIP)。
54、QUIP(quad in-line package)
四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出，每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳 中 心距1.27mm，當插入印刷基板時，插入中心距就變成2.5mm。因此可用於標准印刷線路板 。是 比標准DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在台式計算機和家電產品等的微機晶元中采 用了些 種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。
55、SDIP (shrink al in-line package)
收縮型DIP。插裝型封裝之一，形狀與DIP 相同，但引腳中心距(1.778mm)小於DIP(2.54 mm)，
因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH－DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。
56、SH－DIP(shrink al in-line package)
同SDIP。部分半導體廠家採用的名稱。
57、SIL(single in-line)
SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導體廠家多採用SIL 這個名稱。
58、SIMM(single in-line memory mole)
單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插 座 的組件。標准SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規格 。 在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經在個人 計算機、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30～40％的DRAM 都裝配在SIMM 里。
59、SIP(single in-line package)
單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時 封 裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2 至23，多數為定製產品。封裝的形 狀各 異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。
60、SK－DIP(skinny al in-line package)
DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP(見 DIP)。
61、SL－DIP(slim al in-line package)
DIP 的一種。指寬度為10.16mm，引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP。
62、SMD(surface mount devices)
表面貼裝器件。偶而，有的半導體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。
63、SO(small out-line)
SOP 的別稱。世界上很多半導體廠家都採用此別稱。(見SOP)。
64、SOI(small out-line I-leaded package)
I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈I 字形，中心 距 1.27mm。貼裝佔有面積小於SOP。日立公司在模擬IC(電機驅動用IC)中採用了此封裝。引 腳數 26。
65、SOIC(small out-line integrated circuit)
SOP 的別稱(見SOP)。國外有許多半導體廠家採用此名稱。
66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)
J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J 字形，故此 得名。 通常為塑料製品，多數用於DRAM 和SRAM 等存儲器LSI 電路，但絕大部分是DRAM。用SO J 封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm，引腳數從20 至40(見SIMM )。
67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)
按照JEDEC(美國聯合電子設備工程委員會)標准對SOP 所採用的名稱(見SOP)。
68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)
無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區別，有意 增添了NF(non-fin)標記。部分半導體廠家採用的名稱(見SOP)。
69、SOF(small Out-Line package)
小外形封裝。表面貼裝型封裝之一，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有 塑料 和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。
SOP 除了用於存儲器LSI 外，也廣泛用於規模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不 超過10～40 的領域，SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm，引腳數從8 ～44。
另外，引腳中心距小於1.27mm 的SOP 也稱為SSOP；裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為 TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。
70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))
寬體SOP。部分半導體廠家採用的名稱。

3. 武漢弘芯項目爛尾背後：武漢合肥半導體產業優勢對比與風口的思考

自中興、華為事件發生後集成電路的地位不斷提升， 社會 與資本對集成電路產業的認識也不斷加深。發展集成電路產業的初衷確實是為了實現國產替代、自主可控，雖然這種思路沒錯但格局著實有點狹隘。當然如果將中國集成電路產業放到實現國家戰略安全的地位，對產業的認識也會更深刻一些。

頂層設計的確瞄向了國家戰略安全這一方向，但落腳到這個產業中，產業和資本的高度還是無法達成統一，因為各自的訴求不同。以中微公司創始人尹志堯為代表的產業從業者固然可以做到十年磨一劍，將刻蝕設備做到全球一線水平，但狂熱資本的不斷湧入，更多的是看到科創板、注冊制等的實施帶來的短期套利空間，畢竟相比以往如今上市的門檻和難度大幅降低。

集成電路是一個技術密集型、知識密集型和資本密集型的產業，如果放到國產替代和國家安全的角度還是一個政策密集型的產業，如果將這四種重要的要素實現深度整合，當然是最理想的狀態，但如果這四種要素中任何一個對集成電路產業的理解與認知出現偏差甚至誤區，則會出現很大的問題，20年前的"漢芯一號"造假事件如此，武漢弘芯項目爛尾也是如此。

武漢弘芯一開始就對這個行業的理解有所誤區，比如一開始就定下的不切實際的目標。武漢弘芯項目原計劃投資1280億元，主要投資目標是建成一條月產能3萬片的14nm邏輯工藝生產線、月產能3萬片的7nm及以下邏輯工藝生產線以及相應的晶圓級先進封裝生產線，但在2017年國內最好的晶圓代工廠中芯國際剛搞定28nm HKMG工藝不久，直到2019年才在梁孟松的帶領下搞定了14nm FinFET工藝。

2017年全球晶圓廠中有能力量產14nm及以下FinFET工藝的也就台積電、英特爾、三星和格芯，其中台積電和三星將技術節點推進到10nm，格芯是12nm，英特爾是14nm++ FinFET工藝，與格芯的12nm相當：

行業龍頭也剛推進到14-10nm，武漢弘芯一開始就要上馬14nm，就當是國內集成電路的產業基礎，可能嗎？

2017年國內技術達不到，資本目的不純，政府對集成電路產業認知較淺，武漢弘芯項目如何推進？

可惜了蔣尚義的一腔熱血。

武漢的集成電路產業基礎還是相當薄弱，更沒法與江蘇和上海這兩個產業集聚地相比，將之比喻為荒漠中的綠洲也不為過。

按申萬行業分類，目前在A股上市的湖北半導體企業有盈方微和台基股份兩家，其中台基股份主要從事大功率半導體器件的生產與銷售，是一家功率半導體企業。但盈方微在湖北荊州，台基股份在湖北襄陽，均不在武漢。

在新三板上掛牌的湖北半導體企業是思存 科技 （839113.OC），公司主要研發與銷售多種類別的Wi-Fi模塊及相關解決方案。公司在技術上得到高通的支持， 2019年營收與凈利潤分別達到2.50億元和0.08億元，業務規模與盈利能力較弱。

東芯通信（430670）是位於合肥市的一家從事LTE基帶晶元研發、銷售及提供解決方案的供應商，但目前由於4G網路已經成為過去，公司業績也一落千丈，2019年營收僅有0.15億元，凈利潤虧損0.12億元，已經連續四年虧損。

過去的終究要過去。

在光模塊及光晶元領域武漢具有一定優勢，光迅 科技 、華工 科技 具有較強的技術實力，其中光迅 科技 是國內少有的業務涉及光晶元、光器件和光模塊產業鏈的企業，而且公司依靠大股東烽火集團旗下的烽火 科技 ，產品可以很好的切入終端。但是在目前火熱的高通量光模塊領域公司相比中際旭創和新易盛有所滯後，相比已經研發出1000G光模塊的華為以及Finisar等國外巨頭差距更是明顯：

合肥與武漢在存儲器領域的競爭優勢相當明顯。武漢長江存儲在3D NAND領域已經形成一定規模，技術上4月份推出的X2-6070是業內首款128層QLC規格的3D NAND，擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND快閃記憶體晶元容量的存儲器件。技術上與海力士、三星、鎧俠等差距也就1-2代，如果公司能及時推出196層甚至256層3D NAND，技術上的差距已經相當小了。另外武漢新芯（XMC）除了Nor Flash等存儲器件，自有晶圓廠也可以為客戶提供55nm製程的低功耗邏輯和射頻等工藝。

在DRAM領域合肥長鑫實現了重大突破，公司現有產品主要有DDR4內存晶元、LPDDR4X和DDR4模組，而且在中低端消費電子領域實現商業化。不過目前三星、海力士等已經將技術延伸到DDR5，在技術上還有一代的差距。

在半導體設備領域領域，武漢精測電子和合肥芯碁微是具有代表性的企業。精測電子是從事TFT-LCD/OLED等平面顯示信號測試技術研發、開發、生產與銷售的企業，在平面顯示信號測試領域位於國內領先水平。不過公司目前將業務向半導體檢測延伸，未來公司有望形成平面顯示+集成電路檢測雙主業格局。

合肥芯碁微主要從事以微納直寫光刻技術為核心的直接成像設備及直寫光刻設備研發、製造及銷售，但目前公司的直寫光刻機主要用於PCB，在平面顯示領域有一定布局。由於技術自身局限，合肥芯碁微的直接成像技術還不能很好的應用於硅基半導體器件深亞微米節點的製造。

綜上所述，從目前集成電路產業布局來看，除了長江存儲和合肥長鑫的存儲器件，武漢和合肥的集成電路產業發展水平總體遜於江蘇和上海，但以光迅 科技 為代表的光模塊企業、以精測電子、合肥芯碁微為代表的設備製造企業在個別領域具有一定規模。

除了合肥長鑫，合肥的集成電路產業亮點不多，但如果從產業鏈布局來看，合肥的產業基礎要略好於武漢。

集成電路產業鏈主要分為設計、製造和封測，目前武漢和合肥在設計領域存在明顯短板。武漢昊昱微電子是從事功率半導體及模擬半導體設計的企業，公司基於CMOS、BiCMOS、BCDMOS等工藝開發了HYM533低功耗8位四路DAC、音頻功放IC等器件；合肥比較具有代表性的設計企業有合肥芯谷微電子、合肥恆爍半導體等設計企業，而且這些企業由"最牛風投機構"合肥市政府投資，部分設計企業頗具特色，但相比聖邦股份、兆易創新等企業，差距太明顯。

在封測領域合肥的基礎要好得多，而武漢則一片空白。封測領域合肥目前擁有合肥合晶和合肥速芯兩家封測企業，其中成立於2000年的合肥合晶覆蓋TO、SOT和DIP封裝技術；成立於2018年12月的合肥速芯是集成電路行業咨詢公司摩爾精英旗下封測企業，擁有QFN、BGA、SiP等封裝技術：

當然合肥速芯的競爭力還來自於摩爾精英在集成電路行業中的資源整合能力，這一點可能是合肥合晶所不擁有的。

在製造領域武漢和合肥均有晶圓廠，其中合肥長鑫和長江存儲各有一座300mm晶圓廠，主要是這兩家企業均採用了IDM模式，這也是三星和海力士等存儲器龍頭的典型模式。除此以外PowerChip和XMC（武漢新芯）分別在合肥和武漢擁有一座300mm晶圓廠，產能較小，而且主要以成熟節點為主。

合肥集成電路產業的優勢是打通了設計、製造和封測，武漢雖然有武漢新芯這樣的晶圓代工廠，但封測還有短板。

當然在光模塊等領域武漢有獨特的競爭優勢。

有人曾將中國半導體投資者歸納為無知者無畏型、無恥者無畏型和既無知又無恥型三類，其中無知者無畏型主要是地方政府，出於各種目的往往會出現"義和團"式的"造芯運動"，典型代表就是武漢弘芯這個爛尾項目。無恥者無畏型主要是產業內企業"杠桿"式的"堵芯"，懷著撞大運的心理借著主業的成功賭博式發展集成電路這個副業。既無知又無恥型就是那些暴躁狂熱的資本，他們對產業規律視而不見，搞跨界投機式的"騙芯"。

一級市場如此，二級市場同樣炒作投機之風盛行，最典型的就是中芯國際上市前後的炒作以及半導體板塊的暴漲暴跌，讓一眾投資者吃了悶癟。

集成電路行業是一個大投資、重積累、長周期、慢回報和高風險的行業，科創板和注冊制的推出只是解決了一個資本順利退出的通道，但產業本身特徵是無法在資本加持下能改變的，如果只是抱著投機甚至賭或騙的心態悶頭扎入集成電路行業，可能自己怎麼沒的都不知道。

65nm製程的SoC晶元設計及流片成本2850萬美元，16nm的設計及流片費用高達1.06億美元，足可以讓很多中小型設計企業倒閉好多次了。

4. 史上最全的半導體產業鏈全景！

導 讀 ( 文/ ittbank 授權發布 )

集成電路作為半導體產業的核心，市場份額達83%，由於其技術復雜性，產業結構高度專業化。隨著產業規模的迅速擴張，產業競爭加劇，分工模式進一步細化。

目前市場產業鏈為IC設計、IC製造和IC封裝測試。

○ 在核心環節中，IC設計處於產業鏈上游，IC製造為中游環節，IC封裝為下游環節。

○ 全球集成電路產業的產業轉移，由封裝測試環節轉移到製造環節，產業鏈里的每個環節由此而分工明確。

○ 由原來的IDM為主逐漸轉變為Fabless+Foundry+OSAT。

▲全球半導體產業鏈收入構成佔比圖

① 設計：

細分領域具備亮點，核心關鍵領域設計能力不足。從應用類別(如：手機到 汽車 )到晶元項目(如：處理器到FPGA)，國內在高端關鍵晶元自給率幾近為0，仍高度仰賴美國企業；

② 設備：

自給率低，需求缺口較大，當前在中端設備實現突破，初步產業鏈成套布局，但高端製程/產品仍需攻克。中國本土半導體設備廠商只佔全球份額的1-2%，在關鍵領域如：沉積、刻蝕、離子注入、檢測等，仍高度仰賴美國企業；

③ 材料：

在靶材等領域已經比肩國際水平，但在光刻膠等高端領域仍需較長時間實現國產替代。全球半導體材料市場規模443 億美金，晶圓製造材料供應中國佔比10%以下，部分封裝材料供應佔比在30%以上。在部分細分領域上比肩國際領先，高端領域仍未實現突破；

④ 製造：

全球市場集中，台積電占據60%的份額，受貿易戰影響相對較低。大陸躋身第二集團，全球產能擴充集中在大陸地區。代工業呈現非常明顯的頭部效應，在全球前十大代工廠商中，台積電一家占據了60%的市場份額。此行業較不受貿易戰影響；

⑤ 封測：

最先能實現自主可控的領域。封測行業國內企業整體實力不俗，在世界擁有較強競爭力，長電+華天+通富三家17 年全球整體市佔率達19%，美國主要的競爭對手僅為Amkor。此行業較不受貿易戰影響。

一、設計

按地域來看，當前全球IC 設計仍以美國為主導，中國大陸是重要參與者。2017 年美國IC設計公司占據了全球約53%的最大份額，IC Insight 預計，新博通將總部全部搬到美國後這一份額將攀升至69%左右。台灣地區IC 設計公司在2017 年的總銷售額中佔16%，與2010年持平。聯發科、聯詠和瑞昱去年的IC 銷售額都超過了10 億美元，而且都躋身全球前二十大IC 設計公司之列。歐洲IC 設計企業只佔了全球市場份額的2%，日韓地區Fabless 模式並不流行。

與非美國海外地區相比，中國公司表現突出。世界前50 fabless IC 設計公司中，中國公司數量明顯上漲，從2009 年1 家增加至2017 年10 家，呈現迅速追趕之勢。2017 年全球前十大Fabless IC 廠商中，美國占據7 席，包括高通、英偉達、蘋果、AMD、Marvell、博通、賽靈思；中國台灣地區聯發科上榜，大陸地區海思和紫光上榜，分別排名第7 和第10。

2017 年全球前十大Fables s IC 設計廠商

（百萬美元）

然而，盡管大陸地區海思和紫光上榜，但可以看到的是，高通、博通和美滿電子在中國區營收佔比達50%以上，國內高端 IC 設計能力嚴重不足。可以看出，國內對於美國公司在核心晶元設計領域的依賴程度較高。

自中美貿易戰打響後，通過「中興事件」和「華為事件」我們可以清晰的看到，核心的高端通用型晶元領域，國內的設計公司可提供的產品幾乎為0。

大陸高端通用晶元與國外先進水平差距主要體現在四個方面：

1）移動處理器的國內外差距相對較小。

紫光展銳、華為海思等在移動處理器方面已進入全球前列。

2）中央處理器(CPU) 是追趕難度最大的高端晶元。

英特爾幾乎壟斷了全球市場，國內相關企業約有 3-5 家，但都沒有實現商業量產，多仍然依靠申請科研項目經費和政府補貼維持運轉。龍芯等國內 CPU 設計企業雖然能夠做出 CPU 產品，而且在單一或部分指標上可能超越國外 CPU，但由於缺乏產業生態支撐，還無法與佔主導地位的產品競爭。

3）存儲器國內外差距同樣較大。

目前全球存儲晶元主要有三類產品，根據銷售額大小依次為：DRAM、NAND Flash 以及Nor Flash。在內存和快閃記憶體領域中，IDM 廠韓國三星和海力士擁有絕對的優勢，截止到2017年，在兩大領域合計市場份額分別為75.7%和49.1%，中國廠商競爭空間極為有限，武漢長江存儲試圖發展 3D Nand Flash(快閃記憶體)的技術，但目前僅處於 32 層快閃記憶體樣品階段，而三星、英特爾等全球龍頭企業已開始陸續量產 64 層快閃記憶體產品；在Nor flash 這個約為三四十億美元的小市場中，兆易創新是世界主要參與廠家之一，其他主流供貨廠家為台灣旺宏，美國Cypress，美國美光，台灣華邦。

4）FPGA、AD/DA 等高端通用型晶元，國內外技術懸殊。

這些領域由於都是屬於通用型晶元，具有研發投入大，生命周期長，較難在短期聚集起經濟效益，因此在國內公司層面發展較為緩慢，甚至有些領域是停滯的。

總的來看，晶元設計的上市公司，都是在細分領域的國內最強。比如2017 年匯頂 科技 在指紋識別晶元領域超越FPC 成為全球安卓陣營最大指紋IC 提供商，成為國產設計晶元在消費電子細分領域少有的全球第一。士蘭微從集成電路晶元設計業務開始，逐步搭建了晶元製造平台，並已將技術和製造平台延伸至功率器件、功率模塊和MEMS 感測器的封裝領域。但與國際半導體大廠相比，不管是高端晶元設計能力，還是規模、盈利水平等方面仍有非常大的追趕空間。

二、設備

目前，我國半導體設備的現況是低端製程實現國產替代，高端製程有待突破，設備自給率低、需求缺口較大。

關鍵設備技術壁壘高，美日技術領先，CR10 份額接近80%，呈現寡頭壟斷局面。半導體設備處於產業鏈上游，貫穿半導體生產的各個環節。按照工藝流程可以分為四大板塊——晶圓製造設備、測試設備、封裝設備、前端相關設備。其中晶圓製造設備占據了中國市場70%的份額。再具體來說，晶圓製造設備根據製程可以主要分為8 大類，其中光刻機、刻蝕機和 薄膜沉積設備這三大類設備占據大部分的半導體設備市場。同時設備市場高度集中，光刻機、CVD 設備、刻蝕機、PVD 設備的產出均集中於少數歐美日本巨頭企業手上。

中國半導體設備國產化率低，本土半導體設備廠商市佔率僅佔全球份額的1-2%。

關鍵設備在先進製程上仍未實現突破。目前世界集成電路設備研發水平處於12 英寸7nm，生產水平則已經達到12 英寸14nm；而中國設備研發水平還處於12 英寸14nm，生產水平為12 英寸65-28nm，總的來看國產設備在先進製程上與國內先進水平有2-6 年時間差；具體來看65/55/40/28nm 光刻機、40/28nm 的化學機械拋光機國產化率依然為0，28nm化學氣相沉積設備、快速退火設備、國產化率很低。

三、材料

半導體材料發展歷程

▲各代代表性材料主要應用

▲第二、三代半導體材料技術成熟度

細分領域已經實現彎道超車，核心領域仍未實現突破，半導體材料主要分為晶圓製造材料和封裝材料兩大塊。晶圓製造材料中，矽片機硅基材料最高佔比31%，其次依次為光掩模版14%、光刻膠5%及其光刻膠配套試劑7%。封裝材料中，封裝基板佔比最高，為40%，其次依次為引線框架16%，陶瓷基板11%，鍵合線15%。

日美德在全球半導體材料供應上佔主導地位。各細分領域主要玩家有：矽片——Shin-Etsu、Sumco，光刻膠——TOK、Shipley，電子氣體——Air Liquid、Praxair，CMP——DOW、3M，引線架構——住友金屬，鍵合線——田中貴金屬、封裝基板——松下電工，塑封料——住友電木。

（1）靶材、封裝基板、CMP 等，我國技術已經比肩國際先進水平的、實現大批量供貨、可以立刻實現國產化。已經實現國產化的半導體材料典例——靶材。

（2）矽片、電子氣體、掩模板等，技術比肩國際、但仍未大批量供貨的產品。

（3）光刻膠，技術仍未實現突破，仍需要較長時間實現國產替代。

四、製造

晶圓製造環節作為半導體產業鏈中至關重要的工序，製造工藝高低直接影響半導體產業先進程度。過去二十年內國內晶圓製造環節發展較為滯後，未來在國家政策和大基金的支持之下有望進行快速追趕，將有效提振整個半導體行業鏈的技術密度。

半導體製造在半導體產業鏈里具有卡口地位。製造是產業鏈里的核心環節，地位的重要性不言而喻。統計行業里各個環節的價值量，製造環節的價值量最大，同時毛利率也處於行業較高水平，因為Fabless+Foundry+OSAT 的模式成為趨勢，Foundry 在整個產業鏈中的重要程度也逐步提升，可以這么認為，Foundry 是一個卡口，產能的輸出都由製造企業所掌控。

代工業呈現非常明顯的頭部效應 根據IC Insights 的數據顯示，在全球前十大代工廠商中，台積電一家占據了超過一半的市場份額，2017 年前八家市場份額接近90%，同時代工主要集中在東亞地區，美國很少有此類型的公司，這也和產業轉移和產業分工有關。我們認為，中國大陸通過資本投資和人才集聚，是有可能在未來十年實現代工超越的。

「中國製造」要從下游往上游延伸，在技術轉移路線上，半導體製造是「中國製造」尚未攻克的技術堡壘。中國是個「製造大國」，但「中國製造」主要都是整機產品，在最上游的「晶元製造」領域，中國還和國際領先水平有很大差距。

在從下游的製造向「晶元製造」轉移過程中，一定要涌現出一批技術領先的晶圓代工企業。在晶元貿易戰打響之時，美國對我國製造業技術封鎖和打壓首當其沖，我們在努力傳承「兩彈一星」精神，自力更生艱苦創業的同時，如何處理與台灣地區先進企業台積電、聯電之間的關系也會對後續發展產生較大的蝴蝶效應。

五、封測

當前大陸地區半導體產業在封測行業影響力為最強，市場佔有率十分優秀，龍頭企業長電 科技 /通富微電/華天 科技 /晶方 科技 市場規模不斷提升，對比台灣地區公司，大陸封測行業整體增長潛力已不落下風，台灣地區知名IC 設計公司聯發科、聯詠、瑞昱等企業已經將本地封測訂單逐步轉向大陸同業公司。封測行業呈現出台灣地區、美國、大陸地區三足鼎立之態，其中長電 科技 /通富微電/華天 科技 已通過資本並購運作，市場佔有率躋身全球前十（長電 科技 市場規模位列全球第三），先進封裝技術水平和海外龍頭企業基本同步，BGA、WLP、SiP 等先進封裝技術均能順利量產。

封測行業我國大陸企業整體實力不俗，在世界擁有較強競爭力，美國主要的競爭對手為Amkor 公司，在華業務營收佔比約為18%，封測行業美國市場份額一般，前十大封測廠商中，僅有Amkor 公司一家，應該說貿易戰對封測整體行業影響較小，從短中長期而言，Amkor 公司業務取代的可能性較高。

封測行業位於半導體產業鏈末端，其附加價值較低，勞動密集度高，進入技術壁壘較低，封測龍頭日月光每年的研發費用占收入比例約為4%左右，遠低於半導體IC 設計、設備和製造的世界龍頭公司。隨著晶圓代工廠台積電向下游封測行業擴張，也會對傳統封測企業會構成較大的威脅。

2017-2018 年以後，大陸地區封測（OSAT）業者將維持快速成長，目前長電 科技 /通富微電已經能夠提供高階、高毛利產品，未來的3-5 年內，大陸地區的封測企CAGR增長率將持續超越全球同業。

5. 紫光國微行業分析,002049行業分析

近來，科技板塊表現突出，相關個股的上漲很多，市場上的投資者也將目光投向了科技板塊。今天我們就來具體講講科技板塊中細分行業，特種集成電路行業的領頭羊--紫光國微。

在開始分析紫光國微前，給大家分享我排好名次的特種集成電路行業龍頭股名單，點擊即可獲得： 寶藏資料：特種集成電路行業龍頭股一覽表

一、從公司角度來看

公司介紹：紫光國微是國內特種集成電路老大，主營集成電路晶元設計與銷售，壓電石英晶體元器件的開發、生產與銷售，LED藍寶石襯底材料生產和銷售。此公司生產的產品主要有SIM卡晶元、銀行IC卡晶元、存儲器、匯流排器件等。

大家瀏覽完了紫光國微的基本情況，下面了解一下紫光國微公司有什麼優勢，適不適合投資呢？

亮點一：擁有創新技術以及眾多的知識產權

公司在創新技術方面有很突出的表現，建立了單片及組件匯流排產品的設計、驗證和測試平台，現場可編程技術與系統集成晶元被結合，現已成功研發了具備現場可編程功能的高性能系統集成產品；通過多年的努力開發實踐之下，公司在集成電路的設計和產業化方面積累了很多的經驗，在智能安全晶元、特種集成電路等核心產品領域，人才和知識產權優勢超越業內，擁有多項發明專利，讓產品核心競爭力的提升確立了堅固的基礎。

亮點二：突出的市場渠道與品牌優勢

公司積累的客戶資源也是十分雄厚的，與全球各大行業客戶形成緊密合作，產品在全球各地的市場上都有賣。並且與智慧連接、智慧金融等方面廠商開展長遠的戰略配合，晶元生態系統越來越發展強大，品牌知名度和影響力一直在提高。 將來，公司將不斷注重市場需求，抓住物聯網、工業互聯網、汽車電子以及數字貨幣等方面快速進展的機會，發揚技術、人才方面的優勢，把不一樣的產品與服務提供，與此同時在產業鏈上下游市場上進行了積極開拓，在獲得資本市場力量幫助的情況下，達成了公司戰略發展的目標，不斷地在行業內學習與探索，使自己變得更強大。

篇幅有規定，更多關於紫光國微的深度報告和風險提示，學姐已經整合到這篇研報里了，直接戳這里就可以了： 【深度研報】紫光國微點評，建議收藏！

一、從行業角度來看

科技板塊成長性很強，處在一條景氣度十足的賽道上。作為科技板塊的細分行業，特種集成電路廣泛地應用在現代軍事武器中，美國的科技封鎖、我國的政策支持以及國防信息化的需求牽引為我國特種集成電路產業提供更好的發展環境。因為資質、技術、市場等都屬於該行業的多重壁壘，競爭格局基本穩定；下游智能晶元的需求空間非常大，這也給國產提供了充分的替代空間，行業內還有非常充足的發展餘地。紫光國微子藉助其多年技術的積累、充足的產品線、涉及面廣的市場布局，有希望在國產化的大背景下，使市場優勢地位更加穩固，從而在行業的發展當中優先獲得紅利。

綜合而言，本人認為紫光國微現在已經屬於特種集成電路行業里的龍頭老大，能夠在這個行業轉變的關頭，趁著時代較好，迎來高速發展。不過文章還是存在滯後性的，比較好奇紫光國微未來行情的話，戳一下這個鏈接就可以了，會有專業的投顧為你提供診股的幫助，能夠知道紫光國微現在行情是不是在一個買入或賣出的好時機：【免費】測一測紫光國微還有機會嗎？

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6. 我在一家IC封測公司工作,我一直搞不明白生產出來的晶元可以在測試機上多次跑,但是燒晶元的話卻只能一兩次

晶元測試是驗證晶元實現規定功能能力的過程，它不破壞晶元內部結構。
燒寫晶元是把微代碼裝入晶元的存儲器中，它必須通過「破壞」存儲陣列的位結構來達到目的。存儲器一旦燒寫後，就永久定型，不可再次重復，所以，燒寫晶元只能一次。

7. 半導體封測龍頭股票有哪些

半導體封測的龍頭企業有：長電科技、華天科技、通富微電、晶方科技、環旭電子等。.
1、長電科技(600584)： 全球領先封測廠商，公司作為全球領先的封測廠商，無論在技術還是規模上均與海外龍頭處於同一梯隊，是半導體國產化的重要力量。未來隨著長電紹興項目的穩步推進，有望與華為、中芯國際進行更為廣泛的合作，虛擬IDM模式逐漸成型，成為大陸半導體產業鏈的基石。華創證券指出，2019年公司順利實現扭虧，財務費用顯著下降，2020年一季報逆勢高增長，產能利用率顯著提升，產品結構持續改善，毛利率同比提升3.4%，降本增效措施持續推進。
2、華天科技(002185)：產能布局加快公司一季度凈利潤同比大增276.1%。公司2020年目標為實現營收是90億元。在技術層面逐步完善TSV、Fan-Out等產品開發和量產，產能布局上加快華天南京、華天寶雞等項目建設和投產，發揮Unisem全球化優勢。
3、通富微電(002156)：多領域積極布局，公司是我國封測行業龍頭，高端客戶佔比較高，在處理器封測、存儲器封測、功率器件封測和化合物半導體封測等多個領域積極布局。為了把握國產替代機會公司積極擴張。
4、晶方科技(603005)：公司專注於感測器領域的晶圓級封裝，同時具備8英寸、12英寸晶圓級晶元尺寸封裝規模量產能力，是國內該領域的龍頭企業。公司收購Anteryon後可形成產業互補，有利於公司的產業鏈延伸與布局，快速有效進入智慧物聯網相關的新興應用領域，取得新的業務機會與利潤增長點。
拓展資料
具體在半導體材料這個環節中，相關受益個股有：晶瑞股份、強力新材、南大光電、江化微、巨化股份、昊華科技、興發集團、華特氣體、上海新陽等。
下面介紹幾支細分行業的龍頭個股：
1、中微公司(688012) 2、長川科技(300604
3、晶瑞股份(300655) 4、上海新陽(300236)

8. 華為正式發布問界M7；長鑫存儲15項發明專利曝光

消費電子IC封裝需求將疲軟至2023Q1

據業內消息人士透露，由於消費電子設備銷售低迷，消費MCU、MOSFET、低端邏輯 IC和電源管理 IC (PMIC)等消費電子IC的封裝需求已顯著下降，並可能持續至2023 年第一季度末。

消息人士稱，俄烏戰爭引發的高通貨膨脹削弱了消費者的購買力和意願，消費電子晶元供應商和下游系統製造商繼續消化過多的庫存。

「封測廠商下半年3C及IT應用晶元封裝需求較上半年下降幅度超預期，而那些在 汽車 和工業應用領域表現較弱的廠商將經歷更艱難的下半年。」消息人士說道。

據了解，從目前的市況來看，消費電子封測需求疲軟，車用封測訂單大增，以封測龍頭日月光為例，該公司CFO董宏思表示，車用電子相關業務將同步押注封測（ATM）、電子代工服務（EMS），預期今年車用晶元封測業務將占集團比重逾7%。業內人士預期日月光今年車用晶元封測營收貢獻有望達10億美元新高。

網曝余承東現場考察友商理想L9

AITO 汽車 此前已經宣布，旗下第二款車型問界M7將於7月4日正式發布。定位於中大型SUV，採用了三排六座布局，競爭對手鎖定了當下大火的理想ONE。在問界M7發布的前一天，有 汽車 博主爆料稱，余承東前往理想 汽車 深圳前海卓悅店體驗理想第二款車型——理想L9了，據說在現場研究了四十多分鍾，每個位置、每個特點都看得很仔細，最後笑嘻嘻的走了。

對此，有網友調侃：「李想說理想L9是500萬以內沒對手，那問界M7怎麼的也得是800萬內沒對手了吧？」據此前爆料，問界M7搭載由1.5T四缸渦輪增壓增程器與華為雙電機所組成的增程式混動系統。1.5T增程器最大功率92kW，前後驅動電機最大功率為130kW/200kW，綜合最大功率330kW。此外，新車配備40.06kWh電池組，純電模式下WLTC續航里程150km。

美光 科技 三季度營收86.4億美元

7月1日，美光 科技 公司公布了其截至2022年6月2日的第三季度業績報告。

根據報告，美光 科技 的營業收入為86.4億美元，上一季度為77.9億美元，去年同期為74.2億美元，該公司毛利率為46.7%。GAAP凈收入為26.3億美元，或攤薄後每股2.34美元。非GAAP凈收入為29.4億美元，或每股攤薄收益2.59美元。營業現金流為38.4億美元，上一季度為36.3億美元，去年同期為35.6億美元。

蘋果供應鏈台灣廠商：未接獲砍單通知

據報道，市場傳出蘋果考量通膨導致消費緊縮，下修iPhone 14新機初期備貨量，由原定9000萬支減少10%。台灣供應鏈廠商表示，並未收到蘋果砍單通知，iPhone 14首批9000萬的出貨目標保持不變。鴻海iPhone最大組裝基地預計8月下旬開始大規模生產iPhone 14。

消息稱華為在俄羅斯大舉招聘員工

7月3日消息，據俄羅斯《生意人報》援引求職服務平台hh.ru的消息報道，華為公司在俄羅斯積極招聘新員工。今年上半年，華為公司空缺職位數量814個，較去年同期增長49%，去年為545個。

華為公司在銷售領域的職位空缺數量是此前的4倍多，如果2021年該公司招聘27名員工，今年已經是117名。此外，華為俄羅斯分公司積極招聘以下領域專業水平高的專家，包括信息技術和通信領域（職位空缺數增加了33%）、設備維護和安裝專家（增加了186%），以及大學生和實習生（增加了132%）。該公司還將電子產品生產和維護專家的空缺職位數量增加了233%。

據悉自從俄烏戰爭以來，已經有許多大型 科技 公司宣布停止向俄羅斯供貨，其中，蘋果宣布在俄羅斯停售產品；微軟宣布暫停在俄羅斯銷售所有新的產品和服務；英特爾和AMD也已暫停向俄羅斯和白俄羅斯供貨。

長鑫存儲15項發明專利曝光

7月4日消息，據天眼查資料顯示，近日，國產內存晶元廠商——長鑫存儲技術有限公司公開了名為「磁性存儲器及其讀寫方法」、「存儲節點接觸結構的形成方法及半導體結構」、「半導體結構的制備方法、半導體結構和半導體存儲器」等15項發明專利。

晶元短缺致使國外 汽車 銷量暴跌

7月3日消息，據彭博社報道，在過去幾個月里，特斯拉、福特、通用 汽車 、Rivian 和 Lucid 紛紛提高了其電動車的定價，部分原因是為了抵消電池原材料的成本飆升。

除此之外，晶元短缺以及供應鏈中斷也是拖累 汽車 供應的一個主要因素。外媒調查發現，今年上半年美國 汽車 平均漲價幅度達 13%，而不斷上漲的標價往往會使消費者望而生畏，進一步導致美國 汽車 銷量下滑。

據介紹，今年晶元短缺主要影響了包括通用 汽車 在內的大多數 汽車 製造商，但豐田 汽車 和日產 汽車 等亞洲品牌受到的影響最大。一些車企對全球晶元短缺持樂觀態度，他們認為此次缺芯危機將很快消退，而另一些車企則對下半年的供應能力表示懷疑。

特斯拉歐洲工廠關閉兩周改革生產流程

據報道，特斯拉將從7月初開始關閉歐洲超級工廠兩周。由於生產緩慢，這家位於柏林附近的工廠預計將在開業三個月後關閉。為期兩周的停工將用於實施生產流程改革，該工廠的目標是將電動 汽車 年產量從5.2萬輛提高到約50萬輛。目前在整個生產過程中採用的是兩班倒的方式，預計將改為三班倒。

華為正式發布問界M7

7月4日，華為正式發布AITO品牌第二款車問界M7，去年12月，華為發布AITO問界M5，今年3月問界M5開始批量交付，華為透露，M5上市第87天累計銷量破萬。

寒武紀擬定增募資近 26.5 億元

近日，寒武紀發布公告稱，公司擬向特定對象發行 A 股股票募集資金總額不超過 265,000.00 萬元，扣除發行費用後，實際募集資金將用於先進工藝平台晶元項目、穩定工藝平台晶元項目、面向新興應用場景的通用智能處理器技術研發項目和補充流動資金。

其中，先進工藝平台晶元項目擬使用 80,965.22 萬元募集資金投資，本項目內容包括建設先進工藝平台，基於先進工藝研發一款高算力、高訪存帶寬的智能晶元，並研發晶元配套的軟體支撐系統。