存儲控制器價格
① 電腦內存條什麼時候降價為什麼今年內存條價格比以前貴了近3倍
在過去的2016年，整個DRAM、快閃記憶體產業被漲價、缺貨等問題籠罩，造成這些問題的根源是什麼？在2017年SSD/內存市場又將會迎來什麼樣的變化？漲價、缺貨還會延續到什麼時候？今天我們就來聊聊存儲漲價那些事。
內存漲價：每一年一次的"大姨媽"？
內存漲價，其實並不是什麼新鮮事，因為這幾年時間，內存市場好像在玩捉迷藏，漲跌規律不定。可以"白菜價"到讓人懷疑會不會買到假內存？可以高價到讓人覺得這是不是內存廠商惡意抄高價格，像炒房一樣。
如果認真去翻翻這幾年內存市場行情，你會發現一條波浪線循環著：2012年前後大白菜價、2013年大漲價、2014年有所回落、2015年降到低谷、2016年持續上揚，2017年……。2017年，僅僅用了不到1個月時間，內存整體價格就上漲幅度超18%，漲價之兇猛多年未見了。
（1）DDR4內存價格
以京東上銷量前茅的HyperX Fury DDR4-2400 8G單條為例，我們為看看近半年，它的價格走勢圖（從2016年8月開始）。
京東平台上，目前HyperX Fury DDR-2400 8G單條的銷量為第一。從近半年價格走勢圖來看，在去年8月份，價格僅為289元。那時大家已覺得貴了，期待一年一度雙11大促，然而11.11當天，報價高達339元，之後一直猛漲至如今479元，漲幅度超過65%。
雙通道8Gx2 DDR4-2400 內存價格同樣跟風上漲，從最初的500多元，漲到如今799元 ，讓想升級大容量內存的用戶增加購機的成本。
而追求高頻率的用戶更心疼了，像影馳名人堂DDR4-3600 高頻內存套裝已經從最低價時999元，漲至如今1199元，漲了200元。
目前不同容量、不同頻率、不同品牌、不同型號的DDR4內存無一不在漲價，且漲幅創下近年來新高，關鍵是這種趨勢將持續下去，沒有任何的市場訊號顯示，內存價格近期有回落的餘地。
（2）DDR3內存的價格
目前DDR4內存是市場的主力，DDR3內存逐漸退出，但是由於Intel擠牙膏式升級，用戶換新平台缺乏動力，升級老舊平台是明智之選，所以對DDR3內存價格的關注不亞於DDR4內存。
以京東銷量不錯的經典威剛普條萬紫千紅 DDR3 1600 8G單條來說，從當初的238元，漲至如今的359元，漲幅超過50%。記得，筆者在2012年以169元入手這條內存，用到了2017年，買二手還能賺個翻倍的價錢，論保值率，內存不輸給黃金啊。
SSD漲價：一漲回到解放前
近年來，相對於內存價格的陰晴不定，SSD固態硬碟的價格總體上走低。過去SSD由於高昂的售價只屬於少數派，但是TLC快閃記憶體的普及拉低SSD的成本，使得SSD的價格越來越便宜。在2015年至2016年上半年，120G/240G SSD價格一度降至299元/399元，512G SSD也有不少低至599、699元。很多預言家斷定，隨著SSD價格的不斷走低，將全面取代HDD。
不過，普及遭遇阻力，在2016年下半年開始，SSD的價格全面上調，一路上漲，漲幅超過市場預期，讓很多還在觀望的用戶感嘆不如早早入手。
金士頓UV400 120G SSD近半年價格走勢圖（從2016年8月開始）
從金士頓UV400 120G的價格走勢圖來看，2016年8月價格低至296元，如今漲至369元，漲了73元，漲幅24%。
三星750 EVO 250G SSD近半年價格走勢圖（從2016年8月開始）
240G/256G容量也不例外，以三星750 EVO 250G為例，近半年來價格漲得有點離譜，從最低價的439元，已經飈至619元，漲了180元，漲幅41%。
不同容量，不同型號，不同品牌、不同介面的SSD固態硬碟都在跟風上漲，這一波行情繼續上漲的信號強烈，短期也沒有回落的跡象。
什麼原因導致內存價格大幅度上漲？
上游DRAM內存顆粒價瘋漲
來自於DRAMeXchange的DRAM價格
內存行業觀察者DRAMeXchange集邦科技最新統計結果顯示，DRAM協議價已經突破了最近18個月的新高點。進入2017年僅過了一個月，4Gb DDR4內存顆粒的協議價已經從2.837美元上升到3.347美元，漲幅達到了18%！而這僅僅是上游廠商的顆粒原料價，中間的內存控制器、PCB板以及組裝成本都在逐漸上漲，可想而知到一條內存成品誕生，其零售價的漲幅會非常的大。
DRAM顆粒嚴重缺貨
漲價，總是離不開市場的供需關系。顯然，內存這次漲價，這是主因，DRAM顆粒為什麼會缺貨呢？
由於內存市場不景氣，更新換代遲緩，市場需求不旺盛，目前主要DRAM內存大廠都沒有增產計劃，而且將主要產能轉移生產3D NAND快閃記憶體，造成DRAM內存供需短缺。
更新換代 致產能不足
DDR3內存自從2007年服役以來，至今已經走過了8個年頭。相比Intel的更新換代步伐來說，內存發展可謂相當緩慢。DDR4在2015年小規模面世，真正大規模鋪向市場是2016年。相比於DDR3，DDR4內存大不同，電壓、時序、頻率都相應變化，連金手指也不同，工廠由DDR3轉DDR4內存生產，這勢必造成一時產能的壓力。
人民幣匯率持續走低
內存的DRAM，快閃記憶體的NAND都是非常依賴進口，人民幣匯率持續走低，以美元為結算的貨幣體系下，漲價是必然的結果。不光是SSD、內存，幾乎全部的數碼電子產品今年都一定程度漲價。在DIY領域，包括主板、機箱、顯卡等近期都有漲價的趨勢或已經開始漲價。
猜想，還有一隻無形的手
全球的DRAM內存顆粒市場上，三星、SK海力士、美光已經呈現三分天下的架勢，其中三星無論工藝、產能還是佔有率都有絕對優勢。2014年第一個量產20nm DRAM工藝之後，如今三星再次領跑，已經量產了18nm DRAM。據韓國媒體報道，三星去年已經將70％的DRAM產能轉換到20nm，如今又進入了18nm時代，領先優勢進一步擴大。相比之下，SK海力士明年初才會量產18nm DRAM，而美光還停留在前往20nm的路上。
有報道稱，三星是這波DRAM內存價格上漲主要推手之一。目前三星超過7成晶元產能已經被蘋果/自家手機、大陸OPPO/Vivo瓜分，再供應給其他品牌十分有限，同時，一部分產能轉去生產成長速度最快的3D NAND快閃記憶體，進一步壓縮DRAM生產的空間。市場供需決定，讓三星有能力，有資格主導價格調整。有外媒評論就指出，此舉可能是三星為彌補其Note 7手機停產造成的損失。
當然，作為終端的廠商，金士頓、威剛、芝奇、海盜船等主要內存廠商也希望內存的價格有所上調，畢竟白菜價的內存隔一年就來一次，隔一年就內存廠商就要「吃草」。前段時間還鬧出某高端內存品牌面臨資金鏈斷裂，企業倒閉的風險，可見內存廠商活都不容易，有機會漲價，肯定不會錯過。
SSD漲價的背面原因：殊途同歸
跟內存一樣，SSD的成本主要來自於晶元，只不過由DRAM換成NAND快閃記憶體而已。目前具備生產NAND晶元的廠商唯數不多幾家，三星、Intel/美光、東芝、閃迪、海力士幾乎壟斷全球九成以上市場。現在面臨著2D NAND向3D NAND轉型，而除了三星、美光較成熟之外，其他家的3D NAND良品率並不太高，量產嚴重不足，致整體的NAND顆粒總出廠量不足，供應無法滿足市場需求，各大SSD廠商在爭奪本就不夠的快閃記憶體顆粒，必然會在競爭中抬高NAND出廠價，最終上漲的成本由消費者來承擔。
另一方面，受手機影響也比較大。在過去2016年，手機的容量幾乎翻倍，最高可達到256GB級別。手機里ROM所使用快閃記憶體晶元與SSD里快閃記憶體晶元生產來源是一致的。大容量手機出貨量的猛增，很快消耗掉原本產能就不足的快閃記憶體晶元，僧多肉少，SSD固態硬碟首當其沖受影響。
內存/SSD價格回歸預測：
內存：目前DRAM顆粒的行情呈現繼續上漲的趨勢，遠沒有NAND快閃記憶體樂觀，三星、美光等巨頭都表示，沒有增產DRAM計劃，且將更多的精力投入到3D NAND製造上來，這將更一步加劇DRAM供不應求的局面。這樣局面將導致內存價格繼續上漲。
筆者預測，今年第一季度，內存價格會沖擊高點，像DDR4-2400 8G單條還有100元左右上漲空間，而DDR4-2400/2800 8Gx2套裝還有100-200元上漲空間。今年內價格沒有回落的餘地。如果近段要買內存的用戶要抓緊了，後面還要接著漲。
SSD：SSD的情況要比內存好一些，2017年是3D NAND普及的元年，一旦突破技術瓶頸，提升良品率，3D NAND將大規模供應市場，東芝、閃迪、海力士等廠商釋放出積極信號，這一刻不會太遠，所以SSD固態硬碟面臨缺「芯」的日子不會太久。
西數於昨天宣布，成本更低的64層 512Gb TLC NAND晶元試產，意味著未來250G、500G及TB級別大容量SSD價格有望出現大幅跳水。且SSD正處於普及期，價格有很大回落的餘地。綜上，筆者認為SSD近期有上漲的趨勢，但不會全年處於上漲勢態，現在要購買SSD的用戶不妨再觀望觀望。
寫在最後：
內存/SSD上漲，正值開學季，又是一年一度裝機旺季，近段迫切裝機的用戶不盡要吐槽了，這波漲幅行情著實帶坑了。所以在最後，給大家挑幾款值得買的內存與SSD，僅供參考，入手需慎重，因為現在的價格都虛高。
② 固態硬碟為什麼比移動硬碟貴這么多有什麼區別
第一，數據存取速度快。根據國外相關媒體測試：在同樣配置的筆記本電腦下，運行大 型圖像處理軟體時能明顯感覺到SSD固態存儲器無論在保存還是在打開文件都更快。當按下筆 記本電腦的電源開關時，搭載SSD固態存儲器的筆記本從開機到出現桌面一共只用了18秒，而 搭載傳統硬碟的筆記本總共用了31秒，差距還是相當大的。 第二，經久耐用、防震抗摔。因為全部採用了快閃記憶體晶元，所以SSD固態存儲器內部不存在 任何機械部件，這樣即使在高速移動甚至伴隨翻轉傾斜的情況下也不會影響到正常使用，而且 在筆記本電腦發生意外掉落或與硬物碰撞時能夠將數據丟失的可能性降到最小。 第三，SSD固態存儲器工作時非常安靜，沒有任何噪音產生。得益於無機械部件及快閃記憶體芯 片發熱量小、散熱快等特點，SSD固態存儲器因為沒有機械馬達和風扇，工作時噪音值為0分貝。 第四，SSD固態存儲器比常規1.8英寸硬碟重量輕20-30克，可千萬別小看這些重量，在筆 記本電腦、衛星定位儀等隨身移動產品上，更小的重量有利於便攜。此外，重量的減輕也使得 筆記本搭載多塊SSD固態存儲器成為可能。
③ USB3.0到SATA存儲控制器symwave SW6316與SW6315的區別
暈，飈王優盤不咋的，價還老高，台電酷閃「潮」也是USB3.0，這優盤比那硬碟還好，或者你找找台電硬碟，絕對完勝飈王
SW6316是一款單晶元USB3.0到SATA存儲控制器。SW6316裝置是業界性能最高的解決方案，傳輸速度超過270MB/秒，可達到目前USB2.0技術產品的10倍以上，上線肯定有啦
15和16差不多的
④ 請教一下fc和sas存儲的區別
主機介面區別，就是存儲跟伺服器之間的連接方式：FC ,SAS,ISCIS,Infiniband，他們之間的速率有區別FC： 8G 4G 2G向下兼容，主流都是8G （一般san模式部署）SAS：12G 6G 3G 主流6G （一般不適合做san，目前看的不多，一般多作為存儲櫃的級聯介面）ISCSI：基於TCP/IP網路的，10G，1Ginfiniband：40G，一般做高性能運算環境使用。
主機磁碟介面，就是存儲裡面接硬碟的介面，一般有 FC SAS SATA SCSI(已out)FC 磁碟介面速率是4G ，轉速一般在10K 15K 2種，容量有600G， 450G，300GSAS 目前主流都是6G，轉速一般在10K 15K 2種，容量上同，如果你看到1T的SAS盤，轉速都是7K2，都是SATA加卡轉過來的，性能機會沒啥提升SATA 這個你們都知道的，速率7200，就是容量高。
存儲性能這個可以簡單的理解成2塊，1塊是存儲控制器的cache，架構決定，這個跟存儲價格成正比。還有就是硬碟的數量、轉速，raid方式決定。10塊 600G sas raid5的性能肯定要好於 10塊 SATA radi5的性能。但是會低於20塊600G sas raid5的性能。
⑤ 存儲控制器是什麼
在計算機設備管理器中
存儲控制器（memory controller）提供了訪問外部設備所需的信號，這是一種通過匯流排形式來訪問擴展的外設。
在嵌入式中，存儲控制器只是提供一種匯流排訪問的形式，所接的外設不一定是內存。
⑥ 太陽能路燈控制器價格
太陽能路燈控制器價格在130到160直接好的產品。
太陽能路燈控制器是太陽能路燈系統價格低但是作用最大的配件，它的好壞直接影響太陽能路燈的照明，用過的太陽能路燈系統的廠家或者是個人應該知道最容易出現問題的就是控制器。
■主要特點：
1、 根據蓄電池放電率特性曲線修正放電終了電壓（欠壓保護電壓值）；
2、 具有過充、過放、過載、防反接等保護功能；
3、 採用了串聯式PWM充電主電路，其電壓損失是使用二極體充電迴路的1/4，大大減少了場效應管的發熱量；採用自適應式直充（限流限壓）、均充（恆壓減流）、浮充（涓流）三階段充電法對蓄電池進行充電，延長了蓄電池的使用壽命；同時具有高精度溫度補償；
4、 使用八個LED發光管指示當前控制器的工作狀態和蓄電池電量，讓用戶更清楚地了解使用狀況；
5、 所有電子器件全部採用工業級晶元（僅對帶I工業級控制器），可適用於寒冷、高溫、潮濕環境。使用了單片機+晶振定時控制，定時控制精確可達+1秒/24小時。
6、 利用了E2ROM存儲器記錄各工作控制點和各參數設置值，消除了機械電位器帶來的可靠性低等問題；
7、 設置時用LED顯示參數以及參數值，配合雙鍵操作即可完成所有設置，使用極其方便直觀。
8、 具有雙路負載輸出，並且每一路均可進行光控+延時的設置，每一路的延時時間均可修改。
9、 對於天黑及天亮的判斷方法是：當光線暗到5LUX以下並且保持1分鍾以上，即判斷為天黑，當光線亮到7LUX以上並且保持1分鍾以上，即判斷為天亮。提高了抵抗煙花、閃電、汽車燈照等干擾的能力。
■ 主要技術指標
系統電壓： 12V /24V
過載、短路保護： 過載時延時10秒保護，關斷輸出；短路時立即保護並關斷輸出。
空載損耗： ≤10 mA
超壓保護： 17V，×2/24V；
工作溫度： 工業級：-35℃至+55℃ ，
提升充電電壓： 14.6V；×2/24V；(維持時間：10分鍾)（僅當出現過放電時）
直充充電電壓： 14.4V;×2/24V；(維持時間：10分鍾)
浮充： 13.5V;×2/24V；(維持時間：直至降到充電返回電壓動作)
充電返回電壓： 13.2V； ×2/24V；
溫度補償： -5mv/℃/2V（提升、直充、浮充、充電返回電壓補償）;
欠壓保護電壓： 11.1V-放電率補償修正的初始過放電壓（空載電壓）； ×2/24V；
欠壓返回電壓： 12.6V；×2/24V；
控制方式： 充電為PWM脈寬調制
⑦ 筆記本設備管理的存儲控制器是什麼東西
存儲控制器也就是硬碟控制器（HardDriveController）是電腦里的控制部件，管理硬碟數據和信息的流動，通常使用兩種類型的控制器：IDE和SCSI，IDE是IntegratedDriveElectronics（集成驅動器電子）的縮寫，SCSI是SmallComputerSystemsInterface（小型計算機系統介面）的縮寫。
以上是早期的配置，目前常見的控制器是SATA(對應個人電腦) 和SAS（對應伺服器）
⑧ 儲存控制器是什麼
存儲控制器也就是硬碟控制器（HardDriveController）是電腦里的控制部件，管理硬碟數據和信息的流動，通常使用兩種類型的控制器：IDE和SCSI，IDE是IntegratedDriveElectronics（集成驅動器電子）的縮寫，SCSI是SmallComputerSystemsInterface（小型計算機系統介面）的縮寫。
以上是早期的配置，目前常見的控制器是SATA(對應個人電腦) 和SAS（對應伺服器）