存儲器的製作
① 存儲器名詞解釋
電子計算機中用來存儲信息的裝置。有內存儲器和外存儲器之分。根據存儲媒體性質的不同,又可分半導體存儲器、磁存儲器和光存儲器等。
存儲器是許多存儲單元的集合,按單元號順序排列。每個單元由若干三進制位構成,以表示存儲單元中存放的數值,這種結構和數組的結構非常相似,故在VHDL語言中,通常由數組描述存儲器。
(1)存儲器的製作擴展閱讀:
構成存儲器的存儲介質主要採用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元,它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元,然後再由許多存儲單元組成一個存儲器。
存儲器結構在MCS - 51系列單片機中,程序存儲器和數據存儲器互相獨立,物理結構也不相同。程序存儲器為只讀存儲器,數據存儲器為隨機存取存儲器。
從物理地址空間看,共有4個存儲地址空間,即片內程序存儲器、片外程序存儲器、片內數據存儲器和片外數據存儲器,I/O介面與外部數據存儲器統一編址。
② 手機屏壞了怎麼把裡面存儲設備取出來製作成移動存儲設備
手機裡面有內存卡的話,就把內存卡里的東西利用電腦或是另一部手機導出來,然後再存到U盤或是移動硬碟上。如果自己不會操作的話,直接拿手機去營業廳的售後維修部,讓專業的人員幫助你。
③ 怎樣製作簡易24CXX存儲器讀寫工具
1、先買一個電腦列印機的列印線(兩端有插頭);
④ 硬碟如何製作成網路存儲器
現在不少人在玩nss,需要買一個這樣的設備就可以,但是要會裝系統。淘寶上有人賣200多一個邁拓的二手貨
⑤ 如何製作一個簡易電能存儲器
大容量,高品質電容可以的。其它的除了電池還真沒有見過。
⑥ 我的世界紅石存儲器怎麼做 紅石存儲器製作教程
RS存鎖器(不知道是不是這個名字)?
那個你
可以去看看
魚干
的紅石教程。有一集有講到的。還有
籽岷
鬼鬼
領域服里
那個僵屍
籠也用到了RS存鎖器
⑦ 存儲器的結構
1cpu的內部
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存儲器結構
存儲器結構
第一層:通用寄存器堆
第二層:指令與數據緩沖棧
第三層:高速緩沖存儲器
第四層:主儲存器(DRAM)
第五層:聯機外部儲存器(硬磁碟機)
第六層:離線外部儲存器(磁帶、光碟存儲器等)
這就是存儲器的層次結構~~~ 主要體現在訪問速度~~~
2工作特點
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存儲器結構
存儲器結構① 設置多個存儲器並且使他們並行工作。本質:增添瓶頸部件數目,使它們並行工作,從而減緩固定瓶頸。
② 採用多級存儲系統,特別是Cache技術,這是一種減輕存儲器帶寬對系統性能影響的最佳結構方案。本質:把瓶頸部件分為多個流水線部件,加大操作時間的重疊、提高速度,從而減緩固定瓶頸。
③ 在微處理機內部設置各種緩沖存儲器,以減輕對存儲器存取的壓力。增加CPU中寄存器的數量,也可大大緩解對存儲器的壓力。本質:緩沖技術,用於減緩暫時性瓶頸。
一、RAM(Random Access Memory,隨機存取存儲器)
RAM的特點是:電腦開機時,操作系統和應用程序的所有正在運行的數據和程序都會放置其中,並且隨時可以對存放在裡面的數據進行修改和存取。它的工作需要由持續的電力提供,一旦系統斷電,存放在裡面的所有數據和程序都會自動清空掉,並且再也無法恢復。
3具體結構分類
編輯
根據組成元件的不同,RAM內存又分為以下十八種:
01.DRAM(Dynamic RAM,動態隨機存取存儲器)
這是最普通的RAM,一個電子管與一個電容器組成一個位存儲單元,DRAM將每個內存位作為一個電荷保存在位存儲
存儲器結構
存儲器結構單元中,用電容的充放電來做儲存動作,但因電容本身有漏電問題,因此必須每幾微秒就要刷新一次,否則數據會丟失。存取時間和放電時間一致,約為2~4ms。因為成本比較便宜,通常都用作計算機內的主存儲器。
02.SRAM(Static RAM,靜態隨機存取存儲器)
靜態,指的是內存裡面的數據可以長駐其中而不需要隨時進行存取。每6顆電子管組成一個位存儲單元,因為沒有電容器,因此無須不斷充電即可正常運作,因此它可以比一般的動態隨機處理內存處理速度更快更穩定,往往用來做高速緩存。
03.VRAM(Video RAM,視頻內存)
它的主要功能是將顯卡的視頻數據輸出到數模轉換器中,有效降低繪圖顯示晶元的工作負擔。它採用雙數據口設計,其中一個數據口是並行式的數據輸出入口,另一個是串列式的數據輸出口。多用於高級顯卡中的高檔內存。
04.FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM,快速頁切換模式動態隨機存取存儲器)
改良版的DRAM,大多數為72PIN或30Pin的模塊。傳統的DRAM在存取一個BIT的數據時,必須送出行地址和列地址各一次才能讀寫數據。而FRM DRAM在觸發了行地址後,如果CPU需要的地址在同一行內,則可以連續輸出列地址而不必再輸出行地址了。由於一般的程序和數據在內存中排列的地址是連續的,這種情況下輸出行地址後連續輸出列地址就可以得到所需要的數據。FPM將記憶體內部隔成許多頁數Pages,從512B到數KB不等,在讀取一連續區域內的數據時,就可以通過快速頁切換模式來直接讀取各page內的資料,從而大大提高讀取速度。在96年以前,在486時代和PENTIUM時代的初期,FPM DRAM被大量使用。
05.EDO DRAM(Extended Data Out DRAM,延伸數據輸出動態隨機存取存儲器)
這是繼FPM之後出現的一種存儲器,一般為72Pin、168Pin的模塊。它不需要像FPM DRAM那樣在存取每一BIT 數據時必須輸出行地址和列地址並使其穩定一段時間,然後才能讀寫有效的數據,而下一個BIT的地址必須等待這次讀寫操作完成才能輸出。因此它可以大大縮短等待輸出地址的時間,其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般應用於中檔以下的Pentium主板標准內存,後期的486系統開始支持EDO DRAM,到96年後期,EDO DRAM開始執行。。
存儲器結構
存儲器結構06.BEDO DRAM(Burst Extended Data Out DRAM,爆發式延伸數據輸出動態隨機存取存儲器)
這是改良型的EDO DRAM,是由美光公司提出的,它在晶元上增加了一個地址計數器來追蹤下一個地址。它是突發式的讀取方式,也就是當一個數據地址被送出後,剩下的三個數據每一個都只需要一個周期就能讀取,因此一次可以存取多組數據,速度比EDO DRAM快。但支持BEDODRAM內存的主板可謂少之又少,只有極少幾款提供支持(如VIA APOLLO VP2),因此很快就被DRAM取代了。
07.MDRAM(Multi-Bank DRAM,多插槽動態隨機存取存儲器)
MoSys公司提出的一種內存規格,其內部分成數個類別不同的小儲存庫 (BANK),也即由數個屬立的小單位矩陣所構成,每個儲存庫之間以高於外部的資料速度相互連接,一般應用於高速顯示卡或加速卡中,也有少數主機板用於L2高速緩存中。
08.WRAM(Window RAM,窗口隨機存取存儲器)
韓國Samsung公司開發的內存模式,是VRAM內存的改良版,不同之處是它的控制線路有一、二十組的輸入/輸出控制器,並採用EDO的資料存取模式,因此速度相對較快,另外還提供了區塊搬移功能(BitBlt),可應用於專業繪圖工作上。
09.RDRAM(Rambus DRAM,高頻動態隨機存取存儲器)
Rambus公司獨立設計完成的一種內存模式,速度一般可以達到500~530MB/s,是DRAM的10倍以上。但使用該內存後內存控制器需要作相當大的改變,因此它們一般應用於專業的圖形加速適配卡或者電視游戲機的視頻內存中。
10.SDRAM(Synchronous DRAM,同步動態隨機存取存儲器)
這是一種與CPU實現外頻Clock同步的內存模式,一般都採用168Pin的內存模組,工作電壓為3.3V。 所謂clock同步是指內存能夠與CPU同步存取資料,這樣可以取消等待周期,減少數據傳輸的延遲,因此可提升計算機的性能和效率。
11.SGRAM(Synchronous Graphics RAM,同步繪圖隨機存取存儲器)
SDRAM的改良版,它以區塊Block,即每32bit為基本存取單位,個別地取回或修改存取的資料,減少內存整體讀寫的次數,另外還針對繪圖需要而增加了繪圖控制器,並提供區塊搬移功能(BitBlt),效率明顯高於SDRAM。
12.SB SRAM(Synchronous Burst SRAM,同步爆發式靜態隨機存取存儲器)
一般的SRAM是非同步的,為了適應CPU越來越快的速度,需要使它的工作時脈變得與系統同步,這就是SB SRAM產生的原因。
13.PB SRAM(Pipeline Burst SRAM,管線爆發式靜態隨機存取存儲器)
CPU外頻速度的迅猛提升對與其相搭配的內存提出了更高的要求,管線爆發式SRAM取代同步爆發式SRAM成為必然的選擇,因為它可以有效地延長存取時脈,從而有效提高訪問速度。
14.DDR SDRAM(Double Data Rate二倍速率同步動態隨機存取存儲器)
作為SDRAM的換代產品,它具有兩大特點:其一,速度比SDRAM有一倍的提高;其二,採用了DLL(Delay Locked Loop:延時鎖定迴路)提供一個數據濾波信號。這是目前內存市場上的主流模式。
15.SLDRAM (Synchronize Link,同步鏈環動態隨機存取存儲器)
這是一種擴展型SDRAM結構內存,在增加了更先進同步電路的同時,還改進了邏輯控制電路,不過由於技術顯示,
存儲器結構
存儲器結構投入實用的難度不小。
16.CDRAM(CACHED DRAM,同步緩存動態隨機存取存儲器)
這是三菱電氣公司首先研製的專利技術,它是在DRAM晶元的外部插針和內部DRAM之間插入一個SRAM作為二級CACHE使用。當前,幾乎所有的CPU都裝有一級CACHE來提高效率,隨著CPU時鍾頻率的成倍提高,CACHE不被選中對系統性能產生的影響將會越來越大,而CACHE DRAM所提供的二級CACHE正好用以補充CPU一級CACHE之不足,因此能極大地提高CPU效率。
17.DDRII(Double Data Rate Synchronous DRAM,第二代同步雙倍速率動態隨機存取存儲器)
DDRII 是DDR原有的SLDRAM聯盟於1999年解散後將既有的研發成果與DDR整合之後的未來新標准。DDRII的詳細規格目前尚未確定。
18.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)
是下一代的主流內存標准之一,由Rambus 公司所設計發展出來,是將所有的接腳都連結到一個共同的Bus,這樣不但可以減少控制器的體積,已可以增加資料傳送的效率。
二、ROM(READ Only Memory,只讀存儲器)
ROM是線路最簡單半導體電路,通過掩模工藝,一次性製造,在元件正常工作的情況下,其中的代碼與數據將永久保存,並且不能夠進行修改。一般應用於PC系統的程序碼、主機板上的 BIOS (基本輸入/輸出系統Basic Input/Output System)等。它的讀取速度比RAM慢很多。
4組成元件分類
編輯
ROM內存又分為以下五種:
存儲器結構
存儲器結構1.MASK ROM(掩模型只讀存儲器)
製造商為了大量生產ROM內存,需要先製作一顆有原始數據的ROM或EPROM作為樣本,然後再大量復制,這一樣本就是MASK ROM,而燒錄在MASK ROM中的資料永遠無法做修改。它的成本比較低。
2.PROM(Programmable ROM,可編程只讀存儲器)
這是一種可以用刻錄機將資料寫入的ROM內存,但只能寫入一次,所以也被稱為「一次可編程只讀存儲器」(One Time Progarmming ROM,OTP-ROM)。PROM在出廠時,存儲的內容全為1,用戶可以根據需要將其中的某些單元寫入數據0(部分的PROM在出廠時數據全為0,則用戶可以將其中的部分單元寫入1), 以實現對其「編程」的目的。
3.EPROM(Erasable Programmable,可擦可編程只讀存儲器)
這是一種具有可擦除功能,擦除後即可進行再編程的ROM內存,寫入前必須先把裡面的內容用紫外線照射它的IC卡上
存儲器結構
存儲器結構的透明視窗的方式來清除掉。這一類晶元比較容易識別,其封裝中包含有「石英玻璃窗」,一個編程後的EPROM晶元的「石英玻璃窗」一般使用黑色不幹膠紙蓋住, 以防止遭到陽光直射。
4.EEPROM(Electrically Erasable Programmable,電可擦可編程只讀存儲器)
功能與使用方式與EPROM一樣,不同之處是清除數據的方式,它是以約20V的電壓來進行清除的。另外它還可以用電信號進行數據寫入。這類ROM內存多應用於即插即用(PnP)介面中。
5.Flash Memory(快閃記憶體)
這是一種可以直接在主機板上修改內容而不需要將IC拔下的內存,當電源關掉後儲存在裡面的資料並不會流失掉,在寫入資料時必須先將原本的資料清除掉,然後才能再寫入新的資料,缺點為寫入資料的速度太慢。
⑧ 當前計算機內存儲器使用的是什麼材料
晶圓
由於是晶體材料,其形狀為圓形,所以稱為晶圓。襯底材料有硅、鍺、GaAs、InP、GaN等。由於硅最為常用,如果沒有特別指明晶體材料,通常指硅晶圓。
在硅晶片上可加工製作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能的集成電路產品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。
(8)存儲器的製作擴展閱讀
經常會看到有些以尺寸表示的晶圓廠,如12英寸晶圓廠,8英寸晶圓廠。12英寸指的是晶圓的直徑,差不多相當於300mm,晶圓尺寸越大,製造難度越高,切割的出來的晶元也會更多。隨著晶元尺寸越來越小,一塊晶圓上可以切割出數千個晶元。
12英寸目前是市場的主流,將近七成的晶圓產能為12英寸,8英寸的產能逐漸減少。接下來就是包括光刻,製作晶體管,晶圓切割,測試,封裝等一系列復雜工序,最後得到晶元成品。
⑨ 什麼存儲器是採用快閃記憶體晶元製作的
快閃記憶體檔。
快閃記憶體晶元是快閃記憶體(快閃記憶體)的主要部件,主要分為NOR型和NAND型兩大類。 在一般的U盤和手機之類的產品中都可以見到它,而mp3、MP4中的快閃記憶體晶元則為SLC與MLC的居多,晶元內部的存儲單元陣列為(256M +8. 192M) bit ×8bit , 數據寄存器和緩沖存儲器均為(2k + 64) bit ×8bit 。
快閃記憶體檔和U盤的區別:
1、共同點:快閃記憶體檔和U盤都沒有機械讀寫裝置,避免了移動硬碟容易碰傷、跌落等原因造成的損壞;防潮防磁,耐高低溫(-40°C ~ +70°C)等特性。
2、區別:快閃記憶體需要外部設備(讀卡器)才能與電腦交換數據;而U盤可直接和電腦交換數據,快閃記憶體檔使用壽命比U盤長。
⑩ 怎樣製作簡易24CXX存儲器讀寫工具
大家好!僅有這個讀寫器是不行的,還需要燒錄軟體的。先我共享給大家。 本人在網上搜索了一款24C、93C系列存儲器(E2PROM、EEPROM、EPROM)讀寫器,它可以打開以BIN為後綴的二進制24C、93C系列存儲器數據文件。使用25針列印口LPT1(埠地址為378H)埠工作。經我改進後設計如下線路圖。主要是在各個數據輸入端加了保護電阻,增加開關,使其使用的時候不必要拔插頭關機。但是由於在開著計算機,所以開關電源的時候產生的脈沖干擾對主機的影響是很大,必須考慮,所以本人在電源輸入部分加了電容、電感、電阻來保護主機的安全。當工作的時候本電路電源供電為3.3V左右,但是讀寫的數據是沒有問題。本站提供DOS和WINDOWS兩個版本的操作程序。 DOS程序,本程序不遜色於某些大型軟體,介面也很簡單,稍加熟悉便會使用。注意本程序在其它系統下使用可能會有錯誤。 1 介面的左上角是軟體的名稱及版本號:24C×× PROGRAMER VER1.0; 2 介面的右上角是被寫晶元的名稱和類型:Mfr:ATMEL Type:AT24C01A(預設值)。 3 中間大范圍的部分是代碼編輯緩沖區,可以將晶元中的內容先讀入到該編輯區,重新編輯後再寫回到晶元中去。也可以將緩沖區中的內容以二進制文件的形式存放到硬碟上,或將硬碟上的二進制文件調入緩沖區,再寫入到晶元中去。 4 中間靠右側是彈出式菜單條,可用上下箭頭選取菜單,再按回車鍵執行。也可以按加亮的大寫字母所代表的鍵進行相應的操作。 5 左下部是代碼保存的二進制文件名輸入區FileName。 6 中下部是晶元的起始地址StartAddr和結束地址EndAddr。 7 右下部是緩沖區代碼的校驗和Check Sum。 菜單功能介紹: 1 晶元類型選擇—Type,按T鍵彈出一個菜單,按數字鍵1~9可分別選擇下列晶元:AT24C01A、AT24C02、AT24C04、AT24C08、AT24C16、AT24C32、AT24C64、AT24C128、AT24C256。 2 Read—讀片,按R鍵可將晶元數據讀入到緩沖區。 3 Auto—自動編程,按A鍵可自動完成寫片、校驗等一連串操作。 4 Blank check—空片檢查,按B鍵可檢查晶元是否為空片(FF)。 5 Erase—晶元擦除,按E鍵可擦除整個晶元,即將晶元寫入全1(FF)。 6 Program—晶元編程,按P鍵可將緩沖區內容寫入到晶元中去。 7 Verify—晶元校驗,按V鍵可比對緩沖區數據和晶元內數據是否一致,若不相等則給出不相等數據的首地址。 8 lock bit—位鎖定,暫不能用。 9 Load—裝入檔,按L鍵並輸入文件名,可將2進制文件裝入到數據緩沖區。 10 Save—保存緩沖區內容,按S鍵可將緩沖區內容保存為二進制文件。 11 eDit—編輯緩沖區數據,按D鍵可編輯、修改緩沖區內容。 12 clear Memory—清緩沖區,按M鍵可全部清除緩沖區內容,以FF填滿。 13 unlock—解鎖,暫不能用。 14 abOut—查看軟體信息,按O鍵可查看到關於該軟體的一些信息,如軟體名稱、版本數、作者等。 15 Quit—退出鍵,按Q鍵可退出該程序。 16 PgUp——上翻頁。 17 PgDn—下翻頁。 windows中文版本僅支持24C系列的存儲器。支持98、ME、2000、XP等系統。由於全是中文,本站就不對其具體解釋程序中的文字意思,只對其使用方法介紹一下: 製作好讀寫器連接電腦的列印口後,裝上待讀寫的存儲器(24C系列)打開軟體,點「設置」選擇相對應的存儲器型號(24C01-24C256)然後點確定。 如果要讀存儲器數據,就直接點「讀晶元」讀好後點「保存」選擇要保存的目錄保存就可以了。 如果要寫晶元。首先點「打開」選擇文件,注意存儲器的容量確保和選擇的文件大小一致。選擇好後,點「寫晶元」就可以把選擇好的數據寫進去存儲器IC內部了。 常用的串列存儲器分為24系列與93系列兩種,分別有自己獨特的通訊協議。24系列目前市面常見的有24C01A/02/04/08/16/32/64/256。93系列常見有93C46/56/66/76/86。做為手機或CALL的碼片廣泛存在於這些通訊設備中。因此這些器件的讀寫成為維修的最基本問題。 注意:美國AT、ST、BR公司生產的24C××系列存儲器其⑦腳需接地才能寫入數據;而韓國KOA、KOR、KS公司生產的24C××系列存儲器其⑦腳則需接高電平才能寫入數據。 PCF(PCA)85系列的腳位排列以及工作方式基本和24C系列一樣。可以相互代換 三個系列的存儲器存儲空間與型號說明位元組\型號\廠商ATMEL24C系列PCF(PCA)85系列M93CXX系列1K(128x8bit)24C01APCF858193C462K(256x8bit)24C02PCF8582/85102C-2/85103C-293C564K(512x8bit)24C04PCF8592/8594C-293C668K(1024x8bit)24C08PCF8598C-293C7616K(2048x8bit)24C16PCF85116C-393C8632K(4096x8bit)24C32 64K(8182x8bit)24C64 128K(16364x8bit)24C128 256K(32728x8bit)24C256