存儲器ddr3

『壹』 ddr3是什麼意思

DDR3是計算機內存的規格。最新的規格為DDR5。

DDR3屬於SDRAM家族的存儲器產品，提供相較於DDR2 SDRAM更高的運行性能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍數據率同步動態隨機存取存儲器）的後繼者（增加至八倍）。

DDR3 SDRAM為了更省電、傳輸效率更快，使用SSTL 15的I/O介面，運作I/O電壓是1.5V，採用CSP、FBGA封裝方式包裝，除了延續DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增更為精進的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。

(1)存儲器ddr3擴展閱讀

DDR3由於新增一些功能，所以在引腳方面會有所增加，8bit晶元採用78球FBGA封裝，16bit晶元採用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是環保封裝，不能含有任何有害物質。

由於DDR3的預取為8bit，所以突發傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對於DDR2和早期的DDR架構的系統，BL=4也是常用的，DDR3為此增加一個4-bit Burst Chop（突發突變）模式

即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數據突發傳輸，屆時可透過A12位址線來控制這一突發模式。而且需要指出的是，任何突發中斷操作都將在DDR3存儲器中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發傳輸控制（如4bit順序突發）。

『貳』 內存條上的DDR3是啥意思

DDR3內存是指第三代DDR內存。
DDR內存是現代計算機廣泛使用的內存類型，發展至今已經有DDR，DDR2，DDR3和DDR4四種，分別指第一代DDR內存，第二代DDR內存，第三代DDR內存和第四代DDR內存。現在應用最廣泛的是DDR3內存。嚴格來說，這種內存的全稱應為DDR SDRAM，意即雙倍速率同步動態隨機存儲器。每一代DDR都是上一代產品的升級版本，其工作方式相同，最主要的提升就是速率的增加。
關於DDR內存的詳細信息，可見網路的相關詞條。

『叄』 內存DDR3和DDR3L有什麼區別

1、工作電壓不同

DDR3電壓為1.5V，DDR3L電壓為1.35V。

2、兼容性不一樣

DDR3與DDR3L在大多數情況下兼容，但在Haswell平台下卻不完全兼容IntelHaswl處理器，IntelHaswl為了更好的降低功耗，其支持的內存類型只有DDR3L，並不能兼容DDR3。

3、功耗有所區別

DDR3內存採用1.5V工作電壓，而DDR3L內存則是1.35V工作電壓，DDR3L低壓內存大約比DDR3標壓內存節能2W左右。

4、性能上有所區別

DDR3標壓內存相比DDR3L低壓內存，性能強了大約10-15%左右。

5、價格區別

DDR3L低壓內存相比DDR3標壓內存要略便宜一些

『肆』 內存類型DDR3 SDRAM什麼意思

DDR3 SDRAM意思是SDRAM家族的三代內存規格。

DDR3提供相較於DDR2 SDRAM更高的運行性能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM（四倍數據率同步動態隨機存取存儲器）的後繼者。

DDR3採用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制匯流排的負擔。採用100nm以下的生產工藝，將工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，增加非同步重置（Reset）與ZQ校準功能。

(4)存儲器ddr3擴展閱讀

在DDR3系統中，對於內存系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務的VREFCA和為數據匯流排服務的VREFDQ，這將有效地提高系統數據匯流排的信噪等級。

在DDR3系統中，一個內存控制器只與一個內存通道打交道，而且這個內存通道只能有一個插槽，因此，內存控制器與DDR3內存模組之間是點對點（P2P）的關系（單物理Bank的模組），或者是點對雙點的關系（雙物理Bank的模組），從而大大地減輕了地址/命令/控制與數據匯流排的負載。

『伍』 DDR3內存還能堅持幾年

現在討論DDR3內存還能堅持幾年是不太現實的。2007年發行的DDR3內存還依然占據著半壁江山，甚至還有少數人在使用2003年發行的DDR2內存。個人的電腦想升級換代是很容易的一件事情，但公司、銀行、金融行業、政府、工廠等批量采購電腦一般要用十多年，采購完就進入長期的維護期（主板壞了換主板、內存壞了換內存）。所以現在市面上還有很多DDR3內存、支持DDR3的主板在銷售。

但DDR4帶來的變革是勢在必行，少數的游戲玩家、專業設計者（3D、視頻剪輯等）是最先更新，然後隨著新采購的電腦和舊電腦壞了更新換代，DDR3會逐漸的退出歷史舞台。以上個人淺見，歡迎批評指正。認同我的看法，請點個贊再走，感謝！喜歡我的，請關注我，再次感謝！

『陸』 DDR4內存與DDR3內存區別在哪兒

DDR4內存與DDR3內存有什麼區別呢?下面是我為大家介紹區別DDR4內存與DDR3內存的方法,歡迎大家閱讀。

如今DDR4已經欲勢待發，只是在等待相應的主板與CPU上市了，那麼相比DDR3，都有了哪些比較重要的改進呢?

DDR4內存與DDR3內存區別在哪裡

1.DDR4內存條外觀變化明顯，金手指變成彎曲狀

2.DDR4內存頻率提升明顯，可達4266MHz

3.DDR4內存容量提升明顯，可達128GB

4.DDR4功耗明顯降低，電壓達到1.2V、甚至更低

很多電腦用戶可能對於內存的內在改進不會有太多的關注，而外在的變化更容易被人發現，一直一來，內存的金手指都是直線型的，而在DDR4這一代，內存的金手指發生了明顯的改變，那就是變得彎曲了，其實一直一來，平直的內存金手指插入內存插槽後，受到的摩擦力較大，因此內存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個問題，DDR4將內存下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證DDR4內存的金手指和內存插槽觸點有足夠的接觸面，信號傳輸確保信號穩定的同時，讓中間凸起的部分和內存插槽產生足夠的摩擦力穩定內存。

其次，DDR4內存的金手指本身設計有較明顯變化。金手指中間的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點數量方面，普通DDR4內存有284個，而DDR3則是240個，每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm，筆記本電腦內存上使用的SO-DIMM DDR4內存有256個觸點，SO-DIMM DDR3有204個觸點，間距從0.6毫米縮減到了0.5毫米。

第三，標准尺寸的DDR4內存在PCB、長度和高度上，也做出了一定調整。由於DDR4晶元封裝方式的改變以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB層數相比DDR3更多，而整體尺寸也有了不同的變化，如上圖。

頻率和帶寬提升巨大

DDR4最重要的使命當然是提高頻率和帶寬。DDR4內存的每個針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過70%。在DDR在發展的過程中，一直都以增加數據預取值為主要的性能提升手段。但到了DDR4時代，數據預取的增加變得更為困難，所以推出了Bank Group的設計。

Bank Group架構又是怎樣的情況?具體來說就是每個Bank Group可以獨立讀寫數據，這樣一來內部的數據吞吐量大幅度提升，可以同時讀取大量的數據，內存的等效頻率在這種設置下也得到巨大的提升。DDR4架構上採用了8n預取的Bank Group分組，包括使用兩個或者四個可選擇的Bank Group分組，這將使得DDR4內存的每個Bank Group分組都有獨立的激活、讀取、寫入和刷新操作，從而改進內存的整體效率和帶寬。如此一來如果內存內部設計了兩個獨立的Bank Group，相當於每次操作16bit的數據，變相地將內存預取值提高到了16n，如果是四個獨立的Bank Group，則變相的預取值提高到了32n。

如果說Bank Group是DDR 4內存帶寬提升的關鍵技術的話，那麼點對點匯流排則是DDR4整個存儲系統的關鍵性設計，對於DDR3內存來說，目前數據讀取訪問的機制是雙向傳輸。而在DDR4內存中，訪問機制已經改為了點對點技術，這是DDR4整個存儲系統的關鍵性設計。

在DDR3內存上，內存和內存控制器之間的連接採用是通過多點分支匯流排來實現。這種匯流排允許在一個介面上掛接許多同樣規格的晶元。我們都知道目前主板上往往為雙通道設計四根內存插槽，但每個通道在物理結構上只允許擴展更大容量。這種設計的特點就是當數據傳輸量一旦超過通道的承載能力，無論你怎麼增加內存容量，性能都不見的提升多少。這種設計就好比在一條主管道可以有多個注水管，但受制於主管道的大小，即便你可以增加註水管來提升容量，但總的送水率並沒有提升。因此在這種情況下可能2GB增加到4GB你會感覺性能提升明顯，但是再繼續盲目增加容量並沒有什麼意義了，所以多點分支匯流排的好處是擴展內存更容易，但卻浪費了內存的位寬。

因此，DDR4拋棄了這樣的設計，轉而採用點對點匯流排：內存控制器每通道只能支持唯一的一根內存。相比多點分支匯流排，點對點相當於一條主管道只對應一個注水管，這樣設計的好處可以大大簡化內存模塊的設計、更容易達到更高的頻率。不過，點對點設計的問題也同樣明顯：一個重要因素是點對點匯流排每通道只能支持一根內存，因此如果DDR4內存單條容量不足的話，將很難有效提升系統的內存總量。當然，這難不道開發者，3DS封裝技術就是擴增DDR4容量的關鍵技術。

容量劇增 最高可達128GB

3DS(3-Dimensional Stack，三維堆疊)技術是DDR4內存中最關鍵的技術之一，它用來增大單顆晶元的容量。

3DS技術最初由美光提出的,它類似於傳統的堆疊封裝技術，比如手機晶元中的處理器和存儲器很多都採用堆疊焊接在主板上以減少體積—堆疊焊接和堆疊封裝的差別在於，一個在晶元封裝完成後、在PCB板上堆疊;另一個是在晶元封裝之前，在晶元內部堆疊。一般來說，在散熱和工藝允許的情況下，堆疊封裝能夠大大降低晶元面積，對產品的小型化是非常有幫助的。在DDR4上，堆疊封裝主要用TSV硅穿孔的形式來實現。

所謂硅穿孔，就用激光或蝕刻方式在矽片上鑽出小孔，然後填入金屬聯通孔洞，這樣經過硅穿孔的不同矽片之間的信號可以互相傳輸。在使用了3DS堆疊封裝技術後，單條內存的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說，目前常見的大容量內存單條容量為8GB(單顆晶元512MB，共16顆)，而DDR4則完全可以達到64GB，甚至128GB。

更低功耗 更低電壓

更低的電壓：這是每一代DDR進化的必備要素，DDR4已經降至1.2V

首先來看功耗方面的內容。DDR4內存採用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，溫度補償自刷新，主要用於降低存儲晶元在自刷新時消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，溫度補償自動刷新，和T CSE類似)、DBI(Data Bus Inversion，數據匯流排倒置，用於降低VDDQ電流，降低切換操作)等新技術。

這些技術能夠降低DDR4內存在使用中的功耗。當然，作為新一代內存，降低功耗最直接的方法是採用更新的製程以及更低的電壓。目前DDR4將會使用20nm以下的工藝來製造，電壓從DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移動版的SO-DIMMD DR4的電壓還會降得更低。而隨著工藝進步、電壓降低以及聯合使用多種功耗控制技術的情況下，DDR4的功耗表現將是非常出色的。

人們對於DDR4的期望是相當高的，對於它的上市已經等待已久，不過要知道DDR3花了足足三年的時間才完成對DDR2的取代，而DDR4的野心卻是大多了，雖然要到今年底才會正式登場亮相，但是明年就有打算要佔據半壁江山，成為新的主流規格。接下來讓我們看一下近期關於各個廠商關於DDR4內存的生產發布情況。

支持下一代處理器 威剛DDR4內存曝光

威剛近日正式宣布了自己的首批DDR4內存產品，威剛首發的DDR4並不多，只有標準的伺服器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，額定頻率也是2133MHz，電壓1.2，產品編號AD4R2133W4G15、AD4R2133Y8G15、AD4R2133Y16G15。

不過威剛表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等類型也都正在研發之中，很快就會陸續推出。

這些內存都是供伺服器、工作站使用的，威剛也說他們一直在與Intel密切合作，其DDR4內存完全支持下一代伺服器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。

至於消費級的DDR4內存，誰也沒有任何消息，不過Intel將在第三季度推出首個支持DDR4的桌面發燒平台Haswell-E，相信很快就會有新內存跟上。

2400MHz DDR4試產 美光DDR4大規模開工

威剛早些時候正式宣布了他們的首批DDR4內存產品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4內存已經大規模投產，並在逐步提高產量。

美光表示，目前量產的是4Gb DDR4內存顆粒，標准頻率為2133MHz，並特別與Intel合作，針對將在下半年發布的下一代伺服器平台Xeon E5-2600 v3進行了優化。

新平台架構基於22nm Haswell-EP，將取代去年9月份發布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向雙路伺服器領域。

目前已經發布的DDR4內存頻率都只有2133MHz，這其實是DDR3也可以輕松達到的高度，自然不能凸顯新內存的優勢。美光稱，2400MHz DDR4正在試產，預計2015年正式投產(也就是說今年別期望啥了)。

美光還透露，他們將陸續推出符合JEDEC DDR4標準的完整產品線，涵蓋RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各種規格，ECC也可選有無，到今年第三季度初的時候還會增加NVDIMM。

窄條兼容性強 Virtium發布DDR4內存

DDR4內存終於全面開花結果了。嵌入式存儲廠商Virtium今天也推出了他們的DDR4產品，而且非常特殊，首次採用了ULP超小型規格，高度只有區區17.8毫米(0.7英寸)。

DDR4 DIMM內存的標准高度為31.25毫米，稍稍高於DDR3 30.35毫米，而在筆記本上的SO-DIMM高度為30毫米，針對高密度伺服器的VLP甚小型規格只有18.3-18.7毫米(0.72-0.738英寸)。

ULP則是所有類型中最為小巧的，只有標准型的一半多，適用於空間狹窄的嵌入式領域。

Virtium ULP DDR4內存也是伺服器型的URIMM，單條容量4GB(單Rank)、8GB(雙Rank)、16GB(雙Rank)，標准頻率2133MHz，標准電壓1.2V，標准耐受溫度范圍0～85℃，擴展/工業耐受溫度范圍-25/-40～95℃，五年質保。

Virtium表示，這種內存已經經過了客戶的測試和驗證，即將批量供貨。

DDR4變活躍 三星加速投產DDR4內存顆粒

這段時間，各大內存顆粒、模組廠商都突然活躍起來，紛紛宣揚各自的DDR4產品進展，而作為DRAM行業領頭羊、第一家量產DDR4的三星電子又怎麼能保持沉默?韓國巨頭近日宣布，正在加速投產DDR4內存顆粒、內存條。

和威剛、美光一樣，三星也特別提到了Intel將在下半年發布的新一代伺服器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，稱自家的DDR4內存就是為該平台准備的。