電荷存儲效應

Ⅰ mos管是什麼原理起什麼作用

• 工作原理：

  MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極體做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極體快。其主要原理如圖：

  

• 作用：

  由於MOS管主要是為配件提供穩定的電壓，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和內存插槽附近。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組MOS管，而內存插槽則共用了一組MOS管，MOS管一般是以兩個組成一組的形式出現主板上的。

Ⅱ 基於MOS管柵極電容的電荷存儲效應 請問這個效應如何進行具體表述，查了很多資料，講的都不是很確切

MOS是場控器件，意味著只要柵極電壓達到閾值，其DS之間的溝道即會打開。但由於其柵源之間有等效電容，故無論是開通或關斷或放大的時候，其響應均會受電容影響，有所延遲。因為電容電壓不會突變，這就是存儲效應。

Ⅲ 二極體的反向恢復時間是什麼意思

二極體在接反向電壓的時候，在兩邊的空穴和電子是不接觸的，沒有電流流過，但是同時形成了一個等效電容，如果這個時候改變兩邊的電壓方向，自然有一個充電的過程，這個時間就是二極體反向恢復時間。用示波器可以看到結電容的充電時間的。實際上是由電荷存儲效應引起的, 反向恢復時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。
實際的意義在於：該過程使二極體不能在快速連續脈沖下當做開關使用。如果反向脈沖的持續時間比反向恢復時間 短, 則二極體在正、反向都可導通, 起不到開關作用。因此了解二極體反向恢復時間對正確選取二級管和合理設計電路非常重要。（ts 稱為儲存時間, tf 稱為下降時間。tr= ts+ tf 稱為反向恢復時間,）

Ⅳ 什麼叫二極體的反向恢復時間，希望說下原理

反向恢復時間（trr)，它的定義是：電流通過零點由正向轉換成反向，再由反向轉換到規定值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。

原理：反向恢復過程是由電荷存儲效應引起的，反向恢復時間就是正向導通時PN結存儲的電荷耗盡所需要的時間。假設為Trr，若有一周期為T1的連續PWM波通過二極體，當Trr>T1時，二極體反方向時就不能阻斷此PWM波，起不到開關作用。二極體的反向恢復時間由Datasheet提供。

(4)電荷存儲效應擴展閱讀

快恢復二極體的特點：快恢復二極體的最主要特點是它的反向恢復時間（trr)在幾百納秒（ns)以下，超快恢復二極體甚至能達到幾十納秒。反向恢復時間快使二極體在導通和截止之間迅速轉換，可獲得較高的開關速度，提高了器件的使用頻率並改善了波形。

開關從導通狀態向截止狀態轉變時，二極體或整流器在二極體阻斷反向電流之前需要首先釋放存儲的電荷，這個放電時間被稱為反向恢復時間,在此期間電流反向流過二極體。即從正向導通電流為0時到進入完全截止狀態的時間。

Ⅳ 電力二極體的動態特性中,為什麼會出現電壓過沖呢

二極體和一般開關的不同在於「開」與「關」由所加電壓的極性決定, 而且「開」態有微小的壓降UF,「關」態有微小的電流i0。當電壓由正向變為反向時, 電流並不立刻成為(- i0) , 而是在一段時間td反向電流始終很大，二極體並不關斷。

經過td後反向電流才逐漸變小再經過tf 時間二極體的電流才成為 (- i0) , td 稱為儲存時間, tf 稱為下降時間。trr= td+ tf 稱為反向恢復時間。

正向PN結的電荷存儲效應給電力二極體帶來的主要優缺點： 優點：電導調制效應使通態壓降較低，在正向電流增大時通態壓降增加很少。 缺點：反向關斷過程中會引起反向恢復電流和反向恢復時間，使開關頻率降低。

肖特基二極體

以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體稱為肖特基勢壘二極體（Schottky Barrier Diode--SBD），簡稱為肖特基二極體。肖特基二極體的優點在於：反向恢復時間很短（10~40ns），正向恢復過程中也不會有明顯的電壓過沖；在反向耐壓較低的情況下其正向壓降也很小，明顯低於快恢復二極體。因此，其開關損耗和正向導通損耗都比快速二極體還要小，效率高。

Ⅵ mos管是什麼原理，起什麼作用的

MOS管的原理：

它是利用VGS來控制「感應電荷」的多少，以改變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。在製造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

作用：

1、可應用於放大電路。由於MOS管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。

2、很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用於多級放大器的輸入級作阻抗變換。

3、可以用作可變電阻。

4、可以方便地用作恆流源。

5、可以用作電子開關。

簡介：

mos管，即在集成電路中絕緣性場效應管。是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconctor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

結構特點：

MOS管的內部結構如下圖所示;其導通時只有一種極性的載流子(多子)參與導電，是單極型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都採用垂直導電結構，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。

p溝道mos管

其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大於閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。

Ⅶ 電力二極體的動態特性及其為什麼

1、正向PN結的電荷存儲效應給電力二極體帶來的主要優缺點： 優點：電導調制效應使通態壓降較低，在正向電流增大時通態壓降增加很少。 缺點：反向關斷過程中會引起反向恢復電流和反向恢復時間，使開關頻率降低。 2、正向通態壓降的大致范圍0.7-1.2V； 3、主要參數：通態平均電流IF(AV)、反向耐壓URRM和反向恢復時間TRR； 普通二極體：反向恢復時間TRR在5uS以上。 快恢復二極體：0.8-1.1V的正向導通壓降，反向恢復時間數百納秒，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。超快恢復二極體的反向恢復電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。
肖特基二極體：其反向恢復時間極短10-40納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千毫安，而且反向漏電流較大，優點低功耗，大電流，開關頻率高，缺點耐壓低，一般低於200V。
這兩種管子通常用於開關電源。快恢復二極體主要應用在逆變電源中做整流元件. 追問： 什麼是電導調制效應，它是如何影響電力二極體的動態特性的 回答： 電導調制需效應是Webster效應，是在大注入時基區電導增大的現象；而基區寬度調制效應就是Early效應，是集電結電壓變化而致使基區寬度變化、並造成伏安輸出特性傾斜、使輸出電阻減小的現象；另外，基區寬度展寬效應就是Kirk效應，是在大電流下基區寬度增大的現象。這三種重要的效應是BJT的一種基本特性，
二極體在有正向電壓，並且正向電壓大於1V左右（每個管子不一樣，但大約這個范圍左右）的時候就會導通。但是施加了正向電壓不會立刻就導通，會有一點延遲，畢竟二極體是半導體，不是導體。大約是幾毫秒左右或者幾微秒的時間，每個管子也不一樣，具體看說明書。這就是延遲時間。反向恢復：二極體正向導通，電壓反向了會截止。但是二極體自己有電容結，所以會反應比較慢。電壓一反向，它並不會立刻就截止了，會繼續流一會兒電流，即使這個電流是反向的（電壓現在反向了，電流當然基本上也是反向的了），但是反向的電流會把二極體的結電容里的電放完，然後就可以截止了，這個過程所花的時間，就是反向恢復時間。正向恢復時間？我沒聽說過。。。你杜撰出來的吧-_-b是開通的速度的意思嗎？是不是說由反向電壓轉到正向電壓後，會化多少時間開通二極體？下降時間是說電壓從正向變成反向的時候，電流下降到零，再反向成負值，再上升到零的這個過程所花的時間，比反向恢復時間長一點點，大概長個二分之一吧。

Ⅷ 電荷存儲、 解析度和閥值、 接觸電勢 分別的名詞解釋

電荷存儲是一種特殊的pn結開關二極體，即在pn結兩邊的擴散區中存儲有大量少數載流子的二極體，以致在關斷時存儲時間很長，但是關斷時的下降時間tf幾乎為0（為ps數量級）。這種二極體具有很好的正向導電性，所以在正向電壓時能夠注入大量的少數載流子電荷到pn結兩邊的擴散區中去，從而可實現大量電荷的存儲。實際上電荷存儲二極體基本上與階躍恢復二極體是一致的。

Ⅸ 「多數載流子」和「少數載流子」的意義分別是什麼

多數載流子，少數載流子，它們都承擔著傳遞電流的作用，載流子（電荷）的定向運動，產生了電流。具體來說，不同的半導體器件，有的是多數載流子其主要作用，有的又是少數載流子起重要作用。所以半導體器件，又分為多子器件和少子器件。你比如說，雙極型器件，如BJT，PiN二極體，這些都是少數載流子器件。特點是電流能力大，但是開關速度相對較低，因為有少子電荷存儲效應。
於此對應的，多數載流子器件，如MOSFET，肖特基二極體，這些是單極器件，起作用的是多數載流子。由於沒有了少子存儲效應，所以特點是開關速度很快，可以工作在高的頻率下，但是電流能力不如雙極型器件。
所以，你問多數載流子少數載流子的意義，其實它們都是電流的承擔者和貢獻者，就看具體器件應用中，誰佔主要作用了。
希望對你有幫助