pcm相變存儲器
❶ LPCM與PCM的區別
LPCM與PCM的唯一區別在於采樣頻率和量化精度不同。
一、LPCM（線性脈沖編碼調制）是一種非壓縮音頻數字化技術，是一種未壓縮的原音重現，是非壓縮的數字化技術，碼率較大。
二、而PCM（脈沖編碼調制）是一種將模擬語音信號變換為數字信號的編碼方式。PCM主要經過3個過程：抽樣、量化和編碼。抽樣過程將連續時間模擬信號變為離散時間、連續幅度的抽樣信號，量化過程將抽樣信號變為離散時間、離散幅度的數字信號，編碼過程將量化後的信號編碼成為一個二進制碼組輸出。
(1)pcm相變存儲器擴展閱讀:
PCM技術基礎：
1、一位可變
如同RAM或EEPROM，PCM可變的最小單元是一位。快閃記憶體技術在改變儲存的信息時要求有一步單獨的擦除步驟。而在一位可變的存儲器中存儲的信息在改變時無需單獨的擦除步驟，可直接由1變為0或由0變為1。
2、非易失性
相變存儲器如NOR快閃記憶體與NAND快閃記憶體一樣是非易失性的存儲器。RAM需要穩定的供電來維持信號，如電池支持。DRAM也有稱為軟錯誤的缺點，由微粒或外界輻射導致的隨機位損壞。早期Intel進行的兆比特PCM存儲陣列能夠保存大量數據，該實驗結果表明PCM具有良好的非易失性。
3、讀取速度
如同RAM和NOR快閃記憶體，PCM技術具有隨機存儲速度快的特點。這使得存儲器中的代碼可以直接執行，無需中間拷貝到RAM。PCM讀取反應時間與最小單元一比特的NOR快閃記憶體相當，而它的的帶寬可以媲美DRAM。相對的，NAND快閃記憶體因隨機存儲時間長達幾十微秒，無法完成代碼的直接執行。
4、寫入/擦除速度
PCM能夠達到如同NAND的寫入速度，但是PCM的反應時間更短，且無需單獨的擦除步驟。NOR快閃記憶體具有穩定的寫入速度，但是擦除時間較長。PCM同RAM一樣無需單獨擦除步驟，但是寫入速度（帶寬和反應時間）不及RAM。隨著PCM技術的不斷發展，存儲單元縮減，PCM將不斷被完善。
5、縮放比例
縮放比例是PCM的第五個不同點。NOR和NAND存儲器的結構導致存儲器很難縮小體型。這是因為門電路的厚度是一定的，它需要多於10V的供電，CMOS邏輯門需要1V或更少。
這種縮小通常被成為摩爾定律，存儲器每縮小一代其密集程度提高一倍。隨著存儲單元的縮小，GST材料的體積也在縮小，這使得PCM具有縮放性。
參考資料：網路-PCM
網路-LPCM
❷ 別克君威2003款PCM是什麼意思
別克君威2003款PCM，就是汽車電腦控制單元，有的汽車上是ECU或TCM，其實其作用都是汽車電腦控制單元。
❸ pcm是什麼意思，代表什麼
PCM是Phase Change Memory的簡稱，中文名稱為相變存儲器，它利用硫族化合物在晶態和非晶態巨大的導電性差異來存儲數據的。
PCM是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態下存在，這些狀態都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進行工作的。
原理：
一個電阻連接在GST層的下方。加熱/熔化過程隻影響該電阻頂端周圍的一小片區域。擦除/RESET脈沖施加高電阻即邏輯0，在器件上形成一片非晶層區域。SET脈沖用於置邏輯1，使非晶層再結晶回到結晶態。晶態是一種低能態;因此，當對非晶態下的材料加熱，溫度接近結晶溫度時，它就會自然地轉變為晶態。
在非晶態下，GST材料具有短距離的原子能級和較低的自由電子密度，使得其具有較高的電阻率。由於這種狀態通常出現在RESET操作之後，我們一般稱其為RESET狀態，在RESET操作中DUT的溫度上升到略高於熔點溫度，然後突然對GST淬火將其冷卻。
在晶態下，GST材料具有長距離的原子能級和較高的自由電子密度，從而具有較低的電阻率。一般稱其為SET狀態，在SET操作中，材料的溫度上升高於再結晶溫度但是低於熔點溫度，然後緩慢冷卻使得晶粒形成整層。晶態的電阻范圍通常從1千歐到10千歐。
以上內容參考：網路-PCM
❹ 科學家已經研製出了最小尺寸的相變存儲單元，這對計算系統有怎樣的意義呢
科學家已經研製出了最小尺寸的相變存儲單元，這對計算系統有怎樣的意義呢，如今數據產量呈爆炸式增長，傳統的馮諾依曼計算架構成為未來繼續提升計算系統性能的主要技術障礙。能夠集存儲和計算功能於一身的相變隨機存儲器是突破馮諾依曼計算架構瓶頸的理想路徑選擇。它具有非易失性、編程速度快、循環壽命長等優點。然而，在PCRAM中相變材料和加熱電極之間的接觸面積很大，這導致相變存儲器的高功耗。如何進一步降低功耗已經成為相變存儲器未來發展的最大挑戰之一。
非易失性存儲技術在許多方面取得了重大進展，為提高計算機系統的存儲能效帶來了新的機遇。利用新型非易失性存儲技術取代傳統存儲技術，可以滿足計算機技術發展對高存儲能效的需求。以相變存儲器(PCM)為代表的許多新型存儲技術，以其高集成度、低功耗的特點，引起了國內外研究者的關注。以上就是對科學家已經研製出了最小尺寸的相變存儲單元，這對計算系統有怎樣的意義呢這個問題的解答。
❺ 汽車中PCM是什麼意思啊
發動機控制模塊。
ECU 車身電腦（車載電腦）汽車上所有其他模塊都要與ECU進行通訊的 PCM 發動機控制模塊。
PCM會接受感測器信號，通過復雜的計算來控制燃油的供應量，空氣的配給（電子節氣門），噴油及點火的時機，進氣壓力的調整，還要根據溫度、負荷、爆震、燃燒狀況等來決定發動機的補償控制系數。
❻ PCM設備的接入、功能、輸出
就是脈沖編碼調制啊，笨
❼ 相變存儲器的工作原理
相變存儲器（PCM）是一種非易失存儲設備，它利用材料的可逆轉的相變來存儲信息。同一物質可以在諸如固體、液體、氣體、冷凝物和等離子體等狀態下存在，這些狀態都稱為相。相變存儲器便是利用特殊材料在不同相間的電阻差異進行工作的。
在非晶態下，GST材料具有短距離的原子能級和較低的自由電子密度，使得其具有較高的電阻率。由於這種狀態通常出現在RESET操作之後，一般稱其為RESET狀態，在RESET操作中DUT的溫度上升到略高於熔點溫度，然後突然對GST淬火將其冷卻。冷卻的速度對於非晶層的形成至關重要。非晶層的電阻通常可超過1兆歐。
在晶態下，GST材料具有長距離的原子能級和較高的自由電子密度，從而具有較低的電阻率。由於這種狀態通常出現在SET操作之後，我們一般稱其為SET狀態，在SET操作中，材料的溫度上升高於再結晶溫度但是低於熔點溫度，然後緩慢冷卻使得晶粒形成整層。晶態的電阻范圍通常從1千歐到10千歐。晶態是一種低能態；因此，當對非晶態下的材料加熱，溫度接近結晶溫度時，它就會自然地轉變為晶態。
典型的GST PCM器件結構頂部電極、晶態GST、α/晶態GST、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極組成。一個電阻連接在GST層的下方。加熱/熔化過程隻影響該電阻頂端周圍的一小片區域。擦除/RESET脈沖施加高電阻即邏輯0，在器件上形成一片非晶層區域。擦除/RESET脈沖比寫/SET脈沖要高、窄和陡峭。SET脈沖用於置邏輯1，使非晶層再結晶回到結晶態。
❽ 什麼是相變存儲器
相變存儲器簡稱PCM，是基於奧弗辛斯基在20世紀60年代末提出的奧弗辛斯基電子效應的存儲器。
奧弗辛斯基電子效應是指材料由非晶體狀態變成晶體，再變回非晶體的過程中，其非晶體和晶體狀態呈現不同的反光特性和電阻特性，因此可以利用非晶態和晶態分別代表「0」和「1」來存儲數據。
相變存儲器比起當今主流產品具有多種優勢，有望同時替代公眾熟知的兩大類存儲技術，如應用於U盤的可斷電存儲的快閃記憶體技術，又如應用於電腦內存的不斷電存儲的DRAM技術。
在存儲密度方面，目前主流存儲器在20多納米的技術節點上出現極限，無法進一步緊湊集成；而相變存儲器可達5納米量級。在存儲速度方面，相變存儲器的存儲單元比快閃記憶體快100倍，使用壽命也達百倍以上。
❾ pcm1606e晶元解碼怎麼樣
很快
pcm:相變存儲器(phase-changememory,pcm)是由ibm公司的研究機構所開發的一種新型存儲晶元
❿ 汽車pcm是什麼意思
對於擁有機動車的人都對於自己的愛車有所了解，但是大多數了解都是表面上的，而對於汽車的更深層次的理解還有所欠缺，那麼今天我們就來了解一下汽車的pcm，汽車的pcm是什麼意思？我們就先來了解一下pcm的基本知識，pcm的英文全程叫做Phase-change memory，譯為相變儲存器，是由IBM公司的研發機構所研發的一種新型的存儲晶元，而這種晶元現在也多用於汽車的發動機控制模塊。
pcm晶元可以接受感測器的信號，通過精確的計算來控制燃油的供應量，空氣的配給，噴油以及點火的時機，進氣壓力的調整，還要根據溫度、負荷、爆震、燃燒狀況等來決定發動機的補償控制系數。它是發動機控制的核心部件，根據各個感測器的輸入信息，控制發動機的燃油噴射和點火時刻，並為其他輸出裝置提供較佳的控制指令。