動態存儲需要周期性刷新

㈠ 動態ram的刷新方式有三種

定時刷新的原因：由於存儲單元的訪問是隨機的。
有可能某些存儲單元長期得不到訪問，不進行存儲器的讀/寫操作，其存儲單元內的原信息將會慢慢消失，為此，必須採用定時刷新的方法，它規定在一定的時間內，對動態RAM的全部基本單元電路必作一次刷新，一般取2ms，即刷新周期（再生周期）。
刷新與行地址有關。
刷新時一行行進行的，必須在刷新周期內，由專用的刷新電路來完成對基本單元電路的逐行刷新，才能保證DRAM內的信息不丟失。通常有三種方式刷新：集中刷新、分散刷新和非同步刷新。

㈡ 動態MOS存儲器為什麼要刷新常用的刷新方式有哪幾種

動態MOS存儲單元存儲信息的原理，是利用MOS管柵極電容具有暫時存儲信息的作用。但由於漏電流的存在，柵極電容上存儲的電荷不可能長久保持不變，因此為了及時補充漏掉的電荷，避免存儲信息丟失，需要定時地給柵極電容補充電荷，通常把這種操作稱作刷新或再生。 常用的刷新方式有三種，一種是集中式，另一種是分散式，第三種是非同步式。 集中式刷新：在整個刷新間隔內，前一段時間重復進行讀/寫周期或維持周期，等到需要進行刷新操作時，便暫停讀/寫或維持周期，而逐行刷新整個存儲器，它適用於高速存儲器。 分散式刷新：把一個存儲系統周期t c 分為兩半，周期前半段時間t m 用來讀/寫操作或維持信息，周期後半段時間t r 作為刷新操作時間。這樣，每經過128個系統周期時間，整個存儲器便全部刷新一遍。 非同步式刷新：前兩種方式的結合。同學們可以自己畫畫它的刷新周期圖。

㈢ 半導體動態存儲器為什麼要刷新刷新的主要方式有哪三種

動態存儲器依靠電容電荷存儲信息，時間一長，電荷可能泄放，因此要定期刷新。 刷新方式有集中刷新、分散刷新、非同步刷新。

㈣ 半導體 動態存儲器為什麼要進行刷新

動態半導體存儲器利用電容存儲電荷記錄。電容會放電,因此必須在電荷流失前對電容充電–刷新

㈤ 比較動態存儲器dram和靜態存儲器sram的異同點

SRAM中文含義為靜態隨機訪問存儲器，它是一種類型的半導體存儲器。「靜態」是指只要不掉電，存儲在SRAM中的數據就不會丟失。這一點與動態RAM（DRAM）不同，DRAM需要進行周期性的刷新操作。然後，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為SRAM是一種易失性存儲器，它只有在電源保持連續供應的情況下才能夠保持數據。「隨機訪問」是指存儲器的內容可以以任何順序訪問，而不管前一次訪問的是哪一個位置。

SRAM中的每一位均存儲在四個晶體管當中，這四個晶體管組成了兩個交叉耦合反向器。這個存儲單元具有兩個穩定狀態，通常表示為0和1。另外還需要兩個訪問晶體管用於控制讀或寫操作過程中存儲單元的訪問。因此，一個存儲位通常需要六個MOSFET。對稱的電路結構使得SRAM的訪問速度要快於DRAM。SRAM比DRAM訪問速度快的另外一個原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM則使用行地址和列地址復用的結構。

SRAM不應該與SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM，這與SRAM是完全不同的。SRAM也不應該與PSRAM相混淆，PSRAM是一種偽裝成SRAM的DRAM。

從晶體管的類型分，SRAM可以分為雙極性與CMOS兩種。從功能上分，SRAM可以分為非同步SRAM和同步SRAM（SSRAM）。非同步SRAM的訪問獨立於時鍾，數據輸入和輸出都由地址的變化控制。同步SRAM的所有訪問都在時鍾的上升/下降沿啟動。地址、數據輸入和其它控制信號均於時鍾信號相關。

DRAM：動態隨機存取存儲器，需要不斷的刷新，才能保存數據。而且是行列地址復用的，許多都有頁模式。

SRAM：靜態的隨機存取存儲器，加電情況下，不需要刷新，數據不會丟失，而且，一般不是行列地址復用的。

SDRAM：同步的DRAM，即數據的讀寫需要時鍾來同步。主要是存儲單元結構不同導致了容量的不同。一個DRAM存儲單元大約需要一個晶體管和一個電容（不包括行讀出放大器等），而一個SRAM存儲單元大約需要六個晶體管。DRAM和SDRAM由於實現工藝問題，容量較SRAM大，但是讀寫速度不如SRAM。一個是靜態的，一個是動態的，靜態的是用的雙穩態觸發器來保存信息，而動態的是用電子，要不時的刷新來保持。 內存（即隨機存貯器RAM）可分為靜態隨機存儲器SRAM，和動態隨機存儲器DRAM兩種。我們經常說的「 內存」是指DRAM。而SRAM大家卻接觸的很少。

SRAM其實是一種非常重要的存儲器，它的用途廣泛。SRAM的速度非常快，在快速讀取和刷新時能夠保 持數據完整性。SRAM內部採用的是雙穩態電路的形式來存儲數據。所以SRAM的電路結構非常復雜。製造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用於CPU 內部的一級緩存以及內置的二級緩存。僅有少量的網路伺服器以及路由器上能夠使用SRAM

㈥ 動態存儲器刷新以什麼為單位

行。動態存儲器是在指定功能或應用軟體之間共享的存儲器，如果一個或兩個應用軟體佔用了所有存儲器空間，此時將無法為其他應用軟體分配存儲器空間。動態存儲器刷新以行為單位，動態存儲器刷新刷新周期：從上次對整個存儲器刷新結束到下次對整個存儲器全部刷新一遍為止的時間間隔，為電容數據有效保存期的上限(64ms)。

㈦ 書上說：DRAM為了保持數據，必須隔一段時間刷新一次，如果存儲單元沒有被刷新，數據就會丟失。

首先，DRAM SRAM ROM三者都是內存，所以內存每隔一段時間得刷新一下是不正確的。
DRAM是動態隨機存儲內存，需要定期刷新；
SRAM是靜態隨機存取內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據；
ROM是只讀內存，對用戶來說是只讀而不能寫的。只能有計算機生產廠商用特殊方式寫入
一些重要的軟體和數據，如引導程序、監控程序等，斷電後，其內容不會丟失。

㈧ 為什麼DRAM需要刷新

DRAM就是動態隨機存取存儲器，動態隨機存取存儲器需要刷新是因為DRAM存儲信息的特殊性。

DRAM是通過柵極電容存儲電荷來暫存信息。由於存儲的信息電荷終究是有泄漏的，電荷數又不能像SRAM存儲元那樣由電源經負載管來補充，時間一長，信息就會丟失。為此必須設法由外界按一定規律給柵極充電，按需要補給柵極電容的信息電荷，此過程叫刷新。因此，DRAM需要刷新。

(8)動態存儲需要周期性刷新擴展閱讀：

DRAM是靠其內部電容電位來記錄其邏輯值的，但是電容因各方面的技術困難無可避免的有顯著的漏電現象（放電現象）而使電位下降，於是需要周期性地對高電位電容進行充電而保持其穩定，這就是刷新。動態MOS存儲器採用「讀出」方式進行刷新。 有的Dram也支持每個bank刷新的命令，每次同時刷新一個bank的多個行，在一個rank刷新的時候允許bank-level 並行。

㈨ 動態RAM為什麼要刷新這里的刷新是什麼概念

RAM中，半導體晶體管中的電荷每1.2微秒會消失，數據也會消失。所以為了保存數據，每1微秒會重新通一次電即刷新一次。
在動態RAM晶元內部，每個內存單元保存一位信息。單元由下面兩部分組成：一個晶體管和一個電容器。當然這些部件都非常地小，因此一個內存晶元內可以包含數百萬個。電容器保存信息位--0或1（有關位的信息，請參見位和位元組）。晶體管起到了開關的作用，能讓內存晶元上的控制線路讀取電容上的數據，或改變其狀態。 
電容器就像一個儲存電子的小桶。在存儲單元中寫入1，小桶內就充滿電子；寫入0，小桶就被清空。這只"桶"的問題在於：它會泄漏。只需大約幾毫秒的時間，一個充滿電子的小桶就會漏得一干二凈。因此，為了確保動態存儲器能正常工作，必須由CPU或是由內存控制器對所有電容不斷地進行充電，使它們在電子流失殆盡之前保持"1"值。為此，內存控制器會先行讀取存儲器中的數據，再把數據寫回去。這種刷新操作每秒鍾會自動進行數千次。 

㈩ 動態RAM的三種刷新方式是什麼

DRAM的刷新方式 常用刷新方式： 教科書P84圖3.14
① 集中式---正常讀/寫操作與刷新操作分開進行，刷新集中完成。

特點：存在一段停止讀/寫操作的死時間 適用於高速存儲器

② 分散式---將一個存儲系統周期分成兩個時間片，分時進行正常讀/寫操作和刷新操作。

特點：不存在停止讀/寫操作的死時間
但系統運行速度降低

③ 非同步式---前兩種方式的結合，每隔一段時間刷新一次，保證在刷新周期內對整個存儲器刷新一遍。