存儲晶元30

❶ 內存晶元的種類有哪些

愛學習的小夥伴們，你們知道內存晶元有哪些種類嗎?不知道的話跟著我一起來學習了解內存晶元有哪些種類吧。

內存晶元有哪些種類

存儲器分類

簡稱：Cache

標准：Cache Memory

中文：高速緩存

高速緩存是隨機存取內存(RAM)的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器

(CPU)處理數據時，它會先到高速緩存中尋找，如果數據因先前已經讀取而暫存其中，就不

需從內存中讀取數據。由於CPU的運行速度通常比主存儲器快，CPU若要連續存取內存的話，

必須等待數個機器周期造成浪費。所以提供“高速緩存”的目的是適應CPU的讀取速度。如

Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數據高速緩存，通稱為

L1高速緩存(Memory)。L2高速緩存則通常是一顆獨立的靜態隨機存取內存(SRAM)晶元。

簡稱：DDR

標准：Double Date Rate

中文：雙倍數據傳輸率

DDR系統時脈為100或133MHz，但是數據傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統

使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取

內存(SDRAM)好。

DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM

memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM

technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to

perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput

of SDRAM

簡稱：DIMM

標准：Dual in Line Memory Mole

中文：雙直列內存條

DIMM是一個採用多塊隨機存儲器(RAM)晶元(Chip)焊接在一片PCB板上模塊，它實際上是一

種封裝技術。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分

為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含

緩沖器類型，而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器(EPROM)供基本輸出入系統(BIOS)儲存各

種參數，讓晶元組(Chipset)達到最佳狀態。

簡稱：DRAM

標准：Dynamic Random Access Memory

中文：動態隨機存儲器

一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種，差異

在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據

則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。

簡稱：ECC

標准：Error Checking and Correction)

在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改

正。

簡稱：EDO DRAM

標准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

中文：EDO動態隨機存儲器

EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取內存(DRAM)讀取

效能的存儲器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期

CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個兆位元組(MB)增加到了200MB。

簡稱：EEPROM

標准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：電子抹除式只讀存儲器

非揮發性存儲器。電源撤除後，儲存的信息(Data)依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同

時輸出相應命令，就可以擦除內部數據。典型應用於如電視機、空調中，存儲用戶設置的參

數。

這種存儲器支持再線修改數據，每次寫數據之前，必須保證書寫單元被擦除干凈，寫一個數

據的大約時間在2-10ms之間。支持單位元組單元擦除功能。

簡稱：EPROM

標准：Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：紫外擦除只讀存器

非揮發性存儲器。不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統

(BIOS)。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復使用。

這種存儲器不支持再線修改數據。

簡稱：Flash

標准：Memory

中文：閃爍存儲器

非揮發性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發性存儲器中容量最大的存儲器。支持再

線修改數據，寫數據的速度比EEPROM提高1個數量級。

Flash應用於大容量的數據和程序存儲，如電子字典庫、固態硬碟、PDA上的操作系統等。

簡稱：FeRAM

標准：Ferroelectric random access memory

中文：鐵電存儲器

ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile

memory that combines high-performance and low-power operation with the ability

to retain data without power.

FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and

eliminates the need for a battery

簡稱：MRAM

標准：Magnetoresistive Random Access Memory

中文：磁性隨機存儲器

磁性隨機存儲器是正在開發階段的，基於半導體(1T)和磁通道(magnetic tunnel

junction-MTJ)技術的固態存儲介質，屬於非揮發性晶元。主要開發廠商有IBM、Infineon

(英飛凌)、Cypress和Motorola(摩托羅拉)。其擦寫次數高於現有的Flash存儲器，可達

1015，讀寫時間可達70nS，

簡稱：RAM

標准：Random Access Memory

中文：隨機存儲器

隨機存取內存，是內存(Memory)的一種，由計算機CPU控制，是計算機主要的儲存區域，指

令和資料暫時存在這里。RAM是可讀可寫的內存，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤

(Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔

助內存 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打

印機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的

速度越快。

簡稱：RDRAM

標准：Rambus DRAM

中文：Rambus動態隨機存儲器

這是一種主要用於影像加速的內存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會

間斷，比起動態隨機存取內存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然

RDRA無法完全取代現有內存，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機

存取內存 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達

600MHz，內存也只有8或9位 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬

(Bandwidth) ，將內存增為32或64位。

簡稱：ROM

標准：Read Only Memory

中文：只讀存儲器

只讀存儲器，這種內存 (Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀

取保存在這里的指令，和使用儲存在ROM的數據，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一

個非揮發性晶元上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種內存多

用來儲存特定功能的程序或系統程序。 ROM儲存用來激活計算機的指令，開機的時候ROM提

供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確

認其儲存數據的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer

circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。

簡稱：SDRAM

標准：Synchronous Dynamic RAM

中文：同步動態隨機存儲器

SDRAM的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模塊

(EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處

理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是

大家所熟知的PC100內存 (Memory ) 。

簡稱：SIMM

標准：Single In-Line Memory Mole

中文：單直列內存模塊

內存(Memory )模塊的概念一直到80386時候才被應用在主機板(Mother Board)上，當時的

接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line)，一次資料存取

(Access)為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為

72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的數據匯流排(Data Bus)為64位元組(bite)，

因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料(Data)處理工作。

簡稱：SRAM

標准：Static Random Access Memory

中文：靜態隨機存儲器

SRAM製造方法與動態隨機存取內存(DRAM )不同，每個位使用6個晶體管(transistor)組

成，不需要不斷對晶體管周期刷新以保持數據丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但製造

成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。

簡稱：VCM SDRAM

標准：Virtual Channel Memory SDRAM

中文：虛擬信道存儲器

1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶元組

(Chipset)業者，大力推廣所謂的VCM模塊技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉

將VCM的規格推向工業級標准。VCM內存規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加

強原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器(CPU)處理完資料或VGA卡處理完資料

後，才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬信道Virtual

Channel)，每一個信道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少內存(Memory)介面

的負擔，進而增加計算機使用者使用效率。 目前為全球第四大內存模塊廠商的宇瞻科技與

日本NEC技術合作，在台灣推出以PC133 (PC133) VCM內存模塊為設計的筆記型計算機，由於

VCM技術可以減少內存介面的負擔，以及本身低耗電的特性，相當適合筆記型計算機的運

❷ 說內存是30nm級是什麼意思

30納米級意味著一個加工技術節點在30至39納米之間。數字越小說明技術越好，效率越高。
啟用30nm製程後，DDR3內存晶元的產出率將比40nm製程提升60%左右，相比50、60nm製程的成本利用率提升兩倍左右。三星金條30nm工藝級DDR3 DRAM內存晶元的容量為2Gb，支持1.5V標准電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節省最多30％的功耗。因此又稱為綠色內存（Green DRAM）。去年下半年，此項工藝技術已經得到三星電子加速量產，許多消費者從中受益。具備低功耗、低發熱、綠色化表現，成為消費者選擇內存重要指標。
三星金條30nm製程工藝內存，晶元顆粒體積更小，顆粒間距加大，加強內存晶元間的散熱效果，另外低電壓、低功耗表現更加讓人滿意。高品質的內存顆粒完全適合游戲玩家、發燒友、OEM商的要求。30nm工藝製程內存運用到筆記本中，有效解決筆記本電腦散熱和穩定運行，充分體現30nm工藝內存的強大。

❸ 誰知道死亡擱淺，第三十個存儲晶元在哪裡啊

不用整那些有的沒的，第八章過了後睡個覺就有了。

❹ 存儲晶元是什麼怎麼沒有聽說存儲晶元被卡脖子

存儲晶元主要包括DRAM晶元和NAND晶元，這個行業確實是拼製造，但並不意味著我們不會被卡脖子。我國投資370億元之巨的福建晉華，主要製造DRAM晶元，在2018年10月30日被美國商務部列入「實體清單」，至今前途未卜。今天我到晉華的官網去逛了逛，發現「大事記」的時間線停在了2018年10月20日，也就是試產運行之日，至今1年半過去，就沒有量產的消息傳出。

半導體設備基本被日美壟斷，成為套在國產存儲晶元企業頭上的緊箍咒。下圖是網上流傳的晉華存儲器生產設備采購清單，可以看出，清一色的日本、美國企業。實際上，全球前10大半導體設備公司，美國佔了5個，日本有4個，歐洲1個。這就意味著，人家一斷供，沒有生產設備，錢再多，你也生產不了先進存儲晶元。總之，看起來沒有CPU等邏輯晶元復雜的存儲晶元，對目前的我國來說，仍然是一塊硬骨頭，還需要多多努力。

❺ 某存儲晶元有數據線32根，地址線30根，則其存儲容量有多少GB

30條地址編碼線可以編碼2^30個存儲單元
32條數據線,說明每個存儲單元的存儲字長為32位
則存儲容量=2^30*32=2^35bit(位)=2^32B=2^22KB=2^12MB=2^2GB=4GB

❻ 2022年上市，國產內存晶元實現量產，領先業界平均製程11~21納米

相較於PC端、智能手機晶元製程的更新換代速率， 汽車 、家用電器等傳統晶元製程過渡到尖端晶元製程的時間相對較長。步入2021年後，內存市場迎來了一波升級， 眼下PC端領域已經步入到DDR5時代 。低端的 DDR3內存逐漸被三星、SK海力士淘汰。 但對於國產廠商來說，這是 切入DDR3內存市場的最佳時機 。

2021年11月18日消息 ， 合肥長鑫重拾DDR3業務 ，為 兆易創新代工DDR3內存晶元 。據了解，合肥長鑫為兆易創新代工的DDR3內存晶元採用的是 19納米製程 。這比業界普遍使用的 30~40納米 製程的 DDR3晶元 ， 領先了11~21納米 。

目前合肥長鑫的19納米DDR3內存晶元還處在工廠測試階段， 出貨時間暫定在2022年第一季度，預計2022年下半年，合肥長鑫將增加DDR3內存晶元產能。 可能有些朋友會說，DDR3早已被淘汰了，眼下已經是DDR5時代，兆易創新委託合肥長鑫代工的DDR3內存晶元，用往何處呢？

正如前面所說的，比起PC端、智能手機行業，家電、燈具等利基市場產品所用晶元的更新換代速率較慢。 合肥長鑫為兆易創新代工的DDR3晶元用於家電、燈具當中 ，這些設備對內存晶元的性能、容量要求並不高。更何況合肥長鑫負責代工的DDR3內存晶元採用的是19納米製程，因此能夠滿足大多數智能家居設備的內存需求。

大數字智能時代的到來，各行各業都在朝著信息智能時代過渡，台燈、廚房油煙機、掃地機器人等家用設備對晶元的需求量不斷提高。雖說比起PC端、智能手機等高精尖設備，家電家居的利潤並不高，但「螞蟻再小也是肉」。顯然，相較於手機、PC端，燈具、家電設備的市場規模更大。

為了在短期內實現效益的最大化，三星、SK海力士、美光等內存晶元巨頭，將目光放在了DDR5身上。但DDR5對於大多數家居家電來說，有些性能過剩，容易造成製程浪費。兆易創新瞅准市場空檔期，趁此機會加大對DDR3的市場布局，一定程度上能夠提高兆易創新的營收以及市場競爭力。

當然，對於合肥長鑫來說，重拾DDR3製程，只是為了擴寬公司的業務營收，推動產業產品鏈多元化發展。作為國產存儲晶元巨頭，合肥長鑫採用自主研發技術於2019年實現了DDR4晶元的量產。關於製程更精密，設計難度更高的DDR5、LPDDR5等內存晶元，合肥長鑫不斷加大資金投入力度，爭取破冰技術壁壘。

值得一提的是，另一家國產存儲晶元巨頭，長江儲存於2021年7月29日率先攻堅128層快閃記憶體晶元技術壁壘，成功推出128層堆棧的快閃記憶體晶元。這拉動了我國內存晶元產業的發展。

相較於三星、SK海力士等內存晶元巨頭，雖說我們還與之存在一定的距離，但千里之行，始於足下。相信在長江儲存、合肥長鑫等國產內存晶元廠商的努力下，總有一天我們會實現對三星、SK海力士等內存晶元巨頭的持平、趕超。

對於合肥長鑫重拾DDR3內存晶元業務這件事情，大夥有什麼想說的呢？眼下長江儲存、合肥長鑫等國產內存晶元商不斷破冰技術壁壘，在內存晶元領域中取得了許多不錯的成績。你認為我們能否在內存晶元領域中與國外內存晶元技術實現持平呢？

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❼ 蘋果手機存儲晶元被取出會怎麼樣

那蘋果手機就無法正常使用了。
把晶元取下來重新焊接是可以的，只不過這個工程是比較麻煩。一般的維修商都不敢接這樣的話，除非去特別專業的維修商店才可以。
iPhone是蘋果公司（Apple Inc. ）於2007年1月9日開始發售的搭載iOS操作系統的系列手機產品 。截至2022年3月，蘋果公司（Apple Inc. ）已發布33款手機產品，最新版本：iPhone 13 mini，iPhone 13，iPhone 13 Pro， iPhone 13 Pro Max，iPhone SE（第三代）；iPhone系列產品靜音鍵在設備正面的左側；iPhone 5之前機型使用30Pin（即30針）介面，iPhone 34（包含）之後產品使用Lightning介面。iPhone X之前機型配置Home鍵；iPhone X（包含）之後（除iPhone SE 第二、三代）機型取消了實體Home鍵。

❽ 存儲晶元大廠集體「越冬」，如何度過這個寒冬

為了應對當前儲存晶元周期所造成的價格下跌以及開發成本問題，建議相關公司一方面要縮減對於科研資金的投入，對於庫存問題進行降價問題以促進銷售。另一方面對於製造產線和人員編排要進行改變，從而促進公司現有的現金流收入。

由於外部環境以及產品周期的變化，許多儲存器廠商的主要項目以及晶元產能很難得到有效的處理和解決，目前所產生的庫存堆積沒有辦法獲得及時的資金支持。這已經產生了一定的資金困難和企業經營的問題。在當下局勢，必須要尋求變革，才能贏得生機。

相關公司要首先對庫存產品進行降價，促進銷售。

在面對當下經濟形勢不良好以及其他設備周期銷售疲軟的問題，儲存晶元的公司，首先就要對當下已經庫存的其他相關設備原零件進行大規模的降價和優惠措施，從而促進去庫存的銷售和販賣，確保企業當前的現金流和製作成本能夠順利回收。

❾ 晶元技術異常復雜，韓國人是怎麼學會的

三星晶元技術的成功，可以用一個成語總結：知恥而後勇。相比於我們的個別巨頭只盯著賣菜，當時的三星創始人李秉喆，則要高瞻遠矚得多。

在這期間，台積電再度崛起，並贏得蘋果公司的信任，隨後智能手機的熱銷，助推了台積電站上晶元半導體製造的頂級地位。此時的三星，正在苦苦等待著另外一個著名的人物，他就是梁孟松，梁孟松從台積電離職，由於簽有競業條款，直到2011年才正式加盟三星。可是，在此期間，梁頻繁來往於台灣和韓國之間，三星的技術也一年一個台階：45nm、32nm、28nm，到2011年梁孟松正式加盟時，三星已經幾乎和台積電平起平坐。

總的來說，晶元技術的研發，錢和人才是兩個關鍵因素。韓國晶元能夠發展，這是有這兩個因素的支撐。

❿ 一片EPROM晶元地址范圍30800H——30FFFH無地址重疊。求該晶元存儲容量麻煩說明下計算過程。

存儲容量 ＝單元個數 × 位數
= (末地址 － 首地址 ＋ 1 ) × 位數
你代入數據、計算，即可求出存儲容量。
位數不明？
你再找找看。