常用存儲器晶元

1. 內存儲器使用的半導體存儲晶元有哪些主要類型

◆存儲晶元（IC）的分類：

內存儲器按存儲信息的功能可分為隨機存儲器RAM(RandomAccess Memory)和只讀存儲器ROM(Read Only Memory)。 ROM中的信息只能被讀出，而不能被操作者修改或刪除，故一般用來存放固定的程序，如微機的管理、監控程序，匯編程序，以及存放各種表格等。

還有一種叫做可改寫的只讀存儲器EPROM(ErasaNe Pr。Brsmmable ROM)，和一般的RoM的不同點在於它可以用特殊裝置擯除和重寫它的內容，一般用於軟體的開發過程。

RAM就是我們常說的內存，它主要用來存放各種現場的輸入、輸出數據，中間計算結果，以及與外存交換信息和作堆棧用。它的存儲單元的內容按需要既可以讀出，也可以寫入或改寫。

由於RAM由電子器件組成，只能暫時存放正在運行的數據和程序，一旦關閉電源或掉電，其中的數據就會消失。RAM現在多為Mos型半導體電路，它分為靜態和動態兩種。

靜態RAM是靠雙穩態觸發器來記憶信息的；動態RAM是靠Mos電路中的柵極電容來記憶信息的。由於電容上電荷會泄漏，需要定時給予補充，所以動態RAM要設置刷新電路，但它比靜態RAM集成度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量存儲器。所以主內存通常採用動態RAM，而高速緩沖存儲器(Cache)則使用靜態RAM。

●存儲IC的特點，具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優點，同時成本低，便於大規模生產。

2. 需要定時刷新的半導體存儲器晶元是什麼

DRAM。半導體存儲器晶元是信息產業的電子器件，DRAM是此電子器件中的內存，需要定時刷新，以此方式來維護器件的正常運行不卡頓。DRAM動態隨機存取內是最常用的一種電腦內存，和ROM及PROM等固件內存不同，隨機存取內存的兩種主要類型動態和靜態都會在切斷電源之後，丟失所儲存的數據。

3. 主要的四種類型內部存儲器晶元是什麼

按照功能劃分，可以分為四種類型，主要是內存晶元、微處理器、標准晶元和復雜的片上系統（SoCs）。按照集成電路的類型來劃分，則可以分為三類，分別是數字晶元、模擬晶元和混合晶元。

從功能上看，半導體存儲晶元將數據和程序存儲在計算機和數據存儲設備上。隨機存取存儲器（RAM）晶元提供臨時的工作空間，而快閃記憶體晶元則可以永久保存信息，除非主動刪除這些信息。只讀存儲器（ROM）和可編程只讀存儲器（PROM）晶元不能修改。而可擦可編程只讀存儲器（EPROM）和電可擦只讀存儲器（EEPROM）晶元可以是可以修改的。

微處理器包括一個或多個中央處理器（CPU）。計算機伺服器、個人電腦（PC）、平板電腦和智能手機可能都有多個CPU。PC和伺服器中的32位和64位微處理器基於x86、POWER和SPARC晶元架構。而移動設備通常使用ARM晶元架構。功能較弱的8位、16位和24位微處理器則主要用在玩具和汽車等產品中。

標准晶元，也稱為商用集成電路，是用於執行重復處理程序的簡單晶元。這些晶元會被批量生產，通常用於條形碼掃描儀等用途簡單的設備。商用IC市場的特點是利潤率較低，主要由亞洲大型半導體製造商主導。

SoC是最受廠商歡迎的一種新型晶元。在SoC中，整個系統所需的所有電子元件都被構建到一個單晶元中。SoC的功能比微控制器晶元更廣泛，後者通常將CPU與RAM、ROM和輸入/輸出（I/O）設備相結合。在智能手機中，SoC還可以集成圖形、相機、音頻和視頻處理功能。通過添加一個管理晶元和一個無線電晶元還可以實現一個三晶元的解決方案。

晶元的另一種分類方式，是按照使用的集成電路進行劃分，目前大多數計算機處理器都使用數字電路。這些電路通常結合晶體管和邏輯門。有時，會添加微控制器。數字電路通常使用基於二進制方案的數字離散信號。使用兩種不同的電壓，每個電壓代表一個不同的邏輯值。

但是這並不代表模擬晶元已經完全被數字晶元取代。電源晶元使用的通常就是模擬晶元。寬頻信號也仍然需要模擬晶元，它們仍然被用作感測器。在模擬晶元中，電壓和電流在電路中指定的點上不斷變化。模擬晶元通常包括晶體管和無源元件，如電感、電容和電阻。模擬晶元更容易產生雜訊或電壓的微小變化，這可能會產生一些誤差。

混合電路半導體是一種典型的數字晶元，同時具有處理模擬電路和數字電路的技術。微控制器可能包括用於連接模擬晶元的模數轉換器（ADC），例如溫度感測器。而數字-模擬轉換器（DAC）可以使微控制器產生模擬電壓，從而通過模擬設備發出聲音。

4. 存儲晶元包括

存儲晶元，是嵌入式系統晶元的概念在存儲行業的具體應用。因此，無論是系統晶元還是存儲晶元，都是通過在單一晶元中嵌入軟體，實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持。按照不同的技術，存儲器晶元可以細分為EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、FLASH、MASK ROM和FRAM等。
存儲器技術是一種不斷進步的技術，隨著各種專門應用不斷提出新的要求，新的存儲器技術也層出不窮，每一種新技術的出現都會使某種現存的技術走進歷史，因為開發新技術的初衷就是為了消除或減弱某種特定存儲器產品的不足之處。
例如，快閃記憶體技術脫胎於EEPROM，它的一個主要用途就是為了取代用於PC機BIOS的EEPROM晶元，以便方便地對這種計算機中最基本的代碼進行更新。 盡管目前非揮發性存儲器中最先進的就是快閃記憶體，但技術卻並未就此停步。
生產商們正在開發多種新技術，以便使快閃記憶體也擁有像DRAM和SDRAM那樣的高速、低價、壽命長等特點。總之，存儲器技術將會繼續發展，以滿足不同的應用需求。就PC市場來說，更高密度、更大帶寬、更低功耗、更短延遲時間、更低成本的主流DRAM技術將是不二之選。
而在其它非揮發性存儲器領域，供應商們正在研究快閃記憶體之外的各種技術，以便滿足不同應用的需求，未來必將有更多更新的存儲器晶元技術不斷涌現。

5. 常用的存儲器種類

ROM：只讀存儲器。ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電後所存數據也不會改變。

RAM可以分為SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。

SRAM它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。優點是速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。缺點是集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。

DRAM是最為常見的系統內存。DRAM只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。

SDRAM（同步動態隨機存取存儲器），是在DRAM的基礎上發展而來，為DRAM的一種，同步是指Memory工作需要同步時鍾，內部命令的發送與數據的傳輸都以時鍾為基準；動態是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數據不丟失；隨機是指數據不是線性依次存儲，而是由指定地址進行數據讀寫。

DDR SDRAM又是在SDRAM的基礎上發展而來，這種改進型的DRAM和SDRAM是基本一樣的，不同之處在於它可以在一個時鍾讀寫兩次數據，這樣就使得數據傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內存，而且它有著成本優勢。

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存儲器的主要功能是存儲程序和各種數據，並能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器單元實際上是時序邏輯電路的一種。按存儲器的使用類型可分為只讀存儲器(ROM)和隨機存取存儲器(RAM)，兩者的功能有較大的區別，因此在描述上也有所不同。存儲的基礎部分分為ROM和RAM。
在這里插入圖片描述

常見存儲器分類圖示

RAM：隨機存取存儲器是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。當電源關閉時RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬碟）。RAM和ROM相比，兩者的最大區別是RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。

ROM：只讀存儲器。ROM所存數據，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電後所存數據也不會改變。

RAM可以分為SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。

SRAM它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。優點是速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。缺點是集成度低，功耗較

6. 93LC86C是什麼晶元

93LC86C是存儲器晶元。93LC品牌MICROCHIP微芯型號93LC86C，儲存器型晶元。

存儲晶元，是嵌入式系統晶元的概念在存儲行業的具體應用。因此，無論是系統晶元還是存儲晶元，都是通過在單一晶元中嵌入軟體，實現多功能和高性能，以及對多種協議、多種硬體和不同應用的支持。

存儲晶元技術主要集中於企業級存儲系統的應用，為訪問性能、存儲協議、管理平台、存儲介質，以及多種應用提供高質量的支持。隨著數據的快速增長，數據對業務重要性的日益提升，數據存儲市場快速演變虛擬數據中心雲計算，無不給傳統的存儲設計能力提出極大挑戰。

存儲晶元的未來價值帶有各種處理器內核的SoC以及集成更多處理能力的FPGA產品將在越來越多的嵌入式系統中扮演重要角色。對於動態變遷的存儲市場，藉助FPGA來實施嵌入式解決方案，可以定製實現其系統處理能力、外圍電路和存儲介面，並快速提高核心競爭力。

7. 內存晶元的種類有哪些

愛學習的小夥伴們，你們知道內存晶元有哪些種類嗎?不知道的話跟著我一起來學習了解內存晶元有哪些種類吧。

內存晶元有哪些種類

存儲器分類

簡稱：Cache

標准：Cache Memory

中文：高速緩存

高速緩存是隨機存取內存(RAM)的一種，其存取速度要比一般RAM來得快。當中央處理器

(CPU)處理數據時，它會先到高速緩存中尋找，如果數據因先前已經讀取而暫存其中，就不

需從內存中讀取數據。由於CPU的運行速度通常比主存儲器快，CPU若要連續存取內存的話，

必須等待數個機器周期造成浪費。所以提供“高速緩存”的目的是適應CPU的讀取速度。如

Intel的Pentium處理器分別在片上集成了容量不同的指令高速緩存和數據高速緩存，通稱為

L1高速緩存(Memory)。L2高速緩存則通常是一顆獨立的靜態隨機存取內存(SRAM)晶元。

簡稱：DDR

標准：Double Date Rate

中文：雙倍數據傳輸率

DDR系統時脈為100或133MHz，但是數據傳輸速率為系統時脈的兩倍，即200或266MHz，系統

使用3.3或3.5V的電壓。因為DDR SDRAM的速度增加，因此它的傳輸效能比同步動態隨機存取

內存(SDRAM)好。

DDR is the acronym for Double Data Rate Synchronous DRAM (SDRAM). DDR SDRAM

memory technology is an evolutionary technology derived from mature SDRAM

technology. The secret to DDR memory's high performance is its ability to

perform two data operations in one clock cycle - providing twice the throughput

of SDRAM

簡稱：DIMM

標准：Dual in Line Memory Mole

中文：雙直列內存條

DIMM是一個採用多塊隨機存儲器(RAM)晶元(Chip)焊接在一片PCB板上模塊，它實際上是一

種封裝技術。在PCB板的一邊緣上，每面有64叫指狀銅接觸條，兩面共有168條。DIMM可以分

為3.3V和5V兩種電壓，這其中又有含緩沖器以及不含緩沖器兩種，目前比較常見的是3.3V含

緩沖器類型，而DIMM還需要一個抹除式只讀存儲器(EPROM)供基本輸出入系統(BIOS)儲存各

種參數，讓晶元組(Chipset)達到最佳狀態。

簡稱：DRAM

標准：Dynamic Random Access Memory

中文：動態隨機存儲器

一般計算機系統使用的隨機存取內存(RAM)可分動態與靜態隨機存取內存(SRAM)兩種，差異

在於DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，才能維系數據保存，SRAM的數據

則不需要刷新過程，在上電期間，數據不會丟失。

簡稱：ECC

標准：Error Checking and Correction)

在處理單位作錯誤偵測和改正所有的單一位的誤差，也可以作雙位或多位的誤差核對與改

正。

簡稱：EDO DRAM

標准：Extend Data Out Dynamic Random Access Memory

中文：EDO動態隨機存儲器

EDO DRAM也稱為Hyper Page Mode DRAM，這是一種可以增加動態隨機存取內存(DRAM)讀取

效能的存儲器，為了提高EDO DRAM的讀取效率，EDO DRAM可以保持資料輸出直到下一周期

CAS#之下降邊緣，而EDO DRAM的頻寬由100個兆位元組(MB)增加到了200MB。

簡稱：EEPROM

標准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：電子抹除式只讀存儲器

非揮發性存儲器。電源撤除後，儲存的信息(Data)依然存在，在特殊管腳上施加電壓，同

時輸出相應命令，就可以擦除內部數據。典型應用於如電視機、空調中，存儲用戶設置的參

數。

這種存儲器支持再線修改數據，每次寫數據之前，必須保證書寫單元被擦除干凈，寫一個數

據的大約時間在2-10ms之間。支持單位元組單元擦除功能。

簡稱：EPROM

標准：Erasable Programmable Read-Only Memory

中文：紫外擦除只讀存器

非揮發性存儲器。不需要電力來維持其內容，非常適合用作硬體當中的基本輸出入系統

(BIOS)。允許使用者以紫外線消除其中的程序重復使用。

這種存儲器不支持再線修改數據。

簡稱：Flash

標准：Memory

中文：閃爍存儲器

非揮發性存儲器。是目前在可在線可改寫的非揮發性存儲器中容量最大的存儲器。支持再

線修改數據，寫數據的速度比EEPROM提高1個數量級。

Flash應用於大容量的數據和程序存儲，如電子字典庫、固態硬碟、PDA上的操作系統等。

簡稱：FeRAM

標准：Ferroelectric random access memory

中文：鐵電存儲器

ferroelectric random access memory (FRAM) is a new generation of nonvolatile

memory that combines high-performance and low-power operation with the ability

to retain data without power.

FRAM has the fast read/write speed and low power of battery-backed SRAM and

eliminates the need for a battery

簡稱：MRAM

標准：Magnetoresistive Random Access Memory

中文：磁性隨機存儲器

磁性隨機存儲器是正在開發階段的，基於半導體(1T)和磁通道(magnetic tunnel

junction-MTJ)技術的固態存儲介質，屬於非揮發性晶元。主要開發廠商有IBM、Infineon

(英飛凌)、Cypress和Motorola(摩托羅拉)。其擦寫次數高於現有的Flash存儲器，可達

1015，讀寫時間可達70nS，

簡稱：RAM

標准：Random Access Memory

中文：隨機存儲器

隨機存取內存，是內存(Memory)的一種，由計算機CPU控制，是計算機主要的儲存區域，指

令和資料暫時存在這里。RAM是可讀可寫的內存，它幫助中央處理器 (CPU ) 工作，從鍵盤

(Keyboard ) 或滑鼠之類的來源讀取指令，幫助CPU把資料 (Data) 寫到一樣可讀可寫的輔

助內存 (Auxiliary Memory) ，以便日後仍可取用，也能主動把資料送到輸出裝置，例如打

印機、顯示器。 RAM的大小會影響計算的速度，RAM越大，所能容納的資料越多，CPU讀取的

速度越快。

簡稱：RDRAM

標准：Rambus DRAM

中文：Rambus動態隨機存儲器

這是一種主要用於影像加速的內存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的傳送速率，作業時不會

間斷，比起動態隨機存取內存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，當然價格比要DRAM貴。雖然

RDRA無法完全取代現有內存，不過因為匯流排 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM與靜態隨機

存取內存 (SRAM ) 。 SDRAM的運算速度為100赫茲 (Hz ) ，製造商展示的RDRAM則可達

600MHz，內存也只有8或9位 (bit ) 長，若將RDRAM並排使用，可以大幅增加頻寬

(Bandwidth) ，將內存增為32或64位。

簡稱：ROM

標准：Read Only Memory

中文：只讀存儲器

只讀存儲器，這種內存 (Memory ) 的內容任何情況下都不會改變，計算機與使用者只能讀

取保存在這里的指令，和使用儲存在ROM的數據，但不能變更或存入資料。 ROM被儲存在一

個非揮發性晶元上，也就是說，即使在關機之後記憶的內容仍可以被保存，所以這種內存多

用來儲存特定功能的程序或系統程序。 ROM儲存用來激活計算機的指令，開機的時候ROM提

供一連串的指令給中央處理單元進行測試，在最初的測試中，檢查RAM位置(location)以確

認其儲存數據的能力。此外其它電子組件包括鍵盤 (Keyboard ) 、計時迴路(timer

circuit)以及CPU本身也被納入CPU的測試中。

簡稱：SDRAM

標准：Synchronous Dynamic RAM

中文：同步動態隨機存儲器

SDRAM的運作時脈和微處理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 動態記憶模塊

(EDO DRAM ) 的速度還快，採用3.3V電壓(EDO DRAM為5V)，168個接腳，還可以配合中央處

理器 (CPU ) 的外頻 (External Clock) ，而有66與100MHz不同的規格，100MHz的規格就是

大家所熟知的PC100內存 (Memory ) 。

簡稱：SIMM

標准：Single In-Line Memory Mole

中文：單直列內存模塊

內存(Memory )模塊的概念一直到80386時候才被應用在主機板(Mother Board)上，當時的

接腳主要為30個，可以提供8條資料 (Data) 存取線 (Access Line)，一次資料存取

(Access)為32個位元組，所以分為四條一組，因此80386以四條為一個單位。而今一條SIMM為

72Pins，不過只能提供32位元組的工作量，但是外部的數據匯流排(Data Bus)為64位元組(bite)，

因此一個主機板上必須有兩條SIMM才足以執行龐大的資料(Data)處理工作。

簡稱：SRAM

標准：Static Random Access Memory

中文：靜態隨機存儲器

SRAM製造方法與動態隨機存取內存(DRAM )不同，每個位使用6個晶體管(transistor)組

成，不需要不斷對晶體管周期刷新以保持數據丟失，其存取時間較短控制電路簡單，但製造

成本較高，單片難以做到DRAM那樣容量。

簡稱：VCM SDRAM

標准：Virtual Channel Memory SDRAM

中文：虛擬信道存儲器

1999年由於SDRAM在市場上大為缺貨，而由日本NEC恩益禧搭配一些主機板廠商及晶元組

(Chipset)業者，大力推廣所謂的VCM模塊技術，而為消費者廣為接受，日本NEC更希望一舉

將VCM的規格推向工業級標准。VCM內存規格是以SDRAM為基礎觀念所開發出的新產品，並加

強原有的SDRAM功能。昔日的SDRAM須等待中央處理器(CPU)處理完資料或VGA卡處理完資料

後，才能完整地送至SDRAM做進一步的處理，然而VCM的內部區分為16條虛擬信道Virtual

Channel)，每一個信道都負責一個單獨的memory master，因此可以減少內存(Memory)介面

的負擔，進而增加計算機使用者使用效率。 目前為全球第四大內存模塊廠商的宇瞻科技與

日本NEC技術合作，在台灣推出以PC133 (PC133) VCM內存模塊為設計的筆記型計算機，由於

VCM技術可以減少內存介面的負擔，以及本身低耗電的特性，相當適合筆記型計算機的運

8. 常用存儲器片選控制方法有哪幾種它們各有什麼優缺點

線選法，部分解碼法，全部解碼法。

線選法電路簡單，但是會造成地址z堆疊，空間利用率低且具體編程時不易編織；

全解碼法的晶元利用率高，不會出現地址堆疊，但是電路比起線選法復雜得多；

部分解碼法介於兩者之間，也會產生一定程度的地址堆疊，但是有相對連續的地址空間。

(8)常用存儲器晶元擴展閱讀：

存儲器是用來存儲程序和各種數據信息的記憶部件。存儲器可分為主存儲器(簡稱主存或內存)和輔助存儲器(簡稱輔存或外存)兩大類。和CPU直接交換信息的是主存。

主存中匯集存儲單元的載體稱為存儲體，存儲體中每個單元能夠存放一串二進制碼表示的信息，該信息的總位數稱為一個存儲單元的字長。存儲單元的地址與存儲在其中的信息是一一對應的，單元地址只有一個，固定不變，而存儲在其中的信息是可以更換的。