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晶元存儲封裝基板

發布時間: 2022-12-11 17:41:21

1. 常見晶元封裝有哪幾種

一、DIP雙列直插式封裝

DIP(DualIn-line Package)是指採用雙列直插形式封裝的集成電路晶元,絕大多數中小規模集成電路(IC)均採用這種封裝形式,其引腳數一般不超過100個。採用DIP封裝的CPU晶元有兩排引腳,需要插入到具有DIP結構的晶元插座上。當然,也可以直接插在有相同焊孔數和幾何排列的電路板上進行焊接。DIP封裝的晶元在從晶元插座上插拔時應特別小心,以免損壞引腳。

DIP封裝具有以下特點:

1.適合在PCB(印刷電路板)上穿孔焊接,操作方便。
2.晶元面積與封裝面積之間的比值較大,故體積也較大。
Intel系列CPU中8088就採用這種封裝形式,緩存(Cache)和早期的內存晶元也是這種封裝形式。

二、QFP塑料方型扁平式封裝和PFP塑料扁平組件式封裝

QFP(Plastic Quad Flat Package)封裝的晶元引腳之間距離很小,管腳很細,一般大規模或超大型集成電路都採用這種封裝形式,其引腳數一般在100個以上。用這種形式封裝的晶元必須採用SMD(表面安裝設備技術)將晶元與主板焊接起來。採用SMD安裝的晶元不必在主板上打孔,一般在主板表面上有設計好的相應管腳的焊點。將晶元各腳對准相應的焊點,即可實現與主板的焊接。用這種方法焊上去的晶元,如果不用專用工具是很難拆卸下來的。

PFP(Plastic Flat Package)方式封裝的晶元與QFP方式基本相同。唯一的區別是QFP一般為正方形,而PFP既可以是正方形,也可以是長方形。

QFP/PFP封裝具有以下特點:

1.適用於SMD表面安裝技術在PCB電路板上安裝布線。
2.適合高頻使用。
3.操作方便,可靠性高。
4.晶元面積與封裝面積之間的比值較小。

Intel系列CPU中80286、80386和某些486主板採用這種封裝形式。

三、PGA插針網格陣列封裝

PGA(Pin Grid Array Package)晶元封裝形式在晶元的內外有多個方陣形的插針,每個方陣形插針沿晶元的四周間隔一定距離排列。根據引腳數目的多少,可以圍成2-5圈。安裝時,將晶元插入專門的PGA插座。為使CPU能夠更方便地安裝和拆卸,從486晶元開始,出現一種名為ZIF的CPU插座,專門用來滿足PGA封裝的CPU在安裝和拆卸上的要求。

ZIF(Zero Insertion Force Socket)是指零插拔力的插座。把這種插座上的扳手輕輕抬起,CPU就可很容易、輕松地插入插座中。然後將扳手壓回原處,利用插座本身的特殊結構生成的擠壓力,將CPU的引腳與插座牢牢地接觸,絕對不存在接觸不良的問題。而拆卸CPU晶元只需將插座的扳手輕輕抬起,則壓力解除,CPU晶元即可輕松取出。

PGA封裝具有以下特點:

1.插拔操作更方便,可靠性高。
2.可適應更高的頻率。

Intel系列CPU中,80486和Pentium、Pentium Pro均採用這種封裝形式。

四、BGA球柵陣列封裝

隨著集成電路技術的發展,對集成電路的封裝要求更加嚴格。這是因為封裝技術關繫到產品的功能性,當IC的頻率超過100MHz時,傳統封裝方式可能會產生所謂的「CrossTalk」現象,而且當IC的管腳數大於208 Pin時,傳統的封裝方式有其困難度。因此,除使用QFP封裝方式外,現今大多數的高腳數晶元(如圖形晶元與晶元組等)皆轉而使用BGA(Ball Grid Array Package)封裝技術。BGA一出現便成為CPU、主板上南/北橋晶元等高密度、高性能、多引腳封裝的最佳選擇。

BGA封裝技術又可詳分為五大類:

1.PBGA(Plasric BGA)基板:一般為2-4層有機材料構成的多層板。Intel系列CPU中,Pentium II、III、IV處理器均採用這種封裝形式。

2.CBGA(CeramicBGA)基板:即陶瓷基板,晶元與基板間的電氣連接通常採用倒裝晶元(FlipChip,簡稱FC)的安裝方式。Intel系列CPU中,Pentium I、II、Pentium Pro處理器均採用過這種封裝形式。

3.FCBGA(FilpChipBGA)基板:硬質多層基板。

4.TBGA(TapeBGA)基板:基板為帶狀軟質的1-2層PCB電路板。

5.CDPBGA(Carity Down PBGA)基板:指封裝中央有方型低陷的晶元區(又稱空腔區)。

BGA封裝具有以下特點:

1.I/O引腳數雖然增多,但引腳之間的距離遠大於QFP封裝方式,提高了成品率。
2.雖然BGA的功耗增加,但由於採用的是可控塌陷晶元法焊接,從而可以改善電熱性能。
3.信號傳輸延遲小,適應頻率大大提高。
4.組裝可用共面焊接,可靠性大大提高。

BGA封裝方式經過十多年的發展已經進入實用化階段。1987年,日本西鐵城(Citizen)公司開始著手研製塑封球柵面陣列封裝的晶元(即BGA)。而後,摩托羅拉、康柏等公司也隨即加入到開發BGA的行列。1993年,摩托羅拉率先將BGA應用於行動電話。同年,康柏公司也在工作站、PC電腦上加以應用。直到五六年前,Intel公司在電腦CPU中(即奔騰II、奔騰III、奔騰IV等),以及晶元組(如i850)中開始使用BGA,這對BGA應用領域擴展發揮了推波助瀾的作用。目前,BGA已成為極其熱門的IC封裝技術,其全球市場規模在2000年為12億塊,預計2005年市場需求將比2000年有70%以上幅度的增長。

五、CSP晶元尺寸封裝

隨著全球電子產品個性化、輕巧化的需求蔚為風潮,封裝技術已進步到CSP(Chip Size Package)。它減小了晶元封裝外形的尺寸,做到裸晶元尺寸有多大,封裝尺寸就有多大。即封裝後的IC尺寸邊長不大於晶元的1.2倍,IC面積只比晶粒(Die)大不超過1.4倍。

CSP封裝又可分為四類:

1.Lead Frame Type(傳統導線架形式),代表廠商有富士通、日立、Rohm、高士達(Goldstar)等等。
2.Rigid Interposer Type(硬質內插板型),代表廠商有摩托羅拉、索尼、東芝、松下等等。
3.Flexible Interposer Type(軟質內插板型),其中最有名的是Tessera公司的microBGA,CTS的sim-BGA也採用相同的原理。其他代表廠商包括通用電氣(GE)和NEC。
4.Wafer Level Package(晶圓尺寸封裝):有別於傳統的單一晶元封裝方式,WLCSP是將整片晶圓切割為一顆顆的單一晶元,它號稱是封裝技術的未來主流,已投入研發的廠商包括FCT、Aptos、卡西歐、EPIC、富士通、三菱電子等。

CSP封裝具有以下特點:

1.滿足了晶元I/O引腳不斷增加的需要。
2.晶元面積與封裝面積之間的比值很小。
3.極大地縮短延遲時間。

CSP封裝適用於腳數少的IC,如內存條和便攜電子產品。未來則將大量應用在信息家電(IA)、數字電視(DTV)、電子書(E-Book)、無線網路WLAN/GigabitEthemet、ADSL/手機晶元、藍芽(Bluetooth)等新興產品中。

六、MCM多晶元模塊

為解決單一晶元集成度低和功能不夠完善的問題,把多個高集成度、高性能、高可靠性的晶元,在高密度多層互聯基板上用SMD技術組成多種多樣的電子模塊系統,從而出現MCM(Multi Chip Model)多晶元模塊系統。
MCM具有以下特點:

1.封裝延遲時間縮小,易於實現模塊高速化。
2.縮小整機/模塊的封裝尺寸和重量。
3.系統可靠性大大提高。

晶元封裝分類
1,按晶元的裝載方式;
裸晶元在裝載時,它的有電極的一面可以朝上也可以朝下,因此,晶元就有正裝片和倒裝片之分,布線面朝上為正裝片,反之為倒裝片.
另外,裸晶元在裝載時,它們的電氣連接方式亦有所不同,有的採用有引線鍵合方式,有的則採用無引線鍵合方式
2,按晶元的基板類型;
基板的作用是搭載和固定裸晶元,同時兼有絕緣,導熱,隔離及保護作用.它是晶元內外電路連接的橋梁.從材料上看,基板有有機和無機之分,從結構上看,基板有單層的,雙層的,多層的和復合的.
3,按晶元的封接或封裝方式;
裸晶元裸晶元及其電極和引線的封裝或封接方式可以分為兩類,即氣密性封裝和樹脂封裝,而氣密性封裝中,根據封裝材料的不同又可分為:金屬封裝,陶瓷封裝和玻璃封裝三種類型.
前三類屬一級封裝的范疇,涉及裸晶元及其電極和引線的封裝或封接,

4,按晶元的外型結構;
按晶元的外型,結構分大致有DIP,SIP,ZIP,S-DIP,SK-DIP,PGA, 其中前6種屬引腳插入型
SOP,MSP,QFP,SVP,LCCC,PLCC,SOJ,BGA,CSP, , ,隨後的9種為表面貼裝型:
DIP:雙列直插式封裝.顧名思義,該類型的引腳在晶元兩側排列,是插入式封裝中最常見的一種,引腳節距為2.54 mm,電氣性能優良,又有利於散熱,可製成大功率器件.
SIP:單列直插式封裝.該類型的引腳在晶元單側排列,引腳節距等特徵與DIP基本相同.ZIP:Z型引腳直插式封裝.該類型的引腳也在晶元單側排列,只是引腳比SIP粗短些,節距等特徵也與DIP基本相同.
S-DIP:收縮雙列直插式封裝.該類型的引腳在晶元兩側排列,引腳節距為1.778 mm,晶元集成度高於DIP.
SK-DIP:窄型雙列直插式封裝.除了晶元的寬度是DIP的1/2以外,其它特徵與DIP相同.PGA:針柵陣列插入式封裝.封裝底面垂直陣列布置引腳插腳,如同針柵.插腳節距為2.54 mm或1.27mm,插腳數可多達數百腳.用於高速的且大規模和超大規模集成電路.
SOP:小外型封裝.表面貼裝型封裝的一種,引腳端子從封裝的兩個側面引出,字母L狀.引腳節距為1.27mm.
MSP:微方型封裝.表面貼裝型封裝的一種,又叫QFI等,引腳端子從封裝的四個側面引出,呈I字形向下方延伸,沒有向外突出的部分,實裝佔用面積小,引腳節距為1.27mm.
QFP:四方扁平封裝.表面貼裝型封裝的一種,引腳端子從封裝的兩個側面引出,呈L字形,引腳節距為1.0mm,0.8mm,0.65mm,0.5mm,0.4mm,0.3mm,引腳可達300腳以上.
SVP:表面安裝型垂直封裝.表面貼裝型封裝的一種,引腳端子從封裝的一個側面引出,引腳在中間部位彎成直角,彎曲引腳的端部與PCB鍵合,為垂直安裝的封裝.實裝佔有面積很小.引腳節距為0.65mm,0.5mm .
LCCC:無引線陶瓷封裝載體.在陶瓷基板的四個側面都設有電極焊盤而無引腳的表面貼裝型封裝.用於高速,高頻集成電路封裝.
PLCC:無引線塑料封裝載體.一種塑料封裝的LCC.也用於高速,高頻集成電路封裝.
SOJ:小外形J引腳封裝.表面貼裝型封裝的一種,引腳端子從封裝的兩個側面引出,呈J字形,引腳節距為1.27mm.
BGA:球柵陣列封裝.表面貼裝型封裝的一種,在PCB的背面布置二維陣列的球形端子,而不採用針腳引腳.焊球的節距通常為1.5mm,1.0mm,0.8mm,與PGA相比,不會出現針腳變形問題.
CSP:晶元級封裝.一種超小型表面貼裝型封裝,其引腳也是球形端子,節距為0.8mm,0.65mm,0.5mm等.

TCP等,最後一種是TAB型
TCP:帶載封裝.在形成布線的絕緣帶上搭載裸晶元,並與布線相連接的封裝.與其他表面貼裝型封裝相比,晶元更薄,引腳節距更小,達0.25mm,而引腳數可達500針以上.
5,按晶元的封裝材料
按晶元的封裝材料分有金屬封裝,陶瓷封裝,金屬-陶瓷封裝,塑料封裝.
金屬封裝:金屬材料可以沖,壓,因此有封裝精度高,尺寸嚴格,便於大量生產,價格低廉等優點.
陶瓷封裝:陶瓷材料的電氣性能優良,適用於高密度封裝.
金屬-陶瓷封裝:兼有金屬封裝和陶瓷封裝的優點.
塑料封裝:塑料的可塑性強,成本低廉,工藝簡單,適合大批量生產.
後二類屬二級封裝的范疇,對PCB設計大有用處,

2. 晶元封裝的封裝步驟

板上晶元(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導熱環氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環氧樹脂)覆蓋矽片安放點,然後將矽片直接安放在基底表面,熱處理至矽片牢固地固定在基底為止,隨後再用絲焊的方法在矽片和基底之間直接建立電氣連接 。
裸晶元技術主要有兩種形式:一種是COB技術,另一種是倒裝片技術(FlipChip)。板上晶元封裝(COB),半導體晶元交接貼裝在印刷線路板上,晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,並用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是最簡單的裸晶元貼裝技術,但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術 。 (1)熱壓焊
利用加熱和加壓力使金屬絲與焊區壓焊在一起。其原理是通過加熱和加壓力,使焊區(如AI)發生塑性形變同時破壞壓焊界面上的氧化層,從而使原子間產生吸引力達到「鍵合」的目的,此外,兩金屬界面不平整加熱加壓時可使上下的金屬相互鑲嵌。此技術一般用為玻璃板上晶元COG 。
(2)超聲焊
超聲焊是利用超聲波發生器產生的能量,通過換能器在超高頻的磁場感應下,迅速伸縮產生彈性振動,使劈刀相應振動,同時在劈刀上施加一定的壓力,於是劈刀在這兩種力的共同作用下,帶動AI絲在被焊區的金屬化層如(AI膜)表面迅速摩擦,使AI絲和AI膜表面產生塑性變形,這種形變也破壞了AI層界面的氧化層,使兩個純凈的金屬表面緊密接觸達到原子間的結合,從而形成焊接。主要焊接材料為鋁線焊頭,一般為楔形 。
(3)金絲焊
球焊在引線鍵合中是最具代表性的焊接技術,因為現在的半導體封裝二、三極體封裝都採用AU線球焊。而且它操作方便、靈活、焊點牢固(直徑為25UM的AU絲的焊接強度一般為0.07~0.09N/點),又無方向性,焊接速度可高達15點/秒以上。金絲焊也叫熱(壓)(超)聲焊主要鍵合材料為金(AU)線焊頭為球形故為球焊 。
COB封裝流程
第一步:擴晶。採用擴張機將廠商提供的整張LED晶片薄膜均勻擴張,使附著在薄膜表面緊密排列的LED晶粒拉開,便於刺晶。第二步:背膠。將擴好晶的擴晶環放在已刮好銀漿層的背膠機面上,背上銀漿。點銀漿。適用於散裝LED晶元。採用點膠機將適量的銀漿點在PCB印刷線路板上。第三步:將備好銀漿的擴晶環放入刺晶架中,由操作員在顯微鏡下將LED晶片用刺晶筆刺在PCB印刷線路板上。第四步:將刺好晶的PCB印刷線路板放入熱循環烘箱中恆溫靜置一段時間,待銀漿固化後取出(不可久置,不然LED晶元鍍層會烤黃,即氧化,給邦定造成困難)。如果有LED晶元邦定,則需要以上幾個步驟;如果只有IC晶元邦定則取消以上步驟。第五步:粘晶元。用點膠機在PCB印刷線路板的IC位置上適量的紅膠(或黑膠),再用防靜電設備(真空吸筆或子)將IC裸片正確放在紅膠或黑膠上。第六步:烘乾。將粘好裸片放入熱循環烘箱中放在大平面加熱板上恆溫靜置一段時間,也可以自然固化(時間較長)。第七步:邦定(打線)。採用鋁絲焊線機將晶片(LED晶粒或IC晶元)與PCB板上對應的焊盤鋁絲進行橋接,即COB的內引線焊接。第八步:前測。使用專用檢測工具(按不同用途的COB有不同的設備,簡單的就是高精密度穩壓電源)檢測COB板,將不合格的板子重新返修。第九步:點膠。採用點膠機將調配好的AB膠適量地點到邦定好的LED晶粒上,IC則用黑膠封裝,然後根據客戶要求進行外觀封裝。第十步:固化。將封好膠的PCB印刷線路板放入熱循環烘箱中恆溫靜置,根據要求可設定不同的烘乾時間。第十一步:後測。將封裝好的PCB印刷線路板再用專用的檢測工具進行電氣性能測試,區分好壞優劣 。
與其它封裝技術相比,COB技術價格低廉(僅為同晶元的1/3左右)、節約空間、工藝成熟。但任何新技術在剛出現時都不可能十全十美,COB技術也存在著需要另配焊接機及封裝機、有時速度跟不上以及PCB貼片對環境要求更為嚴格和無法維修等缺點 。
某些板上晶元(CoB)的布局可以改善IC信號性能,因為它們去掉了大部分或全部封裝,也就是去掉了大部分或全部寄生器件。然而,伴隨著這些技術,可能存在一些性能問題。在所有這些設計中,由於有引線框架片或BGA標志,襯底可能不會很好地連接到VCC或地。可能存在的問題包括熱膨脹系數(CTE)問題以及不良的襯底連接 。 30多年前,「倒裝晶元」問世。當時為其冠名為「C4」,即「可控熔塌晶元互連」技術。該技術首先採用銅,然後在晶元與基板之間製作高鉛焊球。銅或高鉛焊球與基板之間的連接通過易熔焊料來實現。此後不久出現了適用於汽車市場的「封帽上的柔性材料(FOC)」;還有人採用Sn封帽,即蒸發擴展易熔面或E3工藝對C4工藝做了進一步的改進。C4工藝盡管實現起來比較昂貴(包括許可證費用與設備的費用等),但它還是為封裝技術提供了許多性能與成本優勢。與引線鍵合工藝不同的是,倒裝晶元可以批量完成,因此還是比較劃算 。
由於新型封裝技術和工藝不斷以驚人的速度涌現,因此完成具有數千個凸點的晶元設計目前已不存在大的技術障礙小封裝技術工程師可以運用新型模擬軟體輕易地完成各種電、熱、機械與數學模擬。此外,以前一些世界知名公司專為內部使用而設計的專用工具目前已得到廣泛應用。為此設計人員完全可以利用這些新工具和新工藝最大限度地提高設計性,最大限度地縮短面市的時間 。
無論人們對此抱何種態度,倒裝晶元已經開始了一場工藝和封裝技術革命,而且由於新材料和新工具的不斷涌現使倒裝晶元技術經過這么多年的發展以後仍能處於不斷的變革之中。為了滿足組裝工藝和晶元設計不斷變化的需求,基片技術領域正在開發新的基板技術,模擬和設計軟體也不斷更新升級。因此,如何平衡用最新技術設計產品的願望與以何種適當款式投放產品之間的矛盾就成為一項必須面對的重大挑戰。由於受互連網帶寬不斷變化以及下面列舉的一些其它因素的影響,許多設計人員和公司不得不轉向倒裝晶元技術 。
其它因素包括:
①減小信號電感——40Gbps(與基板的設計有關);②降低電源/接地電感;③提高信號的完整性;④最佳的熱、電性能和最高的可靠性;⑤減少封裝的引腳數量;⑥超出引線鍵合能力,外圍或整個面陣設計的高凸點數量;⑦當節距接近200μm設計時允許;S片縮小(受焊點限制的晶元);⑧允許BOAC設計,即在有源電路上進行凸點設計 。

3. 內存封裝顆粒csp與bga的區別

1、意思不同:

CSP(Chip Scale Package)封裝是晶元級封裝。

BGA (Ball Grid Array)是高密度表面裝配封裝技術。

2、產品特點不同:

CSP產品特點是體積小。

BGA產品特點是高密度表面裝配。

3、名稱不同:

CSP的中文名稱是CSP封裝。

BGA的中文名稱是BGA封裝技術。

(3)晶元存儲封裝基板擴展閱讀:

CSP的特點:

1、體積小,在各種封裝中,CSP是面積最小,厚度最小,因而是體積最小的封裝。

2、輸入/輸出端數可以很多,在相同尺寸的各類封裝中,CSP的輸入/輸出端數可以做得更多。

3、電性能好,CSP內部的晶元與封裝外殼布線間的互連線的長度比QFP或BGA短得多,因而寄生參數小,信號傳輸延遲時間短,有利於改善電路的高頻性能。

4、熱性能好,CSP很薄,晶元產生的熱可以很短的通道傳到外界。

5、CSP不僅體積小,而且重量輕。

4. 晶元的封裝形式有那些

1、BGA(ball grid array)

球形觸點陳列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用以代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI 晶元,然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI 用的一種封裝。封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm 的360 引腳 BGA 僅為31mm 見方;而引腳中心距為0.5mm 的304 引腳QFP 為40mm 見方。而且BGA 不 用擔心QFP 那樣的引腳變形問題。該封裝是美國Motorola 公司開發的,首先在攜帶型電話等設備中被採用,今後在美國有可能在個人計算機中普及。最初,BGA 的引腳(凸點)中心距為1.5mm,引腳數為225。現在也有一些LSI 廠家正在開發500 引腳的BGA。BGA 的問題是迴流焊後的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為,由於焊接的中心距較大,連接可以看作是穩定的,只能通過功能檢查來處理。美國Motorola 公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC 和GPAC)。

2、BQFP(quad flat package with bumper)

帶緩沖墊的四側引腳扁平封裝。QFP 封裝之一,在封裝本體的四個角設置突起(緩沖墊)以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC 等電路中採用此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數從84 到196 左右(見QFP)。

3、碰焊PGA(butt joint pin grid array)

表面貼裝型PGA 的別稱(見表面貼裝型PGA)。

4、C-(ceramic)

表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP 表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。

5、Cerdip

用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用於ECL RAM,DSP(數字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip 用於紫外線擦除型EPROM 以及內部帶有EPROM 的微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數從8 到42。在日本,此封裝表示為DIP-G(G 即玻璃密封的意思)。

6、Cerquad

表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用於封裝DSP 等的邏輯LSI 電路。帶有窗口的Cerquad 用於封裝EPROM 電路。散熱性比塑料QFP 好,在自然空冷條件下可容許1.5~ 2W 的功率。但封裝成本比塑料QFP 高3~5 倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多種規格。引腳數從32 到368。

7、CLCC(ceramic leaded chip carrier)

帶引腳的陶瓷晶元載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形。

帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)。

8、COB(chip on board)

板上晶元封裝,是裸晶元貼裝技術之一,半導體晶元交接貼裝在印刷線路板上,晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,並用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB 是最簡單的裸晶元貼裝技術,但它的封裝密度遠不如TAB 和倒片焊技術。

9、DFP(al flat package)

雙側引腳扁平封裝。是SOP 的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,現在已基本上不用。

10、DIC(al in-line ceramic package)

陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).

11、DIL(al in-line)

DIP 的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。

12、DIP(al in-line package)

雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP 是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標准邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數從6 到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm 的封裝分別稱為skinny DIP 和slim DIP(窄體型DIP)。但多數情況下並不加區分,只簡單地統稱為DIP。另外,用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP 也稱為cerdip(見cerdip)。

13、DSO(al small out-lint)

雙側引腳小外形封裝。SOP 的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。

14、DICP(al tape carrier package)

雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於利用的是TAB(自動帶載焊接)技術,封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI,但多數為定製品。另外,0.5mm 厚的存儲器LSI 簿形封裝正處於開發階段。在日本,按照EIAJ(日本電子機械工業)會標准規定,將DICP 命名為DTP。

15、DIP(al tape carrier package)

同上。日本電子機械工業會標准對DTCP 的命名(見DTCP)。

16、FP(flat package)

扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP 或SOP(見QFP 和SOP)的別稱。部分半導體廠家採用此名稱。

17、flip-chip

倒焊晶元。裸晶元封裝技術之一,在LSI 晶元的電極區製作好金屬凸點,然後把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的佔有面積基本上與晶元尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹系數與LSI 晶元不同,就會在接合處產生反應,從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI 晶元,並使用熱膨脹系數基本相同的基板材料。

18、FQFP(fine pitch quad flat package)

小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm 的QFP(見QFP)。部分導導體廠家採用此名稱。

19、CPAC(globe top pad array carrier)

美國Motorola 公司對BGA 的別稱(見BGA)。

20、CQFP(quad fiat package with guard ring)

帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP 之一,引腳用樹脂保護環掩蔽,以防止彎曲變形。在把LSI 組裝在印刷基板上之前,從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(L 形狀)。這種封裝在美國Motorola 公司已批量生產。引腳中心距0.5mm,引腳數最多為208 左右。

21、H-(with heat sink)

表示帶散熱器的標記。例如,HSOP 表示帶散熱器的SOP。

22、pin grid array(surface mount type)

表面貼裝型PGA。通常PGA 為插裝型封裝,引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA 在封裝的底面有陳列狀的引腳,其長度從1.5mm 到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法,因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm,比插裝型PGA 小一半,所以封裝本體可製作得不怎麼大,而引腳數比插裝型多(250~528),是大規模邏輯LSI 用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。

23、JLCC(J-leaded chip carrier)

J 形引腳晶元載體。指帶窗口CLCC 和帶窗口的陶瓷QFJ 的別稱(見CLCC 和QFJ)。部分半導體廠家採用的名稱。

24、LCC(Leadless chip carrier)

無引腳晶元載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC 用封裝,也稱為陶瓷QFN 或QFN-C(見QFN)。

25、LGA(land grid array)

觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227 觸點(1.27mm 中心距)和447 觸點(2.54mm 中心距)的陶瓷LGA,應用於高速邏輯LSI 電路。LGA 與QFP 相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外,由於引線的阻抗小,對於高速LSI 是很適用的。但由於插座製作復雜,成本高,現在基本上不怎麼使用。預計今後對其需求會有所增加。

26、LOC(lead on chip)

晶元上引線封裝。LSI 封裝技術之一,引線框架的前端處於晶元上方的一種結構,晶元的中心附近製作有凸焊點,用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在晶元側面附近的結構相比,在相同大小的封裝中容納的晶元達1mm 左右寬度。

27、LQFP(low profile quad flat package)

薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm 的QFP,是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。

28、L-QUAD

陶瓷QFP 之一。封裝基板用氮化鋁,基導熱率比氧化鋁高7~8 倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,晶元用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯LSI 開發的一種封裝,在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208 引腳(0.5mm 中心距)和160 引腳(0.65mm中心距)的LSI 邏輯用封裝,並於1993 年10 月開始投入批量生產。

29、MCM(multi-chip mole)

多晶元組件。將多塊半導體裸晶元組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM-L,MCM-C 和MCM-D 三大類。MCM-L 是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎麼高,成本較低。MCM-C 是用厚膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高於MCM-L。MCM-D 是用薄膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al 作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的,但成本也高。

30、MFP(mini flat package)

小形扁平封裝。塑料SOP 或SSOP 的別稱(見SOP 和SSOP)。部分半導體廠家採用的名稱。

31、MQFP(metric quad flat package)

按照JEDEC(美國聯合電子設備委員會)標准對QFP 進行的一種分類。指引腳中心距為

0.65mm、本體厚度為3.8mm~2.0mm 的標准QFP(見QFP)。

32、MQUAD(metal quad)

美國Olin 公司開發的一種QFP 封裝。基板與封蓋均採用鋁材,用粘合劑密封。在自然空冷條件下可容許2.5W~2.8W 的功率。日本新光電氣工業公司於1993 年獲得特許開始生產。

33、MSP(mini square package)

QFI 的別稱(見QFI),在開發初期多稱為MSP。QFI 是日本電子機械工業會規定的名稱。

34、OPMAC(over molded pad array carrier)

模壓樹脂密封凸點陳列載體。美國Motorola 公司對模壓樹脂密封BGA 採用的名稱(見

BGA)。

35、P-(plastic)

表示塑料封裝的記號。如PDIP 表示塑料DIP。

36、PAC(pad array carrier)

凸點陳列載體,BGA 的別稱(見BGA)。

37、PCLP(printed circuit board leadless package)

印刷電路板無引線封裝。日本富士通公司對塑料QFN(塑料LCC)採用的名稱(見QFN)。引腳中心距有0.55mm 和0.4mm 兩種規格。目前正處於開發階段。

38、PFPF(plastic flat package)

塑料扁平封裝。塑料QFP 的別稱(見QFP)。部分LSI 廠家採用的名稱。

39、PGA(pin grid array)

陳列引腳封裝。插裝型封裝之一,其底面的垂直引腳呈陳列狀排列。封裝基材基本上都採用多層陶瓷基板。在未專門表示出材料名稱的情況下,多數為陶瓷PGA,用於高速大規模邏輯LSI 電路。成本較高。引腳中心距通常為2.54mm,引腳數從64 到447 左右。了為降低成本,封裝基材可用玻璃環氧樹脂印刷基板代替。也有64~256 引腳的塑料PGA。

另外,還有一種引腳中心距為1.27mm 的短引腳表面貼裝型PGA(碰焊PGA)。(見表面貼裝

型PGA)。

40、piggy back

馱載封裝。指配有插座的陶瓷封裝,形關與DIP、QFP、QFN 相似。在開發帶有微機的設備時用於評價程序確認操作。例如,將EPROM 插入插座進行調試。這種封裝基本上都是定製品,市場上不怎麼流通。

41、PLCC(plastic leaded chip carrier)

帶引線的塑料晶元載體。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形,

是塑料製品。美國德克薩斯儀器公司首先在64k 位DRAM 和256kDRAM 中採用,現在已經普及用於邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路。引腳中心距1.27mm,引腳數從18 到84。

J 形引腳不易變形,比QFP 容易操作,但焊接後的外觀檢查較為困難。PLCC 與LCC(也稱QFN)相似。以前,兩者的區別僅在於前者用塑料,後者用陶瓷。但現在已經出現用陶瓷製作的J 形引腳封裝和用塑料製作的無引腳封裝(標記為塑料LCC、PCLP、P-LCC 等),已經無法分辨。為此,日本電子機械工業會於1988 年決定,把從四側引出J 形引腳的封裝稱為QFJ,把在四側帶有電極凸點的封裝稱為QFN(見QFJ 和QFN)。

42、P-LCC(plastic teadless chip carrier)(plastic leaded chip currier)

有時候是塑料QFJ 的別稱,有時候是QFN(塑料LCC)的別稱(見QFJ 和QFN)。部分LSI 廠家用PLCC 表示帶引線封裝,用P-LCC 表示無引線封裝,以示區別。

43、QFH(quad flat high package)

四側引腳厚體扁平封裝。塑料QFP 的一種,為了防止封裝本體斷裂,QFP 本體製作得 較厚(見QFP)。部分半導體廠家採用的名稱。

44、QFI(quad flat I-leaded packgac)

四側I 形引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝四個側面引出,向下呈I 字。

也稱為MSP(見MSP)。貼裝與印刷基板進行碰焊連接。由於引腳無突出部分,貼裝佔有面積小於QFP。日立製作所為視頻模擬IC 開發並使用了這種封裝。此外,日本的Motorola 公司的PLL IC也採用了此種封裝。引腳中心距1.27mm,引腳數從18 於68。

45、QFJ(quad flat J-leaded package)

四側J 形引腳扁平封裝。表面貼裝封裝之一。引腳從封裝四個側面引出,向下呈J 字形。是日本電子機械工業會規定的名稱。引腳中心距1.27mm。材料有塑料和陶瓷兩種。塑料QFJ 多數情況稱為PLCC(見PLCC),用於微機、門陳列、DRAM、ASSP、OTP 等電路。引腳數從18 至84。陶瓷QFJ 也稱為CLCC、JLCC(見CLCC)。帶窗口的封裝用於紫外線擦除型EPROM 以及帶有EPROM 的微機晶元電路。引腳數從32 至84。

46、QFN(quad flat non-leaded package)

四側無引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。現在多稱為LCC。QFN 是日本電子機械工業會規定的名稱。封裝四側配置有電極觸點,由於無引腳,貼裝佔有面積比QFP 小,高度比QFP低。但是,當印刷基板與封裝之間產生應力時,在電極接觸處就不能得到緩解。因此電極觸點難於作到QFP 的引腳那樣多,一般從14 到100 左右。材料有陶瓷和塑料兩種。當有LCC 標記時基本上都是陶瓷QFN。電極觸點中心距1.27mm。塑料QFN 是以玻璃環氧樹脂印刷基板基材的一種低成本封裝。電極觸點中心距除1.27mm 外,還有0.65mm 和0.5mm 兩種。這種封裝也稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC 等。

47、QFP(quad flat package)

四側引腳扁平封裝。表面貼裝型封裝之一,引腳從四個側面引出呈海鷗翼(L)型。基材有陶瓷、金屬和塑料三種。從數量上看,塑料封裝占絕大部分。當沒有特別表示出材料時,多數情況為塑料QFP。塑料QFP 是最普及的多引腳LSI 封裝。不僅用於微處理器,門陳列等數字邏輯LSI 電路,而且也用於VTR 信號處理、音響信號處理等模擬LSI 電路。引腳中心距有1.0mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.3mm 等多種規格。0.65mm 中心距規格中最多引腳數為304。日本將引腳中心距小於0.65mm 的QFP 稱為QFP(FP)。但現在日本電子機械工業會對QFP的外形規格進行了重新評價。在引腳中心距上不加區別,而是根據封裝本體厚度分為QFP(2.0mm~3.6mm 厚)、LQFP(1.4mm 厚)和TQFP(1.0mm 厚)三種。另外,有的LSI 廠家把引腳中心距為0.5mm 的QFP 專門稱為收縮型QFP 或SQFP、VQFP。但有的廠家把引腳中心距為0.65mm 及0.4mm 的QFP 也稱為SQFP,至使名稱稍有一些混亂。QFP 的缺點是,當引腳中心距小於0.65mm 時,引腳容易彎曲。為了防止引腳變形,現已出現了幾種改進的QFP 品種。如封裝的四個角帶有樹指緩沖墊的BQFP(見BQFP);帶樹脂保護環覆蓋引腳前端的GQFP(見GQFP);在封裝本體里設置測試凸點、放在防止引腳變形的專用夾具里就可進行測試的TPQFP(見TPQFP)。在邏輯LSI 方面,不少開發品和高可靠品都封裝在多層陶瓷QFP 里。引腳中心距最小為0.4mm、引腳數最多為348 的產品也已問世。此外,也有用玻璃密封的陶瓷QFP(見Gerqad)。

48、QFP(FP)(QFP fine pitch)

小中心距QFP。日本電子機械工業會標准所規定的名稱。指引腳中心距為0.55mm、0.4mm、0.3mm 等小於0.65mm 的QFP(見QFP)。

49、QIC(quad in-line ceramic package)

陶瓷QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP、Cerquad)。

50、QIP(quad in-line plastic package)

塑料QFP 的別稱。部分半導體廠家採用的名稱(見QFP)。

51、QTCP(quad tape carrier package)

四側引腳帶載封裝。TCP 封裝之一,在絕緣帶上形成引腳並從封裝四個側面引出。是利用TAB 技術的薄型封裝(見TAB、TCP)。

52、QTP(quad tape carrier package)

四側引腳帶載封裝。日本電子機械工業會於1993 年4 月對QTCP 所制定的外形規格所用的名稱(見TCP)。

53、QUIL(quad in-line)

QUIP 的別稱(見QUIP)。

54、QUIP(quad in-line package)

四列引腳直插式封裝。引腳從封裝兩個側面引出,每隔一根交錯向下彎曲成四列。引腳中心距1.27mm,當插入印刷基板時,插入中心距就變成2.5mm。因此可用於標准印刷線路板。是比標准DIP 更小的一種封裝。日本電氣公司在台式計算機和家電產品等的微機晶元中採用了些種封裝。材料有陶瓷和塑料兩種。引腳數64。

55、SDIP (shrink al in-line package)

收縮型DIP。插裝型封裝之一,形狀與DIP 相同,但引腳中心距(1.778mm)小於DIP(2.54mm),因而得此稱呼。引腳數從14 到90。也有稱為SH-DIP 的。材料有陶瓷和塑料兩種。

56、SH-DIP(shrink al in-line package)

同SDIP。部分半導體廠家採用的名稱。

57、SIL(single in-line)

SIP 的別稱(見SIP)。歐洲半導體廠家多採用SIL 這個名稱。

58、SIMM(single in-line memory mole)

單列存貯器組件。只在印刷基板的一個側面附近配有電極的存貯器組件。通常指插入插座的組件。標准SIMM 有中心距為2.54mm 的30 電極和中心距為1.27mm 的72 電極兩種規格。在印刷基板的單面或雙面裝有用SOJ 封裝的1 兆位及4 兆位DRAM 的SIMM 已經在個人計算機、工作站等設備中獲得廣泛應用。至少有30~40%的DRAM 都裝配在SIMM 里。

59、SIP(single in-line package)

單列直插式封裝。引腳從封裝一個側面引出,排列成一條直線。當裝配到印刷基板上時封裝呈側立狀。引腳中心距通常為2.54mm,引腳數從2 至23,多數為定製產品。封裝的形狀各異。也有的把形狀與ZIP 相同的封裝稱為SIP。

60、SK-DIP(skinny al in-line package)

DIP 的一種。指寬度為7.62mm、引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP(見

DIP)。

61、SL-DIP(slim al in-line package)

DIP 的一種。指寬度為10.16mm,引腳中心距為2.54mm 的窄體DIP。通常統稱為DIP。

62、SMD(surface mount devices)

表面貼裝器件。偶而,有的半導體廠家把SOP 歸為SMD(見SOP)。

63、SO(small out-line)

SOP 的別稱。世界上很多半導體廠家都採用此別稱。(見SOP)。

64、SOI(small out-line I-leaded package)

I 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝雙側引出向下呈I 字形,中心距1.27mm。貼裝佔有面積小於SOP。日立公司在模擬IC(電機驅動用IC)中採用了此封裝。引腳數26。

65、SOIC(small out-line integrated circuit)

SOP 的別稱(見SOP)。國外有許多半導體廠家採用此名稱。

66、SOJ(Small Out-Line J-Leaded Package)

J 形引腳小外型封裝。表面貼裝型封裝之一。引腳從封裝兩側引出向下呈J 字形,故此得名。通常為塑料製品,多數用於DRAM 和SRAM 等存儲器LSI 電路,但絕大部分是DRAM。用SOJ封裝的DRAM 器件很多都裝配在SIMM 上。引腳中心距1.27mm,引腳數從20 至40(見SIMM)。

67、SQL(Small Out-Line L-leaded package)

按照JEDEC(美國聯合電子設備工程委員會)標准對SOP 所採用的名稱(見SOP)。

68、SONF(Small Out-Line Non-Fin)

無散熱片的SOP。與通常的SOP 相同。為了在功率IC 封裝中表示無散熱片的區別,有意增添了NF(non-fin)標記。部分半導體廠家採用的名稱(見SOP)。

69、SOF(small Out-Line package)

小外形封裝。表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L 字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。另外也叫SOL 和DFP。SOP 除了用於存儲器LSI 外,也廣泛用於規模不太大的ASSP 等電路。在輸入輸出端子不超過10~40 的領域,SOP 是普及最廣的表面貼裝封裝。引腳中心距1.27mm,引腳數從8~44。另外,引腳中心距小於1.27mm 的SOP 也稱為SSOP;裝配高度不到1.27mm 的SOP 也稱為TSOP(見SSOP、TSOP)。還有一種帶有散熱片的SOP。

70、SOW (Small Outline Package(Wide-Jype))

寬體SOP。部分半導體廠家採用的名稱.
以上是引用別人的。
三極體封裝:TO-92、TO-92S、TO-92NL、TO-126、TO-251、TO-251A、TO-252、TO-263(3線)、TO-220、T0-3、SOT-23、SOT-143、SOT-143R、SOT-25、SOT-26、TO-50。
電源晶元封裝:SOT-23、T0-220、TO-263、SOT-223。
以TO-92,T0-3,TO-220,TO-263,SOT-23最常用

5. 封裝基板是什麼一門技術

封裝基板是PCB,即印刷線路板中的術語。基板可為晶元提供電連接、保護、支撐、散熱、組裝等功效,以實現多引腳化,縮小封裝產品體積、改善電性能及散熱性、超高密度或多晶元模塊化的目的。 封裝基板應該屬於交叉學科的技術,它涉及到電子、物理、化工等知識。

6. 晶元封裝基板(如BGA中的) 與PWB/PCB是什麼關系

不是的,pcb是印刷電路板,只是光班子,pwb上差有諸如晶元、電阻電容等原件
我們公司稱pwb為pcb assy
應該說pcb是pwb的一個部件,不是同一個東西

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