存儲矩陣的行數和地址線

❶ 固態硬碟每個矩陣儲存多少

對於一般線性結構的矩陣，我們採用順序存儲結構，以二維數組來存儲。
以二維數組存儲分為兩種主要形式：以行為序存儲以列為序存儲。
這樣對於一個矩陣，一旦確定了行數和列數，便可以為其分配存儲空間，反之，如果給定了矩陣中的第一個元素的存放地址（basic address），我們就可以將矩陣中元素的存儲地址表示為其下標的線性函數，這樣就可以隨機讀取或查找矩陣中的任意一個元素。比如：Loc(a ij) = Loc(a 11) + [(i-1)*n+(j-1)]*d 我們假設每個元素佔用d個單元，aij就是前面所有元素佔用的單元數加上基地址。

❷ 用存儲器見組成內存時，為什麼總是採用矩陣形式

存儲器分類 存儲器是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。
構成存儲器的存儲介質，目前主要採用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由。

❸ 地址匯流排片選信號解碼器的輸入地址線怎麼判斷

計組——搞懂主存儲器晶元之地址線數據線及片選線和讀寫控制線

一塊存儲晶元完整的構造圖如下（內部進行了封裝）：

存儲矩陣是由一個一個的存儲元構成；

解碼驅動電路分為解碼器和驅動器，解碼器會輸出某一條線路的高電平信號，驅動器是為了保證解碼器輸出的高電平穩定可靠的，可以理解為將電信號放大的部件。

讀寫電路是連通存儲元的電路

地址線：用來讀取和寫入數據，接收地址信息，通常是CPU通過地址匯流排傳來的

數據線：實現數據的傳輸，其位數與晶元可讀出或寫入的數據位數有關

片選線：傳輸晶元選擇信號或者晶元使能信號，用來選擇存儲晶元

讀寫控制線：可以一條，可能有兩條
兩條：W E ‾ \overline{WE}
WE
表示允許寫； O E ‾ \overline{OE}
OE
表示允許讀
一條：W E ‾ \overline{WE}
WE
表示低電平寫，高電平讀

每個存儲晶元都對外有金屬引腳，用來接收地址信號，數據信號，片選信號，讀寫信號，每條地址線、數據線、片選線以及讀寫控制線都會對應一個金屬的引腳

存儲晶元有n位地址，代表地址線有n條，對應2 n 2^{n}2
n
個存儲單元，那麼，
該晶元的總存量=存儲單元個數*存儲字長
比如8*8位的存儲晶元，第一個8代表有8個存儲單元；第2個8反映存儲字長，表示每個存儲單元包含8位的信息，常見的描述：
8K * 8位，即 213 * 8bit，表示有 213 個存儲單元，每個存儲單元的存儲字長有 8 位，包含8個存儲元件

為了滿足字元處理的需要，常用8位二進制數表示一個位元組，因此存儲字長都取8的倍數。通常計算機系統可按字定址，也可按位元組定址。

如，總容量為1KB（說明地址線有10根，地址空間從10個全0到10個全1），字長為4B，存儲矩陣為：

0 1 2 3
4 5 6 7
8 9 10 11
12 13 14 15
… … … …
1020 1021 1022 1023
按位元組定址：1K個單元，每個單元1B；（按每個存儲單元）
按字定址：256個單元，每個單元4B；（按行）
按半字定址：512個單元，每個單元2B；（按半行）
按雙字定址：128個單元，每個單元8B；（按兩行）

按位元組定址時，和數據線沒有任何關系；只有當按字定址時，才考慮數據線，通過數據線來判斷字長。

【例】cpu有20根地址線和32根數據線，按位元組和字定址，定址范圍分別是多少？
按位元組定址，定址范圍：220=1MB；
按字定址，32根數據線可以看做存儲字長有32位，那麼一個存儲字就有4個位元組，這4個位元組的區分，需要從20根地址線拿出兩根作為字內定址，這樣剩下18根數據線來定址，定址范圍：218=256KB


【例】地址線20根，數據線16根，按位元組定址：220=1MB；按字定址：219=512KB；

a × \times× b的晶元，a是字線，連接的是地址線，b是位線，連接的是數據線。
2K × \times× 4位晶元：11根地址線，4根數據線

❹ 某DRAM晶元，其存儲容量為512×8位，問該晶元的地址線和數據線的數目分別是多少

存儲容量為512×8，則有8條數據線；因為2^19=512k，則有19條地zd址線。512表示可以存儲512×1024=2^19位數據，同時讀寫8位數據。

因為其存儲容量是512K*8位，則它的數據線為8，地址線數為219=512K。SDRAM的容量=（SDRAM的總單元數）*（位寬）=(2^24) * 32 =2^29 bit。

註：我這里算的是TQ2440開發板的整個SDRAM的總的容量，而不是只單獨每一片的SDRAM的總的容量。若是單獨每一片的SDRAM的容量 = 整個的SDRAM的容量 / 2。

註：這里計算的單位是bit，若我們把它轉化成位元組數則是 2^29 bit / 8 = 2^26 Byte = 2^6 MB = 64 MB。

(4)存儲矩陣的行數和地址線擴展閱讀

DDR地址線

DDR3為減少地址線，把地址線分為行地址線和列地址線，在硬體上是同一組地址線；地址線和列地址線是分時復用的，即地址要分兩次送出，先送出行地址，再送出列地址。

一般來說列地址線是10位，及A0...A9；行地址線數量根據內存大小，BANK數目，數據線位寬等決定(感覺也應該是行地址決定其他) 。

bank是存儲庫的意思，也就是說，一塊內存內部劃分出了多個存儲庫，訪問的時候指定存儲庫編號，就可以訪問指定的存儲庫，內存中劃分了多少個bank，要看地址線中有幾位BA地址，如果有兩位，說明有4個bank，如果有3位，說明有8個bank

❺ 某DRAM晶元，其存儲容量為512K×8位，該晶元的地址線和數據線的數目是

晶元有10條地址線和8條數據線。

由於DRAM晶元的存儲容量為512K×8位，其數據存儲的最小單位為8位，即1位元組。因此，數據線總共需要8位，即8條數據線，通常為D（0）～D（7）。

同時，可以知道內存的512K位，從2＾19＝524，288＝512K，所以我們可以用19個地址的順序來表示DRAM的地址。

然而，DRAM的內部存儲單元大多採用行和行結構，即在時分復用中，地址線傳輸行和行信號，因此地址線的數量應該減少到10個地址線。地址值是冗餘的。

DRAN的內部存儲單元結構如下圖所示：

(5)存儲矩陣的行數和地址線擴展閱讀：

DRAM（動態隨機存取存儲器），即動態隨機存取存儲器。數據只能保存很短的時間。為了保存數據，DRAM使用電容存儲，因此必須定期刷新數據，如果存儲單元沒有刷新，那麼存儲的信息就會丟失。（關機時會丟失數據）

DRAM的存儲結構採用二維矩陣結構，將DRAM的地址數據讀入兩部分：行地址數據和列地址數據。

DRAM的結構和列地址行分時工作大大提高了DRAM地址行的利用率和DRAM的集成度，大大減少了DRAM引腳的數量。

❻ 關於計算機定址范圍的疑惑

① 以上概念沒有問題。
② 理解完全正確。
③ 這些資料均遵從一個原則：在沒有特別聲明的前提下，並行存儲介面的數據位寬視為8bit。如果是構造特殊的存儲器則會單獨出題目進行考核，例如用你提到的4位寬SRAM組成x*2矩陣與計算機介面，或者用2位寬SRAM組成x*4矩陣與計算機介面，等等。

❼ 256 8位存儲器的字線和位線各有多少條

2^8=256，有8根地址線，256根字線，8根地址線和位線。
存儲矩陣是存放信息的主體，它由許多存儲單元排列組成。每個存儲單元存放一位二值代碼(0
或 1)，若干個存儲單元組成一個「字」(也稱一個信息單元)。
地址解碼器有n條地址輸入線A0~An-1，2n條解碼輸出線W0~W2n-1，每一條解碼輸出線Wi稱為「字線」，它與存儲矩陣中的一個「字」相對應。因此，
每當給定一組輸入地址時，解碼器只有一條輸出字線Wi被選中，該字線可以在存儲矩陣中找到一個相應的「字」，並將字中的m位信息Dm-1~D0送至輸出緩沖器。讀出Dm-1~D0的每條數據輸出線Di也稱為「位線」，每個字中信息的位數稱為「字長」。

❽ 存儲器的行地址和列地址是什麼意思

行地址：用於選擇指定行

列地址：用於選擇指定行中的指定字

【補充】

存儲器的行結構：

❾ 8k×4位的靜態ram他的數據線為多少條

13條
8k×4位的靜態ram他的數據線為13條哦。
RAM中負責存儲數據的部分就是存儲矩陣，光看「矩陣」兩個字大家應該也能夠想到，其是由大量存儲單元列陣構成。
地址線：是單向輸入的，用於確定數據的存儲地址
片選線：用於確定哪個存儲晶元被選中
數據線：是雙向的，用於輸入或輸出數據
0x02.存儲單元、存儲容量
最小的存儲單元當然就是1bit了 （也就是存儲 0 或 1）
如果用16K個1bit的單元組成一個更大的存儲單元，其容量也就是16Kbit(也即2KB)，一般把這樣的存儲單元寫成16K x 1。這個存儲單元中，其定址范圍是0~16K（2^14），所以需要14根地址線，每個地址上對應能存儲的數據是1bit，因此數據線1根
所以也就有計算存儲容量的公式，容量=2^地址線數量x數據線數量 (bit)